JP2001093865A - 半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
半導体ウェーハの製造方法Info
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- JP2001093865A JP2001093865A JP26627599A JP26627599A JP2001093865A JP 2001093865 A JP2001093865 A JP 2001093865A JP 26627599 A JP26627599 A JP 26627599A JP 26627599 A JP26627599 A JP 26627599A JP 2001093865 A JP2001093865 A JP 2001093865A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハの製造方法において、高集積
度対応鏡面ウェーハにも適用可能な高平坦度を確保する
こと。 【解決手段】 半導体ウェーハの片面または両面を研磨
する研磨工程Ｓ１５１，Ｓ１５２を備えた半導体ウェー
ハの製造方法であって、前記研磨工程は、予め直径を最
終的に要求される目標直径値より大きくした前記半導体
ウェーハを研磨し、前記研磨工程後に、前記半導体ウェ
ーハの直径が前記目標直径値になるまで半導体ウェーハ
の面取り面に面取り加工を施す研磨後面取り工程Ｓ１６
を有する。
度対応鏡面ウェーハにも適用可能な高平坦度を確保する
こと。 【解決手段】 半導体ウェーハの片面または両面を研磨
する研磨工程Ｓ１５１，Ｓ１５２を備えた半導体ウェー
ハの製造方法であって、前記研磨工程は、予め直径を最
終的に要求される目標直径値より大きくした前記半導体
ウェーハを研磨し、前記研磨工程後に、前記半導体ウェ
ーハの直径が前記目標直径値になるまで半導体ウェーハ
の面取り面に面取り加工を施す研磨後面取り工程Ｓ１６
を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、高集積度
に対応可能な鏡面ウェーハを得ることができる半導体ウ
ェーハの製造方法に関する。
に対応可能な鏡面ウェーハを得ることができる半導体ウ
ェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェーハを製造する工程
を、シリコンウェーハにおいて説明すると、図４に示す
ように、単結晶シリコンのインゴットからシリコンウェ
ーハをスライスするスライス工程Ｓ１と、スライスされ
たシリコンウェーハの周縁に面取り面を形成する面取り
工程Ｓ２と、面取りされたシリコンウェーハをラップ加
工によって所定厚さに粗研磨するラッピング工程Ｓ３
と、ラッピングされたシリコンウェーハをエッチング液
によりエッチング処理して機械研磨（ラッピング加工お
よび面取り加工）による加工ダメージを除去するエッチ
ング工程Ｓ４と、エッチング処理されたシリコンウェー
ハの片面または両面を鏡面研磨する片面研磨工程Ｓ５１
または両面研磨工程Ｓ５２と、研磨されたシリコンウェ
ーハを洗浄する洗浄工程Ｓ６とから主に構成されてい
る。
を、シリコンウェーハにおいて説明すると、図４に示す
ように、単結晶シリコンのインゴットからシリコンウェ
ーハをスライスするスライス工程Ｓ１と、スライスされ
たシリコンウェーハの周縁に面取り面を形成する面取り
工程Ｓ２と、面取りされたシリコンウェーハをラップ加
工によって所定厚さに粗研磨するラッピング工程Ｓ３
と、ラッピングされたシリコンウェーハをエッチング液
によりエッチング処理して機械研磨（ラッピング加工お
よび面取り加工）による加工ダメージを除去するエッチ
ング工程Ｓ４と、エッチング処理されたシリコンウェー
ハの片面または両面を鏡面研磨する片面研磨工程Ｓ５１
または両面研磨工程Ｓ５２と、研磨されたシリコンウェ
ーハを洗浄する洗浄工程Ｓ６とから主に構成されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体ウェーハの製造方法には、以下のような課題
が残されている。すなわち、従来の加工工程では、シリ
コンウェーハの平坦度を得るために片面研磨若しくは両
面研磨を行っているが、ウェーハの周辺部分が中央部分
に比べて多く研磨されてしまい十分な平坦度が得られな
い現象、いわゆる周辺垂れが発生してしまう。このた
め、例えば、デザインルールが０．１３μｍ以降の高集
積度対応鏡面ウェーハに必要な高平坦度を確保すること
ができなかった。
