JP2022056550A - 研削ホイール及び研削方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】円形凹部の角近傍(すなわち、研削によって薄化された部分と研削されずに残存する部分との境界近傍)の部分における割れの発生を抑制する。【解決手段】第2セグメント砥石が第1セグメント砥石10より内側に配設された研削ホイールを用いて被加工物の研削を行う。この研削ホイールを用いた研削によって被加工物に円形凹部と円形凹部を囲繞するリング状補強部とを形成する場合、円形凹部の角近傍の部分は、摩耗しやすい第1セグメント砥石のみで研削されて形成される。これにより、研削後の被加工物において円形凹部の角の近傍に位置する部分がその他の研削された部分より厚くなり、円形凹部の角の断面形状が円弧状になる。その結果、円形凹部の角近傍の部分における応力集中が緩和され、この部分における割れの発生が抑制される。【選択図】図1
Description
本発明は、研削ホイール及び研削方法に関する。
IC(Integrated Circuit)及びLSI(Large Scale Integration)等の半導体デバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成である。
このようなチップは、例えば、多数の半導体デバイスが形成された領域(デバイス領域)とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウェーハを薄化した後に個々の半導体デバイスを含む領域毎に分割することで製造される。
このようなウェーハ等の被加工物を薄化する方法としては、例えば、環状に離散して配置された複数の研削砥石を備える研削ホイールと被加工物の下面側を吸引保持するチャックテーブルとを有する研削装置による研削が挙げられる。
具体的には、このような研削装置においては、研削ホイール及びチャックテーブルのそれぞれを回転させながら複数の研削砥石の研削面を被加工物の上面に当接させることで被加工物を研削して薄化する。
ただし、被加工物を薄化すると、被加工物の剛性が低下する。そのため、研削後の被加工物の取り扱いが困難になるおそれがある。この点を踏まえて、研削後の被加工物の取り扱いを容易にすることが可能な研削方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
具体的には、この研削方法においては、複数の研削砥石の回転軌道の最外周の直径がデバイス領域の半径超直径未満であり、最内周の直径がデバイス領域の半径未満である研削ホイールが用いられる。
そして、この研削ホイールが被加工物21の表面に設けられたデバイス領域に対応する裏面側の領域のみを研削する(図5参照)。なお、図5は、このような研削後の被加工物を模式的に示す断面図である。これにより、研削後の被加工物21には、円形凹部23と円形凹部23を囲繞するリング状補強部25とが形成される。
被加工物21においては、リング状補強部25が形成されている、すなわち、研削前の被加工物21の外周部分が残存するため、剛性の低下が抑制される。そのため、被加工物21は、裏面の全体が研削されて薄化された被加工物と比較して取り扱いが容易である。
研削後の被加工物は、切削装置等の加工装置を用いて分割される。そのため、この被加工物は、研削装置から直接、又は、被加工物を一時的に収容するカセットを経由して加工装置に搬送される。そして、被加工物を搬送する際には少なからず被加工物に外力が加わる。
ここで、図5に示される被加工物21に外力が加わると、円形凹部23の角近傍(すなわち、研削によって薄化された部分と研削されずに残存する部分との境界近傍)の部分21aに応力が集中する。そのため、被加工物21においては、部分21aにおいて割れが生じやすい。
この点に鑑み、本発明の目的は、被加工物を研削することによって形成される円形凹部の角近傍の部分における割れの発生を抑制することである。
本発明の一側面によれば、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する被加工物の裏面の該デバイス領域に対応する領域を研削して、円形凹部と該円形凹部を囲繞するリング状補強部とを形成する研削方法に使用される研削ホイールであって、スピンドルの先端部に装着される装着面を有する基台と、該装着面の反対の面において該基台の周方向に沿って隙間を空けて環状に配設される複数のセグメント砥石と、を備え、該複数のセグメント砥石は、外周端が第1外径サイズ位置に配設される第1セグメント砥石と、外周端が該第1外径サイズ位置より内側の位置である第2外径サイズ位置に配設される第2セグメント砥石と、を含み、該第2セグメント砥石は、該第1セグメント砥石より硬い研削ホイールが提供される。
