JP7260889B1 - 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 83
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 31
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B19/02—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group for grinding grooves, e.g. on shafts, in casings, in tubes, homokinetic joint elements
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/06—Grinders for cutting-off
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D5/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting only by their periphery; Bushings or mountings therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
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- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/02—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by sawing
- B28D1/10—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by sawing with provision for measuring
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D7/00—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups
- B28D7/04—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups for supporting or holding work or conveying or discharging work
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
Description
前記半導体結晶インゴットの側面全体に周回する複数の凹溝を形成するためのドラム砥石であって、該複数の凹溝に対応した複数の凸部が側面に形成された溝加工ドラム砥石と、
前記複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを周回させながら前進させることにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断するワイヤーソー装置と、
前記ワイヤーソー装置において、前記半導体結晶インゴットを支持するインゴット支持手段と前記複数のワイヤーを介して対向する位置で、前記複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを撮像する撮像手段と、
前記撮像手段が先端側に設けられ、該撮像手段を撮像を行う前記位置に進行させるスライダーと、
前記スライダーを前記ワイヤーソー装置に着脱自在に取り付け可能な着脱手段と
を備え、
前記撮像手段による撮像画像から前記複数の凹溝に対する前記複数のワイヤーのずれ角が検出されることを特徴とする。
前記スライダーが前記位置で前記撮像手段をスライドさせ、前記複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを該撮像手段が連続撮影することを特徴とする。
前記インゴット支持手段は、前記撮像手段による撮像画像により検出されたずれ角を0とするように回転して前記半導体結晶インゴットを固定するずれ角調整手段を有することを特徴とする。
前記半導体結晶インゴットの側面全体に周回する複数の凹溝を形成する溝加工工程と、
前記溝加工工程において形成された複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを周回させながら前進させることにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断するワイヤーソー装置による切断工程とを備え、
前記溝加工工程では、前記複数の凹溝に対応した複数の凸部が側面に形成された溝加工ドラム砥石を互いに平行な回転軸上でそれぞれ回転させながら前記半導体結晶インゴットに圧接することにより該凹溝を形成し、
前記切断工程では、前記複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを周回させながら前進させることにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断する前に、撮像手段が先端側に設けられたスライダーを進行させて、前記半導体結晶インゴットを支持するインゴット支持手段と該複数のワイヤーを介して対向する位置で該複数の凹溝に配置された該複数のワイヤーを該撮像手段により撮像させ、撮像画像から、該複数の凹溝に対する該複数のワイヤーのずれ角を検出し、該ずれ角が0となるように調整され、ずれ角の調整後に該スライダーが取り外されることを特徴とする。
前記切断工程では、切断に先立って、前記インゴット支持手段において、前記撮像手段による撮像画像により検出されたずれ角を0とするように回転して前記半導体結晶インゴットを固定するずれ角調整工程が実行されることを特徴とする。
Claims (5)
- 円筒形状に研削加工された半導体結晶インゴットからスライス状にウェハを切り出す半導体結晶ウェハの製造装置であって、
前記半導体結晶インゴットの側面全体に周回する複数の凹溝を形成するためのドラム砥石であって、該複数の凹溝に対応した複数の凸部が側面に形成された溝加工ドラム砥石と、
前記複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを周回させながら前進させることにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断するワイヤーソー装置と、
前記ワイヤーソー装置において、前記半導体結晶インゴットを支持するインゴット支持手段と前記複数のワイヤーを介して対向する位置で、前記複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを撮像する撮像手段と、
前記撮像手段が先端側に設けられ、該撮像手段を撮像を行う前記位置に進行させるスライダーと、
前記スライダーを前記ワイヤーソー装置に着脱自在に取り付け可能な着脱手段と
を備え、
前記撮像手段による撮像画像から前記複数の凹溝に対する前記複数のワイヤーのずれ角が検出されることを特徴とする半導体結晶ウェハの製造装置。 - 請求項1記載の半導体結晶ウェハの製造装置において、
前記スライダーが前記位置で前記撮像手段をスライドさせ、前記複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを該撮像手段が連続撮影することを特徴とする半導体結晶ウェハの製造装置。 - 請求項1記載の半導体結晶ウェハの製造装置において、
前記インゴット支持手段は、前記撮像手段による撮像画像により検出されたずれ角を0とするように回転して前記半導体結晶インゴットを固定するずれ角調整手段を有することを特徴とする半導体結晶ウェハの製造装置。 - 円筒形状に研削加工された半導体結晶インゴットからスライス状にウェハを切り出す半導体結晶ウェハの製造方法であって、
前記半導体結晶インゴットの側面全体に周回する複数の凹溝を形成する溝加工工程と、
前記溝加工工程において形成された複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを周回させながら前進させることにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断するワイヤーソー装置による切断工程とを備え、
前記溝加工工程では、前記複数の凹溝に対応した複数の凸部が側面に形成された溝加工ドラム砥石を互いに平行な回転軸上でそれぞれ回転させながら前記半導体結晶インゴットに圧接することにより該凹溝を形成し、
前記切断工程では、前記複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを周回させながら前進させることにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断する前に、撮像手段が先端側に設けられたスライダーを進行させて、前記半導体結晶インゴットを支持するインゴット支持手段と該複数のワイヤーを介して対向する位置で該複数の凹溝に配置された該複数のワイヤーを該撮像手段により撮像させ、撮像画像から、該複数の凹溝に対する該複数のワイヤーのずれ角を検出し、該ずれ角が0となるように調整され、ずれ角の調整後に該スライダーが取り外されることを特徴とする半導体結晶ウェハの製造方法。 - 請求項4記載の半導体結晶ウェハの製造方法において、
前記切断工程では、切断に先立って、前記インゴット支持手段において、前記撮像手段による撮像画像により検出されたずれ角を0とするように回転して前記半導体結晶インゴットを固定するずれ角調整工程が実行されることを特徴とする半導体結晶ウェハの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023029020A JP7260889B1 (ja) | 2022-10-25 | 2023-02-28 | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 |
PCT/JP2023/015046 WO2024089912A1 (ja) | 2022-10-25 | 2023-04-13 | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022170276A JP7243996B1 (ja) | 2022-10-25 | 2022-10-25 | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 |
JP2023029020A JP7260889B1 (ja) | 2022-10-25 | 2023-02-28 | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022170276A Division JP7243996B1 (ja) | 2022-10-25 | 2022-10-25 | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7260889B1 true JP7260889B1 (ja) | 2023-04-19 |
JP2024062914A JP2024062914A (ja) | 2024-05-10 |
Family
ID=90830447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023029020A Active JP7260889B1 (ja) | 2022-10-25 | 2023-02-28 | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7260889B1 (ja) |
WO (1) | WO2024089912A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001015458A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウェハの製造方法 |
JP2005014126A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Tdk Corp | マルチ式ワイヤーソーを用いたピッチ可変式加工方法及びマルチ式ワイヤーソー |
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JP7045676B1 (ja) * | 2021-12-14 | 2022-04-01 | 有限会社サクセス | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 |
-
2023
- 2023-02-28 JP JP2023029020A patent/JP7260889B1/ja active Active
- 2023-04-13 WO PCT/JP2023/015046 patent/WO2024089912A1/ja unknown
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7045676B1 (ja) * | 2021-12-14 | 2022-04-01 | 有限会社サクセス | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 |
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JP2024062914A (ja) | 2024-05-10 |
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