WO2023112345A1 - 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 - Google Patents

半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 Download PDF

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WO2023112345A1
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grooves
pad
grooving
grindstone
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愼介 酒井
哲也 千葉
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有限会社サクセス
有限会社ドライケミカルズ
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    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor crystal wafer manufacturing apparatus and manufacturing method for cutting wafers into slices from a cylindrically ground semiconductor crystal ingot.
  • a mass of crystal-grown single-crystal SiC is processed into a columnar ingot, as shown in Patent Document 1 below.
  • the process-affected layer removal process includes a process-affected layer removal process for removing the process-affected layer introduced into the SiC wafer in the preceding process.
  • the mechanical action of the polishing pad and the chemical reaction of the slurry A SiC wafer manufacturing method is known that includes a chemical mechanical polishing (CMP) process in which polishing is performed using a combination of various effects.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • an object of the present invention is to provide a semiconductor crystal wafer manufacturing apparatus and manufacturing method that can easily and reliably manufacture high-quality semiconductor crystal wafers.
  • a semiconductor crystal wafer manufacturing apparatus of a first invention is a semiconductor crystal wafer manufacturing apparatus for cutting wafers into slices from a semiconductor crystal ingot ground into a cylindrical shape, a drum grindstone for forming a plurality of grooves around the entire side surface of the semiconductor crystal ingot, the groove processing drum grindstone having a side surface formed with a plurality of protrusions corresponding to the plurality of grooves; a cylindrical pad for polishing the plurality of grooves, the polishing pad having a plurality of pad grooves corresponding to the plurality of protrusions formed on the entire side surface; A wire saw for slicing the semiconductor crystal ingot by moving forward while rotating a plurality of wires arranged in the plurality of recessed grooves, wherein the wire saw bobbin around which the plurality of wires are wound has a wire saw. and a wire saw device in which bobbin grooves corresponding to the plurality of protrusions are formed.
  • a plurality of concave grooves are formed around the entire side surface of the semiconductor crystal ingot, and a plurality of convex portions corresponding to the plurality of concave grooves are formed on the side surface. It consists of a total of three members: a grooving drum grindstone and two additional members corresponding thereto.
  • a first member of the additional members is a cylindrical polishing pad for polishing a plurality of concave grooves formed on the entire side surface of the semiconductor crystal ingot, and A corresponding plurality of pad grooves are formed.
  • a second member of the additional members is a wire saw device that circulates a plurality of wires arranged in a plurality of grooves formed on the entire side surface of the semiconductor crystal ingot. are formed with bobbin grooves corresponding to the plurality of protrusions.
  • the grooving drum grindstone can grind the semiconductor crystal.
  • (2) polishing can be performed along the grooves by a polishing pad whose pitch is precisely matched, and (3) the grooves have the same shape as the grooves.
  • the wire wound around the wire bobbin enables the semiconductor crystal ingot to be cut into slices with high precision by the wires that are precisely arranged in the plurality of recessed grooves.
  • the semiconductor wafers obtained by slicing are uniformly chamfered at the corners by a polishing pad whose pitch is precisely matched, it is necessary to re-chamfer after slicing. do not have.
  • a semiconductor crystal ingot can be cut into slices with high precision, and high-quality semiconductor crystal wafers can be manufactured easily and reliably.
  • the semiconductor crystal wafer manufacturing apparatus of the second invention is, in the first invention, characterized by comprising a pair of protective plates for protecting both end surfaces of the semiconductor crystal ingot, which are used at least when forming a plurality of concave grooves extending around the entire side surface of the semiconductor crystal ingot by the grooving drum grindstone. do.
  • a pair of grooves for protecting both end faces of the semiconductor crystal ingot are used at least when forming a plurality of grooves on the entire side surface of the semiconductor crystal ingot by means of a grooving drum grindstone. Equipped with a protection plate.
  • both ends of the semiconductor crystal ingot can be protected by the pair of protection plates, and chipping and cracking of both ends can be prevented. Therefore, it is possible to form a plurality of grooves up to the edges of both end faces, and as a result, it is possible to cut more semiconductor crystal wafers.
  • a semiconductor crystal ingot can be cut into more slices with high accuracy, and high-quality semiconductor crystal wafers can be manufactured simply, reliably and efficiently. be able to.
  • a method for manufacturing a semiconductor crystal wafer according to a third aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor crystal wafer in which wafers are cut into slices from a semiconductor crystal ingot ground into a cylindrical shape, a grooving step of forming a plurality of grooves extending around the entire side surface of the semiconductor crystal ingot; a cutting step of cutting the semiconductor crystal ingot into slices by advancing while rotating a plurality of wires arranged in the plurality of grooves formed in the groove processing step; Prior to the grooving step, formed by the grooving step using a grooving drum grindstone having a side surface formed with a plurality of convex portions corresponding to the plurality of concave grooves, which is used in pressure contact with the semiconductor crystal ingot in the grooving step; a pad groove forming step of forming a plurality of pad grooves corresponding to the plurality of protrusions over the entire side surface of a cylindrical polishing pad for polishing the plurality of grooves;
  • the grooves are formed by pressing the grooving drum grindstones against the semiconductor crystal ingot while rotating on mutually parallel rotating shafts, and the pad grooves are formed in the pad groove forming step. polishing the recessed grooves by pressing the polished polishing pads against the semiconductor crystal ingot while rotating on respective rotating shafts parallel to each other;
  • the cutting step the semiconductor crystal ingot is cut into slices by a wire saw in which wires are respectively arranged in the plurality of bobbin grooves formed in the bobbin groove forming step.
  • the grooving is performed prior to the grooving step of forming grooves corresponding to the plurality of protrusions of the grooving drum on the entire side surface of the semiconductor crystal ingot.
