JP2023091816A - ウェーハの加工方法及びウェーハ - Google Patents
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Abstract
【課題】貼り合わせウェーハに含まれるデバイスウェーハの裏面側に対するウェットエッチングの際に用いられるエッチング液によるデバイスの損傷を抑制できるウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】外周領域に傾斜面が形成されているウェーハを提供する。そして、この外周領域に液体(例えば、ウェットエッチングの際に用いられるエッチング液)が供給されると、液体が傾斜面上を流れてウェーハの外側に流れ出やすい。そのため、このウェーハが支持ウェーハとして適用された貼り合わせウェーハにおいては、デバイスウェーハの裏面側に対してウェットエッチングの際に用いられるエッチング液によるデバイスの損傷を抑制できる。【選択図】図3
Description
本発明は、ウェーハの加工方法及びウェーハに関する。
IC(Integrated Circuit)等のデバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成要素である。このようなチップは、例えば、半導体材料からなるウェーハの表面側に複数のデバイスを形成した後、このウェーハを個々のデバイスを含む領域毎に分割することで製造される。
ウェーハは、その外周領域においてクラックが生じやすい。そのため、チップの製造工程においては、各種工程に先立って、ウェーハの外周領域が面取りされることが一般的である。さらに、チップの製造工程においては、製造されるチップの小型化等を目的として、ウェーハの分割に先立って、ウェーハの裏面側が研削されることも多い。
ただし、外周領域が面取りされたウェーハの裏面側を研削すると、外周領域の裏面側がナイフエッジのような形状になる。そして、この部分には、応力が集中してクラックが生じやすい。そのため、チップの製造工程においては、ウェーハの外周領域の表面側の一部を除去して段差を形成する処理(エッジトリミング)が行われた後に、この外周領域の残部を除去するようにウェーハの裏面側が研削されることがある(例えば、特許文献1参照)。
表面側に複数のデバイスが形成されたウェーハ(デバイスウェーハ)は、製造されるチップの高集積化等を目的として、その表面側がデバイスウェーハと同径のウェーハ(支持ウェーハ)の表面側に貼り合わせられることがある。そして、このように貼り合わせられた一対のウェーハ(貼り合わせウェーハ)においては、デバイスウェーハの裏面側が研削されることもある。
しかしながら、デバイスウェーハの裏面側が研削されると、デバイスウェーハの裏面が損傷することがある。そのため、このような場合には、デバイスウェーハの裏面側を研削した後に、デバイスウェーハの裏面側に対してウェットエッチングが行われることがある。
ここで、このウェットエッチングの際に用いられるエッチング液がデバイスウェーハと支持ウェーハとの界面に侵入すると、デバイスウェーハの表面側に形成されているデバイスが破損するおそれがある。そのため、このような場合には、デバイスウェーハの表面側と支持ウェーハの表面側との貼り合わせに先立って、支持ウェーハの外周領域の表面側に段差を形成するエッジトリミングが行われることがある。
ただし、このような段差が支持ウェーハの外周領域の表面側に形成されている場合には、エッチング液が当該段差の下部に残留するおそれがある。そして、この段差の下部にエッチング液が残留すると、支持ウェーハの表面側がエッチングされてデバイスウェーハの表面側に形成されているデバイスが損傷するおそれがある。
この点に鑑み、本発明の目的は、貼り合わせウェーハに含まれるデバイスウェーハの裏面側に対するウェットエッチングの際に用いられるエッチング液によるデバイスの損傷を抑制できるウェーハの加工方法及びウェーハを提供することである。
本発明の一側面によれば、保持面に垂直であり、かつ、該保持面の中心を通る直線を回転軸として回転可能なチャックテーブルの該保持面において円板状のウェーハを保持する保持ステップと、該保持ステップ後、該保持面に非平行な方向に沿った直線を回転軸として回転可能なスピンドルの先端部に切削ブレードが装着された状態で該スピンドルを回転させながら、該ウェーハの外周領域に該切削ブレードを切り込ませるとともに、該チャックテーブルを回転させることによって、該ウェーハの外周縁に近付くにつれて該保持面からの距離が短くなるように傾斜する傾斜面を該外周領域に形成する加工ステップと、を備えるウェーハの加工方法が提供される。