好ましくは、該第2セグメント砥石のボンド材は、該第1セグメント砥石のボンド材と異なる。
好ましくは、該第2セグメント砥石は、該第1セグメント砥石より気孔率が低い。
本発明の他の側面によれば、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する被加工物の裏面の該デバイス領域に対応する領域を研削して、円形凹部と該円形凹部を囲繞するリング状補強部とを形成する研削方法であって、外周端が第1外径サイズ位置に配設される第1セグメント砥石と外周端が該第1外径サイズ位置より内側の位置である第2外径サイズ位置に配設される第2セグメント砥石と、を含む複数のセグメント砥石を備える研削ホイールをスピンドルの先端部に装着する準備ステップと、該被加工物をチャックテーブルに保持させる保持ステップと、該保持ステップ後、該研削ホイールで該被加工物の裏面の該デバイス領域に対応する領域を研削して、該円形凹部と該円形凹部を囲繞する該リング状補強部とを形成する研削ステップと、を備える研削方法が提供される。
本発明によれば、第2セグメント砥石が第1セグメント砥石より内側に配設された研削ホイールを用いて被加工物の研削を行うことができる。この場合、第2セグメント砥石の下面より外側に位置する第1セグメント砥石の外周端近傍の下面の摩耗が促進される。
そのため、この研削ホイールを用いた研削によって被加工物に円形凹部と円形凹部を囲繞するリング状補強部とを形成する場合、円形凹部の角近傍の部分は、摩耗しやすい第1セグメント砥石のみで研削されて形成される。
これにより、研削後の被加工物において円形凹部の角近傍に位置する部分がその他の研削された部分より厚くなり、円形凹部の角の断面形状が円弧状になる。その結果、円形凹部の角近傍の部分における応力集中が緩和され、この部分における割れの発生が抑制される。
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1(A)は、本実施形態の研削ホイールを模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、本実施形態の研削ホイールを模式的に示す下面図である。
図1(A)及び図1(B)に示される研削ホイール2は、円環状の形状を備える基台4を有する。基台4は、例えば、ステンレス鋼又はアルミニウム等の金属材料からなる。基台4の上面には、ボルトと螺合可能な複数の雌ネジ6が設けられている。
雌ネジ6は、後述のとおり、研削装置のスピンドルの先端に設けられたマウントに研削ホイール2を装着する際に利用される。すなわち、基台4の上面は、このスピンドルの先端部に装着される装着面である。このスピンドルに基台4が装着された状態でスピンドルが回転すれば、基台4も周方向に回転する。
基台4の下面(装着面の反対面)には、それぞれが直方体を円弧に沿って湾曲させたような形状を備える複数のセグメント砥石(研削砥石)8が固定されている。複数のセグメント砥石8は、基台4の周方向に沿って隙間を空けて環状に配設されている。
複数のセグメント砥石8のそれぞれは、例えば、気孔が内在するビトリファイドボンド又はレジンボンド等のボンド材と、ボンド材に分散されたダイヤモンド又は立方晶窒化ホウ素(cBN:cubic Boron Nitride)等の砥粒とを有する。
複数のセグメント砥石8は、第1セグメント砥石10と第1セグメント砥石10より内側に配設される第2セグメント砥石12とを含む。換言すると、複数のセグメント砥石8は、基台4に先端部が装着されたスピンドルの回転軸(すなわち、基台4の中心を通る鉛直方向又は鉛直方向に対して僅かに傾いた方向に延在する直線)からの距離が異なる2種類のセグメント砥石を含む。
具体的には、第1セグメント砥石10は、基台4の径方向において、スピンドルの回転軸から最も遠くに位置する外周端が第1外径サイズ位置に配設され、また、スピンドルの回転軸の最も近くに位置する内周端が第1内径サイズ位置に配設される。
