JP2024067453A - 被加工物の研削方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リング状補強部の内周側面において、上側縁部でのチッピングと、下側縁部での割れと、の発生を低減する。【解決手段】チャックテーブルで保持された被加工物の径方向の中央部を研削ホイールで研削することで、円板状凹部と、円板状凹部を囲むリング状補強部と、を被加工物に形成する研削工程を備え、研削工程では、研削ホイールとチャックテーブルとを研削ホイールの回転軸方向に沿って相対的に移動させながら研削ホイールとチャックテーブルとをチャックテーブルの径方向の内側方向に相対的に移動させることにより、リング状補強部の内側の上側縁部が被加工物の一面の中心を通る被加工物の断面において凸型の弧状となり、リング状補強部の内側の下側縁部が同断面において凹型の弧状となり、且つ、上側縁部の下端と下側縁部の上端とが同断面において接続する様に、被加工物を研削する被加工物の研削方法を提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、円板状の被加工物を研削する被加工物の研削方法に関する。

電子機器の小型化及び軽量化のためには、電子機器に搭載されるデバイスチップの薄化が求められる。薄化されたデバイスチップを製造するためには、例えば、ウェーハの表面側に複数のデバイスを形成した後、ウェーハの裏面側を研削することでウェーハを薄化する。

ウェーハの研削には、裏面側の全体を一様に研削する手法の他に、複数のデバイスが形成されている表面側のデバイス領域に対応する裏面側の中央部を研削することで、ウェーハの裏面側の中央部に円板状凹部を形成する手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

この手法により、デバイス領域に対応する裏面側の中央部を薄化しつつ、ウェーハの外周部に比較的厚いリング状補強部を残すことができる。この研削手法は、ＴＡＩＫＯ（登録商標）とも呼ばれている（以下、便宜的にＴＡＩＫＯプロセスと称する）。

ＴＡＩＫＯプロセスを採用すれば、裏面側の全体を一様に研削して薄化する場合に比べて、薄化後のウェーハの強度を向上できると共に、ウェーハの反りを低減できる。それゆえ、ウェーハの薄化後の搬送、加工等が容易になる。

しかし、ＴＡＩＫＯプロセスを採用する場合、リング状補強部の内周側面における上側縁部において、研削砥石の外周側面との衝突によりチッピングが形成されやすい。このチッピングは、ウェーハの割れの原因になる。

また、ＴＡＩＫＯプロセスに従った研削工程の後、ウェットエッチング工程が後続する場合、このチッピングに薬液が入り込むことで、リング状補強部の内周側面の上側縁部に凹凸が形成される。上側縁部の凹凸は、ウェットエッチング工程の後、ウェーハの裏面側の全体に金属膜を形成する場合に、金属膜の形成不良の原因となる。

更に、上側縁部の凹凸は、円板状凹部に倣う様にウェーハの裏面側の全体に樹脂製のダイシングテープを貼り付ける場合に、貼付不良の原因となる。この様に、リング状補強部の内周側面における上側縁部に形成されるチッピングは、様々な問題につながる。

ところで、通常のＴＡＩＫＯプロセスにより円板状凹部を形成すると、リング状補強部の内周側面における下側縁部では、円板状凹部の内周側面と底面とが略直交するので、応力が集中しやすい。それゆえ、リング状補強部の内周側面における下側縁部では、割れが発生しやすい。

特開２００７－１９４６１号公報

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、リング状補強部の内周側面において、上側縁部でのチッピングの発生と、下側縁部での割れの発生と、を低減することを目的とする。

本発明の一態様によれば、円板状の被加工物を研削する被加工物の研削方法であって、該被加工物を円板状のチャックテーブルで保持する保持工程と、該保持工程の後に、該チャックテーブルで保持された該被加工物の径方向の中央部を研削ホイールで研削することで、円板状凹部と、該円板状凹部を囲むリング状補強部と、を該被加工物に形成する研削工程と、を備え、該研削工程では、該研削ホイールと該チャックテーブルとを該研削ホイールの回転軸方向に沿って相対的に移動させながら該研削ホイールと該チャックテーブルとを該チャックテーブルの径方向の内側方向に相対的に移動させることにより、該リング状補強部のうち該被加工物の径方向の内側に位置する上側縁部が該被加工物の一面の中心を通る該被加工物の断面において凸型の弧状となり、該リング状補強部のうち該被加工物の径方向の内側に位置する下側縁部が該断面において凹型の弧状となり、且つ、該上側縁部の下端と該下側縁部の上端とが該断面において接続する様に、該被加工物を研削することを特徴とする被加工物の研削方法が提供される。

