TW202331831A - 被加工物的加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種能抑制毛邊的殘留之被加工物的加工方法。[解決手段]一種被加工物的加工方法，其將已埋入電極之被加工物進行加工，且包含：保持步驟，其以卡盤台保持被加工物的正面側；研削步驟，其在保持步驟之後，在已使包含研削磨石之研削輪往第一方向旋轉之狀態下，使研削磨石接觸被卡盤台保持之被加工物的背面側，藉此研削被加工物而使電極在被加工物的背面側露出；以及電極加工步驟，其在研削步驟之後，在已使研削輪往與第一方向為相反方向的第二方向旋轉之狀態下，使研削磨石接觸在被卡盤台保持之被加工物的背面側露出之電極，藉此加工電極。

Description

被加工物的加工方法
本發明係關於一種將已埋入電極之被加工物進行加工之被加工物的加工方法。
在元件晶片的製程中，使用在藉由互相交叉之多條切割道（分割預定線）所劃分之多個區域中分別形成有元件之晶圓。藉由沿著切割道分割此晶圓，而獲得分別具備元件之多個元件晶片。元件晶片被組裝於行動電話、個人電腦等各種的電子設備。
並且，近年來，為了元件的高積體化，已實踐製造具備經層積之多個元件之元件晶片（層積元件晶片）之技術。例如，藉由層積多個元件晶片且以在上下貫通元件晶片之矽穿孔（TSV，Through-Silicon Via）連接元件彼此，而製造層積元件晶片。若使用矽穿孔，則相較於使用引線接合等之情況，可縮短連接元件彼此之配線，因此可謀求層積元件晶片的小型化、處理速度的提升。
在製造以矽穿孔連接經層積之元件而成之層積元件晶片時，使用具備矽穿孔之晶圓（參照專利文獻1）。例如，將具備矽穿孔之多個晶圓進行層積，並藉由矽穿孔而連接各晶圓所含之元件彼此，藉此形成層積晶圓。藉由沿著切割道分割此層積晶圓，而獲得多個層積元件晶片。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-53218號公報
[發明所欲解決的課題] 在晶圓等被加工物形成矽穿孔時，首先，藉由在形成於被加工物的正面側之槽中填充導電性材料，而形成已埋入電極之被加工物。之後，藉由研削被加工物的背面側並使已埋入之電極在被加工物的背面側露出，而形成在厚度方向貫通被加工物之矽穿孔。
使用研削裝置研削被加工物。研削裝置具備：保持被加工物之卡盤台與研削被加工物之研削單元，在研削單元裝設包含多個研削磨石之研削輪。以卡盤台保持被加工物，一邊使卡盤台及研削輪旋轉一邊使研削磨石接觸被加工物的背面側，藉此研削被加工物的背面側。
然而，若研削被加工物直至已埋入之電極在被加工物的背面側露出為止，則在研削加工的最後階段中，研削磨石會接觸在被加工物的背面側露出之電極。此時，有時電極會因以高速進行旋轉之研削磨石而被拉長，產生從電極延伸之鬍鬚狀的毛邊。此毛邊有時會產生在被加工物的背面側中之矽穿孔的形狀變形、在相鄰之電極間之短路（short）等不良狀況，而成為元件晶片的品質降低的原因。
本發明係鑑於所述問題而完成者，其目的在於提供一種能抑制毛邊的殘留之被加工物的加工方法。
[解決課題的技術手段] 根據本發明的一態樣，提供一種被加工物的加工方法，其將已埋入電極之被加工物進行加工，且包含：保持步驟，其以卡盤台保持該被加工物的正面側；研削步驟，其在該保持步驟之後，在已使包含研削磨石之研削輪往第一方向旋轉之狀態下，使該研削磨石接觸被該卡盤台保持之該被加工物的背面側，藉此研削該被加工物而使該電極在該被加工物的背面側露出；以及電極加工步驟，其在該研削步驟之後，在已使該研削輪往與該第一方向為相反方向的第二方向旋轉之狀態下，使該研削磨石接觸在被該卡盤台保持之該被加工物的背面側露出之該電極，藉此加工該電極。
[發明功效] 在本發明的一態樣之被加工物的加工方法中，在藉由利用往第一方向旋轉之研削輪研削被加工物而使電極在被加工物的背面側露出後，利用往與第一方向為相反方向的第二方向旋轉之研削輪加工電極。藉此，縮小或去除從電極延伸之毛邊，而抑制在研削加工後之毛邊的殘留。
