JP2001035823A - 半導体ウェーハの製造法 - Google Patents
半導体ウェーハの製造法Info
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基礎材料として半導体素子に適した半導体ウ
ェーハの製造法。 【解決手段】 次の処理工程： ａ）単結晶から半導体ウェーハを切り出し、 ｂ）延性切削除去により半導体ウェーハ表面を加工し、 ｃ）ウェーハ表面を仕上研磨し、 ｄ）半導体ウェーハを洗浄する ことからなる。
ェーハの製造法。 【解決手段】 次の処理工程： ａ）単結晶から半導体ウェーハを切り出し、 ｂ）延性切削除去により半導体ウェーハ表面を加工し、 ｃ）ウェーハ表面を仕上研磨し、 ｄ）半導体ウェーハを洗浄する ことからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基礎材料として半
導体素子に適した半導体ウェーハの製造法に関する。
導体素子に適した半導体ウェーハの製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基礎材料として半導体素子に適した半導
体ウェーハの製造は、技術水準によれば、多数の製造工
程を含んでいる。まず最初に、典型的に０．１〜１ｍｍ
の厚さのウェーハは、たいてい、半導体材料の単結晶の
棒またはブロックから切り出される。一般に、半導体材
料は、元素半導体、例えばケイ素もしくはゲルマニウム
または化合物半導体、例えばヒ化ガリウムもしくはリン
化インジウムである。切断方式は、バッチ方式でワイヤ
ーソーまたはバンドソーを用いて、または枚葉切断方式
(Einzeltrenn-Verfahren)で、例えば内周刃ソーを用い
て行われる。場合により、引続き、殊に脆弱で硬い材料
が欠けるのを防止するために、ウェーハのエッジは、エ
ッジラウンディング装置を用いて丸み付けされる。
体ウェーハの製造は、技術水準によれば、多数の製造工
程を含んでいる。まず最初に、典型的に０．１〜１ｍｍ
の厚さのウェーハは、たいてい、半導体材料の単結晶の
棒またはブロックから切り出される。一般に、半導体材
料は、元素半導体、例えばケイ素もしくはゲルマニウム
または化合物半導体、例えばヒ化ガリウムもしくはリン
化インジウムである。切断方式は、バッチ方式でワイヤ
ーソーまたはバンドソーを用いて、または枚葉切断方式
(Einzeltrenn-Verfahren)で、例えば内周刃ソーを用い
て行われる。場合により、引続き、殊に脆弱で硬い材料
が欠けるのを防止するために、ウェーハのエッジは、エ
ッジラウンディング装置を用いて丸み付けされる。
【０００３】上記のソーを用いた切断方式により、グル
ーブ(Riefen)およびスクラッチを有する、ソーによる粗
い(saegerauh)ウェーハ表面が生じる。その上、ウェー
ハのかなり内部に達していく格子欠陥が引き起こされ
る。片面、両面または両面同時に実施される除去法(Abt
ragsverfahren)、例えばラップ仕上法および／または研
削法(Schleifverfahren)を用いて外層を除去することに
より、滑らかで結晶学的にほぼ欠陥のない表面が取得さ
れる。結晶平面のこの機械的な平坦化は、隣接した結晶
層中に痕跡を残す。残留する表面破壊は、引続き、化学
的方法で除去されるが、この方法はウェーハのジオメト
リーに不利な作用を及ぼす。半導体ウェーハの最終的な
ジオメトリーは、典型的には、３０μｍまでの材料除去
を有する除去研磨(Abtragspolitur)により製造される。
その際、たいてい、片面、両面または両面同時に実施さ
れる化学的機械研磨法(chemo-mechanische Polierverfa
hren)が使用される。
ーブ(Riefen)およびスクラッチを有する、ソーによる粗
い(saegerauh)ウェーハ表面が生じる。その上、ウェー
ハのかなり内部に達していく格子欠陥が引き起こされ
る。片面、両面または両面同時に実施される除去法(Abt
ragsverfahren)、例えばラップ仕上法および／または研
削法(Schleifverfahren)を用いて外層を除去することに
より、滑らかで結晶学的にほぼ欠陥のない表面が取得さ
れる。結晶平面のこの機械的な平坦化は、隣接した結晶
層中に痕跡を残す。残留する表面破壊は、引続き、化学
的方法で除去されるが、この方法はウェーハのジオメト
リーに不利な作用を及ぼす。半導体ウェーハの最終的な
ジオメトリーは、典型的には、３０μｍまでの材料除去
を有する除去研磨(Abtragspolitur)により製造される。
その際、たいてい、片面、両面または両面同時に実施さ
