JPH07100737A - 半導体ウエーハの研磨方法 - Google Patents
半導体ウエーハの研磨方法Info
- Publication number
- JPH07100737A JPH07100737A JP24410893A JP24410893A JPH07100737A JP H07100737 A JPH07100737 A JP H07100737A JP 24410893 A JP24410893 A JP 24410893A JP 24410893 A JP24410893 A JP 24410893A JP H07100737 A JPH07100737 A JP H07100737A
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- Japan
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- polishing
- semiconductor wafer
- float
- diamond
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フロートポリッシングに要する時間を短縮す
ることによって、フロートポリッシング法の半導体製造
分野での実用化を可能ならしめる半導体ウエーハの研磨
方法を提供すること。 【構成】 半導体ウエーハＷの表面をフロートポリッシ
ング法によって非接触研磨する前工程として、ダイヤモ
ンド単粒によるフライカット法によって半導体ウエーハ
Ｗの表面を研削処理する。本発明によれば、半導体ウエ
ーハＷをフロートポリッシング法によって研磨する以前
に、ダイヤモンド単粒によるフライカット法によって半
導体ウエーハＷの表面が研削処理されてフラットに整え
られるため、フロートポリッシング法における半導体ウ
エーハＷの研磨時間が大幅に短縮され、これによってフ
ロートポリッシング法の半導体製造分野での実用化が可
能となる。尚、前記研削処理の後にエッチング処理を行
なえば、研削処理によって半導体ウエーハＷに生じた加
工歪をより完全に除去することができる。
ることによって、フロートポリッシング法の半導体製造
分野での実用化を可能ならしめる半導体ウエーハの研磨
方法を提供すること。 【構成】 半導体ウエーハＷの表面をフロートポリッシ
ング法によって非接触研磨する前工程として、ダイヤモ
ンド単粒によるフライカット法によって半導体ウエーハ
Ｗの表面を研削処理する。本発明によれば、半導体ウエ
ーハＷをフロートポリッシング法によって研磨する以前
に、ダイヤモンド単粒によるフライカット法によって半
導体ウエーハＷの表面が研削処理されてフラットに整え
られるため、フロートポリッシング法における半導体ウ
エーハＷの研磨時間が大幅に短縮され、これによってフ
ロートポリッシング法の半導体製造分野での実用化が可
能となる。尚、前記研削処理の後にエッチング処理を行
なえば、研削処理によって半導体ウエーハＷに生じた加
工歪をより完全に除去することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエーハの表面
を無歪鏡面に研磨するための研磨方法に関する。
を無歪鏡面に研磨するための研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体ウエーハ表面の結晶欠陥
は素子の歩留りに大きな影響を及ぼすため、半導体ウエ
ーハ表面を無歪鏡面に研磨する要求が高まっている。
は素子の歩留りに大きな影響を及ぼすため、半導体ウエ
ーハ表面を無歪鏡面に研磨する要求が高まっている。
【０００３】ところで、一般に、半導体ウエーハの製造
方法には、単結晶引上装置によって引き上げられた半導
体単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハ
を得るスライス工程と、該スライス工程によって得られ
たウエーハの割れや欠けを防ぐためにその外周エッジ部
を面取りする面取り工程と、面取りされたウエーハをラ
ッピングしてこれを平面化するラッピング工程と、面取
り及びラッピングされたウエーハに残留する加工歪を除
去するエッチング工程と、エッチングされたウエーハの
片面を研磨する研磨工程と、研磨されたウエーハを洗浄
してこれに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程が
含まれる。
方法には、単結晶引上装置によって引き上げられた半導
