TWI806616B - 半導體結晶晶圓之製造方法及製造裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供能夠簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓的半導體結晶晶圓之製造方法及製造裝置。
本發明的半導體結晶晶圓即SiC晶圓之製造方法乃係獲得SiC晶圓之方法，該SiC晶圓係對從研削加工成圓柱形狀的SiC晶錠以切片狀切取出的晶圓的表面施行高精度研削加工者，該方法係含有下述步驟：溝加工步驟(步驟100/圖1)、切斷步驟(步驟110/圖1)、起伏去除步驟(步驟120/圖1)、第1面加工步驟(步驟130/圖1)、及第2面加工步驟(步驟140/圖1)。

Description

半導體結晶晶圓之製造方法及製造裝置
本發明係有關對從研削加工成圓柱形狀的半導體結晶晶錠(ingot)以切片(slice)狀切取出的晶圓(wafer)的表面施行高精度研削加工的半導體結晶晶圓之製造方法。
習知技術中，就此種半導體結晶晶圓即SiC(碳化矽)晶圓之製造方法而言，已知有如下述之專利文獻1所示的SiC晶圓之製造方法，在該製造方法中，就晶圓形狀形成步驟而言係含有下述步驟：晶錠成形步驟，係將結晶成長而成的單晶SiC的塊加工成圓柱狀的晶錠；結晶方位成形步驟，係以成為表示晶錠的結晶方位的記號之方式在外周的一部分形成切口；切片步驟，係對單晶SiC的晶錠進行切片而加工成薄圓板狀的SiC晶圓；平坦化步驟，係使用未達修正莫氏硬度(Moh's hardness)的砥粒對SiC晶圓進行平坦化；刻印形成步驟，係形成刻印；及倒角步驟，係將外周部取倒角；接著，就加工變質層去除步驟而言係含有：將在先前的步驟中導入到SiC晶圓的加工變質層去除之加工變質層去除步驟；最後，就鏡面研磨步 驟而言係含有：併用研磨墊(pad)的機械性作用與研磨液(slurry)的化學性作用進行研磨的化學機械研磨(CMP)步驟。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：日本國特開2020-15646號公報
然而，上述的習知技術的SiC晶圓之製造方法係有製造步驟多而複雜，裝置構成變得複雜，製造成本(cost)高騰的問題。
另一方面，當將製造步驟加以簡化時，變成難以穩定獲得SiC晶圓要求的品質。
有鑒於此，本發明的目的在於提供能夠簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓的半導體結晶晶圓之製造方法及製造裝置。
第1發明的半導體結晶晶圓之製造方法乃係從研削加工成圓柱形狀的半導體結晶晶錠以切片狀切取出晶圓者，前述半導體結晶晶圓之製造方法係含有下述步驟：切斷步驟，係藉由複數條線(wire)將前述半導體結晶晶錠切斷成切片狀而獲得半導體結晶晶圓；及起伏去除步驟，係對藉由前述切斷步驟切斷成切片狀的半導體結晶晶圓，將其一面的起伏去除； 前述起伏去除步驟係：在將藉由前述切斷步驟切斷而得的複數片半導體結晶晶圓的2片作為一對而從兩側包夾兩面為研削面的平板磨石的狀態下，令該一對半導體結晶晶圓與該平板磨石中的任一者或兩者進行滑動，藉此，將該一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
依據第1發明的半導體結晶晶圓之製造方法，首先，藉由線將半導體結晶晶錠精度佳地切斷成切片狀。
接著，在將切斷成切片狀的複數片半導體結晶晶圓的2片作為1組而從兩側包夾兩面為研削面的平板磨石的狀態下，令一對半導體結晶晶圓與平板磨石中的任一者或兩者進行滑動(例如，搖動與旋轉其中的任一者或兩者)，藉此，能夠將一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
藉此，能夠將切斷面的起伏和條紋徹底研磨而去除而作為基準面，能夠將在平坦化步驟中一般進行的游離磨粒加工、亦即1次至4次的複數次精磨等複雜的製造步驟大幅簡化。