れる化学的機械研磨法(chemo-mechanische Polierverfa
hren)が使用される。
【０００４】半導体の表側の面に残留しているマイクロ
ラフネスは、最終的に、１μｍ未満の材料除去を伴う仕
上研磨により取り除かれる。その際、好ましくは、ウェ
ーハは、テンプレート中に、例えば真空を用いて保持さ
れ、その間に表側の面が研磨される。有利に、仕上研磨
は、明らかに軟質な研磨布および低下した研磨圧力によ
り、除去研磨とは異なる化学的機械研磨である。仕上研
磨は、枚葉ウェーハ方式ならびにバッチ方式で実施され
る。
ラフネスは、最終的に、１μｍ未満の材料除去を伴う仕
上研磨により取り除かれる。その際、好ましくは、ウェ
ーハは、テンプレート中に、例えば真空を用いて保持さ
れ、その間に表側の面が研磨される。有利に、仕上研磨
は、明らかに軟質な研磨布および低下した研磨圧力によ
り、除去研磨とは異なる化学的機械研磨である。仕上研
磨は、枚葉ウェーハ方式ならびにバッチ方式で実施され
る。
【０００５】引続き、研磨剤残留物の除去のための洗
浄、例えば湿式洗浄後に、基礎材料として半導体素子に
適した半導体ウェーハが得られる。
浄、例えば湿式洗浄後に、基礎材料として半導体素子に
適した半導体ウェーハが得られる。
【０００６】基礎材料として半導体素子に適した半導体
ウェーハのこの連続的製造法は、費用がかかり、かつ殊
に複数の処理工程により高い技術的費用および装置的費
用を必要とする。その上、各処理工程は、問題点および
欠点を含んでいる。上記の処理工程のそれぞれの欠点
は、例えば米国特許第５８２７７７９号明細書に開示さ
れている。
ウェーハのこの連続的製造法は、費用がかかり、かつ殊
に複数の処理工程により高い技術的費用および装置的費
用を必要とする。その上、各処理工程は、問題点および
欠点を含んでいる。上記の処理工程のそれぞれの欠点
は、例えば米国特許第５８２７７７９号明細書に開示さ
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、基礎
材料として半導体素子に適した半導体ウェーハの製造
を、殊に処理工程を減少させることにより簡素化する方
法を挙げることにある。
材料として半導体素子に適した半導体ウェーハの製造
を、殊に処理工程を減少させることにより簡素化する方
法を挙げることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題は、次の処理工
程： ａ）単結晶から半導体ウェーハを切り出し、 ｂ）延性切削除去(duktilen Spanabtrag)により半導体
ウェーハ表面を加工し、 ｃ）ウェーハ表面を仕上研磨し、 ｄ）半導体ウェーハを洗浄する ことを含む、基礎材料として半導体素子に適した半導体
ウェーハの製造法により解決される。
程： ａ）単結晶から半導体ウェーハを切り出し、 ｂ）延性切削除去(duktilen Spanabtrag)により半導体
ウェーハ表面を加工し、 ｃ）ウェーハ表面を仕上研磨し、 ｄ）半導体ウェーハを洗浄する ことを含む、基礎材料として半導体素子に適した半導体
ウェーハの製造法により解決される。
【０００９】１つの処理工程で達成される大部分の材料
除去が、半導体ウェーハ表面の延性切削(duktilen Zers
panung)に特に有利であることが判明している。意外な
ことに、本発明による方法を用いて、ソーによる粗い半
導体ウェーハから出発して、機械的平坦化工程、例えば
ラップ法および／または研削法ならびにエッチング工程
が省略されうるような高品質の表面が生じる。有利に、
延性切削除去による加工は、半導体ウェーハの表側の面
だけではなく、裏面でも実施される。好ましくは、素子
が配置される半導体ウェーハの表側の面のみを、仕上研
磨にかける。仕上研磨の後に、半導体ウェーハを、洗
浄、例えば湿式洗浄にかける。
除去が、半導体ウェーハ表面の延性切削(duktilen Zers
panung)に特に有利であることが判明している。意外な
ことに、本発明による方法を用いて、ソーによる粗い半
導体ウェーハから出発して、機械的平坦化工程、例えば
ラップ法および／または研削法ならびにエッチング工程
が省略されうるような高品質の表面が生じる。有利に、
延性切削除去による加工は、半導体ウェーハの表側の面
だけではなく、裏面でも実施される。好ましくは、素子
が配置される半導体ウェーハの表側の面のみを、仕上研
磨にかける。仕上研磨の後に、半導体ウェーハを、洗
浄、例えば湿式洗浄にかける。
【００１０】有利に、半導体ウェーハの中へフライス工
具が入り込む(Eindringen)のを軽減するために、延性切