好ましくは、該研削工程では、該上側縁部と該下側縁部との接続点を中心に該断面において該上側縁部の外形を１８０°回転させると該上側縁部の外形が該下側縁部の外形と一致する様に、該被加工物を研削する。

また、好ましくは、該研削工程では、該断面において該上側縁部の曲率半径が該下側縁部の曲率半径と一致する様に、該被加工物を研削する。

また、好ましくは、該研削工程では、該断面における該下側縁部の半径と該上側縁部の半径との各々が、該円板状凹部の深さよりも小さくなる様に、該被加工物を研削する。

被加工物の一面の中心を通る断面において、リング状補強部の上側縁部を凸型の弧状とすることで、研削中において研削砥石の外周側面が内周側面の上端部に略衝突しなくなる。それゆえ、上側縁部でのチッピングの発生を低減できる。

また、同断面において、リング状補強部の下側縁部を凹型の弧状とすることで、円板状凹部の内周側面と底面とが略直交する場合に比べて下側縁部において応力が集中し難くなるので、下側縁部での割れの発生を低減できる。

更に、上側縁部の下端と下側縁部の上端とを接続させることにより、上側縁部の下端と下側縁部の上端とが離れている場合に比べて、円板状凹部の深さ方向において曲面を形成できる領域を増やすことができる。

被加工物の研削方法のフロー図である。 被加工物等の斜視図である。 保持工程を示す一部断面側面図である。 チャックテーブル及び研削ユニットの一部断面側面図である。 研削工程を示す一部断面側面図である。 研削工程を示す上面図である。 図７（Ａ）は研削工程の前半部を示す一部断面側面図であり、図７（Ｂ）は研削工程の後半部を示す一部断面側面図である。 研削工程後の図６のＡＡ断面図である。 図９（Ａ）は第１比較例に係る研削後の被加工物の一部断面側面図であり、図９（Ｂ）は第２比較例に係る研削後の被加工物の一部断面側面図である。 図１０（Ａ）は第１の実施形態の第１変形例に係る研削工程後の被加工物の一部断面側面図であり、図１０（Ｂ）は第１の実施形態の第２変形例に係る研削工程後の被加工物の一部断面側面図である。 第２の実施形態の研削工程後の被加工物の一部断面側面図である。

（第１の実施形態）添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態における円板状の被加工物１１（図２参照）の研削方法のフロー図である。第１の実施形態では、保持工程Ｓ１０及び研削工程Ｓ２０を順次行い、被加工物１１を研削する。

まず、被加工物１１等について説明する。図２は、被加工物１１等の斜視図である。被加工物１１は、円板状の基板１３を含む。基板１３は、例えば、シリコン単結晶基板であるが、これに限定されるものではない。基板１３は、窒化ガリウム、炭化ケイ素等の化合物半導体材料で形成されている単結晶基板であってもよい。

基板１３は、例えば、約３００ｍｍの径と、約７７５μｍの厚さと、を有するが、径及び厚さはこの数値に限定されるものではない。被加工物１１の表面１１ａ側には、複数の分割予定ライン（ストリート）１５が格子状に設定されている。

複数の分割予定ライン１５で区画された矩形状の各領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイス１７が形成されている。なお、デバイス１７の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等に制限はない。

複数のデバイス１７が形成された表面１１ａ側の所定領域は、デバイス領域と称される。このデバイス領域に対応する裏面１１ｂ側の円形領域がＴＡＩＫＯプロセスにおける被研削領域となる。

被加工物１１を研削する前には、デバイス１７の保護等を目的として、被加工物１１と略同径の樹脂製の保護テープ１９を表面１１ａ側に貼り付ける。保護テープ１９は、例えば、基材層及び粘着層の積層構造を有し、粘着層が表面１１ａに貼り付けられる。

