TW202137290A - 研削方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]降低發生在環狀補強部的背面側的崩缺量。[解決手段]提供一種研削方法，其具備：傾斜研削步驟，其使裝設於第二旋轉軸的下端部且具有比卡盤台的直徑小的直徑並且配置於卡盤台的上方之研削輪繞第二旋轉軸旋轉，且以研削輪中之位於卡盤台的外周部側的上方之第一部分的底部變得比位於卡盤台的中心部側的上方之第二部分的底部更高之方式，在將第二旋轉軸相對於第一旋轉軸傾斜的狀態下，以研削輪與卡盤台沿著平行於第一旋轉軸的方向互相接近之方式使兩者相對地移動，藉此研削被加工物的背面側的中央部，在背面側形成圓盤狀的凹部；以及傾斜變化及研削步驟，其以第二旋轉軸與第一旋轉軸成為平行之方式，一邊使第二旋轉軸的傾斜緩緩變化，一邊研削背面側。

Description

研削方法
本發明係關於一種研削方法，其藉由研削被加工物的背面側的中央部，而在被加工物的背面側形成圓盤狀的凹部，所述圓盤狀的凹部係由已實施研削之圓形的被研削部、與包圍被研削部的周圍且未實施研削的環狀補強部所構成。
在正面側設定以互相交叉的多條分割預定線所劃分的多個區域且在各區域形成IC（Integrated Circuit，積體電路）、LSI（Large Scale Integration，大型積體電路）等元件的被加工物，經過研削、切割等而被分割成多個元件晶片。作為被加工物的研削方法，例如，有對於配置多個元件之圓形的元件區域，僅在被加工物的厚度方向研削對應之背面側的圓形的中央部之方法（例如參閱專利文獻1）。
藉由僅研削背面側的圓形的中央部，而在被加工物的背面側形成圓盤狀的凹部，所述圓盤狀的凹部係由已實施研削之圓形的被研削部、與包圍被研削部的周圍且未實施研削的環狀補強部所構成。如此，因殘留環狀補強部，故即使背面側被薄化，仍有被加工物的搬送等處理變得容易之優點。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-19461號公報
[發明所欲解決的課題] 然而，在研削步驟中，因研削磨石接觸背面側時的衝擊、研削磨石的外側側面與環狀補強部的內周側面之接觸，而在環狀補強部的背面側形成許多崩裂（崩缺），有時會使環狀補強部的強度降低。
並且，在研削步驟後實施晶圓蝕刻之情形，因形成於環狀補強部之崩缺部分被蝕刻，故在環狀補強部的背面側形成凹凸。若形成凹凸，則在後續的步驟會進一步發生其他問題。例如，在蒸鍍於背面側之金屬膜會變得容易以凹凸部分作為起點而被剝離。並且，例如在背面側貼附切割膠膜時，會因凹凸部分而發生貼附不佳。
本發明係有鑑於此問題點而完成者，目的在於降低在環狀補強部的背面側產生的崩缺量。
[解決課題的技術手段] 根據本發明的一態樣，提供一種研削方法，其係藉由具有圓環狀的輪基台與在該輪機台的一面側配置成環狀的磨石部之研削輪的該磨石部，將在正面側具有形成多個元件的元件區域與包圍該元件區域的周圍的外周剩餘區域之圓盤狀的被加工物的背面側進行研削之被加工物的研削方法，所述研削方法的特徵在於，具備：正面保護步驟，其以保護構件覆蓋該被加工物的該正面側；保持步驟，其以能繞第一旋轉軸旋轉之圓盤狀的卡盤台吸引並保持該被加工物的該正面側；傾斜研削步驟，其在該保持步驟後，使裝設於第二旋轉軸的下端部且具有比該卡盤台的直徑小的直徑並且配置於該卡盤台的上方之該研削輪繞該第二旋轉軸旋轉，且以該研削輪中之位於該卡盤台的外周部側的上方之第一部分的底部變得比位於該卡盤台的中心部側的上方之第二部分的底部更高之方式，在將該第二旋轉軸相對於該第一旋轉軸傾斜的狀態下，以該研削輪與該卡盤台沿著平行於該第一旋轉軸的方向互相接近之方式使兩者相對地移動，藉此在該被加工物的厚度方向研削對應於該元件區域之該被加工物的該背面側的中央部，在該背面側形成圓盤狀的凹部，所述圓盤狀的凹部係由已實施研削之圓形的被研削部、與包圍該被研削部的周圍且未實施研削的環狀補強部所構成；以及傾斜變化及研削步驟，其在該傾斜研削步驟後，以該第二旋轉軸與該第一旋轉軸平行之方式，一邊使該第二旋轉軸的傾斜緩緩變化，一邊研削該背面側。