  • the drum plural of protrusions
  • the first step is (2) a cylindrical polishing pad for polishing a plurality of grooves formed on the entire side surface of the semiconductor crystal ingot by the pad groove forming step, and a plurality of grooves are formed on the entire side surface. A plurality of pad grooves corresponding to the protrusions of are formed.
  • the second step is (3) the bobbin groove forming step, in which bobbin grooves corresponding to the plurality of projections are formed on the entire side surface of the wire saw bobbin around which the plurality of wires are wound, used in the cutting step.
  • the grooving (2) in the polishing step polishing can be performed along the grooves with a polishing pad whose pitch is precisely matched to the plurality of grooves formed by the drum on the entire side surface of the semiconductor crystal ingot; 3) In the slicing process, the wires that are circulated through the wire bobbins having the same shape as the grooves are used to accurately cut the semiconductor crystal ingot into slices with a plurality of wires that are accurately arranged in the plurality of grooves. .
  • the semiconductor wafers obtained by slicing are uniformly chamfered at the corners by a polishing pad whose pitch is precisely matched, it is necessary to re-chamfer after slicing. do not have.
  • the semiconductor crystal ingot can be cut into slices with high precision, and high-quality semiconductor crystal wafers can be manufactured easily and reliably.
  • a method for manufacturing a semiconductor crystal wafer according to a fourth aspect of the invention is characterized in that, in the third aspect of the invention,
  • the pad groove forming step includes: The grooving drum grindstone is pressed against the entire side surface of a cylindrical pad grooving grindstone to form pad machining grooves corresponding to the plurality of protrusions, A plurality of pad grooves corresponding to the plurality of protrusions are formed by pressing the pad groove processing grindstone in which the pad processing grooves are formed to the entire side surface of the polishing pad.
  • a pad groove processing grindstone having pad processing grooves corresponding to a plurality of protrusions formed therein is prepared in advance. Then, the pad grooving grindstone is pressed against the entire side surface of the polishing pad to form a plurality of pad grooves corresponding to the pad processing grooves, thereby making the pad grooves identical to the plurality of protrusions of the grooving drum grindstone. shape.
  • the grooves can be polished by the polishing pad with a plurality of pad grooves that exactly match the plurality of grooves.
  • the method for manufacturing a semiconductor crystal wafer of the fourth aspect of the present invention it is possible to cut a semiconductor crystal ingot into slices with high accuracy by further improving polishability, so that high-quality semiconductor crystal wafers can be easily and easily produced. It can be manufactured reliably.
  • the method for manufacturing a semiconductor crystal wafer of the fifth invention is the third invention or the fourth invention, A method of manufacturing a semiconductor crystal wafer, wherein the semiconductor crystal ingot is rotatably supported through a pair of protective plates for protecting both end surfaces of the semiconductor crystal ingot at least in the grooving step.
  • the grooves are formed through the pair of protective plates that protect both end surfaces of the semiconductor crystal ingot.
  • a semiconductor crystal ingot is rotatably supported by the support.
  • both ends of the semiconductor crystal ingot can be protected by the pair of protection plates, and chipping and cracking of both ends can be prevented. Therefore, it is possible to form a plurality of grooves up to the edges of both end faces, and as a result, it is possible to cut more semiconductor crystal wafers.
  • a semiconductor crystal ingot can be cut into a larger number of slices with high accuracy, and high-quality semiconductor crystal wafers can be manufactured simply, reliably and efficiently. be able to.
  • FIG. 4 is a flow chart showing the overall steps of a method for manufacturing a SiC wafer (semiconductor crystal wafer) according to the present embodiment
  • FIG. 2 is an explanatory view showing the SiC wafer manufacturing apparatus of the present embodiment, which includes a pad groove forming step, a bobbin groove forming step, and a groove processing step in the SiC wafer manufacturing method of FIG. 1
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing the contents of a groove processing step, a polishing step, and a cutting step in the method of manufacturing the SiC wafer of FIG. 1
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing the contents of a first surface processing step and a second surface processing step in the method of manufacturing the SiC wafer of FIG. 1
  • FIG. 3 is an explanatory view showing a modification of the SiC wafer manufacturing apparatus of FIG. 2;
  • a method for manufacturing a SiC wafer which is a semiconductor crystal wafer, is a method for obtaining SiC wafers by slicing a SiC ingot that has been ground into a cylindrical shape.
  • a pad groove forming step (STEP 10/FIG. 1) prior to the step (STEP 100/FIG. 1), a bobbin groove forming step (STEP 20/FIG. 1), and a polishing step (STEP 110/FIG. 1) subsequent to the groove processing step (STEP 100/FIG. 1).
  • a cutting step (STEP 120/FIG. 1), a first surface machining step (STEP 130/FIG. 1), and a second surface machining step (STEP 140/FIG. 1).
  • the grooving drum grindstone 20 is a drum grindstone for forming a plurality of grooves 11 around the entire side surface of the SiC ingot 10, and a plurality of protrusions 21 corresponding to the plurality of grooves 11 are formed on the side surface. ing.
  • the cylindrical polishing pad 30 is processed for polishing the plurality of grooves 11, and the polishing pad 30 and the groove processing drum grindstone 20 are parallel to each other.
  • a plurality of pad grooves 31 corresponding to the plurality of protrusions 21 are formed on the entire side surface of the polishing pad 30 by pressing the grooving drum grindstone 20 against the polishing pad 30 while rotating on the rotating shaft.
  • the pad grooves 31 are formed in the polishing pad 30 in a state in which the polishing pad 30 is solidified by freezing (after containing an appropriate amount of water as necessary).