来の半導体ウェーハの製造方法には、以下のような課題
が残されている。すなわち、従来の加工工程では、シリ
コンウェーハの平坦度を得るために片面研磨若しくは両
面研磨を行っているが、ウェーハの周辺部分が中央部分
に比べて多く研磨されてしまい十分な平坦度が得られな
い現象、いわゆる周辺垂れが発生してしまう。このた
め、例えば、デザインルールが０．１３μｍ以降の高集
積度対応鏡面ウェーハに必要な高平坦度を確保すること
ができなかった。
【０００４】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、高集積度対応鏡面ウェーハにも適用可能な高平坦
度を確保することができる半導体ウェーハの製造方法を
提供することを目的とする。
ので、高集積度対応鏡面ウェーハにも適用可能な高平坦
度を確保することができる半導体ウェーハの製造方法を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の半導体ウェーハの製造方法では、半導体ウェー
ハの片面または両面を研磨する研磨工程を備えた半導体
ウェーハの製造方法であって、前記研磨工程は、予め直
径を最終的に要求される目標直径値より大きくした前記
半導体ウェーハを研磨し、前記研磨工程後に、前記半導
体ウェーハの直径が前記目標直径値になるまで半導体ウ
ェーハの面取り面に面取り加工を施す研磨後面取り工程
を有する技術が採用される。
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の半導体ウェーハの製造方法では、半導体ウェー
ハの片面または両面を研磨する研磨工程を備えた半導体
ウェーハの製造方法であって、前記研磨工程は、予め直
径を最終的に要求される目標直径値より大きくした前記
半導体ウェーハを研磨し、前記研磨工程後に、前記半導
体ウェーハの直径が前記目標直径値になるまで半導体ウ
ェーハの面取り面に面取り加工を施す研磨後面取り工程
を有する技術が採用される。
【０００６】この半導体ウェーハの製造方法では、研磨
工程において、予め直径を最終的に要求される目標直径
値より大きくした半導体ウェーハを研磨し、研磨後面取
り工程において、半導体ウェーハの直径が目標直径値に
なるまで半導体ウェーハの面取り面に面取り加工を施す
ので、ウェーハの周辺垂れ領域を目標直径値より大きく
した分だけ研磨後の面取り加工で除去することができ、
高平坦度を確保することができる。
工程において、予め直径を最終的に要求される目標直径
値より大きくした半導体ウェーハを研磨し、研磨後面取
り工程において、半導体ウェーハの直径が目標直径値に
なるまで半導体ウェーハの面取り面に面取り加工を施す
ので、ウェーハの周辺垂れ領域を目標直径値より大きく
した分だけ研磨後の面取り加工で除去することができ、
高平坦度を確保することができる。
【０００７】請求項２記載の半導体ウェーハの製造方法
では、請求項１記載の半導体ウェーハの製造方法におい
て、前記研磨工程は、直径が前記目標直径値より０．５
ｍｍ以上大きく設定された前記半導体ウェーハを研磨す
る技術が採用される。
では、請求項１記載の半導体ウェーハの製造方法におい
て、前記研磨工程は、直径が前記目標直径値より０．５
ｍｍ以上大きく設定された前記半導体ウェーハを研磨す
る技術が採用される。
【０００８】すなわち、ウェーハの周辺垂れは、研磨面
外周縁から内側に０．５ｍｍ以内の範囲で発生している
ため、研磨工程において、直径が目標直径値より０．５
ｍｍ以上大きく設定された半導体ウェーハを研磨するこ
とにより、研磨後面取り工程で周辺垂れの領域を十分に
除去することができる。
外周縁から内側に０．５ｍｍ以内の範囲で発生している
ため、研磨工程において、直径が目標直径値より０．５
ｍｍ以上大きく設定された半導体ウェーハを研磨するこ
とにより、研磨後面取り工程で周辺垂れの領域を十分に
除去することができる。
【０００９】請求項３記載の半導体ウェーハの製造方法
では、請求項１または２記載の半導体ウェーハの製造方
法において、前記研磨後面取り工程は、プラズマ加工に
より前記面取り面を加工する技術が採用される。
では、請求項１または２記載の半導体ウェーハの製造方
法において、前記研磨後面取り工程は、プラズマ加工に
より前記面取り面を加工する技術が採用される。
【００１０】この半導体ウェーハの製造方法では、研磨
後面取り工程において、プラズマ加工により面取り面を
加工するので、プラズマにより面取り面をドライエッチ
ングするためにダメージが発生しないとともに、他のダ