体単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハ
を得るスライス工程と、該スライス工程によって得られ
たウエーハの割れや欠けを防ぐためにその外周エッジ部
を面取りする面取り工程と、面取りされたウエーハをラ
ッピングしてこれを平面化するラッピング工程と、面取
り及びラッピングされたウエーハに残留する加工歪を除
去するエッチング工程と、エッチングされたウエーハの
片面を研磨する研磨工程と、研磨されたウエーハを洗浄
してこれに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程が
含まれる。
【０００４】而して、上記製造方法によれば、半導体ウ
エーハを製造するための加工工程に長時間を要し、最終
仕上げのための鏡面研磨工程においては、研磨砥粒を併
用しながら、ウエーハと研磨布を付した平板状のポリッ
シングプレートとを圧接させてウエーハの研磨を行なう
所謂接触研磨方式を採用するため、仕上げられたウエー
ハ鏡面に微細な加工歪が残るという問題があった。
エーハを製造するための加工工程に長時間を要し、最終
仕上げのための鏡面研磨工程においては、研磨砥粒を併
用しながら、ウエーハと研磨布を付した平板状のポリッ
シングプレートとを圧接させてウエーハの研磨を行なう
所謂接触研磨方式を採用するため、仕上げられたウエー
ハ鏡面に微細な加工歪が残るという問題があった。
【０００５】上記従来の接触研磨方式に対する非接触の
研磨方式として、フロートポリッシング法が知られてい
る。このフロートポリッシング法は、上面に螺旋状の凹
凸を形成して成るポリッシングプレート面上にワークを
載置し、ワークとポリッシングプレートを回転させなが
ら、これらの上に研磨液を供給し、ワークを研磨液の流
体圧（動圧）によってフローティングさせるとともに、
回転又は回転とともに水平方向に揺動させて該ワークの
表面を非接触状態で研磨する方法である。
研磨方式として、フロートポリッシング法が知られてい
る。このフロートポリッシング法は、上面に螺旋状の凹
凸を形成して成るポリッシングプレート面上にワークを
載置し、ワークとポリッシングプレートを回転させなが
ら、これらの上に研磨液を供給し、ワークを研磨液の流
体圧（動圧）によってフローティングさせるとともに、
回転又は回転とともに水平方向に揺動させて該ワークの
表面を非接触状態で研磨する方法である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記フ
ロートポリッシング法は、非接触研磨方式であるが故に
半導体ウエーハ表面を無歪鏡面に研磨することができる
方式として注目されているものの、研磨速度が非常に遅
いため、生産性が低く、例えば半導体の製造分野におい
て該フロートポリッシング法を実用化することは困難で
あった。
ロートポリッシング法は、非接触研磨方式であるが故に
半導体ウエーハ表面を無歪鏡面に研磨することができる
方式として注目されているものの、研磨速度が非常に遅
いため、生産性が低く、例えば半導体の製造分野におい
て該フロートポリッシング法を実用化することは困難で
あった。
【０００７】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、フロートポリッシングに要す
る時間を短縮することによって、フロートポリッシング
法の半導体の製造分野での実用化を可能ならしめる半導
体ウエーハの研磨方法を提供することにある。
で、その目的とする処は、フロートポリッシングに要す
る時間を短縮することによって、フロートポリッシング
法の半導体の製造分野での実用化を可能ならしめる半導
体ウエーハの研磨方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明方法は、単結晶シリコンウエーハの表面をフロート
ポリッシング法によって非接触研磨する前工程として、
ダイヤモンド単粒によるフライカット法によって単結晶
シリコンウエーハの表面を研削処理することを特徴とす
る。
発明方法は、単結晶シリコンウエーハの表面をフロート
ポリッシング法によって非接触研磨する前工程として、
ダイヤモンド単粒によるフライカット法によって単結晶
シリコンウエーハの表面を研削処理することを特徴とす
る。
【０００９】又、本発明は、前記研削処理の後にエッチ
ング処理を行ない、その後、前記非接触研磨を行なうこ
とを特徴とする。
ング処理を行ない、その後、前記非接触研磨を行なうこ