如上述，依據第1發明的半導體結晶晶圓之製造方法，能夠簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓。
第2發明的半導體結晶晶圓之製造方法乃係從研削加工成圓柱形狀的半導體結晶晶錠以切片狀切取出晶圓者，前述半導體結晶晶圓之製造方法係含有下述步驟：溝加工步驟，係形成環繞前述半導體結晶晶錠的側面全體的複數個凹溝；切斷步驟，係藉由配置在前述溝加工步驟中所形成的複數個凹溝的複數條線將前述半導體結晶晶錠切斷成切片狀而獲得半導體結晶晶圓；及 起伏去除步驟，係對藉由前述切斷步驟切斷成切片狀的半導體結晶晶圓，將其一面的起伏去除；前述起伏去除步驟係：在將藉由前述切斷步驟切斷而得的複數片半導體結晶晶圓的2片作為一對而從兩側包夾兩面為研削面的平板磨石的狀態下，令該平板磨石進行搖動，藉此，將該一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
依據第2發明的半導體結晶晶圓之製造方法，預先在溝加工步驟形成環繞半導體結晶晶錠的側面全體的凹溝，藉此，能夠以凹溝為導引(guide)而藉由線將半導體結晶晶錠精度佳地切斷成切片狀。
接著，在將切斷成切片狀的複數片半導體結晶晶圓的2片作為1組而從兩側包夾兩面為研削面的平板磨石的狀態下，令該平板磨石進行搖動，藉此，能夠將該一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
藉此，能夠將切斷面的起伏和條紋徹底研磨而去除而作為基準面，能夠將在平坦化步驟中一般進行的游離磨粒加工、亦即1次至4次的複數次精磨等複雜的製造步驟大幅簡化。
如上述，依據第2發明的半導體結晶晶圓之製造方法，能夠簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓。
第3發明的半導體結晶晶圓之製造裝置乃係從研削加工成圓柱形狀的半導體結晶晶錠以切片狀切取出晶圓者，前述半導體結晶晶圓之製造裝置係具備：線鋸(wire saw)部，係對前述半導體結晶晶錠，令複數條線一邊繞轉一邊前進而進行切斷；及 起伏去除部，係對藉由前述線鋸部切斷成切片狀的半導體結晶晶圓，將其一面的起伏去除；前述起伏去除部係具有：兩面為研削面的平板磨石；晶圓支持部，係在將藉由前述線鋸部切斷的複數片半導體結晶晶圓的2片作為一對從兩側包夾前述平板磨石的狀態下進行支持；及滑動機構，係令前述平板磨石與前述一對半導體結晶晶圓中的任一者或兩者在板面方向進行滑動；前述起伏去除部係：在藉由前述晶圓支持部使一對半導體結晶晶圓從兩側包夾前述平板磨石的狀態下，藉由前述滑動機構令該一對半導體結晶晶圓與該平板磨石中的任一者或兩者進行滑動，藉此，將該一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
依據第3發明的半導體結晶晶圓之製造裝置，乃係實現第1發明的半導體結晶晶圓之製造方法的裝置。
首先，藉由線鋸部，將半導體結晶晶錠以線精度佳地切斷成切片狀。
接著，藉由起伏去除部的晶圓支持部，能夠形成將切斷的複數片半導體結晶晶圓的2片作為1組而從兩側包夾兩面為研削面的平板磨石的狀態，在此狀態下，藉由滑動機構令一對半導體結晶晶圓與平板磨石中的任一者或兩者進行滑動(例如，搖動與旋轉其中的任一者或兩者)，藉此，能夠將一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
藉此，能夠將切斷面的起伏和條紋徹底研磨而去除而作為基 準面，能夠將在平坦化步驟中一般進行的游離磨粒加工、亦即1次至4次的複數次精磨等複雜的製造步驟大幅簡化。
如上述，依據第3發明的半導體結晶晶圓之製造裝置，能夠實際地簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓。