本発明の別の側面によれば、保持面に垂直であり、かつ、該保持面の中心を通る直線を回転軸として回転可能なチャックテーブルの該保持面で円板状のウェーハを保持する保持ステップと、該保持ステップ後、該保持面に平行な方向に沿った直線を回転軸として回転可能な第1スピンドルの先端部に第1切削ブレードが装着された状態で該第1スピンドルを回転させながら、該ウェーハの外周領域に該第1切削ブレードを切り込ませるとともに、該チャックテーブルを回転させることによって、該保持面からの距離が一定な平坦面を該外周領域に形成する第1加工ステップと、該第1加工ステップ後、該保持面に非平行な方向に沿った直線を回転軸として回転可能な第2スピンドルの先端部に第2切削ブレードが装着された状態で該第2スピンドルを回転させながら、該平坦面が形成された該外周領域に該第2切削ブレードを切り込ませるとともに、該チャックテーブルを回転させることによって、該ウェーハの外周縁に近付くにつれて該保持面からの距離が短くなるように傾斜する傾斜面を該外周領域に形成する第2加工ステップと、を備えるウェーハの加工方法が提供される。
本発明のさらに別の側面によれば、円板状のウェーハであって、該ウェーハの外周領域の表面側に段差が存在し、該段差は、該ウェーハの外周縁に近付くにつれて該ウェーハの厚さ方向における該ウェーハの表面からの距離が長くなるように傾斜する傾斜面を含むウェーハが提供される。
本発明によれば、外周領域に傾斜面が形成されているウェーハが提供される。そして、この外周領域に液体(例えば、ウェットエッチングの際に用いられるエッチング液)が供給されると、液体が傾斜面上を流れてウェーハの外側に流れ出やすい。
そのため、このウェーハが支持ウェーハとして適用された貼り合わせウェーハにおいては、デバイスウェーハの裏面側に対してウェットエッチングの際に用いられるエッチング液によるデバイスの損傷を抑制できる。
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1(A)は、ウェーハの一例を模式的に示す上面図であり、図1(B)は、ウェーハの一例を模式的に示す断面図である。図1(A)及び図1(B)に示されるウェーハ11は、例えば、シリコン(Si)等の半導体材料からなる。また、ウェーハ11は、互いに概ね平行な表面11a及び裏面11bを含む円板状の形状を有する。
また、ウェーハ11の外周領域は、面取りされている。すなわち、ウェーハ11の側面11cは、外側に凸になるように湾曲している。さらに、ウェーハ11の外周領域には、ウェーハ11を構成する半導体材料の特定の結晶方位を示すノッチ11dが形成されている。
なお、ウェーハ11の材質、形状、構造及び大きさ等に制限はない。ウェーハ11は、例えば、シリコン以外の半導体材料(例えば、炭化シリコン(SiC)又は窒化ガリウム(GaN)等)からなっていてもよい。また、ウェーハ11の外周領域には、ノッチ11dに換えて、オリエンテーションフラットが形成されていてもよい。
図2は、ウェーハ11の加工が可能な切削装置の一例を模式的に示す正面図である。なお、図2に示されるX軸方向(前後方向)及びY軸方向(左右方向)は、水平面上において互いに直交する方向であり、また、Z軸方向(上下方向)は、X軸方向及びY軸方向に直交する方向(鉛直方向)である。
図2に示される切削装置2は、円柱状のテーブルベース4を有する。このテーブルベース4の上部には、ウェーハ11が置かれる円板状のチャックテーブル6が設けられている。このチャックテーブル6は、ステンレス鋼等からなる枠体6aを有する。
枠体6aは、円盤状の底壁と、この底壁の周縁部から上方に向かって設けられている円環状の側壁とを有する。そのため、枠体6aの上部には、底壁及び側壁によって画定される凹部が存在する。
この凹部には、多孔質セラミックスからなり、凹部の内径と概ね同じ径を有する円板状のポーラス板(不図示)が固定されている。このポーラス板は、X軸方向及びY軸方向に概ね平行な上面を有し、また、枠体6aに形成されている流路を介して真空ポンプ等の吸引源(不図示)に連通する。
そして、この吸引源を動作させると、ポーラス板の上面(チャックテーブル6の保持面)近傍の空間が負圧になる。そのため、チャックテーブル6の保持面にウェーハ11が置かれた状態で吸引源を動作させることで、チャックテーブル6によってウェーハ11が吸引保持される。
さらに、テーブルベース4の内部には、チャックテーブル6に連結するモータ等の回転駆動源(不図示)が設けられている。そして、この回転駆動源を動作させると、チャックテーブル6の保持面に垂直であり、かつ、この保持面の中心を通る直線を回転軸としてチャックテーブル6が回転する。
また、テーブルベース4は、X軸方向移動機構(不図示)に連結されている。このX軸方向移動機構は、例えば、ボールねじ等を含む。そして、このX軸方向移動機構を動作させると、テーブルベース4及びチャックテーブル6がX軸方向に沿って移動する。