とを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明によれば、半導体ウエーハをフロートポ
リッシング法によって研磨する以前に、ダイヤモンド単
粒によるフライカット法によって半導体ウエーハの表面
が研削処理されてフラットに整えられているため、フロ
ートポリッシング法における半導体ウエーハの研磨時間
が大幅に短縮され、これによってフロートポリッシング
法の半導体の製造分野での実用化が可能となる。
リッシング法によって研磨する以前に、ダイヤモンド単
粒によるフライカット法によって半導体ウエーハの表面
が研削処理されてフラットに整えられているため、フロ
ートポリッシング法における半導体ウエーハの研磨時間
が大幅に短縮され、これによってフロートポリッシング
法の半導体の製造分野での実用化が可能となる。
【００１１】又、前記研削処理の後にエッチング処理を
行なえば、研削処理によって半導体ウエーハ表面に生じ
た加工歪をより完全に除去することができる。
行なえば、研削処理によって半導体ウエーハ表面に生じ
た加工歪をより完全に除去することができる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１３】本発明方法は、前記半導体ウエーハの製造
方法における前記研磨工程に係り、基本的に前記フロー
トポリッシング法を用いてウエーハの表面を無歪鏡面に
研磨するが、その前工程として、ダイヤモンド単粒によ
るフライカット法によって半導体ウエーハの表面を研削
処理することを特徴とする。又、本発明は、前記研削処
理によって半導体ウエーハ表面に生じた加工歪をより完
全に除去するために、研削処理後にエッチング処理を行
なうことを特徴とする。
方法における前記研磨工程に係り、基本的に前記フロー
トポリッシング法を用いてウエーハの表面を無歪鏡面に
研磨するが、その前工程として、ダイヤモンド単粒によ
るフライカット法によって半導体ウエーハの表面を研削
処理することを特徴とする。又、本発明は、前記研削処
理によって半導体ウエーハ表面に生じた加工歪をより完
全に除去するために、研削処理後にエッチング処理を行
なうことを特徴とする。
【００１４】ここで、ダイヤモンド単粒によるフライカ
ット法の基本原理を図１及び図２に基づいて説明する。
尚、図１はフライカット法を実施するための装置の部分
側面図、図２（ａ），（ｂ）はダイヤモンドバイト先部
の側面図、平面図である。
ット法の基本原理を図１及び図２に基づいて説明する。
尚、図１はフライカット法を実施するための装置の部分
側面図、図２（ａ），（ｂ）はダイヤモンドバイト先部
の側面図、平面図である。
【００１５】図１において、１はその上面に被加工物で
ある半導体ウエーハＷを保持するワークホルダーであっ
て、該ワークホルダー１は不図示の送り機構によって図
示矢印ａ方向（水平方向）に所定速度で送られる。
ある半導体ウエーハＷを保持するワークホルダーであっ
て、該ワークホルダー１は不図示の送り機構によって図
示矢印ａ方向（水平方向）に所定速度で送られる。
【００１６】又、図１において、２は前記ワークホルダ
ー１の上方に設置されたバイトホルダーであって、該バ
イトホルダー２の下部にはダイヤモンドバイト３が着脱
可能に取り付けられている。尚、バイトホルダー２は、
不図示の回転機構によってその中心軸回りに図示矢印ｂ
方向に高速回転されるとともに、不図示の送り機構によ
って図示矢印ｃ方向（切り込み方向）に送られる。
ー１の上方に設置されたバイトホルダーであって、該バ
イトホルダー２の下部にはダイヤモンドバイト３が着脱
可能に取り付けられている。尚、バイトホルダー２は、
不図示の回転機構によってその中心軸回りに図示矢印ｂ
方向に高速回転されるとともに、不図示の送り機構によ
って図示矢印ｃ方向（切り込み方向）に送られる。
【００１７】ところで、前記ダイヤモンドバイト３は、
図２（ａ），（ｂ）に詳細に示すように、シャンク部３
ａの先部にダイヤモンド単粒３ｂを保持して構成されて
いる。
図２（ａ），（ｂ）に詳細に示すように、シャンク部３
ａの先部にダイヤモンド単粒３ｂを保持して構成されて
いる。
【００１８】而して、図１に示すように半導体ウエーハ
Ｗをワークホルダー１の上面に固定するとともに、ダイ
ヤモンドバイト３をバイトホルダー２の下部に取り付
け、バイトホルダー２を矢印ｃ方向（切り込み方向）に
所定の切り込み量だけ移動させた後、これを高速回転さ
せると同時に、ワークホルダー１を矢印ａ方向に所定の
速度で移動させれば、半導体ウエーハＷは、高速回転す
