JP7072180B1 - 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記半導体結晶インゴットを複数のワイヤーによりスライス状に切断して半導体結晶ウェハを得る切断工程と、
前記切断工程によりスライス状に切断した半導体ウェハに対して、その一面のうねりを除去するうねり除去工程と
を備え、
前記うねり除去工程は、前記切断工程により切断された複数の半導体結晶ウェハの2枚を一対として、両面が研削面の平板砥石を両側から挟み込んだ状態で、該一対の半導体結晶ウェハと該平板砥石とのいずれか一方または両方を摺動させることにより該一対の半導体ウェハの各一面のうねりを除去することを特徴とする。
前記半導体結晶インゴットに対して、複数のワイヤーを周回させながら前進させて切断するワイヤーソー部と、
前記ワイヤーソー部によりスライス状に切断された半導体ウェハに対して、その一面のうねりを除去するうねり除去部と
を備え、
前記うねり除去部は、
両面が研削面の平板砥石と、
前記ワイヤーソー部により切断された複数の半導体結晶ウェハの2枚を一対として、前記平板砥石を両側から挟み込んだ状態で支持するウェハ支持部と
前記平板砥石と前記一対の半導体結晶ウェハとのいずれか一方または両方を、板面方向において摺動させる摺動機構と、
を有し、前記ウェハ支持部により一対の半導体ウェハが前記平板砥石を両側から挟み込んだ状態で、前記摺動機構により該一対の半導体結晶ウェハと該平板砥石とのいずれか一方または両方を摺動させることで該一対の半導体ウェハの各一面のうねりを除去することを特徴とする。
Claims (2)
- 円筒形状に研削加工された半導体結晶インゴットからスライス状にウェハを切り出す半導体結晶ウェハの製造方法であって、
前記半導体結晶インゴットを複数のワイヤーによりスライス状に切断して半導体結晶ウェハを得る切断工程と、
前記切断工程によりスライス状に切断した半導体ウェハに対して、その一面のうねりを除去するうねり除去工程と
を備え、
前記うねり除去工程は、前記切断工程により切断された複数の半導体結晶ウェハの2枚を一対として、両面が研削面の平板砥石を両側から挟み込んだ状態で、該一対の半導体結晶ウェハと該平板砥石とのいずれか一方または両方を摺動させることにより該一対の半導体ウェハの各一面のうねりを除去することを特徴とする半導体結晶ウェハの製造方法。 - 円筒形状に研削加工された半導体結晶インゴットからスライス状にウェハを切り出す半導体結晶ウェハの製造装置であって、
前記半導体結晶インゴットに対して、複数のワイヤーを周回させながら前進させて切断するワイヤーソー部と、
前記ワイヤーソー部によりスライス状に切断された半導体ウェハに対して、その一面のうねりを除去するうねり除去部と
を備え、
前記うねり除去部は、
両面が研削面の平板砥石と、
前記ワイヤーソー部により切断された複数の半導体結晶ウェハの2枚を一対として、前記平板砥石を両側から挟み込んだ状態で支持するウェハ支持部と
前記平板砥石と前記一対の半導体結晶ウェハとのいずれか一方または両方を、板面方向において摺動させる摺動機構と、
を有し、前記ウェハ支持部により一対の半導体ウェハが前記平板砥石を両側から挟み込んだ状態で、前記摺動機構により該一対の半導体結晶ウェハと該平板砥石とのいずれか一方または両方を摺動させることで該一対の半導体ウェハの各一面のうねりを除去することを特徴とする半導体結晶ウェハの製造装置。
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