第4發明的半導體結晶晶圓之製造裝置乃係從研削加工成圓柱形狀的半導體結晶晶錠以切片狀切取出晶圓者，前述半導體結晶晶圓之製造裝置係具備：溝加工鼓形(drum)磨石，係用以形成環繞前述半導體結晶晶錠的側面全體的複數個凹溝的鼓形磨石，且在側面形成有與該複數個凹溝對應的複數個凸部；線鋸部，係對藉由前述鼓形磨石而形成有環繞側面全體的複數個凹溝的前述半導體結晶晶錠，令配置在複數個凹溝的複數條線一邊繞轉一邊前進而進行切斷；及起伏去除部，係對藉由前述線鋸部切斷成切片狀的半導體結晶晶圓，將其一面的起伏去除；前述起伏去除部係具有：兩面為研削面的平板磨石；搖動機構，係令前述平板磨石沿板面方向搖動；及晶圓支持部，係在將藉由前述線鋸部切斷的複數片半導體結晶晶圓的2片作為一對從兩側包夾前述平板磨石的狀態下進行支持；前述起伏去除部係：在藉由前述晶圓支持部使一對半導體結晶晶圓從兩側包夾前述平板磨石的狀態下，藉由前述搖動機構令該平板磨石進行搖 動，藉此，將該一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
依據第4發明的半導體結晶晶圓之製造裝置，乃係實現第2發明的半導體結晶晶圓之製造方法的裝置，具體而言，藉由在側面形成有複數個凸部的溝加工鼓形磨石，形成環繞半導體結晶晶錠的側面全體的複數個凹溝。
接著，藉由線鋸部，令配置在複數個凹溝的複數條線一邊繞轉一邊前進，藉此，能夠以凹溝為導引而藉由線將半導體結晶晶錠精度佳地切斷成切片狀。
接著，藉由起伏去除部的晶圓支持部，能夠形成將切斷的複數片半導體結晶晶圓的2片作為1組而從兩側包夾兩面為研削面的平板磨石的狀態，在此狀態下，藉由搖動機構令平板磨石進行搖動，藉此，能夠將該一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
藉此，能夠將切斷面的起伏和條紋徹底研磨而去除而作為基準面，能夠將在平坦化步驟中一般進行的游離磨粒加工、亦即1次至4次的複數次精磨等複雜的製造步驟大幅簡化。
如上述，依據第4發明的半導體結晶晶圓之製造裝置，能夠實際地簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓。
10:SiC晶錠(半導體結晶晶錠)
11:凹溝
20:溝加工鼓形磨石
21:凸部
3:線鋸裝置(線鋸部)
31:線鋸繞線軸
32:線
40:起伏去除裝置(起伏去除部)
41:平板磨石
42:搖動機構(滑動機構)
42’:連桿機構(滑動機構)
43:晶圓支持部
44:萬向接頭(滑動機構)
50:機械拋光裝置(超高合成高精度研削加工裝置)
51:主軸
52:平台
53:鑽石磨石
54:真空多孔吸盤(吸附板)
100:SiC晶圓(半導體結晶晶圓)
110:研磨面(基準面、一面)
120:另一面
步驟100:溝加工步驟
步驟110:切斷步驟
步驟120:起伏去除步驟
步驟130:第1面加工步驟
步驟140:第2面加工步驟
圖1係顯示本實施型態的SiC晶圓(半導體結晶晶圓)之製造方法的全體步驟之流程圖(flowchart)。
圖2係顯示圖1的SiC晶圓之製造方法中的溝加工步驟及切斷步驟的內容之說明圖。
圖3係顯示圖1的SiC晶圓之製造方法中的起伏去除步驟的內容之說明圖。
圖4係顯示圖1的SiC晶圓之製造方法中的第1面加工步驟及第2面加工步驟的內容之說明圖。
圖5係顯示圖1的SiC晶圓之製造方法中的起伏去除步驟的變更例之說明圖。
如圖1所示，在本實施型態中，半導體結晶晶圓即SiC晶圓之製造方法乃係獲得SiC晶圓之方法，該SiC晶圓係對從研削加工成圓柱形狀的SiC晶錠以切片狀切取出的晶圓的一面施行起伏去除者，該方法係含有溝加工步驟(步驟100/圖1)、切斷步驟(步驟110/圖1)、起伏去除步驟(步驟120/圖1)、第1面加工步驟(步驟130/圖1)、及第2面加工步驟(步驟140/圖1)。
參照圖2至圖5，針對各步驟的詳情及各步驟所使用的裝置進行說明。
首先，在圖2所示的步驟100的溝加工步驟中，係準備圓柱形狀的SiC晶錠10，該SiC晶錠10係對預先結晶而成的SiC結晶在晶錠加工步驟中決定結晶方位、施行圓柱研削加工而得。