チャックテーブル6の上方には、Y軸方向において対向するように一対の切削ユニット8a,8bが設けられている。切削ユニット8aは、Y軸方向に平行な方向に沿って延在する円柱状のスピンドル(第1スピンドル)10aを有する。
そして、スピンドル10aの先端部(切削ユニット8b側の端部)には、円環状の切刃を有する切削ブレード(第1切削ブレード)12aが装着されている。この切削ブレード12aは、例えば、金属等からなる円環状の基台と、基台の外周縁に沿う円環状の切刃とが一体となって構成された、ハブタイプの切削ブレードである。
ハブタイプの切削ブレードの切刃は、ダイヤモンド又は立方晶窒化ホウ素(cBN:cubic Boron Nitride)等からなる砥粒がニッケル等の結合材によって固定された電鋳砥石によって構成される。
また、切削ブレード12aとして、金属、セラミックス又は樹脂等からなる結合材によって砥粒が固定された円環状の切刃によって構成される、ワッシャータイプの切削ブレードが用いられてもよい。さらに、切削ブレード12aの近傍には、ウェーハ11の切削される領域に切削液(例えば、水)を供給するノズル(不図示)が設けられている。
また、スピンドル10aの他端部(基端部)は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されている。そして、この回転駆動源が動作すると、スピンドル10aとともに切削ブレード12aが回転する。すなわち、この回転駆動源が動作すると、Y軸方向に沿った直線を回転軸として切削ブレード12aが回転する。
さらに、切削ユニット8aは、Y軸方向移動機構(不図示)及びZ軸方向移動機構(不図示)に連結されている。X軸方向移動機構及びZ軸方向移動機構のそれぞれは、例えば、ボールねじ等を含む。そして、このY軸方向移動機構を動作させると、切削ユニット8aがY軸方向に沿って移動する。また、このZ軸方向移動機構を動作させると、切削ユニット8aがZ軸方向に沿って移動する。
また、切削ユニット8bは、チャックテーブル6の保持面に非平行な方向に沿って延在する円柱状のスピンドル(第2スピンドル)10bを有する。このスピンドル10bは、例えば、平面視においてY軸方向と重なり、かつ、正面視においてY軸方向に対してなす角θが0°超5°以下となる方向に沿って延在する。
そして、スピンドル10bの先端部(切削ユニット8a側の端部)には、円環状の切刃を有する切削ブレード(第2切削ブレード)12bが装着されている。この切削ブレード12bは、ハブタイプ又はワッシャータイプの切削ブレードである。さらに、切削ブレード12bの近傍には、ウェーハ11の切削される領域に切削液(例えば、水)を供給するノズル(不図示)が設けられている。
また、スピンドル10bの他端部(基端部)は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されている。そして、この回転駆動源が動作すると、スピンドル10bとともに切削ブレード12bが回転する。すなわち、この回転駆動源が動作すると、スピンドル10bが延在する方向に沿った直線を回転軸として切削ブレード12bが回転する。
さらに、切削ユニット8bは、Y軸方向移動機構(不図示)及びZ軸方向移動機構(不図示)に連結されている。X軸方向移動機構及びZ軸方向移動機構のそれぞれは、例えば、ボールねじ等を含む。そして、このY軸方向移動機構を動作させると、切削ユニット8bがY軸方向に沿って移動する。また、このZ軸方向移動機構を動作させると、切削ユニット8bがZ軸方向に沿って移動する。
図3は、切削装置2においてウェーハ11を加工するウェーハの加工方法の一例を模式的に示すフローチャートである。具体的には、この方法は、ウェーハ11のエッジトリミングを行う方法の一例である。
図3に示されるウェーハの加工方法においては、まず、チャックテーブル6の保持面において円板状のウェーハ11を保持する(保持ステップ:S1)。具体的には、この保持ステップ(S1)においては、表面11aが上を向き、かつ、裏面11bの中心をチャックテーブル6の保持面の中心に一致させるようにウェーハ11をチャックテーブル6の保持面に搬入する。そして、チャックテーブル6のポーラス板と連通する吸引源を動作させる。
次いで、チャックテーブル6の保持面からの距離が一定な平坦面をウェーハ11の外周領域に形成する(第1加工ステップ:S2)。図4(A)、図4(B)及び図4(C)のそれぞれは、第1加工ステップ(S2)の様子を模式的に示す一部断面正面図である。
この第1加工ステップ(S2)においては、まず、ウェーハ11の外周領域の直上に切削ブレード12aが位置付けられるように、X軸方向におけるチャックテーブル6の位置及び/又はY軸方向における切削ユニット8aの位置を調整する(図4(A)参照)。