以下，參照隨附圖式，說明本發明的一態樣之實施方式。首先，針對能藉由本實施方式之被加工物的加工方法而加工之被加工物的構成例進行說明。圖1（A）為表示被加工物11之立體圖，圖1（B）為表示被加工物11之剖面圖。
例如，被加工物11係以單晶矽等半導體材料而成之圓盤狀的晶圓，並具備互相大致平行的正面（第一面）11a及背面（第二面）11b。被加工物11係藉由以互相交叉之方式排列成格子狀之多條切割道（分割預定線）13而被劃分成多個矩形狀的區域。並且，在被加工物11的正面11a側的藉由切割道13所劃分之多個區域中，分別形成有IC（Integrated Circuit，積體電路）、LSI（Large Scale Integration，大型積體電路）、LED（Light Emitting Diode，發光二極體）、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統）元件等元件15。
但是，被加工物11的材質、形狀、構造、大小等並無限制。例如，被加工物11亦可為以矽以外的半導體（GaAs、InP、GaN、SiC等）、玻璃、陶瓷、樹脂、金屬等而成之基板（晶圓）。並且，元件15的種類、數量、形狀、構造、大小、排列等亦無限制。
圖1（C）為表示元件15之立體圖。例如，元件15具備：多個電極，其等在元件15的正面露出，且與其他的配線、電極、元件等連接。此外，在電極17的正面亦可形成有凸塊等連接電極。
並且，在被加工物11的藉由切割道13所劃分之多個區域的內部分別埋入有多個電極（矽通孔、矽穿孔）19。電極19係沿著被加工物11的厚度方向而被形成為柱狀，且與元件15的電極17等連接。電極19的材質並無限制，例如能使用銅、鎢、鋁等導電性材料。
電極19分別從元件15朝向被加工物11的背面11b側而形成，電極19的長度（高度）小於被加工物11的厚度。因此，電極19未在被加工物11的背面11b側露出，而成為已埋入被加工物11的內部之狀態。並且，在被加工物11與電極19之間，設置有將被加工物11與電極19進行絕緣之氧化矽膜等絕緣膜（未圖示）。
例如，在形成於被加工物11的正面11a側之柱狀的槽的內壁形成絕緣膜後，在槽中填充導電性材料。藉此，形成已埋入電極19之被加工物11。之後，在被加工物11的正面11a側形成包含半導體元件、電極、配線、絕緣膜等之元件15，且元件15與電極19連接。
若對被加工物11的背面11b側實施研削加工而薄化被加工物11，則電極19的下端在被加工物11的背面11b側露出。其結果，電極19成為在厚度方向貫通被加工物11之矽穿孔，而變得能將電極19連接其他的配線、電極、元件等。如此進行，形成具備矽穿孔之被加工物11。
使用研削裝置研削被加工物11。圖2為表示研削裝置2之立體圖。此外，在圖2中，X軸方向（第一水平方向、前後方向）與Y軸方向（第二水平方向、左右方向）為互相垂直的方向。並且，Z軸方向（加工進給方向、垂直方向、高度方向、上下方向）為與X軸方向及Y軸方向垂直的方向。研削裝置2具備：卡盤台（保持台）4，其保持被加工物11；以及研削單元10，其研削被加工物11。
卡盤台4具備：圓柱狀的框體（本體部）6，其係以SUS（不鏽鋼）等金屬、玻璃、陶瓷、樹脂等而成。在框體6的上表面6a側的中央部設置有圓柱狀的凹部6b。並且，在凹部6b嵌入有圓盤狀的保持構件8，所述圓盤狀的保持構件8係以多孔陶瓷等多孔構件而成。保持構件8包含從保持構件8的上表面連通至下表面之空孔（流路）。保持構件8的上表面構成圓形的吸引面8a，所述圓形的吸引面8a係在以卡盤台4保持被加工物11之際吸引被加工物11。