削除去による半導体ウェーハ表面の加工前に、半導体ウ
ェーハのエッジは丸み付けされる。好ましくは、半導体
ウェーハのエッジは、延性切削除去後または丸み付け後
に、研磨される。
具が入り込む(Eindringen)のを軽減するために、延性切
削除去による半導体ウェーハ表面の加工前に、半導体ウ
ェーハのエッジは丸み付けされる。好ましくは、半導体
ウェーハのエッジは、延性切削除去後または丸み付け後
に、研磨される。
【００１１】場合により、延性切削除去による半導体ウ
ェーハ表面の加工後に、表面を除去研磨にかける。僅か
なアモルファス化深さ(Amorphisierungstiefe)を有する
殆ど破壊のない表面に基づいて、除去研磨の材料除去
は、好ましくは１０μｍ未満および特に好ましくは５μ
ｍ未満に低下する。有利に、除去研磨は、半導体ウェー
ハの表側の面ならびに裏面で実施される。
ェーハ表面の加工後に、表面を除去研磨にかける。僅か
なアモルファス化深さ(Amorphisierungstiefe)を有する
殆ど破壊のない表面に基づいて、除去研磨の材料除去
は、好ましくは１０μｍ未満および特に好ましくは５μ
ｍ未満に低下する。有利に、除去研磨は、半導体ウェー
ハの表側の面ならびに裏面で実施される。
【００１２】延性切削除去による半導体ウェーハ表面の
加工を含む本発明による方法は、また除去研磨を代替す
ることができるだけではなく、減少した材料除去により
除去研磨を簡素化することができる。連続的な平坦化工
程ならびにエッチング工程を維持する場合には、このこ
とは有利である。このような方法は、例えば技術水準に
よりラップ仕上されかつエッチングされたウェーハの裏
面が得られるよう努める場合、または研削−スライス研
削(Grind-Slice grind)（ドイツ連邦共和国特許第３７
３７５４０Ｃ１号明細書参照）に関して極めて低いワー
プ値(Warpwert)を達成すべき場合に、好ましい。
加工を含む本発明による方法は、また除去研磨を代替す
ることができるだけではなく、減少した材料除去により
除去研磨を簡素化することができる。連続的な平坦化工
程ならびにエッチング工程を維持する場合には、このこ
とは有利である。このような方法は、例えば技術水準に
よりラップ仕上されかつエッチングされたウェーハの裏
面が得られるよう努める場合、または研削−スライス研
削(Grind-Slice grind)（ドイツ連邦共和国特許第３７
３７５４０Ｃ１号明細書参照）に関して極めて低いワー
プ値(Warpwert)を達成すべき場合に、好ましい。
【００１３】更に、基礎材料として半導体素子に適した
半導体ウェーハの製造法は、単結晶から半導体ウェーハ
を切り出した後に、表側の面および裏面を、順次にかま
たは同時にラップ仕上および／または研削し、引続きエ
ッチング混合物中で半導体ウェーハをエッチングするこ
とを含む。エッチングした後に、半導体ウェーハの表側
の面の加工は、延性切削除去により行われる。引続き、
表側の面を、仕上研磨にかける。
半導体ウェーハの製造法は、単結晶から半導体ウェーハ
を切り出した後に、表側の面および裏面を、順次にかま
たは同時にラップ仕上および／または研削し、引続きエ
ッチング混合物中で半導体ウェーハをエッチングするこ
とを含む。エッチングした後に、半導体ウェーハの表側
の面の加工は、延性切削除去により行われる。引続き、
表側の面を、仕上研磨にかける。
【００１４】従って、本発明の課題は、また、次の処理
工程： ａ）単結晶から半導体ウェーハを切り出し、 ｃ）半導体ウェーハの表側の面および裏面の一方または
両方を順次にかまたは同時にラップ仕上するか、または
研削し、 ｄ）エッチング混合物中で半導体ウェーハをエッチング
し、 ｅ）延性切削除去により半導体ウェーハの表側の面を加
工し、 ｇ）半導体ウェーハの表側の面を仕上研磨し、 ｈ）半導体ウェーハを洗浄する ことを含む、基礎材料として半導体素子に適した半導体
ウェーハの製造法により解決される。
工程： ａ）単結晶から半導体ウェーハを切り出し、 ｃ）半導体ウェーハの表側の面および裏面の一方または
両方を順次にかまたは同時にラップ仕上するか、または
研削し、 ｄ）エッチング混合物中で半導体ウェーハをエッチング
し、 ｅ）延性切削除去により半導体ウェーハの表側の面を加
工し、 ｇ）半導体ウェーハの表側の面を仕上研磨し、 ｈ）半導体ウェーハを洗浄する ことを含む、基礎材料として半導体素子に適した半導体
ウェーハの製造法により解決される。
【００１５】有利に、延性切削除去による半導体ウェー
ハ表面の加工前に、半導体ウェーハのエッジは丸み付け
され、有利に延性切削除去後に研磨される。仕上研磨後