  • the polishing pad 30 having the pad grooves 31 formed therein is used in the following steps after being thawed (dried if necessary).
  • the wire saw bobbin 40 that rotates a plurality of wires 42 of the wire saw device 4 used in the cutting step (STEP 120/FIG. 1) is processed.
  • the grooving drum grindstone 20 is pressed against the wire saw bobbin 40 while the grooving drum grindstone 20 and the grooving drum grindstone 20 are rotated on respective parallel rotating shafts, thereby forming a plurality of protrusions 21 on the entire side surface of the wire saw bobbin 40.
  • a corresponding plurality of bobbin grooves 41 are formed.
  • processing is performed in order from the pad groove forming step (STEP 10/FIG. 1) to the bobbin groove forming step (STEP 20/FIG. 1). Processing may be performed in the order of the groove forming step (STEP 10/FIG. 1).
  • a plurality of concave grooves 11 are formed in the SiC ingot 10 by a common grooving drum grindstone 20, which extends around the entire side surface.
  • grooving drum grindstones 20 each having a plurality of convex portions 21 corresponding to the plurality of concave grooves 11 formed on the entire side surface are rotated on rotating shafts parallel to each other.
  • the recessed groove 11 is formed by press-contacting the SiC ingot 10 while allowing it to move.
  • the SiC ingot 10 is rotatably supported with both end surfaces protected by a pair of protective plates 15 , 15 .
  • the protective plate 15 is, for example, a synthetic resin such as polyvinyl chloride, and is bonded to the SiC ingot 10 via an adhesive or the like as necessary.
  • Both ends of the SiC ingot 10 can be protected by the pair of protection plates 15, 15, and chipping and cracking of the both ends can be prevented. Therefore, it is possible to form a plurality of grooves 11 up to the edge of both end faces, and as a result, it is possible to cut more SiC wafers 100 to be described later.
  • the protective plates 15, 15 can be processed (for example, drilled) and fixed as necessary.
  • SiC ingot 10 itself is not processed in this case as well, SiC ingot 10 is not damaged.
  • the plurality of recessed grooves 11 of SiC ingot 10, the plurality of pad grooves 31 of polishing pad 30, and the plurality of bobbin grooves 41 of wire saw bobbin 40 formed by the above-described processing steps correspond to the plurality of grooving drum grindstones 20. It has the same shape corresponding to the convex portion 21 of .
  • the pitch of the grooves 11 and the pitch of the grooves 11 are adjusted in the polishing step (STEP 110/FIG. 1).
  • a plurality of pad protrusions 32 protrusions between two adjacent pad grooves 31 , 31 ) of the same polishing pad 30 can polish along the grooves 11 .
  • polishing may be performed using CMP slurry (chemical-mechanical liquid abrasive). (buffing agent) may be added.
  • CMP slurry chemical-mechanical liquid abrasive
  • (buffing agent) may be added.
  • the addition of the abrasive powder (buffing agent) to the surface of the polishing pad 30 is performed by, for example, applying the abrasive powder (buffing agent) to a buff having the same shape as the pad grooving grindstone 20' described later. , such buffing may be performed by temporarily or continuously contacting the surface of the polishing pad 30 .
  • a plurality of wires 42 of a wire saw device 4 as a cutting device are arranged in the plurality of grooves 11 formed in the groove processing step (STEP 100 / FIG. 1),
  • the SiC ingot 10 is cut into slices by advancing the wire 42 while winding it.
  • the wire 42 is wound around the wire bobbin 40 in which the bobbin groove 11 having the same shape as the plurality of grooves 11 is formed. It is possible to cut the SiC ingot 10 into slices with good accuracy in one operation.
  • the SiC wafers 100 obtained by cutting into slices have their corners uniformly chamfered by the polishing pads 30 whose peripheral edges are precisely matched in pitch. Therefore, chamfering is performed again after cutting. No need.
  • the configuration of the semiconductor crystal wafer (SiC wafer) manufacturing apparatus (cutting apparatus) of the present embodiment is composed of the groove processing drum grindstone 20, the polishing pad 30, and the wire saw apparatus 40 described above.
  • one surface 110 of one of the cut surfaces is used as a support surface, and the remaining other surface 120 is mechanically polished (high-precision grinding). apply.
  • a mechanical polishing device 50 (ultra-high synthetic high-precision grinding device) that performs mechanical polishing.
  • the mechanical polisher 50 includes a spindle 51 and a diamond grindstone 53 on a platen 52 which is a surface plate.
  • one surface 110 as the upper surface, it is attracted and supported by the vacuum porous chuck 54, which is the suction plate of the spindle 51, and the other surface 120 is ground with the diamond grindstone 53 with the other surface 120 as the lower surface.
  • the spindle 51 and the diamond grindstone 53 are rotationally driven by a drive device (not shown), and the other surface 120 is ground by pressing the spindle 51 against the diamond grindstone 53 by a compressor (not shown) or the like.
  • the diamond grindstone 53 may be dressed by a dresser or the like.
  • the mechanical polisher 50 may have functional water supply pipes so that a plurality of functional waters can be used during processing, if necessary.
  • the other surface 120 subjected to high-precision grinding in the first surface processing step is used as the upper surface, and the one surface 110 is subjected to the first surface processing step.
  • a similar high-precision grinding process is applied.
  • the other surface 120 as the upper surface, it is attracted to the vacuum porous chuck 54 that is the suction plate of the spindle 51, and the one surface 110 is ground with the diamond grindstone 53 with the one surface 110 as the lower surface.
  • dressing may be applied by pressing a dresser or the like against the diamond grindstone 53 as necessary.