次いで、スピンドル10aを回転させながら、ウェーハ11の表面11aよりも低く、かつ、チャックテーブル6の保持面よりも高い位置に切削ブレード12aの下端が至るまで切削ユニット8aを下降させる(図4(B)参照)。次いで、スピンドル10aを回転させたまま、チャックテーブル6を少なくとも一回転させる(図4(C)参照)。
図5(A)は、第1加工ステップ(S2)後のウェーハ11を模式的に示す上面図であり、図5(B)は、加工ステップ(S2)後のウェーハ11を模式的に示す断面図である。第1加工ステップ(S2)後のウェーハ11の外周領域においては、その表面11a側の一部が除去されて段差13が形成される。
この段差13は、ウェーハ11の表面11aに垂直な方向に沿って表面11aの外周縁から下方に延在する立設面13aと、立設面13aの下端からウェーハ11の外周縁まで延在する平坦面13bとを含む。なお、この平坦面13bは、チャックテーブル6の保持面からの距離が一定な面である。
次いで、ウェーハ11の外周縁に近付くにつれて保持面からの距離が短くなるように傾斜する傾斜面をウェーハ11の外周領域に形成する(第2加工ステップ:S3)。図6(A)、図6(B)及び図6(C)のそれぞれは、第2加工ステップ(S3)の様子を模式的に示す一部断面正面図である。
この第2加工ステップ(S3)においては、まず、ウェーハ11の外周領域の直上であって、この外周領域に形成されている段差13の立設面13aよりも外側に切削ブレード12bの下端が位置付けられるように、X軸方向におけるチャックテーブル6の位置及び/又はY軸方向における切削ユニット8bの位置を調整する(図6(A)参照)。
次いで、スピンドル10bを回転させながら、ウェーハ11の外周領域に形成されている段差13の平坦面13bよりも低く、かつ、チャックテーブル6の保持面よりも高い位置に切削ブレード12bの下端が至るまで切削ユニット8bを下降させる(図6(B)参照)。次いで、スピンドル10bを回転させたまま、チャックテーブル6を少なくとも一回転させる(図6(C)参照)。
図7(A)は、第2加工ステップ(S3)後のウェーハ11を模式的に示す上面図であり、図7(B)は、第2加工ステップ(S3)後のウェーハ11を模式的に示す断面図である。この第2加工ステップ(S3)においては、ウェーハ11の外周領域の段差13がさらに研削されて傾斜面13cが形成される。
例えば、この第2加工ステップ(S3)においては、ウェーハ11の表面11aの外周縁から下方に延在する立設面13aと、立設面13aの下端からウェーハ11の外周縁まで延在する傾斜面13cとを含む段差13が形成される。なお、この傾斜面13cは、ウェーハ11の外周縁に近付くにつれてウェーハ11の厚さ方向におけるウェーハ11の表面11aからの距離が長くなるように傾斜する。
図8(A)は、ウェーハ11に貼り合わせられるデバイスウェーハの一例を模式的に示す上面図であり、図8(B)は、ウェーハ11に貼り合わせられるデバイスウェーハの一例を模式的に示す断面図である。
図8(A)及び図8(B)に示されるデバイスウェーハ21は、例えば、シリコン(Si)等の半導体材料からなる。また、デバイスウェーハ21は、互いに概ね平行な表面21a及び裏面21bを含む、ウェーハ11と同径の円板状の形状を有する。
また、デバイスウェーハ21の外周領域は、面取りされている。すなわち、デバイスウェーハ21の側面21cは、外側に凸になるように湾曲している。さらに、デバイスウェーハ21の外周領域には、デバイスウェーハ21を構成する半導体材料の特定の結晶方位を示すノッチ21dが形成されている。
さらに、デバイスウェーハ21は、互いに交差する複数の分割予定ラインで複数の領域に区画されており、各領域の表面21a側にはIC、LSI、半導体メモリ又はCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ等のデバイス23が形成されている。
また、デバイスウェーハ21には、シリコン貫通電極(TSV(Through-Silicon Via))等の配線が設けられる開口(表面21aから裏面21bまで延在する貫通孔)又は溝が形成されていてもよい。
なお、デバイスウェーハ21の材質、形状、構造及び大きさ等に制限はない。デバイスウェーハ21は、例えば、シリコン以外の半導体材料(例えば、炭化シリコン(SiC)又は窒化ガリウム(GaN)等)からなっていてもよい。また、デバイスウェーハ21の外周領域には、ノッチ21dに換えて、オリエンテーションフラットが形成されていてもよい。
図9は、支持ウェーハとして利用されるウェーハ11とデバイスウェーハ21とからチップを製造するチップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。この方法においては、まず、デバイスウェーハ21のエッジトリミングを行う(S11)。