しかし、保護テープ１９は、粘着層を有さず基材層のみを有してもよい。この場合、保護テープ１９は、熱圧着により表面１１ａに貼り付けられる。保護テープ１９が貼り付けられた被加工物１１は、研削装置２（図３参照）で研削される。

図３に示す様に、研削装置２は、円板状のチャックテーブル４を有する。チャックテーブル４は、非多孔質のセラミックスで形成された円板状の枠体６を含む。枠体６の上面側には、円形の凹部が形成されている。

この凹部には、多孔質のセラミックスで形成された円板状の多孔質板８が固定されている。多孔質板８の上面は、外周部に比べて中央部が所定値（例えば、１０μｍ以上３０μｍ以下）だけ突出した円錐形状を有する。なお、図３では、説明の便宜上、多孔質板８の形状が誇張されている。

多孔質板８の上面と、枠体６の上面とは、略面一であり、保護テープ１９を介して被加工物１１を吸引保持するための保持面４ａとして機能する。枠体６の内部には、多孔質板８に接続する流路が設けられており、この流路には、バルブ（不図示）等を介して、真空ポンプ等の吸引源（不図示）が接続されている。

それゆえ、多孔質板８の上面に保護テープ１９を介して被加工物１１を載置し、次いで、吸引源からの負圧を多孔質板８に伝達させると、被加工物１１は、保持面４ａの形状に倣って保持面４ａで吸引保持される。

枠体６の下部には、チャックテーブル４を回転させるためのモータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。チャックテーブル４は、回転駆動源の動力により、回転軸４ｂの周りで回転可能である。図３では、回転軸４ｂを一点鎖線で示す。

回転軸４ｂは、保持面４ａの一部が、Ｚ軸方向に直交するＸＹ平面と略平行（例えば、略水平）となる様に、角度調節機構（不図示）によりＺ軸方向（即ち、鉛直方向、上下方向、又は、後述する研削ホイール１６の回転軸方向）に対して微小角度だけ傾けられている。

チャックテーブル４、回転駆動源、角度調節機構等は、Ｚ軸方向に直交するＸ軸方向に沿って移動可能な移動板（不図示）を有するボールねじ式のＸ軸方向移動機構（不図示）によって支持されている。

この移動板をＸ軸方向に沿って移動させると、チャックテーブル４、回転駆動源、角度調節機構等は、一体的にＸ軸方向に沿って移動する。チャックテーブル４の上方には、研削ユニット１０が設けられている（図４参照）。

図４に示す様に、研削ユニット１０は、長手部がＺ軸方向に沿って配置された円筒状のスピンドルハウジング（不図示）を含む。スピンドルハウジングには、ボールねじ式のＺ軸方向移動機構（不図示）が連結されており、スピンドルハウジングは、Ｚ軸方向移動機構によりＺ軸方向に沿って移動する。

それゆえ、研削ホイール１６とチャックテーブル４とは、Ｘ軸方向移動機構により、Ｘ軸方向に沿って相対的に移動可能であり、更に、Ｚ軸方向移動機構により、Ｚ軸方向に沿って相対的に移動可能である。

スピンドルハウジングの内側の空間には、円柱状のスピンドル１２の一部が回転可能に収容されている。スピンドル１２の長手方向も、Ｚ軸方向に沿って配置されている。スピンドル１２の上端部の近傍には、モータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。

スピンドル１２の下端部は、スピンドルハウジングの下端部よりも下方に突出している。スピンドル１２の下端部には、被加工物１１よりも小径の円板状のマウント１４が固定されている。

マウント１４の下面側には、円環状の研削ホイール１６が固定されている。研削ホイール１６は、アルミニウム合金等の金属で形成された円環状のホイール基台１８ａを含む。ホイール基台１８ａの下面側には、ホイール基台１８ａの周方向に沿って複数の研削砥石１８ｂが略等間隔で環状に配置されている。

研削砥石１８ｂは、ｃＢＮ（cubic boron nitride）、ダイヤモンド等で形成された砥粒と、砥粒を固定するためのビトリファイドボンド、レジンボンド等のボンド材と、を含むセグメント砥石である。

