RU2337429C2 - Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов - Google Patents
Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2337429C2 RU2337429C2 RU2005139644/28A RU2005139644A RU2337429C2 RU 2337429 C2 RU2337429 C2 RU 2337429C2 RU 2005139644/28 A RU2005139644/28 A RU 2005139644/28A RU 2005139644 A RU2005139644 A RU 2005139644A RU 2337429 C2 RU2337429 C2 RU 2337429C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plates
- diameter
- single crystal
- manufacture
- edge
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в микроэлектронике и оптике при производстве пластин из полупроводниковых и оптических материалов, особенно из материалов с повышенной твердостью и хрупкостью, например из сапфира. Сущность изобретения: в способе изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов, содержащем операции калибрования монокристалла, изготовления базового среза, резки монокристалла на пластины, шлифовки пластин, изготовления фаски по кромке пластины, отжига и полировки пластин, калибрование монокристалла проводят до диаметра на 0,2÷0,3 мм более номинального диаметра пластин, а затем шлифуют пластины и делают по их кромке полукруглую фаску по копиру с доводкой диаметра пластин до заданного номинала с одновременным удалением краевых микросколов. Техническим результатом изобретения является уменьшение трудозатрат на изготовление пластин, снижение затрат на инструмент благодаря уменьшению его износа, увеличение производительности.
Description
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в микроэлектронике и оптике при производстве пластин из полупроводниковых и оптических материалов, особенно материалов с повышенной твердостью и хрупкостью, таких как, например, сапфир, с допуском диаметра ±0,1 мм и менее.
Известен способ изготовления полупроводниковых пластин [1], по которому исходные монокристаллы шлифуют (калибруют) до точного диаметра, затем изготавливают основной базовый срез по всей длине монокристалла. При этом монокристаллы калибруют до заданного диаметра пластин. После указанной подготовки монокристалла проводят его резку на пластины, используя станки резки алмазными кругами с внутренней режущей кромкой и устройства вращения кристалла в процессе резки.
Данный технологический процесс распространен для многих полупроводниковых материалов и благоприятен при допуске диаметра пластин ±0,5 мм. Недостатком этого способа является то, что в случае резки монокристаллов сапфира, когда необходимо получить пластины с допуском диаметра ±0,1 мм и менее, на пластинах при входе алмазного круга в монокристалл образуются краевые микросколы глубиной ≤0,15 мм, уходящие вглубь пластины за пределы минимального допуска диаметра и приводящие к браку (царапины, риски) при последующей полировке пластин.
Известен также способ [2] изготовления полупроводниковых пластин, включающий калибрование монокристалла, изготовление основного и вспомогательных срезов, резку монокристалла на пластины, причем калибрование монокристалла ведут до диаметра, по крайней мере, на 2 мм более диаметра пластин, срезы изготавливают длиной L (определяющейся расчетным путем), а после резки монокристалла на пластины последние центрируют относительно основного среза и проводят их дополнительное калибрование до заданного диаметра пластин.
Основным недостатком данного способа обработки является то, что монокристалл вначале калибруют до заданного диаметра пластин с припуском ≥2 мм, базовый срез изготавливают размером более номинала с последующей подгонкой в размер диаметра и длины базового среза калибровкой каждой резаной пластины. Однако при этом способе остаются первичные микросколы и, кроме того, этот способ не позволяет устранить вторичные микросколы, которые образуются в процессе шлифовки пластин. Следует также отметить, что наличие большого припуска приводит к увеличению трудозатрат, связанных с его удалением и увеличенному износу инструмента. Проведенные эксперименты с монокристаллами и пластинами сапфира показали, что брак (царапины, риски) при изготовлении полированных пластин по данному способу меньше, чем в случае использования традиционного способа [1], но все еще довольно велик.
Задачей настоящего изобретения является создание способа изготовления пластин из полупроводниковых и оптических материалов, который обеспечивает повышение качества пластин и уменьшение брака.
Технический результат изобретения выражается в уменьшении трудозатрат на изготовление пластин, снижении затрат на инструмент благодаря уменьшению его износа, увеличению производительности.
Этот технический результат достигается тем, что в способе изготовления полупроводниковых пластин, содержащем операции калибрования монокристалла и резку монокристалла, калибрование монокристалла проводят до диаметра на 0,2÷0,3 мм более окончательного диаметра пластины, а затем шлифуют плоскость пластины и делают по копиру полукруглую фаску по торцу пластины, доводя диаметр пластины до заданного номинала с одновременным удалением торцевых микросколов.
Существенным признаком предлагаемого способа является то, что разрезаемый на пластины монокристалл имеет диаметр на 0,2÷0,3 мм больше номинального диаметра пластин. За счет этого возникшие при резке монокристалла и шлифовке резаных пластин сколы фактически располагаются за пределами рабочей области пластин. Путем выполнения на торце пластины полукруглой фаски по копиру диаметр шлифованной пластины доводится до заданного номинала с одновременным удалением микросколов, что позволяет увеличить выход годных полированных пластин.