図10(A)は、エッジトリミングが行われたデバイスウェーハ21を模式的に示す断面図である。なお、デバイスウェーハ21のエッジトリミングは、上述したウェーハ11のエッジトリミングと同様に実施されてもよいし、その他の公知の方法によって実施されてもよい。
次いで、デバイスウェーハ21とウェーハ(支持ウェーハ)11とを貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成する(S12)。図10(B)は、貼り合わせウェーハの一例を模式的に示す断面図である。図10(B)に示される貼り合わせウェーハ31は、例えば、接着剤を介して、デバイスウェーハ21の表面21a側をウェーハ11の表面11a側に貼り合わせることによって形成される。
次いで、デバイスウェーハ21の裏面21b側に残存する面取りされた外周領域が除去されるまでデバイスウェーハ21の裏面21b側を研削する(S13)。図10(C)は、デバイスウェーハ21の裏面21b側が研削された貼り合わせウェーハ31を模式的に示す断面図である。なお、この研削は、公知の研削装置において行われる。
次いで、デバイスウェーハ21の裏面21b側に対するウェットエッチングを行う(S14)。図10(D)は、デバイスウェーハ21の裏面21b側に対してウェットエッチングを行う様子を模式的に示す断面図である。このウェットエッチングは、例えば、デバイスウェーハ21の裏面21bに公知のエッチング液Lを滴下しながら、貼り合わせウェーハ31の周方向に沿って貼り合わせウェーハ31を回転させることによって行われる。
これにより、エッチング液Lに遠心力が作用して、デバイスウェーハ21の裏面21bがエッチング液Lに覆われるようにエッチング液Lが広がる。また、デバイスウェーハ21の裏面21bよりも外側に広がったエッチング液Lは、段差13を経てウェーハ11から流れ落ちる。
次いで、デバイスウェーハ21の分割予定ラインに沿って貼り合わせウェーハ31を分割してチップを製造する(S15)。この分割は、例えば、公知の切削装置において行われる。
上述したチップの製造方法においては、外周領域に傾斜面13cを含む段差13が形成されているウェーハ11が支持ウェーハとして利用されている。そして、このチップの製造方法においては、デバイスウェーハ21の裏面21b側に対するウェットエッチングを行う際に、デバイスウェーハ21の裏面21bに供給されるエッチング液Lが段差13を経てウェーハ11から流れ落ちる。
ここで、傾斜面13cは、ウェーハ11の外周縁に近付くにつれてウェーハ11の厚さ方向におけるウェーハ11の表面11aからの距離が長くなるように傾斜している。そのため、段差13に供給されたエッチング液Lは、傾斜面13c上を流れてウェーハ11の外側に流れやすい。その結果、上述したチップの製造方法においては、デバイスウェーハ21の表面21a側に形成されているデバイス23のエッチング液Lによる損傷を抑制することができる。
なお、上述した内容は本発明の一態様であって、本発明の内容は上述した内容に限定されない。例えば、本発明においては、水平面に平行な方向に延在するスピンドルと、水平面に非平行な保持面を有するチャックテーブルとを備える切削装置においてウェーハ11のエッジトリミングが行われてもよい。
すなわち、本発明においては、チャックテーブルの保持面に非平行な方向に延在するスピンドルの先端部に装着された切削ブレードを、この保持面において保持されたウェーハ11に切り込めればよく、それを行う切削装置の構造に制限はない。
また、本発明においては、ウェーハ11の外周領域に立設面13aを形成することなく、傾斜面13cを形成してもよい。すなわち、本発明には、図3に示されるウェーハの加工方法から第1加工ステップ(S2)が省略されたウェーハの加工方法も含まれる。
図3に示されるウェーハの加工方法から第1加工ステップ(S2)が省略されたウェーハの加工方法においては、ウェーハ11のエッジトリミングに必要な工程数を低減できる点で好ましい。他方、図3に示されるウェーハの加工方法においては、ウェーハ11の表面11aに垂直な方向に沿って表面11aの外周縁から下方に延在する立設面13aを含む段差13をウェーハ11の外周領域に形成できる点で好ましい。
その他、上述した実施形態にかかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
2 :切削装置
4 :テーブルベース
6 :チャックテーブル(6a:枠体)
8a :切削ユニット
8b :切削ユニット
10a:スピンドル(第1スピンドル)
10b:スピンドル(第2スピンドル)
11 :ウェーハ(11a:表面、11b:裏面、11c:側面、11d:ノッチ)