各研削砥石１８ｂの下面は、略同じ高さ位置に配置されている。スピンドル１２（即ち、研削ホイール１６の回転軸）を回転させると、各研削砥石１８ｂの下面の軌跡により、円環状の研削面が形成される。

円環状の研削面の外径は、被加工物１１の半径以上且つ直径以下である。研削ホイール１６は、研削面の外径が被加工物１１の半径よりも少しだけ大きくなる様に、被加工物１１の大きさに応じて選定される。

研削ホイール１６の近傍には、研削砥石１８ｂ等に対して研削水（代表的には、純水）を供給可能な研削水供給ノズル（不図示）が設けられている。研削時には、研削領域で発生する熱や研削屑の除去に、この研削水が利用される。

研削装置２で基板１３を研削する際には、まず、図３で示す様にチャックテーブル４で被加工物１１を吸引保持する（保持工程Ｓ１０）。図３は、第１の実施形態における保持工程Ｓ１０を示す一部断面側面図である。

保持工程Ｓ１０の後に、図４に示す様に、研削ユニット１０の直下にチャックテーブル４を移動させる。具体的には、１つの研削砥石１８ｂの外周側面が、裏面１１ｂにおける被研削領域の外周縁に位置する様に（図６参照）、研削ホイール１６の直下にチャックテーブル４を移動させる。

そして、チャックテーブル４と研削ホイール１６とをそれぞれ所定方向に回転させると共に、研削水供給ノズルから研削水を供給する。図４は、研削工程Ｓ２０の開始時におけるチャックテーブル４及び研削ユニット１０の一部断面側面図である。

加えて、研削ユニット１０の下降（即ち、研削送り）を開始する。そして、研削面が裏面１１ｂに接触したら、研削ユニット１０を下降させながら、チャックテーブル４の径方向の内側方向に研削ホイール１６が移動する様にチャックテーブル４を移動させる（研削工程Ｓ２０）。

図５は、研削工程Ｓ２０を示す一部断面側面図であり、特に、研削面が裏面１１ｂに接触するタイミングを示している。図６は、図５の上面図である。但し、図６では、環状に配置された複数の研削砥石１８ｂを除いて研削ユニット１０を省略し、裏面１１ｂにおける被研削領域の外周端部を破線で示している。

例えば、チャックテーブル４の回転数は、１００ｒｐｍ以上６００ｒｐｍ以下（代表的には、３００ｒｐｍ）に設定され、研削ホイール１６の回転数は、１０００ｒｐｍ以上７０００ｒｐｍ以下（代表的には、４０００ｒｐｍ）に設定される。

また、研削工程Ｓ２０では、研削ユニット１０のＺ軸方向の下降速度（研削送り速度）（図５の下向き矢印参照）と、チャックテーブル４のＸ軸方向の移動速度（図５の左向き矢印参照）と、例えば、０μｍ／ｓ以上１０μｍ／ｓ以下の範囲で変化させる。

特に、第１の実施形態の研削工程Ｓ２０では、研削面のＸ軸方向の最外位置１８ｃがＸＺ断面において所定の２つの円弧に沿って移動する様に、研削ユニット１０のＺ軸方向の下降速度と、チャックテーブル４のＸ軸方向の移動速度とを、それぞれ変化させる（図７（Ａ）及び図７（Ｂ）参照）。

図７（Ａ）は、表面（一面）１１ａの中心を通り表面１１ａに直交する平面での断面において研削工程Ｓ２０の前半部Ｓ２２を示す一部断面側面図である。図７（Ａ）では、回転している複数の研削砥石１８ｂを便宜的に略四角で示し、研削面を１８ｄで示す。

図７（Ａ）に示す様に、研削工程Ｓ２０の前半部Ｓ２２では、リング状補強部２３のうち被加工物１１の径方向の内側且つ上側に位置する上側縁部２３ａと、円板状凹部２５（図８参照）の上半分と、が徐々に形成される。

このとき、上側縁部２３ａが凸型の四分の一円弧となる（即ち、弧状となる）様に、研削ユニット１０のＺ軸方向の下降速度と、チャックテーブル４のＸ軸方向の移動速度とを、適宜調整する。