接著，在步驟100的溝加工步驟中，係對上述的SiC晶錠10 形成環繞側面全體的複數個凹溝11。
具體而言，在步驟100的溝加工步驟中，係令在側面形成有與凹溝11對應的凸部21之溝加工鼓形磨石20在彼此平行的旋轉軸上一邊分別旋轉一邊壓接至SiC晶錠10，藉此而形成凹溝11。
另外，較佳為，對藉由溝加工步驟而得的SiC晶錠10(具體而言為凹溝11)藉由化學處理的手法施行無損傷(non-damage)的鏡面加工。
接著，在步驟110的切斷步驟中，係藉由配置在溝加工步驟中所形成的複數個凹溝11的複數條線32將SiC晶錠10切斷成切片狀，而獲得SiC晶圓100。
具體而言，在切斷步驟中，係將屬於切斷加工裝置的線鋸裝置3(相當於本發明的線鋸部)的複數條線32分別對準在溝加工步驟形成的複數個凹溝11，令線一邊繞轉一邊前進，藉此而將SiC晶錠10切斷成切片狀。
此時，較佳為，預先在線鋸裝置3的讓複數條線32繞轉的線鋸繞線軸(bobbin)31的側面全體形成有與複數個凸部21對應的複數個繞線軸溝。
藉此，線32係經由形成有與複數個凹溝11為相同形狀的繞線軸溝之線繞線軸31進行繞轉，藉此，能夠以正確地配置在複數個凹溝11的複數條線32精度佳地將SiC晶錠10一次就精度佳地切斷成切片狀。
如上述，預先在溝加工步驟形成有環繞SiC晶錠的側面全體的凹溝11，以凹溝11為導引而能夠藉由線32將SiC晶錠10精度佳地切斷成切片狀，無需再進行倒角步驟。
接著，如圖3所示，在步驟120的起伏去除步驟中，係對藉由切斷步驟而得的SiC晶圓100，去除其一面的起伏。
具體而言，在起伏去除步驟中係使用起伏去除裝置40(相當於本發明的起伏去除部)。
起伏去除裝置40係具備：兩面為研削面的平板磨石41(例如鑽石平板磨石)；令平板磨石41沿板面方向搖動的搖動機構42(亦相當於本發明的滑動機構，例如為致動器(actuator)裝置等)；及晶圓支持部43，係在將2片SiC晶圓100作為一對從兩側包夾平板磨石41的狀態下，以推壓至平板磨石41的方式進行支持。
此處，SiC晶圓100係：使研磨面相對向於平板磨石41，在收容在晶圓支持部43的模板(template)內(供SiC晶圓100嵌入的樹脂製的模板)的狀態下被推壓至平板磨石41。
此時，在晶圓支持部43的模板內係例如裝備有含水分的海綿(sponge)狀的背墊(back pad)，沿圖中的箭頭所示方向，以適度的力將SiC晶圓100推壓至平板磨石41。
此外，此時，如圖中的箭頭所示，平板磨石41係藉由搖動機構42而沿板面方向搖動，藉此，一對SiC晶圓100各者的研磨面110同時被研磨。
藉此，研磨面110係切斷時的起伏和條紋被徹底研磨而去除，能夠作為後述的面加工步驟的基準面。
另外，在本實施型態中係圖示搖動機構42沿橫方向設置2處，但亦可一者採用致動器等搖動裝置並且另一者採用由彈簧等賦能手段 構成的搖動輔助手段。此外，搖動機構42係亦可為從沿橫方向設置改為沿縱方向設置或除了沿橫方向設置之外還沿縱方向設置(亦一併設置搖動輔助手段)。
接著，如圖4所示，在步驟130的第1面加工步驟中，以SiC晶圓100的研磨面110為支持面，對剩下的另一面120施行機械拋光(mechanical polish)(高精度研削加工)。此處，藉由步驟120的起伏去除步驟而經研磨的SiC晶圓100係因其研磨面110具高平滑性而能夠作為支持面(基準面)。
具體而言，在第1面加工步驟中係藉由施行機械拋光的機械拋光裝置50(超高合成高精度研削加工裝置)而進行研削加工。
機械拋光裝置50係具備主軸(spindle)51、及屬於定盤之平台(platen)52上的鑽石(diamond)磨石53。
首先，此處，以研磨面110為上表面，令屬於主軸51的吸附板(plate)之真空多孔吸盤(porous chuck)54進行吸附而進行支持，以另一面120為下表面，藉由鑽石磨石53對另一面120進行研削加工。