12a:切削ブレード(第1切削ブレード)
12b:切削ブレード(第2切削ブレード)
13 :段差(13a:立設面、13b:平坦面、13c:傾斜面)
21 :デバイスウェーハ
(21a:表面、21b:裏面、21c:側面21d:ノッチ)
23 :デバイス
31 :貼り合わせウェーハ
4 :テーブルベース
6 :チャックテーブル(6a:枠体)
8a :切削ユニット
8b :切削ユニット
10a:スピンドル(第1スピンドル)
10b:スピンドル(第2スピンドル)
11 :ウェーハ(11a:表面、11b:裏面、11c:側面、11d:ノッチ)
12a:切削ブレード(第1切削ブレード)
12b:切削ブレード(第2切削ブレード)
13 :段差(13a:立設面、13b:平坦面、13c:傾斜面)
21 :デバイスウェーハ
(21a:表面、21b:裏面、21c:側面21d:ノッチ)
23 :デバイス
31 :貼り合わせウェーハ
Claims (3)
- 保持面に垂直であり、かつ、該保持面の中心を通る直線を回転軸として回転可能なチャックテーブルの該保持面において円板状のウェーハを保持する保持ステップと、
該保持ステップ後、該保持面に非平行な方向に沿った直線を回転軸として回転可能なスピンドルの先端部に切削ブレードが装着された状態で該スピンドルを回転させながら、該ウェーハの外周領域に該切削ブレードを切り込ませるとともに、該チャックテーブルを回転させることによって、該ウェーハの外周縁に近付くにつれて該保持面からの距離が短くなるように傾斜する傾斜面を該外周領域に形成する加工ステップと、
を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。 - 保持面に垂直であり、かつ、該保持面の中心を通る直線を回転軸として回転可能なチャックテーブルの該保持面で円板状のウェーハを保持する保持ステップと、
該保持ステップ後、該保持面に平行な方向に沿った直線を回転軸として回転可能な第1スピンドルの先端部に第1切削ブレードが装着された状態で該第1スピンドルを回転させながら、該ウェーハの外周領域に該第1切削ブレードを切り込ませるとともに、該チャックテーブルを回転させることによって、該保持面からの距離が一定な平坦面を該外周領域に形成する第1加工ステップと、
該第1加工ステップ後、該保持面に非平行な方向に沿った直線を回転軸として回転可能な第2スピンドルの先端部に第2切削ブレードが装着された状態で該第2スピンドルを回転させながら、該平坦面が形成された該外周領域に該第2切削ブレードを切り込ませるとともに、該チャックテーブルを回転させることによって、該ウェーハの外周縁に近付くにつれて該保持面からの距離が短くなるように傾斜する傾斜面を該外周領域に形成する第2加工ステップと、
を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。 - 円板状のウェーハであって、
該ウェーハの外周領域の表面側に段差が存在し、
該段差は、該ウェーハの外周縁に近付くにつれて該ウェーハの厚さ方向における該ウェーハの表面からの距離が長くなるように傾斜する傾斜面を含むことを特徴とするウェーハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021206615A JP2023091816A (ja) | 2021-12-21 | 2021-12-21 | ウェーハの加工方法及びウェーハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021206615A JP2023091816A (ja) | 2021-12-21 | 2021-12-21 | ウェーハの加工方法及びウェーハ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023091816A true JP2023091816A (ja) | 2023-07-03 |
Family
ID=86995939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021206615A Pending JP2023091816A (ja) | 2021-12-21 | 2021-12-21 | ウェーハの加工方法及びウェーハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023091816A (ja) |
-
2021
- 2021-12-21 JP JP2021206615A patent/JP2023091816A/ja active Pending
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