第１の実施形態において、仕上がり時の研削深さ２１（即ち、円板状凹部２５の深さ（図８参照））は、５００μｍである。また、上側縁部２３ａの円弧の半径は、仕上がり時の研削深さ２１の半分深さ２１ａに等しく、２５０μｍである。つまり、上側縁部２３ａの円弧の半径は、円板状凹部２５の深さよりも小さい。

リング状補強部２３の上側縁部２３ａを凸型の弧状とすることで、研削中において研削砥石１８ｂの外周側面が円板状凹部２５の内周側面の上端部に略衝突しなくなる。それゆえ、上側縁部２３ａでのチッピングの発生を低減できる。

研削工程Ｓ２０の前半部Ｓ２２が完了したら、研削工程Ｓ２０の後半部Ｓ２４を行う（図７（Ｂ）参照）。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）と同じ断面において研削工程Ｓ２０の後半部Ｓ２４を示す一部断面側面図である。図７（Ｂ）でも、回転している複数の研削砥石１８ｂを便宜的に略四角で示し、研削面を１８ｄで示す。

図７（Ｂ）に示す様に、研削工程Ｓ２０の後半部Ｓ２４では、リング状補強部２３のうち被加工物１１の径方向の内側且つ下側に位置する下側縁部２３ｂと、円板状凹部２５の下半分と、が徐々に形成される。

このとき、下側縁部２３ｂが凹型の四分の一円弧となる（即ち、弧状となる）様に、研削ユニット１０のＺ軸方向の下降速度と、チャックテーブル４のＸ軸方向の移動速度とを、適宜調整する。

第１の実施形態において、下側縁部２３ｂの円弧の半径は、仕上がり時の研削深さ２１の半分深さ２１ａに等しい（即ち、２５０μｍである）。つまり、下側縁部２３ｂの円弧の半径は、円板状凹部２５の深さよりも小さい。

リング状補強部２３の下側縁部２３ｂを凹型の弧状とすることで、円板状凹部２５の内周側面と底面とが略直交する場合に比べて下側縁部２３ｂにおいて応力が集中し難くなるので、下側縁部２３ｂでの割れの発生を低減できる。

図８は、研削工程Ｓ２０後の図６のＡＡ断面図である。なお、ＡＡ断面は、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）と同様に、表面１１ａの中心を通り表面１１ａに直交する平面での断面である。

図８に示す様に、研削工程Ｓ２０では、被加工物１１の径方向の中央部を研削ホイール１６で研削することで、被加工物１１の径方向においてリング状補強部２３の内側に、基板１３の裏面１１ｂ側の中央部が薄化された薄化領域２７を形成する。

特に、第１の実施形態の研削工程Ｓ２０では、円板状凹部２５と、円板状凹部２５を囲むリング状補強部２３と、を形成すると共に、上側縁部２３ａの下端２３ａ_１と、下側縁部２３ｂの上端２３ｂ_１と、が接続する様に、被加工物１１を研削する。

下端２３ａ_１及び上端２３ｂ_１を接続させることにより、下端２３ａ_１及び上端２３ｂ_１が円筒状の側面３１（図９（Ａ）参照）を介して接続されている場合に比べて、円板状凹部２５の深さ方向において曲面を形成できる領域を増やすことができる。

また、図８に示す様に、上側縁部２３ａと下側縁部２３ｂとの接続点（即ち、下端２３ａ_１，上端２３ｂ_１）を中心に、上側縁部２３ａの外形を１８０°回転させると、上側縁部２３ａの外形は下側縁部２３ｂの外形と一致する。

更に、上側縁部２３ａの半径は、下側縁部２３ｂの半径と一致する。即ち、上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂは、同じ曲率半径を有する。それゆえ、下端２３ａ_１及び上端２３ｂ_１が円筒状の側面３１を介して接続されている場合に比べて、上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂの半径をそれぞれ大きくできる。

上側縁部２３ａの半径を大きくすることは、上側縁部２３ａでのチッピングを減少させる上で効果的であり、下側縁部２３ｂの半径を大きくすることは、下側縁部２３ｂでの応力の集中を低減する上で効果的である。