研削方法可進一步具備：通常研削步驟，其在該傾斜變化及研削步驟後，在使該研削輪的該第二旋轉軸與該卡盤台的該第一旋轉軸平行的狀態下，以該研削輪與該卡盤台沿著平行於該第一旋轉軸的方向互相接近之方式使兩者相對地移動，藉此研削該被研削部。
在本發明的一態樣的研削方法的傾斜研削方法中，以使研削輪繞第二旋轉軸旋轉，且研削輪中之位於卡盤台的外周部側的上方之第一部分的底部成為比位於卡盤台的中心部側的上方之第二部分的底部更高之方式，在將第二旋轉軸相對於第一旋轉軸傾斜的狀態下，研削被加工物的背面側的中央部，而在背面側形成圓盤狀的凹部。
[發明功效] 藉此，可消除環狀補強部的背面側的崩缺，所述崩缺係研削磨石的外周側面接觸環狀補強部的上表面的內周緣所產生。據此，可降低在環狀補強部的背面側所產生的崩缺量。
參閱隨附圖式，說明關於本發明的一態樣的實施方式。首先，使用圖1說明研削裝置2。圖1為研削裝置2之局部剖面側視圖。研削裝置2具有支撐多個構成要素之大致長方體狀的基台4。
在基台4上，設有圓盤狀的卡盤台6。卡盤台6具有陶瓷製的框體6a。在框體6a內設有流路（未圖示），此流路的一端連接噴射器等吸引源（未圖示）。
框體6a在上表面側具有由圓盤狀的空間所形成之凹部。在此凹部固定有圓盤狀的多孔板6b。此外，凹部及多孔板6b的直徑與後述的被加工物11（參閱圖2）的直徑被設定為大致相同（例如200mm）。
在多孔板6b連接框體6a的流路的另一端。若使吸引源運作，則在多孔板6b的上表面產生負壓，該上表面發揮作為吸引並保持被加工物11之保持面6c的功能。
在卡盤台6的下表面側，配置有馬達等第一旋轉驅動源（未圖示）。第一旋轉驅動源的輸出軸（第一旋轉軸）8被配置成與Z軸方向（高度方向、垂直方向）大致平行。
輸出軸8連結卡盤台6的下表面側。若使第一旋轉驅動源運作，則卡盤台6繞輸出軸8旋轉。在基台4的後方側設有長方體狀的柱體10。
在柱體10的前方側設有研削進給單元12。研削進給單元12以大致平行於高度方向的態樣，具有固定於柱體10的前方側面之一對導軌12a。此外，在圖1中，表示位於紙面裡側的一個導軌12a。
移動板12b以可滑動的態樣安裝於一對導軌12a。在移動板12b的背面（後方）側，設有螺帽部12c。與高度方向大致平行地配置的滾珠螺桿12d以可旋轉的態樣連結於螺帽部12c。
在滾珠螺桿12d的上端部連結有脈衝馬達12e。若以脈衝馬達12e使滾珠螺桿12d旋轉，則移動板12b會沿著導軌12a移動。
在移動板12b的正面（前方）固定有構成研削單元14之圓筒狀的保持構件14a。在保持構件14a的內側的空間配置有圓筒狀的主軸外殼14b。
在主軸外殼14b的下部分別環狀地配置有塊狀的多個間隔件14c（14c1 、14c2 ）。各間隔件14c的上表面與主軸外殼14b的下表面相接，各間隔件14c的下表面配置在保持構件14a的底板的上表面側。
在圖1中，表示配置於離柱體10最近的位置（亦即後方）之間隔件14c1 、及配置於離柱體10最遠的位置（亦即前方）之間隔件14c2 。在間隔件14c2 的下部側形成有螺孔。
並且，在位於螺孔的下部之保持構件14a的底板形成有貫通孔。透過該貫通孔，公螺紋14d的軸部鎖緊於螺孔。公螺紋14d的頭部在保持構件14a的底板更下方露出，且公螺紋14d的頭部連結馬達等驅動機構（未圖示）的輸出軸。