  • the mechanical polishing (high-precision grinding) process of the first surface processing step (STEP 130/Fig. 1) and the second surface processing step (STEP 140/Fig. 1) the high flatness obtained by the cutting and polishing process can be obtained.
  • One of the transferless cut surfaces is used as a support surface (adsorption surface), and the remaining surfaces are sequentially mechanically polished (high-precision grinding) to prevent so-called transfer and produce high-quality SiC wafers.
  • it is possible to greatly simplify the conventional loose grinding process ie, the complicated manufacturing process such as lapping multiple times of primary to quaternary.
  • the size of the SiC wafer 100 is currently up to 8 inches, and each diameter wafers are set according to the area of the head (up to 12 inches possible) and subjected to high-precision grinding processing.
  • the SiC wafer manufacturing method and apparatus of the present embodiment (1) the grooving drum grindstone 20, (2) the polishing pad 30, and (3) the wire saw device 4 (2) The pitch is precisely matched with respect to the plurality of grooves 11 formed on the entire side surface of the SiC ingot 10 by (1) the groove processing drum grindstone 20. (3) a wire bobbin 40 having a bobbin groove 41 having the same shape as the groove 11; The SiC ingot 10 can be cut into slices at once with a plurality of wires 41 that are accurately arranged at 11, and high-quality SiC wafers 100 can be manufactured easily and reliably.
  • the pad groove forming step (STEP 10/FIG. 1) includes the pad grooves 31 and the pad protrusions 32 forming the plurality of grooves 11 (of the grooving drum grindstone 20) around the entire side surface of the SiC ingot 10. It may be changed so as to have the same shape as the plurality of protrusions 21).
  • a cylindrical pad groove processing grindstone 20' is prepared in advance, and a groove processing drum grindstone 20 and a pad groove processing grindstone are prepared.
  • Pad grooves 21' pad grooved protrusions 22'
  • Pad grooves 21 are formed in the pad grooved grindstone 20' by pressing while rotating on rotating shafts parallel to each other. do.
  • the grooves 11 can be polished by the plurality of pad protrusions 32' that exactly match the plurality of grooves 11 by the polishing pad 30', thereby further improving the polishability.
  • a chemical mechanical polishing (CMP) process and a wafer cleaning process may be performed as necessary after the series of processes described above.
  • the semiconductor crystal is not limited to SiC, and the semiconductor crystal is not limited to SiC.
  • Other compound semiconductors may be used.
  • the SiC ingot 10 is rotatably supported with both end surfaces thereof protected by a pair of protective plates 15, 15. Illustrated, but not limited to.
  • the pair of protective plates 15, 15 may be omitted and the SiC ingot 10 may be fixed directly to the rotating shaft.
  • both end surfaces of the SiC ingot 10 are 15 may be protected before processing.
  • the grooving step (STEP 100/FIG. 1) may be performed in the longitudinal direction and the polishing step (STEP 110/FIG. 1) may be performed in the lateral direction at the same time, or vice versa. ) may be performed in the horizontal direction and the polishing step (STEP 110/FIG. 1) may be performed in the vertical direction at the same time. Further, the polishing step (STEP 110/FIG. 1) may be performed after the groove processing step (STEP 100/FIG. 1).
  • the SiC ingot 10, the grooving drum grindstone 20, the polishing pad 30, and the like have been laid down in FIGS. , you may process in the state which stood these.
  • SYMBOLS 1 SiC crystal (semiconductor crystal), 4... Wire saw apparatus, 10... SiC ingot (semiconductor crystal ingot), 11... Groove, 15, 15... Pair of protective plates, 20... Grooving drum grindstone, 20'... Pad Grooving grindstone 21... Convex part 21'... Pad machining groove 22'... Pad machining convex part 30... Polishing pad 31, 31, 31'... Pad groove 32, 32'... Pad convex part 40... Wire saw bobbin, 41 bobbin groove, 42 wire, 50 mechanical polishing device (ultra-high synthetic high-precision grinding device), 51 spindle, 52 platen, 53 diamond whetstone, 54 vacuum porous chuck (adsorption plate ), 100... SiC wafer (semiconductor crystal wafer), 110... one side, 120... other side.