（比較例）図９（Ａ）は、第１比較例に係る研削後の被加工物１１の一部断面側面図である。第１比較例では、上側縁部２３ａの下端２３ａ_１と、下側縁部２３ｂの上端２３ｂ_１とが、円筒状の側面３１を介して接続されている。

図９（Ａ）に示す比較例では、図８に示す第１の実施形態に比べて、円筒状の側面３１の形成に伴い上側縁部２３ａの半径が小さくなるので、上側縁部２３ａにおいてチッピングが増加する可能性がある。また、下側縁部２３ｂの半径が小さくなるので、応力の集中を低減する効果が低減される。

図９（Ｂ）は、第２比較例に係る研削後の被加工物１１の一部断面側面図である。第２比較例でも、上側縁部２３ａの下端２３ａ_１と、下側縁部２３ｂの上端２３ｂ_１とが、円筒状の側面３１を介して接続されている。

しかし、第２比較例の上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂの半径は、図８に示す第１の実施形態の上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂの半径に比べて大きく、より具体的には、仕上がり時の研削深さ２１よりも十分に大きい。

この場合、上側縁部２３ａの上端２３ａ_２は、傾きが不連続となる様に裏面１１ｂとつながるので、上側縁部２３ａでは、チッピングが発生しやすくなる。また、下側縁部２３ｂの下端２３ｂ_２は、傾きが不連続となる様に円板状凹部２５の底面とつながるので、下端２３ｂ_２近傍では、応力が集中しやすくなる。

これに対して、図８に示す本実施形態では、下側縁部２３ｂの半径と上側縁部２３ａの半径との各々が、円板状凹部２５の仕上がり時の研削深さ２１よりも小さいので、円板状凹部２５の底面と下側縁部２３ｂの下端とを略連続にでき、裏面１１ｂと上側縁部２３ａの上端とを略連続にできる。

（第１の実施形態の変形例）次に、第１の実施形態の変形例について説明する。図１０（Ａ）は、第１の実施形態の第１変形例に係る研削工程Ｓ２０後の被加工物１１の一部断面側面図である。

図１０（Ａ）に示す上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂの間には、円筒状の側面３１が形成されていない。上側縁部２３ａの半径は、下側縁部２３ｂの半径よりも大きいが、上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂは、それぞれ四分の一円弧で構成されている。

しかし、図１０（Ａ）に示す下側縁部２３ｂの半径は、図８に示す第１の実施形態の下側縁部２３ｂの半径に比べて小さいので、下側縁部２３ｂでは応力が集中しやすい。

図１０（Ｂ）は、第１の実施形態の第２変形例に係る研削工程Ｓ２０後の被加工物１１の一部断面側面図である。図１０（Ｂ）に示す上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂの間にも、円筒状の側面３１が形成されていない。

上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂは、それぞれ四分の一円弧で構成されている。図１０（Ｂ）に示す下側縁部２３ｂの半径は、上側縁部２３ａの半径よりも大きいので、図１０（Ａ）の例に比べれば、下側縁部２３ｂでの応力の集中を低減できる。しかし、上側縁部２３ａでは、チッピングが増加する可能性がある。

（第２の実施形態）次に、第２の実施形態について説明する。図１１は、第２の実施形態の研削工程Ｓ２０後の被加工物１１の一部断面側面図である。第２の実施形態の研削工程Ｓ２０でも、第１の実施形態と同様に、上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂの間に円筒状の側面３１は形成されない。

但し、上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂは、真円ではなく楕円の四分の一の弧で形成されている。上側縁部２３ａを構成する楕円の長軸の長さは、仕上がり時の研削深さ２１に略等しい。

また、上側縁部２３ａを構成する楕円の短軸の長さ２１ｂは、仕上がり時の研削深さ２１よりも小さい。同様に、下側縁部２３ｂも、仕上がり時の研削深さ２１の長さと同じ長さの長軸と、長さ２１ｂの短軸と、を有する。

上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂは、図１１に示す断面において、その接続点（即ち、上側縁部２３ａの下端２３ａ_１，下側縁部２３ｂの上端２３ｂ_１）を中心に、上側縁部２３ａの外形を１８０°回転させると、上側縁部２３ａの外形は下側縁部２３ｂの外形と一致する様に形成されている。