此時，主軸51及鑽石磨石53係藉由未圖示的驅動裝置而被旋轉驅動，並且藉由未圖示的空氣壓縮機(compressor)等將主軸51推壓至鑽石磨石53，藉此，對剩下的另一面120施行研削加工。
另外，在研削加工後係亦可藉由修整器(dresser)等而施行對鑽石磨石53的修整(dressing)。
此外，機械拋光裝置50係亦可具有機能水供給配管，以視需要而以能夠在加工時使用複數種機能水。
接著，在步驟140的第2面加工步驟中，以藉由第1面加工步驟施行過高精度研削加工的另一面120為上表面，對一面110(研磨面)施行與第1面加工步驟相同的高精度研削加工。
亦即，以另一面120為上表面，令屬於主軸51的吸附板之真空多孔吸盤54進行吸附，並以一面110為下表面，藉由鑽石磨石53對一面110進行研削加工。
此時，同樣地，亦可視需要而藉由將修整器等推壓至鑽石磨石53而施行修整。
依據上述的步驟130的第1面加工步驟及步驟140的第2面加工步驟的機械拋光(高精度研削加工)處理，係以藉由起伏去除步驟而得的具高平坦性的研磨面110作為支持面(吸附面)，對剩下的面依序施行機械拋光(高精度研削加工)，藉此，防止所謂的轉印而能夠獲得高品質的SiC晶圓，並且，能夠將習知技術的游離磨粒加工、亦即1次至4次的複數次精磨(lap)等複雜的製造步驟大幅簡化。
更具體言之，無需更換磨石進行粗研削和複數次精研削，例如，能夠藉由#30000以上的磨石直接藉由1次的研削加工而進行到完工，故不只簡易，還有能夠從SiC晶圓100大幅保留能夠利用的本質半導體層的優勢。
另外，在步驟130的第1面加工步驟及步驟140的第2面加工步驟的高精度研削加工處理中，關於SiC晶圓100的尺寸(size)，現在到8吋(inch)，各個口徑的晶圓係相應於頭(head)的面積而設置(set)，進行(能夠到12吋)高精度研削加工處理。
以上為本實施型態的SiC晶圓之製造方法的詳情。如以上的詳細說明所述，依據上述的本實施型態的SiC晶圓之製造方法，能夠簡易且確實地製造高品質的SiC晶圓。
另外，在本實施型態的SiC晶圓之製造方法中，在上述的一連串的處理後，亦可視需要而進行化學機械研磨(CMP)步驟和晶圓清洗步驟。
此外，本實施型態係就半導體結晶晶圓之製造方法而言針對從SiC晶錠製造SiC晶圓的情形進行了說明，但半導體結晶並不限定於SiC，亦可為砷化錄(GaAs)、磷化銦(InP)、矽(silicon)、其他化合物半導體。
另外，在本實施型態的SiC晶圓之製造方法中，起伏去除步驟中使用的起伏去除裝置40係亦可變更為圖5所示。另外，在圖5中，針對相同的構成係給予相同的元件符號並省略其說明。
在圖5中，平板磨石41係亦可構成為連結至連桿(link)機構42’(相當於本發明的滑動機構)的一端，且藉由未圖示的另一端側的旋轉驅動部而能夠沿板面方向搖動或搖動旋轉。
另外，亦可從連桿機構42’改為採用曲柄(crank)機構，令平板磨石41在板面方向進行往返運動，亦可構成為從連桿機構42’改為經由齒輪(gear)機構令平板磨石41僅是進行旋轉。
此外，在圖5中，藉由晶圓支持部43在將2片SiC晶圓100作為一對從兩側包夾平板磨石41的狀態下推壓至平板磨石41時，亦可構成為經由萬向接頭(universal joint)44(相當於本發明的滑動機構)連結至藉由未圖示的馬達等旋轉驅動手段的旋轉軸而進行推壓，藉此而令一對SiC 晶圓100搖動旋轉。
另外，亦可省略萬向接頭44而令晶圓支持部43僅是進行旋轉，亦可構成為從萬向接頭44及旋轉驅動手段改為將(同搖動機構42一樣地)令晶圓支持部43沿板面方向進行搖動的致動器等搖動裝置設在晶圓支持部43的端部而僅是進行搖動。
如上述，在起伏去除步驟中係可構成為藉由各種滑動機構令一對SiC晶圓100與平板磨石41中的任一者或兩者進行滑動(例如，搖動與旋轉其中的任一者或兩者)，藉此而將起伏去除。
此外，在本實施型態中係針對在溝加工步驟後進行切斷步驟的情形進行了說明，但並不限定於此，亦可構成為將溝加工步驟予以省略、或將溝加工步驟改為執行其他的切斷前處理步驟。