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Abstract

本発明は、高品質な半導体結晶ウェハを簡易かつ確実に製造することができる半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法を提供することを目的とする。　半導体結晶ウェハであるＳｉＣウェハの製造方法は、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）に先立つパッド溝形成工程（ＳＴＥＰ１０／図１）と、ボビン溝形成工程（ＳＴＥＰ２０／図１）と、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）に続く研磨工程（ＳＴＥＰ１１０／図１）と、切断工程（ＳＴＥＰ１２０／図１）と、第１面加工工程（ＳＴＥＰ１３０／図１）と、第２面加工工程（ＳＴＥＰ１４０／図１）とを備える。

Description

半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法
　本発明は、円筒形状に研削加工された半導体結晶インゴットからスライス状にウェハを切り出す半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法に関するものである。
　従来、この種の半導体結晶ウェハであるＳｉＣウェハの製造方法としては、下記特許文献１に示すように、ウェハ形状形成工程として、結晶成長させた単結晶ＳｉＣの塊を円柱状のインゴットに加工するインゴット成形工程と、インゴットの結晶方位を示す目印となるよう、外周の一部に切欠きを形成する結晶方位成形工程と、単結晶ＳｉＣのインゴットをスライスして薄円板状のＳｉＣウェハに加工するスライス工程と、修正モース硬度未満の砥粒を用いてＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、刻印を形成する刻印形成工程と、外周部を面取りする面取り工程とを含み、次に、加工変質層除去工程として、先行の工程でＳｉＣウェハに導入された加工変質層を除去する加工変質層除去工程を含み、最後に、鏡面研磨工程として、研磨パッドの機械的な作用とスラリーの化学的な作用を併用して研磨を行う化学機械研磨（ＣＭＰ）工程を含むＳｉＣウェハの製造方法が知られている。
特開２０２０－１５６４６号公報
　しかしながら、かかる従来のＳｉＣウェハの製造方法では、製造工程が多く複雑であり、装置構成が複雑となり製造コストが嵩むという問題ある。
　一方で、製造工程を簡略化した場合には、ＳｉＣウェハに要求される品質を安定して得ることが困難となる。
　そこで、本発明は、高品質な半導体結晶ウェハを簡易かつ確実に製造することができる半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法を提供することを目的とする。
　第１発明の半導体結晶ウェハの製造装置は、円筒形状に研削加工された半導体結晶インゴットからスライス状にウェハを切り出す半導体結晶ウェハの製造装置であって、
　前記半導体結晶インゴットの側面全体に周回する複数の凹溝を形成するためのドラム砥石であって、該複数の凹溝に対応した複数の凸部が側面に形成された溝加工ドラム砥石と、
　前記複数の凹溝を研磨するための円筒状のパッドであって、側面全体に前記複数の凸部に対応した複数のパッド溝が形成された研磨パッドと、
　前記複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを周回させながら前進させることにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断するワイヤーソーであって、該複数のワイヤーを周回させるワイヤーソーボビンの側面全体に前記複数の凸部に対応したボビン溝が形成されたワイヤーソー装置と
を備えることを特徴とする。
　第１発明の半導体結晶ウェハの製造装置によれば、（１）半導体結晶インゴットの側面全体に周回する複数の凹溝を形成する、該複数の凹溝に対応した複数の凸部が側面に形成された溝加工ドラム砥石と、これに対応させた２つの追加部材の合計３部材から構成される。
　（２）追加部材の１つ目の部材は、半導体結晶インゴットの側面全体に形成された複数の凹溝を研磨するための円筒状の研磨パッドであって、側面全体に前記複数の凸部に対応した複数のパッド溝が形成されている。
　（３）追加部材の２つ目の部材は、半導体結晶インゴットの側面全体に形成された複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを周回させるワイヤーソー装置であって、ワイヤーソーボビンの側面全体に前記複数の凸部に対応したボビン溝が形成されている。
　そして、これら（１）溝加工ドラム砥石と、（２）研磨パッドと、（３）ワイヤーソー装置とが対応した凹凸の溝形状となっていることから、（１）溝加工ドラム砥石によって半導体結晶インゴットの側面全体に形成された複数の凹溝に対して、（２）ピッチが正確に一致する研磨パッドにより凹溝に沿った研磨をすることができると共に、（３）凹溝と同一形状のワイヤーボビンを介して周回するワイヤーにより、複数の凹溝に正確に配置された複数のワイヤーで精度よく半導体結晶インゴットをスライス状に切断することができる。
　加えて、スライス状に切断されて得られる半導体ウェハは、いずれもその周縁がピッチが正確に一致した研磨パッドにより角部が均一に面取りされているため、切断後に改めて面取り加工などを施す必要もない。
　このように、第１発明の半導体結晶ウェハの製造装置によれば、精度よく半導体結晶インゴットをスライス状に切断することができ、高品質な半導体結晶ウェハを簡易かつ確実に製造することができる。
　第２発明の半導体結晶ウェハの製造装置は、第１発明において、
　少なくとも前記溝加工ドラム砥石により前記半導体結晶インゴットの側面全体に周回する複数の凹溝を形成する際に使用される、該半導体結晶インゴットの両端面を保護する一対の保護板を備えることを特徴とする。