此外，凹部6a的深度與保持構件8的厚度被設定成大致相同，框體6的上表面6a與保持構件8的吸引面8a被配置於大致相同平面上。然後，藉由框體6的上表面6a與保持構件8的吸引面8a而構成卡盤台4的保持面4a。保持面4a（吸引面8a）係透過保持構件8所含之空孔、形成於框體6的內部之流路6c（參照圖3）、閥（未圖示）等而與噴射器等吸引源（未圖示）連接。
在卡盤台4連結有移動單元（未圖示），所述移動單元使卡盤台4沿著水平方向（XY平面方向）移動。例如，能使用滾珠螺桿式的移動機構或旋轉台作為移動單元。並且，在卡盤台4連結有馬達等旋轉驅動源（未圖示），所述馬達等旋轉驅動源使卡盤台4繞著沿著與保持面4a垂直的方向所設定之旋轉軸旋轉。
圖3為表示卡盤台4之剖面圖。卡盤台4的保持面4a被形成為將保持面4a的中心作為頂點之圓錐狀，並相對於保持面4a的徑向稍微傾斜。然後，卡盤台4係以將相當於保持面4a的一部分且從保持面4a的中心到達外周緣之保持區域4b配置成與水平面平行之方式，在稍微傾斜之狀態下被配置。並且，卡盤台4的旋轉軸被設定為沿著與保持面4a的徑向垂直的方向，且相對於垂直方向稍微傾斜。
此外，在圖3中為了方便說明，雖誇張地圖示保持面4a的傾斜，但實際的保持面4a的傾斜小。例如，在保持面4a的直徑為290mm以上且310mm以下左右之情形中，保持面4a的中心的高度位置與保持面4a的外周緣的高度位置之差（相當於圓錐的高度）被設定成20μm以上且40μm以下左右。
如圖2所示，在卡盤台4的上方配置有研削單元10。研削單元10具備沿著Z軸方向配置之圓柱狀的主軸12。在主軸12的前端部（下端部）固定有以金屬等而成之圓盤狀的安裝件14。並且，在主軸12的基端部（上端部）連結有馬達等旋轉驅動源（未圖示），所述馬達等旋轉驅動源使主軸12在雙向旋轉。
在安裝件14的下表面側裝設研削被加工物11之環狀的研削輪16。研削輪16係能在安裝件14裝卸的加工工具，例如藉由螺栓等固定工具而被固定於安裝件14。
研削輪16具備：環狀的輪基台18，其係以金屬（鋁、不鏽鋼等）、樹脂等而成，且被形成為與安裝件14大致相同直徑。輪基台18的上表面側被固定於安裝件14的下表面側。並且，在輪基台18的下表面側固定有多個研削磨石20。
研削磨石20係藉由以金屬結合劑、樹脂結合劑、陶瓷結合劑等結合材（黏合材）將以金剛石、cBN（cubic Boron Nitride，立方氮化硼）等而成之磨粒進行固定而形成。例如，多個研削磨石20係被形成為長方體狀，且沿著輪基台18的外周緣以大致等間隔之方式環狀地排列。但是，研削磨石20的材質、形狀、構造、大小等並無限制。並且，研削磨石20的數量及排列亦可任意設定。
在研削單元10連結有滾珠螺桿式的移動機構（未圖示），所述滾珠螺桿式的移動機構使研削單元10沿著Z軸方向移動（升降）。並且，研削輪16係藉由從連結於主軸12的基端部之旋轉驅動源（未圖示）透過主軸12及安裝件14所傳遞之動力，而繞著與Z軸方向大致平行的旋轉軸旋轉。
若使研削輪16旋轉，則多個研削磨石20分別沿著與水平面（XY平面）大致平行的環狀的旋轉軌道（移動路徑）移動。在已使研削輪16旋轉之狀態下，使研削磨石20接觸被卡盤台4保持之被加工物11，藉此研削被加工物11。
並且，在研削單元10的內部或附近設置有研削液供給路徑（未圖示），所述研削液供給路徑供給純水等液體（研削液）。在藉由研削單元10而研削被加工物11之際，研削液被供給至被加工物11及研削磨石20。藉此，冷卻被加工物11及研削磨石20，且沖洗因研削加工而產生之屑（研削屑）。
接著，針對使用研削裝置2之被加工物11的加工方法的具體例進行說明。圖4為表示被加工物的加工方法之流程圖。本實施方式之被加工物的加工方法包含：保持步驟S1、研削步驟S2以及電極加工步驟S3。藉由依序實施保持步驟S1、研削步驟S2、電極加工步驟S3，而在被加工物11的背面11b側使電極19（參照圖1（B）及圖1（C））露出，且去除形成於電極19之毛邊。
首先，以卡盤台4保持被加工物11的正面11a側（保持步驟S1）。圖5為表示以卡盤台4保持被加工物11之研削裝置2之側視圖。