例如，若使驅動機構運作而使公螺紋14d往一方向旋轉，則間隔件14c2 會往上方移動，且間隔件14c2 的下表面會稍微從保持構件14a的底板的上表面離開。相對於此，若使公螺紋14d往另一方向旋轉，則間隔件14c2 會往下方移動，且間隔件14c2 的下表面會與保持構件14a的底板的上表面相接。間隔件14c2 的厚度、移動量等，為了實現後述的被加工物11的研削方法而被適當調整。
在主軸外殼14b的內部配置有圓柱狀的主軸14e。主軸14e是以可旋轉的態樣被支撐在主軸外殼14b。在主軸14e的上端部連結有伺服馬達等第二旋轉驅動源（未圖示）。
主軸14e是以貫通形成於保持構件14a的底板的中央部之開口的方式配置。主軸14e的下端位於較保持構件14a的底板的下表面更下方。在主軸14e的下端部連結有圓盤狀的輪座（wheel mount）16的上表面的中央部。
在輪座16的下表面側裝設有由鋁合金等所形成之圓環狀的輪基台18a的上表面側。換言之，輪基台18a係透過輪座16而被裝設於主軸14e的下端部。
輪基台18a配置於卡盤台6的上方。輪基台18a的直徑小於卡盤台6的直徑。例如，輪基台18a的直徑被設定成小於保持面6c的直徑（在本例中為約200mm）的預定長度。
在輪基台18a的下表面（一面）18b側，分別環狀地配置（鏈段排列）有塊狀的多個研削磨石18c（磨石部）。此外，亦可設有圓環狀的一個研削磨石（磨石部）（連續排列）以取代多個研削磨石18c。
輪基台18a及多個研削磨石18c構成研削輪18。若使第二旋轉驅動源運作，則主軸14e旋轉，研削輪18繞主軸（第二旋轉軸）14e旋轉。
此外，在主軸14e及輪基台18a的內部形成有用於對研削磨石18c供給純水等研削水之預定流路（未圖示），在研削時從研削水供給源（未圖示）朝向研削磨石18c供給研削水。
接著，說明成為研削對象之被加工物11。圖2為被加工物11等之立體圖。本實施方式的被加工物11例如為由矽等半導體材料所形成之圓盤狀的晶圓。被加工物11例如具有100µm以上且800µm以下的預定厚度。
被加工物11的正面11a側係藉由互相交叉的多條分割預定線（切割道）13而被劃分成多個區域，在各區域形成有IC、LSI等元件15。
此外，被加工物11的材質、形狀、構造、或大小等並無限制。例如，亦可使用由矽以外的其他半導體材料而成之基板作為被加工物11。並且，元件15的種類、數量、形狀、構造、大小、或配置等亦無限制。
在觀看被加工物11的正面11a側之情形中，多個元件15被配置在圓形的元件區域17a的內側。在元件區域17a的外側，以包圍元件區域17a的周圍之方式，配置不具有元件15的外周剩餘區域17b。
在圖2中，以虛線表示圓形的元件區域17a與環狀的外周剩餘區域17b之邊界線。但是，此邊界線為想像的線，實際上並未附加於被加工物11。此外，在正面11a側及背面11b側的各外周部，形成有角部被倒角的斜角部（參閱圖3（A）等）。
接著，使用圖2至圖7說明被加工物11的研削方法。此外，圖7為研削方法之流程圖。首先，如圖2所示，將由樹脂所形成之圓形的保護構件19貼附於正面11a側。藉此，形成正面11a側被保護構件19覆蓋的被加工單元21（正面保護步驟S10）。
保護構件19係以除了正面11a之外亦覆蓋正面11a側的斜角部之方式被貼附。保護構件19為由樹脂所形成之圓盤狀的薄片，且具有基材層與設在基材層的一面之糊層（黏著層）。
糊層例如係由紫外線硬化樹脂所構成，但亦可由熱硬化性樹脂或自然硬化性樹脂所構成。此外，基材層不一定要設有糊層。例如，保護構件19亦可僅由基材層所構成，並利用熱壓接等而被貼附在正面11a側。
正面保護步驟S10之後，在卡盤台6的保持面6c吸引並保持被加工物11的正面11a側（亦即，位於與保護構件19的一面為相反側之其他面）（保持步驟S20）。圖3（A）為被加工物單元21等之局部剖面側視圖。