　第２発明の半導体結晶ウェハの製造装置によれば、溝加工ドラム砥石によって半導体結晶インゴットの側面全体に複数の凹溝を形成する際に少なくとも使用する、半導体結晶インゴットの両端面を保護する一対の保護板を備える。
　これにより、一対の保護板により、半導体結晶インゴットの両端部を保護することができ、両端部の欠けや割れを防止することができる。そのため、複数の凹溝を両端面の際まで形成することができ、ひいては、半導体結晶ウェハをより多く切断して得ることができる。
　このように、第２発明の半導体結晶ウェハの製造装置によれば、精度よく半導体結晶インゴットをより多くスライス状に切断することができ、高品質な半導体結晶ウェハを簡易かつ確実に効率よく製造することができる。
　第３発明の半導体結晶ウェハの製造方法は、円筒形状に研削加工された半導体結晶インゴットからスライス状にウェハを切り出す半導体結晶ウェハの製造方法であって、
　前記半導体結晶インゴットの側面全体に周回する複数の凹溝を形成する溝加工工程と、
　前記溝加工工程において形成された複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを周回させながら前進させることにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断する切断工程と
を備え、
　前記溝加工工程に先立って、
　前記溝加工工程において前記半導体結晶インゴットに圧接して使用する、前記複数の凹溝に対応した複数の凸部が側面に形成された溝加工ドラム砥石を用いて、該溝加工工程により形成された複数の凹溝を研磨するための円筒状の研磨パッドの側面全体に前記複数の凸部に対応した複数のパッド溝を形成するパッド溝形成工程と、
　前記溝加工工程において前記半導体結晶インゴットに圧接して使用する前記溝加工ドラム砥石を用いて、前記切断工程で使用する、前記複数のワイヤーを周回させるワイヤーソーボビンの側面全体に前記複数の凸部に対応したボビン溝を形成するボビン溝形成工程と
が実行され、
　前記溝加工工程では、前記溝加工ドラム砥石を互いに平行な回転軸上でそれぞれ回転させながら前記半導体結晶インゴットに圧接することにより該凹溝を形成すると共に、前記パッド溝形成工程によりパッド溝が形成された研磨パッドを互いに平行な回転軸上でそれぞれ回転させながら該半導体結晶インゴットに圧接することにより該凹溝を研磨し、
　前記切断工程では、前記ボビン溝形成工程により形成された複数のボビン溝にそれぞれワイヤーが配置されたワイヤーソーにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断することを特徴とする。
　第３発明の半導体結晶ウェハの製造方法によれば、（１）半導体結晶インゴットの側面全体に溝加工ドラムの複数の凸部に対応した凹溝を形成する溝加工工程に先立って、当該溝加工ドラム（複数の凸部）を用いて、次の２つの工程が実行される。
　まず、１つ目の工程は、（２）パッド溝形成工程により、半導体結晶インゴットの側面全体に形成された複数の凹溝を研磨するための円筒状の研磨パッドであって、側面全体に複数の凸部に対応した複数のパッド溝が形成される。
　２つ目の工程は、（３）ボビン溝形成工程により、切断工程で使用する、複数のワイヤーを周回させるワイヤーソーボビンの側面全体に複数の凸部に対応したボビン溝が形成される。
　そして、これら（１）溝加工ドラム砥石と、（２）研磨パッドと、（３）ワイヤーソー装置とが対応した凹凸の溝形状となっていることから、（１）溝加工工程において、溝加工ドラムによって半導体結晶インゴットの側面全体に形成された複数の凹溝に対して、（２）研磨工程において、ピッチが正確に一致する研磨パッドにより凹溝に沿った研磨をすることができると共に、（３）切断工程において、凹溝と同一形状のワイヤーボビンを介して周回するワイヤーにより、複数の凹溝に正確に配置された複数のワイヤーで精度よく半導体結晶インゴットをスライス状に切断することができる。
　加えて、スライス状に切断されて得られる半導体ウェハは、いずれもその周縁がピッチが正確に一致した研磨パッドにより角部が均一に面取りされているため、切断後に改めて面取り加工などを施す必要もない。
　このように、第３発明の半導体結晶ウェハの製造方法によれば、精度よく半導体結晶インゴットをスライス状に切断することができ、高品質な半導体結晶ウェハを簡易かつ確実に製造することができる。
　第４発明の半導体結晶ウェハの製造方法は、第３発明において、
　前記パッド溝形成工程は、
　前記溝加工ドラム砥石を、円筒状のパッド溝加工砥石の側面全体に圧接して前記複数の凸部に対応したパッド加工溝を形成し、
　前記パッド加工溝が形成された前記パッド溝加工砥石を、前記研磨パッドの側面全体に圧接して該複数の凸部に対応した複数のパッド溝を形成することを特徴とする。
　第４発明の半導体結晶ウェハの製造方法によれば、パッド溝形成工程において、予め、複数の凸部に対応したパッド加工溝を形成したパッド溝加工砥石を準備する。そして、該パッド溝加工砥石により、研磨パッドの側面全体に圧接してパット加工溝に対応した複数のパッド溝を形成することで、該パット溝を、溝加工ドラム砥石の複数の凸部と同一形状とすることができる。
　これにより、研磨工程において、研磨パッドにより複数の凹溝にぴったり一致する複数のパッド溝により該凹溝を研磨することができる。
　このように、第４発明の半導体結晶ウェハの製造方法によれば、より研磨性を向上させて、精度よく半導体結晶インゴットをスライス状に切断することができ、高品質な半導体結晶ウェハを簡易かつ確実に製造することができる。
　第５発明の半導体結晶ウェハの製造方法は、第３発明または第４発明において、
　少なくとも前記溝加工工程において、前記半導体結晶インゴットの両端面を保護する一対の保護板を介して該半導体結晶インゴットが回転自在に支持されることを特徴とする半導体結晶ウェハの製造方法。
　第５発明の半導体結晶ウェハの製造方法によれば、少なくとも、半導体結晶インゴットの側面全体に複数の凹溝を形成する溝加工工程において、半導体結晶インゴットの両端面を保護する一対の保護板を介して半導体結晶インゴットが回転自在に支持される。