メージレス加工法に比べて生産性を向上させることがで
きる。
後面取り工程において、プラズマ加工により面取り面を
加工するので、プラズマにより面取り面をドライエッチ
ングするためにダメージが発生しないとともに、他のダ
メージレス加工法に比べて生産性を向上させることがで
きる。
【００１１】請求項４記載の半導体ウェーハの製造方法
では、請求項１から３のいずれかに記載の半導体ウェー
ハの製造方法において、前記研磨後面取り工程後に、前
記半導体ウェーハの表面を研磨する表面加工工程を有す
る技術が採用される。
では、請求項１から３のいずれかに記載の半導体ウェー
ハの製造方法において、前記研磨後面取り工程後に、前
記半導体ウェーハの表面を研磨する表面加工工程を有す
る技術が採用される。
【００１２】この半導体ウェーハの製造方法では、研磨
後面取り工程後に、半導体ウェーハの表面を研磨する表
面加工工程を有するので、面取り加工により表裏面に傷
がついても表面加工工程により当該傷が除去され、高品
質なウェーハを得ることができる。
後面取り工程後に、半導体ウェーハの表面を研磨する表
面加工工程を有するので、面取り加工により表裏面に傷
がついても表面加工工程により当該傷が除去され、高品
質なウェーハを得ることができる。
【００１３】請求項５記載の半導体ウェーハの製造方法
では、請求項１から４のいずれかに記載の半導体ウェー
ハの製造方法において、前記研磨後面取り工程は、前記
半導体ウェーハの表裏面を保護しながら面取り加工を行
う技術が採用される。
では、請求項１から４のいずれかに記載の半導体ウェー
ハの製造方法において、前記研磨後面取り工程は、前記
半導体ウェーハの表裏面を保護しながら面取り加工を行
う技術が採用される。
【００１４】この半導体ウェーハの製造方法では、研磨
後面取り工程において、半導体ウェーハの表裏面を保護
しながら面取り加工を行うので、研磨されて鏡面となっ
た表裏面に傷を付けずに面取り加工を行うことができ
る。また、表裏面に傷が付かないため、研磨後面取り工
程後に表面を研磨する工程を削除することもでき、表面
加工を行った場合と同様に、高品質なウェーハを得るこ
とができる。
後面取り工程において、半導体ウェーハの表裏面を保護
しながら面取り加工を行うので、研磨されて鏡面となっ
た表裏面に傷を付けずに面取り加工を行うことができ
る。また、表裏面に傷が付かないため、研磨後面取り工
程後に表面を研磨する工程を削除することもでき、表面
加工を行った場合と同様に、高品質なウェーハを得るこ
とができる。
【００１５】請求項６記載の半導体ウェーハの製造方法
では、請求項５記載の半導体ウェーハの製造方法におい
て、前記研磨後面取り工程は、前記半導体ウェーハの表
裏面に保護フィルムを貼りつけた状態で行う技術が採用
される。
では、請求項５記載の半導体ウェーハの製造方法におい
て、前記研磨後面取り工程は、前記半導体ウェーハの表
裏面に保護フィルムを貼りつけた状態で行う技術が採用
される。
【００１６】この半導体ウェーハの製造方法では、研磨
後面取り工程において、半導体ウェーハの表裏面に保護
フィルムを貼りつけた状態で行うので、ウェーハの表裏
面が保護フィルムで保護されるため、面取り加工によっ
て表裏面に生じる傷を防止することができる。
後面取り工程において、半導体ウェーハの表裏面に保護
フィルムを貼りつけた状態で行うので、ウェーハの表裏
面が保護フィルムで保護されるため、面取り加工によっ
て表裏面に生じる傷を防止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体ウェー
ハの製造方法の一実施形態を、図１から図３を参照しな
がら説明する。
ハの製造方法の一実施形態を、図１から図３を参照しな
がら説明する。
【００１８】本実施形態の半導体ウェーハの製造方法
は、例えば、単結晶シリコンのインゴットから１２イン
チ用のシリコンウェーハをスライスして、鏡面研磨ウェ
ーハにまで加工する方法である。まず、図１に示すよう
に、最初にスライス工程Ｓ１１によってシリコンインゴ
ットから複数枚のシリコンウェーハを所定厚さにそれぞ
れスライスする。このとき、スライスされたシリコンウ
ェーハＷは、図２に示すように、最終的に製品化された
際に要求される対照口径ｌ0（目標直径値）より直径ｌ1
が削り代ｘだけ大きく設定されている。なお、削り代ｘ
は、０．５ｍｍ以上大きく設定されている。
は、例えば、単結晶シリコンのインゴットから１２イン
チ用のシリコンウェーハをスライスして、鏡面研磨ウェ
ーハにまで加工する方法である。まず、図１に示すよう