保持步驟S20之後，使用研削裝置2，以研削輪18研削背面11b側。在本實施方式中，首先，使驅動機構運作，使公螺紋14d旋轉，並調整間隔件14c2 的位置。
主軸14e的下端係以位於保持面6c的外周部6c1 與保持面6c的中心部6c2 之間的方式被配置。藉由間隔件14c2 的位置調整，主軸14e在保持面6c的中心部6c2 側僅傾斜預定角度θ。
預定角度θ（以度（arc degree）表示），例如為大於0度且2度以下（0度＜θ≤2度）。如圖3（B）所示，藉由將主軸14e（一點鏈線）相對於與輸出軸8平行的直線（虛線）僅傾斜預定角度θ，而多個研削磨石18c中之位於外周部6c1 側的上方之第一部分18c1 的底部變得稍微高於位於中心部6c2 側的上方之第二部分18c2 的底部。
在此狀態下，使研削輪18繞主軸14e旋轉，並使卡盤台6繞輸出軸8旋轉。例如，將主軸14e的旋轉數設為3000rpm，將輸出軸8的旋轉數設為300rpm。
接著，使脈衝馬達12e運作，以研削輪18與卡盤台6互相接近之方式，沿著平行於輸出軸8的方向使研削輪18及卡盤台6相對地移動。
例如，以1.0µm/秒鐘將研削單元14沿著Z軸方向往下方進行研削進給。藉此，研削背面11b側（傾斜研削步驟S30）。圖3（B）為在傾斜研削步驟S30中的研削輪18等之局部剖面側視圖。
若研削磨石18c與背面11b側相接，則研削並去除背面11b側。在本實施方式中，不研削對應於外周剩餘區域17b之背面11b側的外周部11b1 ，而研削在被加工物11的厚度方向對應於元件區域17a之背面11b側的中央部11b2 。
圖4（A）為研削時的研削輪18等之局部剖面側視圖。中央部11b2 被實施研削而成為圓形的被研削部11c2 。此被研削部11c2 的周圍成為未被實施研削的環狀補強部11c1 。
藉由被研削部11c2 、與以包圍被研削部11c2 之方式配置的環狀補強部11c1 ，而在背面11b側的中央部形成圓盤狀的凹部11c。圖4（B）為在被研削部11c2 與環狀補強部11c1 之邊界附近的圖4（A）之部分放大圖。
在傾斜研削步驟S30中，將主軸14e相對於輸出軸8僅傾斜預定角度θ。據此，研削磨石18c的外周側面係在從環狀補強部11c1 的上表面（亦即，背面11b1 的外周11b1 ）的內周緣遠離的狀態下進行研削。換言之，在研削時，在研削磨石18c的外周側面與環狀補強部11c1 的上表面的內周緣之間形成間隙23。
例如，在環狀補強部11c1 的內周側面的深度為600µm之情形，若θ=1.9度，則從環狀補強部11c1 的上表面的內周緣至研削磨石18c的外周側面為止的距離成為20µm。據此，在研削磨石18c的外周側面之磨粒的突出量為10µm之情形，研削磨石18c的磨粒未與環狀補強部11c1 的上表面的內周緣相接。
在本實施方式的傾斜研削步驟S30中，因如此形成間隙23，故可消除崩缺，所述崩缺係研削磨石18c的外周側面接觸環狀補強部11c1 的上表面的內周緣所產生之環狀補強部11c1 的背面11b側的崩缺。因此，可降低在環狀補強部11c1 的背面11b側所產生的崩缺量。
傾斜研削步驟S30之後，在已停止研削單元14的研削進給的狀態下，使驅動機構運作，並使公螺紋14d往另一方向旋轉。藉此，使主軸14e的傾斜緩緩地往與在傾斜研削步驟S30中傾斜的方向為相反的方向變化。
在本實施方式中，以抵消在傾斜研削步驟S30所形成之預定角度θ的方式調整主軸14e的傾斜，並使主軸14e平行於輸出軸8。但是，即使在此傾斜變化中，仍持續研削背面11b側（傾斜變化及研削步驟S40）。
圖5為被研削部11c2 與環狀補強部11c1 的邊界附近之局部放大圖，且為表示傾斜變化及研削步驟S40之圖。此外，在圖5中，以兩點鏈線表示在傾斜研削步驟S30中的研削磨石18c，以實線表示在傾斜變化及研削步驟S40中已消除傾斜的狀態的研削磨石18c。
