JP2007306000A - 異形成形されたエッジを備えた半導体ウェーハを製作するための方法 - Google Patents
異形成形されたエッジを備えた半導体ウェーハを製作するための方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】当該方法が、以下のステップ:すなわち、
結晶からの半導体ウェーハの分断;
エッジを機械的に加工しかつエッジが、目標プロファイル3に対して縮尺通りであるプロファイル2を獲得するエッジプロファイル形成ステップ;
半導体ウェーハの厚さを減少させる機械的な加工ステップ;
エッジを機械的に加工しかつエッジが目標プロファイル3を獲得するエッジプロファイル加工ステップ:
を有しているようにした。
【選択図】図3
Description
結晶からの半導体ウェーハの分断;
エッジを機械的に加工しかつエッジが、目標プロファイルに対して縮尺通りであるプロファイルを獲得するエッジプロファイル形成ステップ;
半導体ウェーハの厚さを減少させる機械的な加工ステップ;
エッジを機械的に加工しかつエッジが目標プロファイルを獲得するエッジプロファイル加工ステップ:
を有しているようにした。
比較試験では、300mmの直径を備えた、シリコンから成る600個の半導体ウェーハが、本発明による形式(粗い粒度を有する研削砥石によるエッジプロファイル形成ステップ、同時の両面の研削および微細な粒度を有する研削砥石によるエッジプロファイル加工ステップ)で機械的に加工された。この場合、エッジプロファイル加工ステップ後、エッジの損傷による故障ウェーハは生産されなかった。これに対して、面の両面の研削前のエッジ加工が省略され、その後初めて、エッジが目標プロファイルを備えた場合には、このように処理された半導体ウェーハの一部がエッジの損傷のため故障した。
欠陥方位を備えた結晶格子と0.3〜0.7の楕円値とを備えたシリコンから成る2000個の半導体ウェーハが、本発明による形式(粗い粒度を有する研削砥石によるエッジプロファイル形成ステップ、同時の両面の研削および微細な粒度を有する研削砥石によるエッジプロファイル加工ステップ)で機械的に加工された。この場合、エッジプロファイル加工ステップ後、エッジの損傷による故障ウェーハは生産されなかった。
Claims (9)
- 異形成形されたエッジを備えた半導体ウェーハを製作するための方法において、当該方法が、以下のステップ:すなわち、
結晶からの半導体ウェーハの分断;
エッジを機械的に加工しかつエッジが、目標プロファイルに対して縮尺通りであるプロファイルを獲得するエッジプロファイル形成ステップ;
半導体ウェーハの厚さを減少させる機械的な加工ステップ;
エッジを機械的に加工しかつエッジが目標プロファイルを獲得するエッジプロファイル加工ステップ:
を有していることを特徴とする、異形成形されたエッジを備えた半導体ウェーハを製作するための方法。 - エッジプロファイル形成ステップ時に、半導体ウェーハの楕円形状を円形状に移行する、請求項1記載の方法。
- 半導体ウェーハの厚さを減少させる機械的な加工ステップと、エッジプロファイル加工ステップとを同時に実施する、請求項1または2記載の方法。
- エッジをエッジプロファイル形成ステップの間、粗い粒度を有する研削工具によって粗く加工する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- エッジをエッジプロファイル加工ステップの間、微細な粒度を有する研削工具によって加工する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 研削工具の粒度が、15μm〜0.5μmの平均的な粒度に相当している、請求項5記載の方法。
- エッジプロファイル形成ステップが、2回またはそれ以上の回数の部分ステップを有している、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- エッジプロファイル加工ステップが、2回またはそれ以上の回数の部分ステップを有している、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- エッジの化学機械的なポリッシングを行わない、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。
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