に、最初にスライス工程Ｓ１１によってシリコンインゴ
ットから複数枚のシリコンウェーハを所定厚さにそれぞ
れスライスする。このとき、スライスされたシリコンウ
ェーハＷは、図２に示すように、最終的に製品化された
際に要求される対照口径ｌ0（目標直径値）より直径ｌ1
が削り代ｘだけ大きく設定されている。なお、削り代ｘ
は、０．５ｍｍ以上大きく設定されている。
【００１９】さらに、軽面取り工程Ｓ１２によってスラ
イスされたシリコンウェーハＷの周縁に軽面取り加工を
施す。この軽面取り工程Ｓ１２では、次工程でシリコン
ウェーハＷにカケ、割れ、チップ等が発生しない程度に
面取り加工が行われて面取り面Ｍが形成される。したが
って、後述する研磨後の面取り工程Ｓ１６よりも粗い加
工でよい。
イスされたシリコンウェーハＷの周縁に軽面取り加工を
施す。この軽面取り工程Ｓ１２では、次工程でシリコン
ウェーハＷにカケ、割れ、チップ等が発生しない程度に
面取り加工が行われて面取り面Ｍが形成される。したが
って、後述する研磨後の面取り工程Ｓ１６よりも粗い加
工でよい。
【００２０】次に、ラッピング工程Ｓ１３によってシリ
コンウェーハＷをラップ加工し、所定厚さだけ粗研磨が
行われてスライシングにより生じた凹凸層が削除され
る。このラッピング工程Ｓ１３は、既知のラッピング装
置を用いて行われるもので、砥粒と加工液とを混ぜたス
ラリーをラップ定盤とシリコンウェーハＷとの間に入れ
て両方に圧力を加えながら相対運動させて機械的な研磨
を行うものである。
コンウェーハＷをラップ加工し、所定厚さだけ粗研磨が
行われてスライシングにより生じた凹凸層が削除され
る。このラッピング工程Ｓ１３は、既知のラッピング装
置を用いて行われるもので、砥粒と加工液とを混ぜたス
ラリーをラップ定盤とシリコンウェーハＷとの間に入れ
て両方に圧力を加えながら相対運動させて機械的な研磨
を行うものである。
【００２１】次に、エッチング工程Ｓ１４によって、ラ
ッピングされたシリコンウェーハＷをエッチング液によ
りエッチング処理して機械研磨（ラップ加工および面取
り加工）による加工ダメージを除去する。さらに、片面
研磨工程Ｓ１５１または両面研磨工程Ｓ１５２によっ
て、エッチング処理されたシリコンウェーハＷの片面ま
たは両面に予め決めた厚さだけ機械的化学的研磨を施し
て鏡面研磨する。
ッピングされたシリコンウェーハＷをエッチング液によ
りエッチング処理して機械研磨（ラップ加工および面取
り加工）による加工ダメージを除去する。さらに、片面
研磨工程Ｓ１５１または両面研磨工程Ｓ１５２によっ
て、エッチング処理されたシリコンウェーハＷの片面ま
たは両面に予め決めた厚さだけ機械的化学的研磨を施し
て鏡面研磨する。
【００２２】これらの片面研磨工程Ｓ１５１または両面
研磨工程Ｓ１５２は、既知の研磨装置を用いて行われ
る。該研磨装置は、シリコンウェーハＷの表面または表
裏面に研磨布を当接させアルカリ性研磨液を供給しなが
らメカノケミカル研磨を行うものである。これによっ
て、シリコンウェーハＷの表面または表裏面は、平坦化
されるが、この段階では、シリコンウェーハＷの周辺
部、特に研磨面の外周縁から０．５ｍｍ以内の領域にお
いて周辺垂れが生じている。なお、面取り面Ｍの幅が約
０．５ｍｍである。
研磨工程Ｓ１５２は、既知の研磨装置を用いて行われ
る。該研磨装置は、シリコンウェーハＷの表面または表
裏面に研磨布を当接させアルカリ性研磨液を供給しなが
らメカノケミカル研磨を行うものである。これによっ
て、シリコンウェーハＷの表面または表裏面は、平坦化
されるが、この段階では、シリコンウェーハＷの周辺
部、特に研磨面の外周縁から０．５ｍｍ以内の領域にお
いて周辺垂れが生じている。なお、面取り面Ｍの幅が約
０．５ｍｍである。
【００２３】そして、片面研磨工程Ｓ１５１または両面
研磨工程Ｓ１５２の後、研磨後面取り工程Ｓ１６によっ
て、図２に示すように、シリコンウェーハＷの直径ｌ1
が対照口径ｌ0になるまで（図中における点線まで）面
取り面Ｍに面取り加工を施す。すなわち、削り代ｘだけ
面取り加工を行って最終製品に必要な対照口径ｌ0にす
るとともに、周辺垂れが生じている領域を除去する。
研磨工程Ｓ１５２の後、研磨後面取り工程Ｓ１６によっ
て、図２に示すように、シリコンウェーハＷの直径ｌ1
が対照口径ｌ0になるまで（図中における点線まで）面
取り面Ｍに面取り加工を施す。すなわち、削り代ｘだけ
面取り加工を行って最終製品に必要な対照口径ｌ0にす
るとともに、周辺垂れが生じている領域を除去する。
【００２４】このとき、シリコンウェーハＷの表裏面の