　これにより、一対の保護板により、半導体結晶インゴットの両端部を保護することができ、両端部の欠けや割れを防止することができる。そのため、複数の凹溝を両端面の際まで形成することができ、ひいては、半導体結晶ウェハをより多く切断して得ることができる。
　このように、第５発明の半導体結晶ウェハの製造方法によれば、精度よく半導体結晶インゴットをより多くスライス状に切断することができ、高品質な半導体結晶ウェハを簡易かつ確実に効率よく製造することができる。
本実施形態のＳｉＣウェハ（半導体結晶ウェハ）の製造方法の工程全体を示すフローチャート。 図１のＳｉＣウェハの製造方法におけるパット溝形成工程、ボビン溝形成工程および溝加工工程により構成される本実施形態のＳｉＣウェハの製造装置を示す説明図。 図１のＳｉＣウェハの製造方法における溝加工工程、研磨工程および切断工程の内容を示す説明図。 図１のＳｉＣウェハの製造方法における第１面加工工程および第２面加工工程の内容を示す説明図。 図２のＳｉＣウェハの製造装置の変更例を示す説明図。
　図１に示すように、本実施形態において、半導体結晶ウェハであるＳｉＣウェハの製造方法は、円筒形状に研削加工されたＳｉＣインゴットからスライス状に切り出したＳｉＣウェハを得る方法であって、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）に先立つパッド溝形成工程（ＳＴＥＰ１０／図１）と、ボビン溝形成工程（ＳＴＥＰ２０／図１）と、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）に続く研磨工程（ＳＴＥＰ１１０／図１）と、切断工程（ＳＴＥＰ１２０／図１）と、第１面加工工程（ＳＴＥＰ１３０／図１）と、第２面加工工程（ＳＴＥＰ１４０／図１）とを備える。
　図２～図４を参照して各工程の詳細および本実施形態のＳｉＣウェハの製造装置について説明する。
　図２に示すパッド溝形成工程（ＳＴＥＰ１０／図１）と、ボビン溝形成工程（ＳＴＥＰ２０／図１）とでは、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）において使用する溝加工ドラム砥石２０を共通に用いて、以下の加工を行う。
　溝加工ドラム砥石２０は、ＳｉＣインゴット１０の側面全体に周回する複数の凹溝１１を形成するためのドラム砥石であって、複数の凹溝１１に対応した複数の凸部２１が側面に形成されている。
　まず、パッド溝形成工程（ＳＴＥＰ１０／図１）では、複数の凹溝１１を研磨するための円筒状の研磨パッド３０に対する加工であって、研磨パッド３０と溝加工ドラム砥石２０とを互いに平行な回転軸上でそれぞれ回転させながら、溝加工ドラム砥石２０を研磨パッド３０に圧接することにより研磨パッド３０の側面全体に複数の凸部２１に対応した複数のパッド溝３１が形成される。
　このとき、研磨パッド３０は、（必要に応じて適度な水分を含ませた上で）冷凍させることにより固化させた状態でパット溝３１が形成される。そして、パット溝３１が形成された研磨パット３０は、解凍（必要に応じて乾燥）処理した後で、以下の工程で用いられる。
　また、ボビン溝形成工程（ＳＴＥＰ２０／図１）では、切断工程（ＳＴＥＰ１２０／図１）で使用するワイヤーソー装置４の複数のワイヤー４２を周回させるワイヤーソーボビン４０に対する加工であって、ワイヤーソーボビン４０と溝加工ドラム砥石２０とを互いに平行な回転軸上でそれぞれ回転させながら、溝加工ドラム砥石２０をワイヤーソーボビン４０に圧接することによりワイヤーソーボビン４０の側面全体に複数の凸部２１に対応した複数のボビン溝４１が形成される。
　なお、本実施形態では、パッド溝形成工程（ＳＴＥＰ１０／図１）からボビン溝形成工程（ＳＴＥＰ２０／図１）の順番で加工を行っているが、ボビン溝形成工程（ＳＴＥＰ２０／図１）からパッド溝形成工程（ＳＴＥＰ１０／図１）の順番で加工をおこなってもよい。
　次に、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）では、共通の溝加工ドラム砥石２０により、かかるＳｉＣインゴット１０に対して、側面全体に周回する複数の凹溝１１を形成する。
　具体的に、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）では、複数の凹溝１１に対応した複数の凸部２１が側面全体に形成された溝加工ドラム砥石２０を互いに平行な回転軸上でそれぞれ回転させながらＳｉＣインゴット１０に圧接することにより凹溝１１を形成する。
　このとき、ＳｉＣインゴット１０は、その両端面が一対の保護板１５，１５を介して保護された状態で回転自在に支持される。
　保護板１５は、例えば、ポリ塩化ビニールなどの合成樹脂であり、ＳｉＣインゴット１０とは必要に応じて接着剤などを介して接合される。
　かかる一対の保護板１５，１５により、ＳｉＣインゴット１０の両端部を保護することができ、両端部の欠けや割れを防止することができる。そのため、複数の凹溝１１を両端面の際まで形成することができ、ひいては、後述するＳｉＣウェハ１００をより多く切断して得ることができる。
　また、ＳｉＣインゴット１０を回転軸に挟持して固定する際に、必要に応じて保護板１５，１５を加工（例えば、穴あけ）して固定することができる。加えて、この場合にも、ＳｉＣインゴット１０自体の加工を伴わないため、ＳｉＣインゴット１０を傷めることもない。
　以上の加工工程により形成されたＳｉＣインゴット１０の複数の凹溝１１と、研磨パッド３０の複数のパッド溝３１と、ワイヤーソーボビン４０の複数のボビン溝４１とは、溝加工ドラム砥石２０の複数の凸部２１に対応した同一形状となっている。
　そのため、図３に示すように、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）でＳｉＣインゴット１０に複数の凹溝１１を形成するとほぼ同時に、研磨工程（ＳＴＥＰ１１０／図１）において、凹溝１１とピッチが同一の研磨パッド３０の複数のパッド凸部３２（隣接する２つのパッド溝３１，３１間の凸部）により、凹溝１１に沿った研磨をすることができる。