るダイヤモンドバイト３のダイヤモンド単粒３ｂによっ
て研削されてその表面が鏡面加工面とされる。
Ｗをワークホルダー１の上面に固定するとともに、ダイ
ヤモンドバイト３をバイトホルダー２の下部に取り付
け、バイトホルダー２を矢印ｃ方向（切り込み方向）に
所定の切り込み量だけ移動させた後、これを高速回転さ
せると同時に、ワークホルダー１を矢印ａ方向に所定の
速度で移動させれば、半導体ウエーハＷは、高速回転す
るダイヤモンドバイト３のダイヤモンド単粒３ｂによっ
て研削されてその表面が鏡面加工面とされる。
【００１９】而して、このフライカット法は、超硬材料
としてのダイヤモンドをバイトとし、極めて精緻に管理
された切削圧を与えることによって従来のラッピング工
程とエッチング工程を省略し、直接的に加工歪の少ない
鏡面仕上げを可能とする方式である。尚、このフライカ
ット法による研削処理の後に実施されるエッチング処理
は、加工歪を完全に除去するための補助的手段である。
としてのダイヤモンドをバイトとし、極めて精緻に管理
された切削圧を与えることによって従来のラッピング工
程とエッチング工程を省略し、直接的に加工歪の少ない
鏡面仕上げを可能とする方式である。尚、このフライカ
ット法による研削処理の後に実施されるエッチング処理
は、加工歪を完全に除去するための補助的手段である。
【００２０】次に、フロートポリッシング装置の基本構
成を図３及び図４に基づいて説明する。尚、図３はフロ
ートポリッシング装置要部の断面図、図４はポリッシン
グプレート表面の拡大断面図である。
成を図３及び図４に基づいて説明する。尚、図３はフロ
ートポリッシング装置要部の断面図、図４はポリッシン
グプレート表面の拡大断面図である。
【００２１】図３に示すフロートポリッシング装置にお
いて、１１は不図示の駆動手段によって図示矢印方向に
所定の速度で回転駆動される主軸であり、該主軸１１の
上面には液槽１２が固設されている。そして、主軸１１
の上面であって、且つ、前記液槽１２の内部にはリング
状のポリッシングプレート１３が固設されている。
いて、１１は不図示の駆動手段によって図示矢印方向に
所定の速度で回転駆動される主軸であり、該主軸１１の
上面には液槽１２が固設されている。そして、主軸１１
の上面であって、且つ、前記液槽１２の内部にはリング
状のポリッシングプレート１３が固設されている。
【００２２】又、上記ポリッシングプレート１３の上方
には、不図示の駆動手段によって図示矢印方向に所定の
速度で回転駆動されるワーク軸１４が垂設されており、
該ワーク軸１４の前記液槽１２内に臨む下端部には、円
板状のワークホルダー１５が上下動及び回転可能に設け
られている。つまり、ワークホルダー１５はワーク軸１
４と一体に回転すると同時に、ワーク軸１４に沿って上
下動自在に構成されている。
には、不図示の駆動手段によって図示矢印方向に所定の
速度で回転駆動されるワーク軸１４が垂設されており、
該ワーク軸１４の前記液槽１２内に臨む下端部には、円
板状のワークホルダー１５が上下動及び回転可能に設け
られている。つまり、ワークホルダー１５はワーク軸１
４と一体に回転すると同時に、ワーク軸１４に沿って上
下動自在に構成されている。
【００２３】尚、上記ワーク軸１４及びワークホルダー
１５は、不図示の揺動機構によって水平方向に所定の範
囲内で揺動せしめられ得る。
１５は、不図示の揺動機構によって水平方向に所定の範
囲内で揺動せしめられ得る。
【００２４】更に、前記液槽１２内には、微細な遊離砥
粒１６ａを含んだ研磨液１６が収容されており、前記ポ
リッシングプレート１３は図示のように研磨液１６中に
浸漬されている。
粒１６ａを含んだ研磨液１６が収容されており、前記ポ
リッシングプレート１３は図示のように研磨液１６中に
浸漬されている。
【００２５】ところで、前記ポリッシングプレート１３
の上面には、螺旋状の凹凸１７，１８が形成されてお
り、図４に詳細に示すように、凸部１８の上面には溝１
８ａがダイヤモンド切削によって螺旋状に形成されてい
る。
の上面には、螺旋状の凹凸１７，１８が形成されてお
り、図４に詳細に示すように、凸部１８の上面には溝１
８ａがダイヤモンド切削によって螺旋状に形成されてい
る。
【００２６】而して、本発明方法においては、前述のよ
うにフロートポリッシング法による研磨の前工程とし
て、ダイヤモンド単粒によるフライカット法によって半
導体ウエーハＷの表面が研削処理され、該半導体ウエー
ハＷの表面がフラットに整えられる。そして、このよう
に表面が研削処理されてフラットに整えられた半導体ウ