在傾斜變化及研削步驟S40中，藉由使主軸14平行於輸出軸8，而相較於僅在傾斜研削步驟S30結束研削之情形，可使被研削部11c2 平坦。
此外，在傾斜變化及研削步驟S40中，起因於主軸14e的傾斜變化的動作，而在環狀部強部11c1 的內周側面的底部與被研削部11c2 之邊界附近形成環狀的曲面11d。
然而，在本實施方式的傾斜變化及研削步驟S40中，雖不將研削單元14研削進給至下方，但與傾斜研削步驟S30同樣地，可一邊以1.0µm/秒鐘進行研削進給，一邊使主軸14e平行於輸出軸8。
然後，傾斜變化及研削步驟S40之後，在使主軸14e與輸出軸8平行的狀態下，進一步研削被研削部11c2 （通常研削步驟S50）。圖6為表示通常研削步驟S50之圖。
在通常研削步驟S50中，以研削輪18與卡盤台6在沿著與輸出軸8平行的方向互相接近之方式，使研削輪18及卡盤台6相對地移動。例如，以1.0µm/秒鐘將研削單元14往下方進行研削進給。
此外，在本實施方式的研削方法中，通常研削步驟S50為非必要。換言之，亦可藉由正面保護步驟S10至傾斜變化及研削步驟S40便結束被加工物11的研削。
接著，說明比較例。圖8為表示比較例的研削步驟之圖。在比較例中，正面保護步驟S10及保持步驟S20之後，在使主軸14e相對於輸出軸8呈平行的狀態下，使主軸14e及輸出軸8旋轉，進行研削進給。
在此情況，研削磨石18c的外周側面接觸環狀補強部11c1 的上表面的內周緣（參閱圖8中由一點鏈線的圓所示之區域25）。據此，相較於上述的實施方式，環狀補強部11c1 的背面11b側的崩缺量變多。
另外，上述實施方式的構造、方法等只要不脫離本發明目的之範圍則可適當變更而實施。例如，本實施方式的研削方法亦能適用於粗研削及精研削的任一者。
2:研削裝置 4:基台 6:卡盤台 6a:框體 6b:多孔板 6c:保持面 6c1:外周部 6c2:中心部 8:輸出軸 10:柱體 11:被加工物 11a:正面 11b:背面 11b1:外周部 11b2:中央部 11c:凹部 11c1:環形補強部 11c2:被研削部 11d:曲面 12:研削進給單元 12a:導軌 12b:移動板 12c:螺帽部 12d:滾珠螺桿 12e:脈衝馬達 13:分割預定線 14:研削單元 14a:保持構件 14b:主軸外殼 14c,14c1,14c2:間隔件 14d:公螺紋 14e:主軸 15:元件 16:輪座 17a:元件區域 17b:外圍剩餘區域 18:研削輪 18a:輪基台 18b:下表面 18c:研削磨石 18c1:第一部分 18c2:第二部分 19:保護構件 21:被加工物單元 23:間隙 25:區域
圖1為研削裝置之局部剖面側視圖。 圖2為被加工物等之立體圖。 圖3（A）為被加工物單元等之局部剖面側視圖，圖3（B）為在傾斜研削步驟中的研削輪等之局部剖面側視圖。 圖4（A）為研削時的研削輪等之局部斷面側視圖，圖4（B）為圖4（A）之部分放大圖。 圖5為表示傾斜變化及研削步驟之圖。 圖6為表示通常研削步驟之圖。 圖7為研削方法之流程圖。 圖8為表示比較例的研削步驟之圖。
6:卡盤台
6a:框體
6b:多孔板
6c:保持面
8:輸出軸
11:被加工物
11a:正面
11b1:外周部
11b2:中央部
11c:凹部
11c1:環形補強部
11c2:被研削部
14e:主軸
16:輪座
18:研削輪
18a:輪基台
18c:研削磨石
19:保護構件
21:被加工物單元
23:間隙

Claims (2)