保護手段として、図３に示すように、予めシリコンウェ
ーハＷの表面Ｓおよび裏面Ｒにコーティングフィルム
（保護フィルム）Ｆを貼りつけておく。このコーティン
グフィルムＦは、例えば、デバイスのBackgrinding時に
使用する樹脂フィルム等が採用される。これによって、
面取り加工により表裏面に傷が付くことを防止すること
ができる。
保護手段として、図３に示すように、予めシリコンウェ
ーハＷの表面Ｓおよび裏面Ｒにコーティングフィルム
（保護フィルム）Ｆを貼りつけておく。このコーティン
グフィルムＦは、例えば、デバイスのBackgrinding時に
使用する樹脂フィルム等が採用される。これによって、
面取り加工により表裏面に傷が付くことを防止すること
ができる。
【００２５】前記研磨後面取り工程Ｓ１６は、ダメージ
レス面取り加工、例えばエッチングガスをプラズマ状態
にしてシリコンと反応させてエッチング加工する、いわ
ゆるプラズマ加工を用いて行われる。このプラズマ加工
によれば、面取り面Ｍにダメージが生じない。また、別
の加工手段としては、機械面取り加工を行った後、ＰＣ
Ｒ（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｃｏｒｎｏｒ ｒｏｕｎｄｉ
ｎｇ）によって、面取り面Ｍに機械的化学的研磨を施
し、鏡面化する工程を採用しても構わない。なお、この
ＰＣＲは、表面に研磨布を貼ったホイールを回転させて
シリコンウェーハＷの面取り面Ｍに当接させると共に、
アルカリ性研磨液を供給しながらメカノケミカル研磨を
行う面取り面研磨装置が用いられる。
レス面取り加工、例えばエッチングガスをプラズマ状態
にしてシリコンと反応させてエッチング加工する、いわ
ゆるプラズマ加工を用いて行われる。このプラズマ加工
によれば、面取り面Ｍにダメージが生じない。また、別
の加工手段としては、機械面取り加工を行った後、ＰＣ
Ｒ（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｃｏｒｎｏｒ ｒｏｕｎｄｉ
ｎｇ）によって、面取り面Ｍに機械的化学的研磨を施
し、鏡面化する工程を採用しても構わない。なお、この
ＰＣＲは、表面に研磨布を貼ったホイールを回転させて
シリコンウェーハＷの面取り面Ｍに当接させると共に、
アルカリ性研磨液を供給しながらメカノケミカル研磨を
行う面取り面研磨装置が用いられる。
【００２６】面取り加工が終了した後、洗浄工程Ｓ１８
によってシリコンウェーハＷから研磨液等を除去する洗
浄を行う。
によってシリコンウェーハＷから研磨液等を除去する洗
浄を行う。
【００２７】なお、研磨後面取り工程Ｓ１６においてシ
リコンウェーハＷの表面ＳにコーティングフィルムＦを
貼り付ける等の保護手段を施さない場合、研磨後面取り
工程Ｓ１６後、洗浄工程Ｓ１８前に、シリコンウェーハ
Ｗの表面Ｓを機械的化学的研磨を施す表面加工工程Ｓ１
７を行う。これによって、研磨後面取り工程Ｓ１６で表
面Ｓに付いた傷を除去する。したがって、研磨後面取り
工程Ｓ１６時において表裏面に上記のような保護手段が
施されていれば、基本的には表面加工工程Ｓ１７を行う
必要はない。
リコンウェーハＷの表面ＳにコーティングフィルムＦを
貼り付ける等の保護手段を施さない場合、研磨後面取り
工程Ｓ１６後、洗浄工程Ｓ１８前に、シリコンウェーハ
Ｗの表面Ｓを機械的化学的研磨を施す表面加工工程Ｓ１
７を行う。これによって、研磨後面取り工程Ｓ１６で表
面Ｓに付いた傷を除去する。したがって、研磨後面取り
工程Ｓ１６時において表裏面に上記のような保護手段が
施されていれば、基本的には表面加工工程Ｓ１７を行う
必要はない。
【００２８】このように本実施形態では、片面研磨工程
Ｓ１５１または両面研磨工程Ｓ１５２において、予め直
径ｌ1を対照口径ｌ0より大きくしたシリコンウェーハＷ
を研磨し、研磨後面取り工程Ｓ１６において、直径が対
照口径ｌ0になるまで面取り面Ｍに面取り加工を施すの
で、削り代ｘの領域に生じているウェーハＷの周辺垂れ
を面取り加工で除去することができ、高平坦度を確保す
ることができる。
Ｓ１５１または両面研磨工程Ｓ１５２において、予め直
径ｌ1を対照口径ｌ0より大きくしたシリコンウェーハＷ
を研磨し、研磨後面取り工程Ｓ１６において、直径が対
照口径ｌ0になるまで面取り面Ｍに面取り加工を施すの
で、削り代ｘの領域に生じているウェーハＷの周辺垂れ
を面取り加工で除去することができ、高平坦度を確保す
ることができる。
【００２９】なお、本発明は、次のような実施形態をも
含むものである。上記実施形態では、半導体ウェーハと