に、研磨剤残留物は、引続き洗浄、例えば湿式洗浄によ
り除去される。
ハ表面の加工前に、半導体ウェーハのエッジは丸み付け
され、有利に延性切削除去後に研磨される。仕上研磨後
に、研磨剤残留物は、引続き洗浄、例えば湿式洗浄によ
り除去される。
【００１６】半導体ウェーハ表面の延性フライス削り(d
uktilen Fraesen)は、好ましくは一粒(Einkorn)−ダイ
ヤモンドで実施される。この除去法は、刃、好ましくは
ダイアモンド刃下での局所的に極めて高い圧力の作用に
より、脆弱で硬い半導体材料を可塑化させるのに用いら
れ、かつこれにより延性切削を可能にする。加工される
表面は、ダイアモンドおよび金属不含の冷却剤および／
または潤滑剤とのみ接触されるので、汚染、殊に金属の
種類の汚染が観察されない。
uktilen Fraesen)は、好ましくは一粒(Einkorn)−ダイ
ヤモンドで実施される。この除去法は、刃、好ましくは
ダイアモンド刃下での局所的に極めて高い圧力の作用に
より、脆弱で硬い半導体材料を可塑化させるのに用いら
れ、かつこれにより延性切削を可能にする。加工される
表面は、ダイアモンドおよび金属不含の冷却剤および／
または潤滑剤とのみ接触されるので、汚染、殊に金属の
種類の汚染が観察されない。
【００１７】延性切削除去により脆弱で硬い原材料を加
工する場合に、刃、好ましくはダイヤモンド刃は、加工
すべき平面について負のすくい角で運動する。殊に半導
体ウェーハを加工する場合に、刃の下の切断帯域中で準
静的な圧力状態(Druckverhaeltnis)を支配していなけれ
ばならず、その結果、延性切削除去に必要な相転移が起
こりうることが見い出された。例えば、ダイヤモンド構
造を有するケイ素から、金属β−スズ構造への相転移
は、１０ＧＰａを上回る圧力で起こる。
工する場合に、刃、好ましくはダイヤモンド刃は、加工
すべき平面について負のすくい角で運動する。殊に半導
体ウェーハを加工する場合に、刃の下の切断帯域中で準
静的な圧力状態(Druckverhaeltnis)を支配していなけれ
ばならず、その結果、延性切削除去に必要な相転移が起
こりうることが見い出された。例えば、ダイヤモンド構
造を有するケイ素から、金属β−スズ構造への相転移
は、１０ＧＰａを上回る圧力で起こる。
【００１８】均質な延性切削除去を達成するためには、
刃のエネルギーは、半導体ウェーハが局所的に変形する
ことなく、ウェーハ表面に導入されなければならない。
このためには、有利に、半導体ウェーハは、適したキャ
リヤに取り付けられる。取り付けの際に、半導体ウェー
ハの一方の面とキャリヤとの間の形状接続および伝力接
続的な(form- und kraftschluessig)結合は、例えば付
着、粘着、接合または真空の使用により生じる。半導体
ウェーハの表側の面をフライス削りする際に、キャリヤ
は、好ましくは、例えば軟質の受け台(Auflage)によ
り、うねりを減少させる作用(wellenreduzierende Wirk
ung)を有する。また、場合により、半導体ウェーハの裏
面がフライス削りされている場合には、キャリヤは好ま
しくは硬質の受け台を有する。キャリヤに取り付けられ
た半導体ウェーハは、フライス削りの間に、送り運動(V
orschubbewegung)またはインフィード運動(Zustellbewe
gung)が行われ；刃は回転する。送り値またはインフィ
ード値は、好ましくは５０〜３００ｍｍ／分にあり；フ
ライス主軸の回転数は、好ましくは１５００〜１０００
０ １／分にある。刃のジオメトリー（すくい角）は、
好ましくは−６０゜と０゜との間にある。切込み深さ(S
chneidtiefe)は、好ましくは１．５〜１５０μｍ、特に
好ましくは５０〜１００μｍ、殊に２０〜４０μｍにあ
る。切込み深さは、好ましくは、先行する処理工程によ
り破壊される結晶範囲が完全に除去されるように選択さ
れる。
刃のエネルギーは、半導体ウェーハが局所的に変形する
ことなく、ウェーハ表面に導入されなければならない。
このためには、有利に、半導体ウェーハは、適したキャ
リヤに取り付けられる。取り付けの際に、半導体ウェー
ハの一方の面とキャリヤとの間の形状接続および伝力接
続的な(form- und kraftschluessig)結合は、例えば付
着、粘着、接合または真空の使用により生じる。半導体
ウェーハの表側の面をフライス削りする際に、キャリヤ
は、好ましくは、例えば軟質の受け台(Auflage)によ
り、うねりを減少させる作用(wellenreduzierende Wirk
ung)を有する。また、場合により、半導体ウェーハの裏
