JP5549403B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
a.ラミネーターを用いたラミネート工程
b.レーザ照射装置を用いた捺印工程
c.バックグラインダーとマウントリムーバーとのインライン装置を用いた背面研削工程とウェーハマウント工程と表面保護テープ剥離工程とからなる一連の工程
d.ダイシング工程
e.紫外光照射装置を用いた紫外光照射工程
f.チップソーター等を用いたピックアップ工程
の6工程からなる。
次いで、図5(g)に示すように、ダイシングテープ25の裏面から紫外光28を照射してダイシングテープ25の粘着力を低下させる。
次いで、図9(i)に示すように、ダイシングテープ25の裏面から紫外光28を照射してダイシングテープ25の粘着力を低下させる。
2 載置するステージ
3,4 レーザ光源
5 IRカメラ
6 制御機構
7 第1の走査制御手段
8 第2の走査制御手段
9 第3の走査制御手段
11 シリコンウェーハ
12,52 パターン層
13,53 背面
14,54 表面保護テープ
15,55 ローラー
16,61 レーザ光
17,62 改質層
18 IRカメラ
19,56 吸着テーブル
20,57 バックグラインドホイール
21,58 研削用砥石
22 加工抵抗検出部
23 カメラ
24 エアーノズル
25,63 ダイシングテープ
26,64 ブレード
27,65 半導体チップ
28,66 紫外光
29,67 ステージ
30,68 突き上げピン
31,69 ピックアップツール
32 レーザ光
33 レーザ光
34 改質層
35 治具
36 吸着テープ
51 半導体ウェーハ
59 厚さ測定部
60 触芯
70 加工屑
Claims (4)
- 半導体ウェーハの背面からレーザ光を照射して、前記半導体ウェーハの背面より内部に非単結晶質の改質層からなるマークを形成する工程と、
前記マークを形成する工程の後に、前記半導体ウェーハの背面を研磨或いは研削処理して前記改質層を表出させる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記改質層を表出させる工程において、前記改質層の表出を光学的検出手段で検出して、前記改質層の表出を基準にして前記半導体ウェーハの厚みを検出する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体ウェーハの背面からレーザ光を照射して、前記半導体ウェーハの背面より内部にチップ分割用の改質層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マークを形成する工程は、文字或いは記号の少なくとも一方を含むマークを形成することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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