被加工物11係以正面11a側面對保持面4a且背面側11b在上方露出之方式被配置於卡盤台4上。此時，被加工物11被配置成被加工物11的中心位置與保持面4a的中心位置重疊，並且，藉由被加工物11而覆蓋吸引面8a（參照圖2）的整體。在此狀態下，若使吸引源的吸引力（負壓）作用於保持面4a，則被加工物11會被卡盤台4吸引保持。
此外，嚴格而言，如同前述，卡盤台4的保持面4a被形成為圓錐狀（參照圖3）。因此，若以卡盤台4保持被加工物11，則被加工物11被保持在沿著保持面4a稍微變形之狀態。
並且，在被加工物11的正面11a側亦可貼附有保護被加工物11之保護薄片。藉此，形成於被加工物11的正面11a側之元件15（參照圖1（A）～圖1（C））係藉由保護薄片而被覆蓋並被保護。
例如，能使用膠膜作為保護薄片，所述膠膜包含：薄膜狀的基材，其被形成為圓形；以及黏著層（糊層），其設置於基材上。基材係以聚烯烴、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂而成。並且，黏著層係以環氧系、丙烯酸系或橡膠系的接著劑等而成。然後，被加工物11係隔著保護薄片而被卡盤台4的保持面4a保持。
接著，在已使研削輪16往第一方向旋轉之狀態下，藉由使研削磨石20接觸被卡盤台4保持之被加工物11的背面11b側，而研削被加工物11並使電極19（參照圖1（B）及圖1（C））在被加工物11的背面11b側露出（研削步驟S2）。圖6（A）為表示研削被加工物11之研削裝置2之側視圖
在研削步驟S2中，首先，調整卡盤台4與研削輪16的位置關係。具體而言，以被加工物11的中心與研削磨石20的旋轉軌道重疊之方式，將卡盤台4定位於研削單元10的下方。然後，分別使卡盤台4與研削輪16往預定的方向以預定的轉速旋轉。
例如，在研削步驟S2中，使卡盤台4及研削輪16在俯視下順時針旋轉。藉此，研削輪16往第一方向（以箭頭A所示之方向）旋轉。此外，卡盤台4的轉速例如被設定成60rpm以上且300rpm以下，研削輪16的轉速例如被設定成3000rpm以上且6000rpm以下。
接著，在已使卡盤台4及研削輪16旋轉之狀態下，使研削單元10沿著Z軸方向下降，而使被加工物11與研削輪16互相接近。此時的研削輪16的下降速度亦即卡盤台4（被加工物11）與研削輪16在Z軸方向中之相對的移動速度係相當於加工進給速度（研削進給速度）。加工進給速度例如被設定成0.1μm／s以上且1μm／s以下。但是，加工進給速度可因應被加工物11的種類及材質、研削磨石20的材質、被加工物11的研削量（在研削前後之被加工物11的厚度的差）等而適當設定。
若使研削輪16下降，則旋轉之研削磨石20係與被卡盤台4保持之被加工物11的背面11b側接觸。藉此，被加工物11的背面11b側被研削且被削去，而薄化被加工物11。
圖7（A）為表示在研削步驟S2中之被加工物11之俯視圖。在研削步驟S2中，研削磨石20係與被加工物11之中被卡盤台4的保持區域4b（參照圖3）或其附近的區域支撐之部分接觸，並將被加工物11沿著第一方向（以箭頭A所示之方向、從被加工物11的外周緣朝向中心之方向）圓弧狀地進行研削。然後，藉由卡盤台4的旋轉，而被加工物11的背面11b側的整體被研削磨石20研削。
若將被加工物11研削至成為預定的厚度為止，則埋入被加工物11之電極19會在被加工物11的背面11b側露出。藉此，電極19成為在厚度方向貫通被加工物11之矽穿孔，變得能將電極19與其他的配線、電極、元件等連接。
圖7（B）為表示在研削步驟S2中之電極19之俯視圖。若將被加工物11研削至電極19在被加工物11的背面11b側露出為止，則在研削步驟S2的最後階段中，研削磨石20會與電極19接觸。此時，有時電極19會因以高速進行旋轉之研削磨石20而被拉長，並沿著研削磨石20的旋轉方向（圖7（A）的以箭頭A所示之方向）形成鬍鬚狀的毛邊19a。