第２の実施形態の研削工程Ｓ２０でも、研削ユニット１０のＺ軸方向の下降速度と、チャックテーブル４のＸ軸方向の移動速度とを、適宜調整することにより、楕円の四分の一の弧にそれぞれ対応する上側縁部２３ａ及び下側縁部２３ｂを形成する。

図１１に示す下側縁部２３ｂの下端２３ｂ_２近傍の曲率半径は、図８の例に比べて小さいので、応力の集中を低減する効果は劣るが、被加工物１１の径方向におけるリング状補強部２３の幅を小さくできるので、同径方向における薄化領域２７の面積を広くできる。即ち、デバイス領域として使用可能な有効領域を広くできるという利点がある。

その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、チャックテーブル４の保持面４ａは、円錐形状に代えて双凹形状とすることもできる。双凹形状の保持面４ａは、図３と同様の切断面でチャックテーブル４を見た場合、径方向の中心と両端部との間が凹んでいる。

双凹形状の保持面４ａで被加工物１１を吸引保持した上で、ＴＡＩＫＯプロセスに従って被加工物１１を研削する場合、円錐形状の保持面４ａを有するチャックテーブル４を用いる場合に比べて、薄化領域２７の平坦性（ＴＴＶ（total thickness variation））を向上できるという利点がある。

２：研削装置、４：チャックテーブル、４ａ：保持面、４ｂ：回転軸
６：枠体、８：多孔質板、１０：研削ユニット、１２：スピンドル、１４：マウント
１１：被加工物、１１ａ：表面（一面）、１１ｂ：裏面
１３：基板、１５：分割予定ライン
１６：研削ホイール
１８ａ：ホイール基台、１８ｂ：研削砥石、１８ｃ：最外位置、１８ｄ：研削面
１７：デバイス、１９：保護テープ
２１：仕上がり時の研削深さ、２１ａ：半分深さ、２１ｂ：長さ、２３：リング状補強部
２３ａ：上側縁部、２３ａ_１：下端、２３ａ_２：上端
２３ｂ：下側縁部、２３ｂ_１：上端、２３ｂ_２：下端
２５：円板状凹部、２７：薄化領域、３１：側面
Ｓ１０：保持工程、Ｓ２０：研削工程、Ｓ２２：前半部、Ｓ２４：後半部

Claims (4)

1. 円板状の被加工物を研削する被加工物の研削方法であって、
   該被加工物を円板状のチャックテーブルで保持する保持工程と、
   該保持工程の後に、該チャックテーブルで保持された該被加工物の径方向の中央部を研削ホイールで研削することで、円板状凹部と、該円板状凹部を囲むリング状補強部と、を該被加工物に形成する研削工程と、
   を備え、
   該研削工程では、
   該研削ホイールと該チャックテーブルとを該研削ホイールの回転軸方向に沿って相対的に移動させながら該研削ホイールと該チャックテーブルとを該チャックテーブルの径方向の内側方向に相対的に移動させることにより、該リング状補強部のうち該被加工物の径方向の内側に位置する上側縁部が該被加工物の一面の中心を通る該被加工物の断面において凸型の弧状となり、該リング状補強部のうち該被加工物の径方向の内側に位置する下側縁部が該断面において凹型の弧状となり、且つ、該上側縁部の下端と該下側縁部の上端とが該断面において接続する様に、該被加工物を研削することを特徴とする被加工物の研削方法。
2. 該研削工程では、該上側縁部と該下側縁部との接続点を中心に該断面において該上側縁部の外形を１８０°回転させると該上側縁部の外形が該下側縁部の外形と一致する様に、該被加工物を研削することを特徴とする請求項１に記載の被加工物の研削方法。
3. 該研削工程では、該断面において該上側縁部の曲率半径が該下側縁部の曲率半径と一致する様に、該被加工物を研削することを特徴とする請求項１又は２に記載の被加工物の研削方法。
4. 該研削工程では、該断面における該下側縁部の半径と該上側縁部の半径との各々が、該円板状凹部の深さよりも小さくなる様に、該被加工物を研削することを特徴とする請求項１又は２に記載の被加工物の研削方法。

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