なお、第1外径サイズ位置は、スピンドルの回転軸を中心とする直径d1の第1仮想円の円周の位置と概ね一致する位置である。また、第1内径サイズ位置は、スピンドルの回転軸を中心とする直径d2の第2仮想円の円周の位置と概ね一致する位置である。
また、第2セグメント砥石12は、基台4の径方向において、スピンドルの回転軸から最も遠くに位置する外周端が第2外径サイズ位置に配設され、また、スピンドルの回転軸の最も近くに位置する内周端が第2内径サイズ位置に配設される。
なお、第2外径サイズ位置は、スピンドルの回転軸を中心とする、第1仮想円の直径d1より短く、かつ、第2仮想円の直径d2より長い直径d3の第3仮想円の円周の位置と概ね一致する位置である。また、第2内径サイズ位置は、スピンドルの回転軸を中心とする、第2仮想円の直径d2より短い直径d4の第4仮想円の円周の位置と概ね一致する位置である。
研削ホイール2のサイズは、研削対象となる被加工物のサイズに依存して設計される。具体的には、研削ホイール2は、上記の第1仮想円の直径d1が被加工物のデバイス領域の半径超直径未満となり、かつ、上記の第4仮想円の直径d4が被加工物のデバイス領域の半径未満となるように設計される。
さらに、第2セグメント砥石12は、第1セグメント砥石10より硬い。なお、本実施形態においては、第2セグメント砥石12を第1セグメント砥石10より硬くするための手段に制限はない。
例えば、第2セグメント砥石12のボンド材として、第1セグメント砥石10のボンド材より硬い材料を選択すればよい。また、第2セグメント砥石12の気孔率が第1セグメント砥石10の気孔率より低くなるように第1セグメント砥石10及び第2セグメント砥石12を設計してもよい。
図2は、図1に示される研削ホイール2によって研削される被加工物を模式的に示す斜視図である。図2に示される被加工物11は、例えば、シリコン(Si)等の半導体材料で形成された円盤状のウェーハである。被加工物11は、例えば、100μm以上1000μm以下の所定の厚さを有する。
被加工物11の表面11a側は、円形のデバイス領域13aと、デバイス領域13aを囲繞する環状の外周余剰領域13bとに区画されている。なお、図2においては、デバイス領域13aと外周余剰領域13bとの境界線が破線で示されているが、この境界線は、仮想線であり、実際の被加工物11には存在しない。
デバイス領域13aにおいては、互いに交差する複数の分割予定ライン(ストリート)15によって複数の領域が格子状に区画されており、各領域には、IC又はLSI等のデバイス17が形成されている。さらに、被加工物11の裏面11b側を研削する際にデバイス17が損傷するのを防止するため、樹脂で形成された円形の保護部材19が表面11aに貼り付けられている。
なお、被加工物11の材質、形状、構造及び大きさ等に制限はない。例えば、シリコン以外の他の半導体材料でなるウェーハを被加工物11として用いることもできる。また、デバイス17の種類、数量、形状、構造、大きさ及び配置等にも制限はない。
図3は、図1に示される研削ホイール2によって図2に示される被加工物11を研削する研削装置を模式的に示す斜視図である。図3に示される研削装置20は、保護部材19を介して被加工物11の表面11a側を吸引して保持することが可能なチャックテーブル22を有する。
チャックテーブル22は、例えば、ステンレス鋼等の金属材料からなる円盤状の枠体24を有する。枠体24の上面側には、円形状の開口を上端に持つ凹部24aが形成されている。この凹部24aには、セラミックス等からなる円盤状のポーラス板26が固定されている。
ポーラス板26の上面26aは、円錐の側面に相当する形状に構成されており、この上面26aに保護部材19が接触する。ポーラス板26の下面側は、枠体24の内部に設けられた流路24b及びバルブ(不図示)等を介して、エジェクタ等の吸引源(不図示)に接続されている。
そのため、バルブを開いた状態で吸引源を動作させれば、ポーラス板26の上面26aに接触する保護部材19がチャックテーブル22により吸引される。この場合、図3に示されるように、被加工物11の裏面11bが上方に露出した状態でチャックテーブル22が被加工物11を保持する。
さらに、枠体24の下部には、モーター等の回転駆動源(不図示)が連結されている。チャックテーブル22は、この回転駆動源から生じる力によって回転する。なお、チャックテーブル22の回転軸は、ポーラス板26の上面26aの中心(円錐の側面に相当する形状の頂点)26bを通り、かつ、鉛直方向又は鉛直方向に対して僅かに傾いた方向に延在する直線である。