エーハＷに対してフロートポリッシングが以下のように
施される。
うにフロートポリッシング法による研磨の前工程とし
て、ダイヤモンド単粒によるフライカット法によって半
導体ウエーハＷの表面が研削処理され、該半導体ウエー
ハＷの表面がフラットに整えられる。そして、このよう
に表面が研削処理されてフラットに整えられた半導体ウ
エーハＷに対してフロートポリッシングが以下のように
施される。
【００２７】即ち、ワークである半導体ウエーハＷを図
３に示すように前記ワークホルダー１５の下面にワック
ス等を用いて接着した後、ワーク軸１４及びワークホル
ダー１５を下げて半導体ウエーハＷを図示のように研磨
液１６中に浸漬せしめる。
３に示すように前記ワークホルダー１５の下面にワック
ス等を用いて接着した後、ワーク軸１４及びワークホル
ダー１５を下げて半導体ウエーハＷを図示のように研磨
液１６中に浸漬せしめる。
【００２８】次に、主軸１１とワーク軸１４をそれぞれ
図示矢印方向に回転駆動する。或いは、主軸１１とワー
ク軸１４を回転駆動するとともに、ワーク軸１４とワー
クホルダー１５を所定の範囲内で水平方向に揺動せしめ
る。
図示矢印方向に回転駆動する。或いは、主軸１１とワー
ク軸１４を回転駆動するとともに、ワーク軸１４とワー
クホルダー１５を所定の範囲内で水平方向に揺動せしめ
る。
【００２９】すると、主軸１１に固設されたポリッシン
グプレート１３は研磨液１６中を主軸１１と共に一体に
回転する。又、ワークホルダー１５の下面に接着された
半導体ウエーハＷも研磨液１６中をワーク軸１４及びワ
ークホルダー１５と共に一体に回転する。或いは、半導
体ウエーハＷは研磨液１６中をワーク軸１４及びワーク
ホルダー１５と共に一体に回転するとともに、所定の範
囲内を水平方向に揺動する。
グプレート１３は研磨液１６中を主軸１１と共に一体に
回転する。又、ワークホルダー１５の下面に接着された
半導体ウエーハＷも研磨液１６中をワーク軸１４及びワ
ークホルダー１５と共に一体に回転する。或いは、半導
体ウエーハＷは研磨液１６中をワーク軸１４及びワーク
ホルダー１５と共に一体に回転するとともに、所定の範
囲内を水平方向に揺動する。
【００３０】このとき、ポリッシングプレート１３の表
面に形成された凹部１７と凸部１８に形成された溝１８
ａに保持される研磨液１６が高速流を形成するため、該
研磨液１６の流れによって流体圧（動圧）が発生し、こ
の流体圧によってワークホルダー１５と半導体ウエーハ
Ｗが図３に示すようにΔＨだけ浮き上がり、半導体ウエ
ーハＷは、フローティング状態を保って回転及び揺動し
ながら、これとポリッシングプレート１３の間を流れる
研磨液１６に含まれる遊離砥粒１６ａによってその表面
（非接着面）が無歪鏡面に研磨される。
面に形成された凹部１７と凸部１８に形成された溝１８
ａに保持される研磨液１６が高速流を形成するため、該
研磨液１６の流れによって流体圧（動圧）が発生し、こ
の流体圧によってワークホルダー１５と半導体ウエーハ
Ｗが図３に示すようにΔＨだけ浮き上がり、半導体ウエ
ーハＷは、フローティング状態を保って回転及び揺動し
ながら、これとポリッシングプレート１３の間を流れる
研磨液１６に含まれる遊離砥粒１６ａによってその表面
（非接着面）が無歪鏡面に研磨される。
【００３１】以上において、本実施例では、半導体ウエ
ーハＷをフロートポリッシング法によって研磨する以前
に、ダイヤモンド単粒によるフライカット法によって半
導体ウエーハＷの表面が研削処理されてフラットに整え
られているため、フロートポリッシング法における半導
体ウエーハＷの研磨時間が大幅に短縮され、この結果、
フロートポリッシング法の半導体の製造分野での実用化
が可能となる。
ーハＷをフロートポリッシング法によって研磨する以前
に、ダイヤモンド単粒によるフライカット法によって半
導体ウエーハＷの表面が研削処理されてフラットに整え
られているため、フロートポリッシング法における半導
体ウエーハＷの研磨時間が大幅に短縮され、この結果、
フロートポリッシング法の半導体の製造分野での実用化
が可能となる。
【００３２】又、フライカット法による研削処理の後に
エッチング処理を行なえば、研削処理によって半導体ウ
エーハ表面に生じた加工歪をより完全に除去することが
できる。
エッチング処理を行なえば、研削処理によって半導体ウ
エーハ表面に生じた加工歪をより完全に除去することが
できる。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、半導体ウエーハの表面をフロートポリッシング法