してシリコンウェーハに適用したが、他の半導体ウェー
ハ、例えば、化合物半導体のウェーハ（ガリウム・ヒ素
のウェーハ等）の製造方法に適用してもよい。また、上
記実施形態において、研磨後面取り工程Ｓ１６のＰＣＲ
工程の後に、面取り面Ｍのみを選択的にエッチング液で
エッチング処理するＣＣＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒ
ｎｅｒ Ｒｏｕｎｄｉｎｇ）工程を導入し、面取り加工
時のダメージを除去してもよいし、研磨工程Ｓ１５１、
Ｓ１５２後にドナーキラー熱処理工程やゲッタリング工
程を導入してもよい。
含むものである。上記実施形態では、半導体ウェーハと
してシリコンウェーハに適用したが、他の半導体ウェー
ハ、例えば、化合物半導体のウェーハ（ガリウム・ヒ素
のウェーハ等）の製造方法に適用してもよい。また、上
記実施形態において、研磨後面取り工程Ｓ１６のＰＣＲ
工程の後に、面取り面Ｍのみを選択的にエッチング液で
エッチング処理するＣＣＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒ
ｎｅｒ Ｒｏｕｎｄｉｎｇ）工程を導入し、面取り加工
時のダメージを除去してもよいし、研磨工程Ｓ１５１、
Ｓ１５２後にドナーキラー熱処理工程やゲッタリング工
程を導入してもよい。
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体ウェーハの製造方法によ
れば、研磨工程において、予め直径を最終的に要求され
る目標直径値より大きくした半導体ウェーハを研磨し、
研磨後面取り工程において、半導体ウェーハの直径が目
標直径値になるまで半導体ウェーハの面取り面に面取り
加工を施すので、ウェーハの周辺垂れを目標直径値より
大きくした分だけ研磨後の面取り加工で除去することが
でき、高平坦度を確保することができる。したがって、
デザインルール０．１３μｍ以降の高集積度対応鏡面ウ
ェーハに必要な高平坦度を得ることができ、高精度ウェ
ーハを容易に製造することができる。
れば、研磨工程において、予め直径を最終的に要求され
る目標直径値より大きくした半導体ウェーハを研磨し、
研磨後面取り工程において、半導体ウェーハの直径が目
標直径値になるまで半導体ウェーハの面取り面に面取り
加工を施すので、ウェーハの周辺垂れを目標直径値より
大きくした分だけ研磨後の面取り加工で除去することが
でき、高平坦度を確保することができる。したがって、
デザインルール０．１３μｍ以降の高集積度対応鏡面ウ
ェーハに必要な高平坦度を得ることができ、高精度ウェ
ーハを容易に製造することができる。
【図１】 本発明に係る半導体ウェーハの製造方法の一
実施形態における工程を示すフローチャートである。
実施形態における工程を示すフローチャートである。
【図２】 本発明に係る半導体ウェーハの製造方法の一
実施形態における研磨前の半導体ウェーハを示す要部断
面図である。
実施形態における研磨前の半導体ウェーハを示す要部断
面図である。
【図３】 本発明に係る半導体ウェーハの製造方法の一
実施形態におけるコーティングフィルムを貼り付けた半
導体ウェーハを示す要部断面図である。
実施形態におけるコーティングフィルムを貼り付けた半
導体ウェーハを示す要部断面図である。
【図４】 本発明に係る半導体ウェーハの製造方法の従
来例における工程を示すフローチャートである。
来例における工程を示すフローチャートである。
Ｓ１５１ 片面研磨工程 Ｓ１５２ 両面研磨工程 Ｓ１６ 研磨後面取り工程 Ｓ１７ 表面加工工程 ｌ0 対照口径（目標直径） ｌ1 研磨後面取り工程前までの直径 Ｆ コーティングフィルム（保護フィルム） Ｍ シリコンウェーハの面取り面 Ｓ シリコンウェーハの表面 Ｒ シリコンウェーハの裏面 Ｗ シリコンウェーハ（半導体ウェーハ） ｘ 削り代
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 靖行 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 4E001 AA05 BA04 CC04
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの片面または両面を研磨
する研磨工程を備えた半導体ウェーハの製造方法であっ
て、 前記研磨工程は、予め直径を最終的に要求される目標直
径値より大きくした前記半導体ウェーハを研磨し、 前記研磨工程後に、前記半導体ウェーハの直径が前記目