チャックテーブル22の上方には、研削ユニット30が配置されている。研削ユニット30は、例えば、鉛直方向に延在する筒状のスピンドルハウジング(不図示)を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、柱状のスピンドル32が回転可能な態様で収容されている。
スピンドル32の先端部(下端部)には、円盤状のマウント34が設けられている。マウント34の外周部にはマウント34を鉛直方向に貫通する複数の穴(不図示)が形成されており、各穴にはボルト36が挿入されている。
ボルト36は、図1に示される研削ホイール2の雌ネジ6に螺合可能である。雌ネジ6にボルト36が螺合されると、複数のセグメント砥石8(第1セグメント砥石10及び第2セグメント砥石12)が下を向くように研削ホイール2がマウント34に固定される。さらに、スピンドル32の上端には、モーター等の回転駆動源(不図示)が連結されている。
研削ホイール2がスピンドル32の先端部に装着されている場合、研削ホイール2は、この回転駆動源から生じる力によってスピンドル32と共に回転する。なお、この場合のスピンドル32の回転軸は、研削ホイール2の基台4の中心を通る鉛直方向又は鉛直方向に対して僅かに傾いた方向に延在する直線である。
加えて、研削ホイール2の近傍には、複数のセグメント砥石8(第1セグメント砥石10及び第2セグメント砥石12)の下面(研削面)等に対して研削用の液体(代表的には、水)を供給できるように構成されたノズル(不図示)が設けられている。
なお、このノズルは、研削ホイール2の内部に設けられていてもよい。また、研削ユニット30は、移動機構(不図示)によって支持されており、この移動機構から生じる力によって鉛直方向に移動する。
図4は、図3に示される研削装置を用いて図1に示される研削ホイール2によって図2に示される被加工物11の裏面11b側を研削する研削方法の一例を示すフローチャートである。
この研削方法においては、まず、第1セグメント砥石10と第2セグメント砥石12とを含む研削ホイール2を研削装置20のスピンドル32の先端部に装着する(準備ステップ:S1)。具体的には、スピンドル32の先端に設けられたマウント34の複数の穴のそれぞれに挿入されたボルト36を研削ホイール2の雌ネジ6に螺合させる。
次いで、被加工物11をチャックテーブル22に保持させる(保持ステップ:S2)。具体的には、被加工物11の表面11aに貼り付けられた保護部材19をチャックテーブル22のポーラス板26の上面26aに接触させた後、ポーラス板26と吸引源との間に設けられたバルブを開いた状態で吸引源を動作させる。
次いで、被加工物11の裏面11bを研削して、円形凹部とリング状補強部とを形成する(研削ステップ:S3)。具体的には、チャックテーブル22及び研削ホイール2を共に回転させながら、複数のセグメント砥石8(第1セグメント砥石10及び第2セグメント砥石12)の下面(研削面)が被加工物11の裏面11bのデバイス領域13aに対応する領域に当接するように研削ユニット30を下降させる。
この研削方法においては、第2セグメント砥石12が第1セグメント砥石10より内側に配設された研削ホイール2を用いて被加工物11の研削が行われる。この場合、第2セグメント砥石12の下面より外側に位置する第1セグメント砥石10の外周端近傍の下面の摩耗が促進される。
そのため、研削ホイール2を用いた研削によって被加工物11に円形凹部と円形凹部を囲繞するリング状補強部とを形成する場合、円形凹部の角近傍の部分は、摩耗しやすい第1セグメント砥石12のみで研削されて形成される。
これにより、研削後の被加工物11において円形凹部の角の近傍に位置する部分がその他の研削された部分より厚くなり、円形凹部の角の断面形状が円弧状になる。その結果、円形凹部の角近傍の部分における応力集中が緩和され、この部分における割れの発生が抑制される。
さらに、このような割れの発生を抑制するという観点では、研削ホイール2における第1セグメント砥石10の個数が第2セグメント砥石12の個数より少ないことが好ましい。例えば、複数のセグメント砥石8(第1セグメント砥石10及び第2セグメント砥石12の合計)に占める第1セグメント砥石10の割合が、0超0.4未満であることが好ましい。
これにより、第1セグメント砥石10の外周端近傍の下面における摩耗が促進される。その結果、研削後の被加工物11において円形凹部の角の近傍に位置する部分をより厚く残存させることができる。