面がフライス削りされている場合には、キャリヤは好ま
しくは硬質の受け台を有する。キャリヤに取り付けられ
た半導体ウェーハは、フライス削りの間に、送り運動(V
orschubbewegung)またはインフィード運動(Zustellbewe
gung)が行われ；刃は回転する。送り値またはインフィ
ード値は、好ましくは５０〜３００ｍｍ／分にあり；フ
ライス主軸の回転数は、好ましくは１５００〜１０００
０ １／分にある。刃のジオメトリー（すくい角）は、
好ましくは−６０゜と０゜との間にある。切込み深さ(S
chneidtiefe)は、好ましくは１．５〜１５０μｍ、特に
好ましくは５０〜１００μｍ、殊に２０〜４０μｍにあ
る。切込み深さは、好ましくは、先行する処理工程によ
り破壊される結晶範囲が完全に除去されるように選択さ
れる。
【００１９】延性加工の間に、刃の範囲内の処理帯域に
は、十分な量の冷却剤および潤滑剤が供給されなければ
ならない。冷却剤および潤滑剤は、好ましくは、水、水
性および非水性の油、ゲル、脂肪およびワックスならび
にこの冷却剤および潤滑剤の任意の混合物を含む冷却剤
および潤滑剤の群から選択される。
は、十分な量の冷却剤および潤滑剤が供給されなければ
ならない。冷却剤および潤滑剤は、好ましくは、水、水
性および非水性の油、ゲル、脂肪およびワックスならび
にこの冷却剤および潤滑剤の任意の混合物を含む冷却剤
および潤滑剤の群から選択される。
【００２０】基礎材料として半導体素子に適した半導体
ウェーハを製造する本発明による方法は、以下に、実験
の記載に基づき説明されている。
ウェーハを製造する本発明による方法は、以下に、実験
の記載に基づき説明されている。
【００２１】
【実施例】ソーによる粗い半導体ウェーハは、まず最初
に、その裏面を適したキャリヤ上に取り付けた。引続
き、キャリヤを、ダブルカロッテンスピンドル(Doppelk
alottenspindel)を有する生産フライス盤(Planfraese)
の、空気で支持した工作物支持台(Werkstueckschlitte
n)の中で使用した。ついで半導体ウェーハの表側の面の
延性加工を行った。引続き、半導体ウェーハの裏面の延
性加工を繰り返した。
に、その裏面を適したキャリヤ上に取り付けた。引続
き、キャリヤを、ダブルカロッテンスピンドル(Doppelk
alottenspindel)を有する生産フライス盤(Planfraese)
の、空気で支持した工作物支持台(Werkstueckschlitte
n)の中で使用した。ついで半導体ウェーハの表側の面の
延性加工を行った。引続き、半導体ウェーハの裏面の延
性加工を繰り返した。
【００２２】延性切削除去により加工した半導体ウェー
ハ表面を試験した。意外なことに、約５０ｎｍの深さを
有するフライス削り構造(Fraesstruktur)の外側に、検
出可能な結晶破壊が存在しないことが見い出された。こ
うして製造した半導体ウェーハを、引続きエッジに沿っ
て研磨した。
ハ表面を試験した。意外なことに、約５０ｎｍの深さを
有するフライス削り構造(Fraesstruktur)の外側に、検
出可能な結晶破壊が存在しないことが見い出された。こ
うして製造した半導体ウェーハを、引続きエッジに沿っ
て研磨した。
【００２３】引続き、表面の仕上研磨を、技術水準によ
る研磨機で実施し、その際、まず最初に裏面、ついで表
側の面を加工した。この際、表面の研磨段階における除
去は、それぞれ約１μｍであった。一連の製造を、湿式
洗浄で終了した。
る研磨機で実施し、その際、まず最初に裏面、ついで表
側の面を加工した。この際、表面の研磨段階における除
去は、それぞれ約１μｍであった。一連の製造を、湿式
洗浄で終了した。
【００２４】本発明による方法で、基礎材料として半導
体素子に適した半導体ウェーハを製造することに成功し
ている。
体素子に適した半導体ウェーハを製造することに成功し
ている。
Claims (5)
- 【請求項１】 基礎材料として半導体素子に適した半導
体ウェーハを製造する方法において、次の処理工程： ａ）単結晶から半導体ウェーハを切り出し、 ｂ）延性切削除去により半導体ウェーハ表面を加工し、 ｃ）ウェーハ表面を仕上研磨し、 ｄ）半導体ウェーハを洗浄する ことを特徴とする、基礎材料として半導体素子に適した
半導体ウェーハの製造法。 - 【請求項２】 延性切削除去による半導体ウェーハの加
工を、表側の面ならびに裏面に行う、請求項１記載の方
法。 - 【請求項３】 延性切削除去による半導体ウェーハ表面
の加工後に、表面を除去研磨にかける、請求項１または
２記載の方法。 - 【請求項４】 基礎材料として半導体素子に適した半導