標直径値になるまで半導体ウェーハの面取り面に面取り
加工を施す研磨後面取り工程を有することを特徴とする
半導体ウェーハの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウェーハの製造方
法において、 前記研磨工程は、直径が前記目標直径値より０．５ｍｍ
以上大きく設定された前記半導体ウェーハを研磨するこ
とを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体ウェーハ
の製造方法において、 前記研磨後面取り工程は、プラ
ズマ加工により前記面取り面を加工することを特徴とす
る半導体ウェーハの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載の半導
体ウェーハの製造方法において、 前記研磨後面取り工程後に、前記半導体ウェーハの表面
を研磨する表面加工工程を有することを特徴とする半導
体ウェーハの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載の半導
体ウェーハの製造方法において、 前記研磨後面取り工程は、前記半導体ウェーハの表裏面
を保護しながら面取り加工を行うことを特徴とする半導
体ウェーハの製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体ウェーハの製造方
法において、 前記研磨後面取り工程は、前記半導体ウェーハの表裏面
に保護フィルムを貼りつけた状態で行うことを特徴とす
る半導体ウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26627599A JP2001093865A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26627599A JP2001093865A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001093865A true JP2001093865A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17428708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26627599A Withdrawn JP2001093865A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001093865A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007306000A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Siltronic Ag | 異形成形されたエッジを備えた半導体ウェーハを製作するための方法 |
| CN109786325A (zh) * | 2017-11-14 | 2019-05-21 | 株式会社迪思科 | 小直径晶片的制造方法 |
| CN114347279A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-15 | 苏州北汀羽电子有限公司 | 一种晶圆片开槽方法及黄胶膜边缘切割设备 |
-
1999
- 1999-09-20 JP JP26627599A patent/JP2001093865A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007306000A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Siltronic Ag | 異形成形されたエッジを備えた半導体ウェーハを製作するための方法 |
| CN109786325A (zh) * | 2017-11-14 | 2019-05-21 | 株式会社迪思科 | 小直径晶片的制造方法 |
| CN109786325B (zh) * | 2017-11-14 | 2024-01-02 | 株式会社迪思科 | 小直径晶片的制造方法 |
| CN114347279A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-15 | 苏州北汀羽电子有限公司 | 一种晶圆片开槽方法及黄胶膜边缘切割设备 |
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