また、第1セグメント砥石10の外周端近傍の下面における摩耗を促進するという観点では、第1セグメント砥石10の回転軌道の最外周と、第2セグメント砥石12の回転軌道の最外周との間隔(図1(B)に示される第1仮想円の直径d1と第3仮想円の直径d3の差)が大きい方が好ましい。
他方、第2セグメント砥石12の回転軌道の最外周が小さすぎると、被加工物11から得られる複数のチップの厚さがばらつくおそれがある。そのため、例えば、第1セグメント砥石10の回転軌道の最外周と第2セグメント砥石12の回転軌道の最外周との間隔(図1(B)に示される第1仮想円の直径d1と第3仮想円の直径d3の差)が、100μm以上500μm未満であることが好ましく、200μm以上300μm未満であることがより好ましい。
その他、上述した実施形態及び変形例にかかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 :被加工物 (11a:表面、11b:裏面)
13a :デバイス領域
13b :外周余剰領域
15 :分割予定ライン(ストリート)
17 :デバイス
19 :保護部材
21 :被加工物 (21a:部分)
23 :円形凹部
25 :リング状補強部
2 :研削ホイール
4 :基台
6 :雌ネジ
8 :複数のセグメント砥石
10 :第1セグメント砥石
12 :第2セグメント砥石
20 :研削装置
22 :チャックテーブル
24 :枠体 (24a:凹部、24b:流路)
26 :ポーラス板 (26a:上面、26b:中心(頂点))
30 :研削ユニット
32 :スピンドル
34 :マウント
36 :ボルト
13a :デバイス領域
13b :外周余剰領域
15 :分割予定ライン(ストリート)
17 :デバイス
19 :保護部材
21 :被加工物 (21a:部分)
23 :円形凹部
25 :リング状補強部
2 :研削ホイール
4 :基台
6 :雌ネジ
8 :複数のセグメント砥石
10 :第1セグメント砥石
12 :第2セグメント砥石
20 :研削装置
22 :チャックテーブル
24 :枠体 (24a:凹部、24b:流路)
26 :ポーラス板 (26a:上面、26b:中心(頂点))
30 :研削ユニット
32 :スピンドル
34 :マウント
36 :ボルト
Claims (4)
- 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する被加工物の裏面の該デバイス領域に対応する領域を研削して、円形凹部と該円形凹部を囲繞するリング状補強部とを形成する研削方法に使用される研削ホイールであって、
スピンドルの先端部に装着される装着面を有する基台と、
該装着面の反対の面において該基台の周方向に沿って隙間を空けて環状に配設される複数のセグメント砥石と、を備え、
該複数のセグメント砥石は、
外周端が第1外径サイズ位置に配設される第1セグメント砥石と、
外周端が該第1外径サイズ位置より内側の位置である第2外径サイズ位置に配設される第2セグメント砥石と、を含み、
該第2セグメント砥石は、該第1セグメント砥石より硬いことを特徴とする研削ホイール。 - 該第2セグメント砥石のボンド材は、該第1セグメント砥石のボンド材と異なる、請求項1に記載の研削ホイール。
- 該第2セグメント砥石は、該第1セグメント砥石より気孔率が低い、請求項1又は2に記載の研削ホイール。
- 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する被加工物の裏面の該デバイス領域に対応する領域を研削して、円形凹部と該円形凹部を囲繞するリング状補強部とを形成する研削方法であって、
外周端が第1外径サイズ位置に配設される第1セグメント砥石と外周端が該第1外径サイズ位置より内側の位置である第2外径サイズ位置に配設される第2セグメント砥石と、を含む複数のセグメント砥石を備える研削ホイールをスピンドルの先端部に装着する準備ステップと、
該被加工物をチャックテーブルに保持させる保持ステップと、
該保持ステップ後、該研削ホイールで該被加工物の裏面の該デバイス領域に対応する領域を研削して、該円形凹部と該円形凹部を囲繞する該リング状補強部とを形成する研削ステップと、
を備えることを特徴とする研削方法。
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