体ウェーハを製造する方法において、次の処理工程： ａ）単結晶から半導体ウェーハを切り出し、 ｃ）半導体ウェーハの表側の面および裏面の両方を、順
次にかまたは同時にラップ仕上するかまたは研削し、 ｄ）半導体ウェーハをエッチング混合物中でエッチング
し、 ｅ）半導体ウェーハの表側の面を延性切削除去により加
工し、 ｇ）半導体ウェーハの表側の面を仕上研磨し、 ｈ）半導体ウェーハを洗浄する ことを特徴とする、基礎材料として半導体素子に適した
半導体ウェーハの製造法。 - 【請求項５】 半導体ウェーハのエッジを、延性切削除
去による半導体ウェーハ表面の加工前に丸み付けし、延
性切削除去の後に研磨する、請求項４記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19928949.2 | 1999-06-24 | ||
| DE1999128949 DE19928949A1 (de) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001035823A true JP2001035823A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=7912382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000188224A Pending JP2001035823A (ja) | 1999-06-24 | 2000-06-22 | 半導体ウェーハの製造法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001035823A (ja) |
| DE (1) | DE19928949A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140104396A (ko) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 장치들의 경질 및 취성 부품들에 대한 연성 모드 머시닝 방법들 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004031966A1 (de) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3169120B2 (ja) * | 1995-07-21 | 2001-05-21 | 信越半導体株式会社 | 半導体鏡面ウェーハの製造方法 |
| DE19636055A1 (de) * | 1996-09-05 | 1998-03-12 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur materialabtragenden Bearbeitung der Kante einer Halbleiterscheibe |
-
1999
- 1999-06-24 DE DE1999128949 patent/DE19928949A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-06-22 JP JP2000188224A patent/JP2001035823A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140104396A (ko) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 장치들의 경질 및 취성 부품들에 대한 연성 모드 머시닝 방법들 |
| JP2014160817A (ja) * | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Lam Research Corporation | プラズマ処理装置の硬質脆性構成要素のための延性モード機械加工方法 |
| KR102212055B1 (ko) | 2013-02-20 | 2021-02-04 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 장치들의 경질 및 취성 부품들에 대한 연성 모드 머시닝 방법들 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19928949A1 (de) | 2001-01-04 |
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