毛邊19a被形成為從電極19延伸，且從電極19的外周緣突出。此毛邊19a成為在被加工物11的背面11b側中之電極19的形狀變形、在相鄰之電極19間之短路（short）等不良狀況發生之原因。於是，在本實施方式中，藉由在研削步驟S2之後以研削輪16加工電極19，而縮小或去除毛邊19a。藉此，抑制在被加工物11中之毛邊19a的殘留。
具體而言，首先，在研削步驟S2之後，使研削單元10沿著Z軸方向上升，而使被加工物11與研削磨石20互相分離。圖6（B）為表示使研削磨石20從被加工物11離開之研削裝置2之側視圖。
此外，較佳為即使在被加工物11不與研削磨石20接觸之期間，亦維持卡盤台4的旋轉。藉此，可減少在接續的電極加工步驟S3中為了使卡盤台4以預定的轉速旋轉所需之時間。
接著，在已使研削輪16往第二方向旋轉之狀態下，使研削磨石20接觸在被卡盤台4保持之被加工物11的背面11b側露出之電極19，藉此加工電極19（電極加工步驟S3）。圖6（C）為表示加工電極19之研削裝置2之側視圖。
在電極加工步驟S3中，首先，使主軸12往與在研削步驟S2中之主軸12的旋轉方向為相反的方向旋轉。藉此，研削輪16往與第一方向為相反方向的第二方向旋轉（以箭頭B所示之方向）。例如，在研削步驟S2中使研削輪16在俯視下順時針旋轉之情形中，在電極加工步驟S3中使研削輪16在俯視下逆時針旋轉。此外，卡盤台4的轉速例如被設定成60rpm以上且300rpm以下，研削輪16的旋轉數例如被設定成3000rpm以上且6000rpm以下。
接著，在已使卡盤台4及研削輪16旋轉之狀態下，使研削單元10沿著Z軸方向下降，而使被加工物11與研削輪16互相接近。藉此，旋轉之研削磨石20係與在被卡盤台4保持之被加工物11的背面11b側露出之電極19接觸，電極19與被加工物11的背面11b側一起被研削。
此外，若如前述般在研削步驟S2之後預先使被加工物11與研削磨石20分離（參照圖6（B）），則成為在實施電極加工步驟S3之前在被加工物11與研削磨石20之間不會產生摩擦之狀態，而冷卻被加工物11及研削磨石20。藉此，變得難以在電極加工步驟S3中產生被加工物11的燒傷等加工不良。並且，在電極加工步驟S3中，研削磨石20從已離開被加工物11之狀態再度與被加工物11接觸。此時，能促進研削磨石20的下表面側的磨耗而調整研削磨石20的狀態。
圖8（A）為表示在電極加工步驟S3中之被加工物11之俯視圖。在電極加工步驟S3中，研削磨石20係與被加工物11之中被卡盤台4的保持區域4b（參照圖3）或其附近的區域支撐之部分接觸，並將被加工物11沿著第二方向（以箭頭B所示之方向、從被加工物11的中心朝向外周緣之方向）圓弧狀地進行研削。
此外，在電極加工步驟S3中之研削磨石20的相對於被加工物11之移動方向（第二方向）係成為與在研削步驟S2中之研削磨石20的相對於被加工物11之移動方向（第一方向）相反的方向。因此，研削磨石20係將電極19往與研削步驟S2為相反的方向進行研削。然後，藉由卡盤台4的旋轉，而在被加工物11的背面11b側露出之所有的電極19會被研削磨石20加工。
圖8（B）為表示在電極加工步驟S3中之電極19之俯視圖。若使往第二方向旋轉之研削磨石20接觸電極19，則研削磨石20係沿著與毛邊19a的延伸方向為相反的方向（從毛邊19a的前端側朝向基端側之方向）而與電極19接觸。藉此，毛邊19a被朝向電極19的中心側逆向撫摸，而縮小或去除毛邊19a。
此外，電極加工步驟S3係用於縮小或去除毛邊19a的步驟，並不以薄化被加工物11作為直接的目的。因此，在電極加工步驟S3中之研削條件可在能縮小或去除毛邊19a的範圍內自由地設定。
具體而言，在電極加工步驟S3中之被加工物11的研削量可小於在研削步驟S2中之被加工物11的研削量。藉此，抑制被加工物11的過度研削或產生新的毛邊。例如，在電極加工步驟S3中之被加工物11的研削量可設定成10μm以下，較佳為5μm以下。