Пример реализации способа.
Изготовление пластин сапфира ориентации (0001)±0,1 угл. град. диаметром 50,8±0,1 мм с базовым срезом ориентации (1120)±0,3 угл. град. длиной 15-17 мм, толщиной 430±25 мкм с односторонней полировкой.
Из монокристалла сапфира вырезается заготовка ориентации (0001) диаметром 53÷54 мм, на плоскошлифовальном станке алмазным кругом зернистости АС 80/63 проводится доводка ориентации ее торцов, на круглошлифовальном станке с помощью круга зернистостью АС 80/63 изготавливается цилиндр диаметром 51,1±0,1 мм, на плоскошлифовальном станке изготавливается базовый срез ориентации (1120) длиной 16±0,5 мм, на отрезном станке цилиндр режется на пластины толщиной 900±50 мкм алмазными кругами с внутренней режущей кромкой зернистостью АС 63/50, на резаных пластинах изготавливается технологическая фаска алмазным кругом зернистостью АС 40/28, проводится двухсторонняя шлифовка свободным абразивом зернистостью М 40/28 до толщины 480÷530 мкм, проводится изготовление полукруглой фаски по копиру алмазным профильным кругом зернистостью АС 40/28 с уменьшением диаметра до номинала 50,8±0,1 мм, отжиг и полировка пластин с доводкой до толщины 430±25 мкм.
Пластины, изготовленные в соответствии с изложенным примером, соответствуют требованиям SEMI и могут производиться массово, что подтверждает промышленную применимость способа.
Источники информации
1. Овчаров и др. Подготовка пластин большого диаметра, «Зарубежная электронная техника», М., ЦНИИ «Электроника», 1979 г., выпуск 23 (218), с.8-17.
2. Патент РФ №2105380, МПК H01L 21/302, опубл. 1988.02.20.
Claims (1)
- Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов, содержащий операции калибрования монокристалла, изготовления базового среза, резки монокристалла на пластины, шлифовки пластин, изготовления фаски по кромке пластины, отжига и полировки пластин, отличающийся тем, что калибрование монокристалла проводят до диаметра на 0,2÷0,3 мм более номинального диаметра пластин, а затем шлифуют пластины и делают по их кромке полукруглую фаску по копиру с доводкой диаметра пластин до заданного номинала с одновременным удалением краевых микросколов.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005139644/28A RU2337429C2 (ru) | 2005-12-20 | 2005-12-20 | Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005139644/28A RU2337429C2 (ru) | 2005-12-20 | 2005-12-20 | Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2005139644A RU2005139644A (ru) | 2007-06-27 |
RU2337429C2 true RU2337429C2 (ru) | 2008-10-27 |
Family
ID=38315074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2005139644/28A RU2337429C2 (ru) | 2005-12-20 | 2005-12-20 | Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2337429C2 (ru) |
-
2005
- 2005-12-20 RU RU2005139644/28A patent/RU2337429C2/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Нашельский А.Я. Технология специальных материалов электронной техники. 1993, с.241-242. Овчаров В.Ф. и др. Подготовка пластин большого диаметра. Зарубежная электронная техника. - М.: ЦНИИ Электроника, 1979, вып. 23 (218) с.8-17. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2005139644A (ru) | 2007-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102022732B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
CN100511597C (zh) | 具有成形边缘的半导体晶片的制造方法 | |
EP0774776A2 (en) | Process for recovering substrates | |
CN112513348B (zh) | SiC晶片和SiC晶片的制造方法 | |
TW201312644A (zh) | 硬脆性材料之研削、研磨加工系統及研削、研磨方法 | |
WO2012164757A1 (ja) | 柱状部材の加工装置 | |
US6284658B1 (en) | Manufacturing process for semiconductor wafer | |
JP2011003773A (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
CN110010458A (zh) | 控制半导体晶圆片表面形貌的方法和半导体晶片 | |
US20100006982A1 (en) | Method of producing semiconductor wafer | |
JP2017157796A (ja) | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | |
RU2337429C2 (ru) | Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов | |
KR20150073214A (ko) | 연마물의 제조 방법 | |
JP6471686B2 (ja) | シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | |
JP7300248B2 (ja) | SiCウェハ及びSiCウェハの製造方法 | |
CN106313346B (zh) | 刀轮及其制造方法 | |
CN111702565B (zh) | 一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法 | |
KR100933850B1 (ko) | 태양전지용 잉곳의 코너부 가공방법 및 장치와 그에 따라제조된 태양전지용 잉곳 및 웨이퍼 | |
TWI715591B (zh) | 刀輪及其製造方法 | |
JPH1131670A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
CN115579377A (zh) | 半导体衬底以及半导体装置的制造方法 | |
RU2103166C1 (ru) | Способ изготовления плитки | |
US20090311808A1 (en) | Method for producing semiconductor wafer | |
KR20070094407A (ko) | 웨이퍼의 제조방법 | |
JP2001035823A (ja) | 半導体ウェーハの製造法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20111221 |