步驟100:溝加工步驟
步驟110:切斷步驟
步驟120:起伏去除步驟
步驟130:第1面加工步驟
步驟140:第2面加工步驟

Claims (4)

  1. 一種半導體結晶晶圓之製造方法，係從研削加工成圓柱形狀的半導體結晶晶錠以切片狀切取出晶圓者，前述半導體結晶晶圓之製造方法係含有下述步驟：切斷步驟，係藉由複數條線將前述半導體結晶晶錠切斷成切片狀而獲得半導體結晶晶圓；及起伏去除步驟，係對藉由前述切斷步驟切斷成切片狀的半導體結晶晶圓，將其一面的起伏去除；前述起伏去除步驟係：在將藉由前述切斷步驟切斷而得的複數片半導體結晶晶圓的2片作為一對半導體結晶晶圓而從兩側包夾兩面為研削面的平板磨石的狀態下，令該一對半導體結晶晶圓與該平板磨石中的任一者或兩者進行滑動，藉此，將該一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
  2. 一種半導體結晶晶圓之製造方法，係從研削加工成圓柱形狀的半導體結晶晶錠以切片狀切取出晶圓者，前述半導體結晶晶圓之製造方法係含有下述步驟：溝加工步驟，係形成環繞前述半導體結晶晶錠的側面全體的複數個凹溝；切斷步驟，係藉由配置在前述溝加工步驟中所形成的複數個凹溝的複數條線將前述半導體結晶晶錠切斷成切片狀而獲得半導體結晶晶圓；及起伏去除步驟，係對藉由前述切斷步驟切斷成切片狀的半導體結晶晶圓，將其一面的起伏去除；前述起伏去除步驟係：在將藉由前述切斷步驟切斷而得的複數片半導 體結晶晶圓的2片作為一對半導體結晶晶圓而從兩側包夾兩面為研削面的平板磨石的狀態下，令該平板磨石進行搖動，藉此，將該一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
  3. 一種半導體結晶晶圓之製造裝置，係從研削加工成圓柱形狀的半導體結晶晶錠以切片狀切取出晶圓者，前述半導體結晶晶圓之製造裝置係具備：線鋸部，係對前述半導體結晶晶錠，令複數條線一邊繞轉一邊前進而進行切斷；及起伏去除部，係對藉由前述線鋸部切斷成切片狀的半導體結晶晶圓，將其一面的起伏去除；前述起伏去除部係具有：兩面為研削面的平板磨石；晶圓支持部，係在將藉由前述線鋸部切斷的複數片半導體結晶晶圓的2片作為一對半導體結晶晶圓從兩側包夾前述平板磨石的狀態下進行支持；及滑動機構，係令前述平板磨石與前述一對半導體結晶晶圓中的任一者或兩者在板面方向進行滑動；前述起伏去除部係：在藉由前述晶圓支持部使該一對半導體結晶晶圓從兩側包夾前述平板磨石的狀態下，藉由前述滑動機構令該一對半導體結晶晶圓與該平板磨石中的任一者或兩者進行滑動，藉此，將該一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
  4. 一種半導體結晶晶圓之製造裝置，係從研削加工成圓柱形 狀的半導體結晶晶錠以切片狀切取出晶圓者，前述半導體結晶晶圓之製造裝置係具備：溝加工鼓形磨石，係用以形成環繞前述半導體結晶晶錠的側面全體的複數個凹溝的鼓形磨石，且在側面形成有與該複數個凹溝對應的複數個凸部；線鋸部，係對藉由前述鼓形磨石而形成有環繞側面全體的複數個凹溝的前述半導體結晶晶錠，令配置在複數個凹溝的複數條線一邊繞轉一邊前進而進行切斷；及起伏去除部，係對藉由前述線鋸部切斷成切片狀的半導體結晶晶圓，將其一面的起伏去除；前述起伏去除部係具有：兩面為研削面的平板磨石；搖動機構，係令前述平板磨石沿板面方向搖動；及晶圓支持部，係在將藉由前述線鋸部切斷的複數片半導體結晶晶圓的2片作為一對半導體結晶晶圓從兩側包夾前述平板磨石的狀態下進行支持；前述起伏去除部係：在藉由前述晶圓支持部使該一對半導體結晶晶圓從兩側包夾前述平板磨石的狀態下，藉由前述搖動機構令該平板磨石進行搖動，藉此，將該一對半導體結晶晶圓的各一面的起伏去除。
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