  1. 一種研削方法，其係藉由具有圓環狀的輪基台與在該輪機台的一面側配置成環狀的磨石部之研削輪的該磨石部，將在正面側具有形成多個元件的元件區域與包圍該元件區域的周圍的外周剩餘區域之圓盤狀的被加工物的背面側進行研削之被加工物的研削方法，該研削方法的特徵在於，具備： 正面保護步驟，其以保護構件覆蓋該被加工物的該正面側； 保持步驟，其以能繞第一旋轉軸旋轉之圓盤狀的卡盤台吸引並保持該被加工物的該正面側； 傾斜研削步驟，其在該保持步驟後，使裝設於第二旋轉軸的下端部且具有比該卡盤台的直徑小的直徑並且配置於該卡盤台的上方之該研削輪繞該第二旋轉軸旋轉，且以該研削輪中之位於該卡盤台的外周部側的上方之第一部分的底部變得比位於該卡盤台的中心部側的上方之第二部分的底部更高之方式，在將該第二旋轉軸相對於該第一旋轉軸傾斜的狀態下，以該研削輪與該卡盤台沿著平行於該第一旋轉軸的方向互相接近之方式使兩者相對地移動，藉此在該被加工物的厚度方向研削對應於該元件區域之該被加工物的該背面側的中央部，在該背面側形成圓盤狀的凹部，該圓盤狀的凹部係由已實施研削之圓形的被研削部、與包圍該被研削部的周圍且未實施研削的環狀補強部所構成；以及 傾斜變化及研削步驟，其在該傾斜研削步驟後，以該第二旋轉軸與該第一旋轉軸成為平行之方式，一邊使該第二旋轉軸的傾斜緩緩變化，一邊研削該背面側。
  2. 如請求項1之研削方法，其中，更具備：通常研削步驟，其在該傾斜變化及研削步驟後，在使該研削輪的該第二旋轉軸與該卡盤台的該第一旋轉軸平行的狀態下，以該研削輪與該卡盤台沿著平行於該第一旋轉軸的方向互相接近之方式使兩者相對地移動，藉此研削該被研削部。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113843662B (zh) * 2021-10-26 2023-07-21 中国航发贵州黎阳航空动力有限公司 一种跑道零件的研磨方法
CN115870875B (zh) * 2022-12-08 2024-04-12 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种用于研磨硅片的研磨盘及研磨设备

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5390740B2 (ja) 2005-04-27 2014-01-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US8048775B2 (en) 2007-07-20 2011-11-01 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Process of forming ultra thin wafers having an edge support ring
JP2010194680A (ja) 2009-02-25 2010-09-09 Disco Abrasive Syst Ltd ワーク加工方法およびワーク加工装置
JP6129551B2 (ja) * 2012-12-27 2017-05-17 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP6791579B2 (ja) * 2016-09-09 2020-11-25 株式会社ディスコ ウェーハ及びウェーハの加工方法
JP2018120916A (ja) 2017-01-24 2018-08-02 株式会社ディスコ ウェーハの研削方法
JP7049801B2 (ja) * 2017-10-12 2022-04-07 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法

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