並且，在電極加工步驟S3中之加工進給速度（研削輪16的下降速度）可慢於在研削步驟S2中之加工進給速度。藉此，在電極加工步驟S3中減少施加於研削磨石20之負載，變得容易去除毛邊19a。例如，在電極加工步驟S3中之加工進給速度可設定成1μm／s以下，較佳為0.5μm／s以下。
由上述的研削裝置2所進行之被加工物11的加工係被與研削裝置2連接之控制單元（未圖示）控制。例如，控制單元係藉由電腦所構成，且包含：運算部，其進行運作研削裝置2所需的運算；以及記憶部，其記憶用於運作研削裝置2之各種資訊（資料、程式等）。運算部係包含CPU（Central Processing Unit，中央處理單元）等處理器所構成。並且，記憶部係包含ROM（Read Only Memory，唯讀記憶體）、RAM（Random Access Memory，隨機存取記憶體）等記憶體所構成。
在控制單元的記憶部（記憶體）中記憶有程式，所述程式描述為了依序實施保持步驟S1、研削步驟S2、電極加工步驟S3所需的研削裝置2的構成要素的一連串的動作。然後，在實施被加工物11的加工時，控制單元從記憶部讀取程式並執行，且將控制訊號依序輸出至研削裝置2的各構成要素。藉此，控制研削裝置2的運作，並自動地實施保持步驟S1、研削步驟S2、電極加工步驟S3。
如同以上，在本實施方式之被加工物的加工方法中，在藉由利用往第一方向旋轉之研削輪16研削被加工物11而使電極19在被加工物11的背面11b側露出後，利用往與第一方向為相反方向的第二方向旋轉之研削輪16加工電極19。藉此，縮小或去除從電極19延伸之毛邊19a，而抑制在研削加工後之毛邊19a的殘留。
此外，上述實施方式之構造、方法等，在不脫離本發明的目的之範圍內可適當變更並實施。
11:被加工物 11a:正面（第一面） 11b:背面（第二面） 13:切割道（分割預定線） 15:元件 17:電極 19:電極（矽通孔、矽穿孔） 19a:毛邊 2:研削裝置 4:卡盤台（保持台） 4a:保持面 4b:保持區域 6:框體（本體部） 6a:上表面 6b:凹部 6c:流路 8:保持構件 8a:吸引面 10:研削單元 12:主軸 14:安裝件 16:研削輪 18:輪基台 20:研削磨石
圖1（A）為表示被加工物之立體圖，圖1（B）為表示被加工物之剖面圖，圖1（C）為表示元件之立體圖。 圖2為表示研削裝置之立體圖。 圖3為表示卡盤台之剖面圖。 圖4為表示被加工物的加工方法之流程圖。 圖5為表示以卡盤台保持被加工物之研削裝置之側視圖。 圖6（A）為表示研削被加工物之研削裝置之側視圖，圖6（B）為表示使研削磨石從被加工物離開之研削裝置之側視圖，圖6（C）為表示加工電極之研削裝置之側視圖。 圖7（A）為表示在研削步驟中之被加工物之俯視圖，圖7（B）為表示在研削步驟中之電極之俯視圖。 圖8（A）為表示在電極加工步驟中之被加工物之俯視圖，圖8（B）為表示在電極加工步驟中之電極之俯視圖。
11:被加工物
11a:正面(第一面)
11b:背面(第二面)
13:切割道(分割預定線)
15:元件
17:電極
19:電極(矽通孔、矽穿孔)

Claims (1)

  1. 一種被加工物的加工方法，其將已埋入電極之被加工物進行加工，且特徵在於，包含： 保持步驟，其以卡盤台保持該被加工物的正面側； 研削步驟，其在該保持步驟之後，在已使包含研削磨石之研削輪往第一方向旋轉之狀態下，使該研削磨石接觸被該卡盤台保持之該被加工物的背面側，藉此研削該被加工物而使該電極在該被加工物的背面側露出；以及 電極加工步驟，其在該研削步驟之後，在已使該研削輪往與該第一方向為相反方向的第二方向旋轉之狀態下，使該研削磨石接觸在被該卡盤台保持之該被加工物的背面側露出之該電極，藉此加工該電極。
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