によって非接触研磨する前工程として、ダイヤモンド単
粒によるフライカット法によって半導体ウエーハの表面
を研削処理するようにしたため、フロートポリッシング
に要する時間を短縮することができ、フロートポリッシ
ング法の半導体の製造分野での実用化が可能になるとい
う効果が得られる。
れば、半導体ウエーハの表面をフロートポリッシング法
によって非接触研磨する前工程として、ダイヤモンド単
粒によるフライカット法によって半導体ウエーハの表面
を研削処理するようにしたため、フロートポリッシング
に要する時間を短縮することができ、フロートポリッシ
ング法の半導体の製造分野での実用化が可能になるとい
う効果が得られる。
【００３４】又、本発明によれば、一般的に採用されて
いる半導体ウエーハの製造工程に含まれるラッピング工
程が不要となり、その他の工程で要する労力も軽減され
るという効果も得られる。
いる半導体ウエーハの製造工程に含まれるラッピング工
程が不要となり、その他の工程で要する労力も軽減され
るという効果も得られる。
【図１】フライカット法を実施するための装置の部分側
面図である。
面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）はダイヤモンドバイト先部の側
面図、平面図である。
面図、平面図である。
【図３】フロートポリッシング装置要部の断面図であ
る。
る。
【図４】フロートポリッシング装置のポリッシングプレ
ート表面の拡大断面図である。
ート表面の拡大断面図である。
１ ワークホルダー ２ バイトホルダー ３ ダイヤモンドバイト １１ 主軸 １３ ポリッシングプレート １４ ワーク軸 １５ ワークホルダー １６ 研磨液 １７ 凹部 １８ 凸部 Ｗ 半導体ウエーハ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエーハの表面をフロートポリッ
シング法によって非接触研磨する前工程として、ダイヤ
モンド単粒によるフライカット法によって半導体ウエー
ハの表面を研削処理することを特徴とする半導体ウエー
ハの研磨方法。 - 【請求項２】 前記研削処理の後にエッチング処理を行
ない、その後、前記非接触研磨を行なうことを特徴とす
る請求項１記載の半導体ウエーハの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24410893A JPH07100737A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体ウエーハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24410893A JPH07100737A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体ウエーハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07100737A true JPH07100737A (ja) | 1995-04-18 |
Family
ID=17113880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24410893A Pending JPH07100737A (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体ウエーハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07100737A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054471A1 (fr) * | 2000-12-27 | 2002-07-11 | Kabushiki Kaisha Ishiihyoki | Procede et dispositif pour abraser des tranches de semi-conducteurs |
| WO2002067307A1 (fr) * | 2001-02-20 | 2002-08-29 | Kabushiki Kaisha Ishiihyoki | Appareil et procede de polissage de surface |
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