　ここで、研磨工程（ＳＴＥＰ１１０／図１）では、ＣＭＰスラリー(化学的機械的液体研磨剤)を介して研磨してもよいが、研磨パッド３０の表面に一時的にまたは連続的に粉末研磨剤（バフ研磨剤）を添加するようにしてもよい。
　なお、研磨パッド３０の表面への粉末研磨剤（バフ研磨剤）の添加は、例えば、後述するパッド溝加工砥石２０´と同一形状のバフに粉末研磨剤（バフ研磨剤）を塗布しておき、かかるバフを研磨パッド３０の表面に一時的にまたは連続的に接触させることにより行ってもよい。
　さらに、切断工程（ＳＴＥＰ１２０／図１）では、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）において形成された複数の凹溝１１に、切断加工装置であるワイヤーソー装置４の複数のワイヤー４２を配置し、ワイヤー４２を周回させながら前進させることによりＳｉＣインゴット１０をスライス状に切断する。
　このとき、複数の凹溝１１と同一形状のボビン溝１１が形成されたワイヤーボビン４０を介してワイヤー４２が周回することにより、複数の凹溝１１に正確に配置された複数のワイヤー４２で精度よくＳｉＣインゴット１０を１回でスライス状に精度よく切断することができる。
　加えて、スライス状に切断されて得られるＳｉＣウェハ１００は、いずれもその周縁がピッチが正確に一致した研磨パッド３０により角部が均一に面取りされているため、切断後に改めて面取り加工などを施す必要もない。
　なお、本実施形態の半導体結晶ウェハ（ＳｉＣウェハ）の製造装置（切断装置）の構成としては、上述の溝加工ドラム砥石２０と、研磨パッド３０と、ワイヤーソー装置４０により構成される。
　次に、図４に示すように、第１面加工工程（ＳＴＥＰ１３０／図１）では、切断面のいずれか一方の一面１１０を支持面として、残る他面１２０にメカニカルポリッシュ（高精度研削加工）を施す。
　具体的には、第１面加工工程（ＳＴＥＰ１３０／図１）では、メカニカルポリッシュを施すメカニカルポリッシュ装置５０（超高合成高精度研削加工装置）により、研削加工を行う。
　メカニカルポリッシュ装置５０は、スピンドル５１と、定盤であるプラテン５２上のダイアモンド砥石５３とを備える。
　まず、ここで一面１１０を上面として、スピンドル５１の吸着プレートである真空ポーラスチャック５４に吸着させて支持させ、他面１２０を下面として、ダイアモンド砥石５３により他面１２０を研削加工する。
　このとき、スピンドル５１およびダイアモンド砥石５３は、図示しない駆動装置により回転駆動されると共に、図示しないコンプレッサーなどによりスピンドル５１がダイアモンド砥石５３に押圧されることにより他面１２０に研削加工が施される。
　なお、研削加工後には、ドレッサー等によりダイアモンド砥石５３へのドレッシングが施されてもよい。
　また、メカニカルポリッシュ装置５０は、必要に応じて、加工時に複数の機能水を使用可能なように機能水供給配管を有してもよい。
　次に、第２面加工工程（ＳＴＥＰ１４０／図１）では、第１面加工工程により、高精度研削加工が施された他面１２０を上面として、一面１１０に対して、第１面加工工程と同様の高精度研削加工を施す。
　すなわち、他面１２０を上面として、スピンドル５１の吸着プレートである真空ポーラスチャック５４に吸着させ、一面１１０を下面として、ダイアモンド砥石５３により一面１１０を研削加工する。
　この場合にも、必要に応じて、ドレッサー等をダイアモンド砥石５３に押圧することによりドレッシングが施されてもよい。
　かかる第１面加工工程（ＳＴＥＰ１３０／図１）および第２面加工工程（ＳＴＥＰ１４０／図１）のメカニカルポリッシュ（高精度研削加工）処理によれば、切断研磨工程により得られた高い平坦性を有するトランスファレス切断面のいずれか一方を支持面（吸着面）として、残りの面に順次、メカニカルポリッシュ（高精度研削加工）を施していくことで、いわゆる転写を防止して高品質なＳｉＣウェハを得ることができると共に、従来の遊離砥石加工、すなわち１次～４次の複数回のラップなど複雑な製造工程を大幅に簡略化することができる。
　より具体的には、砥石を替えて粗研削や複数回の仕上げ研削を行う必要がなく、例えば、♯３００００以上の砥石により直接１回の研削加工により仕上げまで行うことができるため、簡易であるばかりでなく、ＳｉＣウェハ１００から利用できる真性半導体層を大きく確保するすることができるという優位性がある。
　なお、第１面加工工程（ＳＴＥＰ１３０／図１）および第２面加工工程（ＳＴＥＰ１４０／図１）の高精度研削加工処理において、ＳｉＣウェハ１００のサイズは、現在８インチまでであり、それぞれの口径のウェハはヘッドの面積に応じて、セットされ、（１２インチまでが可能）高精度研削加工処理が行われる。
　以上が本実施形態のＳｉＣウェハの製造方法の詳細である。以上、詳しく説明したように、かかる本実施形態のＳｉＣウェハの製造方法および装置によれば、（１）溝加工ドラム砥石２０と、（２）研磨パッド３０と、（３）ワイヤーソー装置４とが対応した凹凸の溝形状となっていることから、（１）溝加工ドラム砥石２０によってＳｉＣインゴット１０の側面全体に形成された複数の凹溝１１に対して、（２）ピッチが正確に一致する研磨パッド３０により凹溝１１に沿った研磨をすることができると共に、（３）凹溝１１と同一形状のボビン溝４１を有するワイヤーボビン４０を介して周回するワイヤー４２により、複数の凹溝１１に正確に配置された複数のワイヤー４１で精度よくＳｉＣインゴット１０をスライス状に１回で切断することができ、高品質なＳｉＣウェハ１００を簡易かつ確実に製造することができる。
　なお、上記実施形態において、パッド溝形成工程（ＳＴＥＰ１０／図１）は、パット溝３１およびパッド凸部３２が、ＳｉＣインゴット１０の側面全体に周回する複数の凹溝１１（溝加工ドラム砥石２０の複数の凸部２１）と同一形状となるように変更されてもよい。
　具体的には、図５に示すように、パッド溝形成工程（ＳＴＥＰ１０／図１）おいて、予め、円筒状のパッド溝加工砥石２０´を準備し、溝加工ドラム砥石２０とパッド溝加工砥石２０´とを互いに平行な回転軸上でそれぞれ回転させながら圧接することにより、複数の凸部２１に対応したパッド加工溝２１´（パッド加工凸部２２´）をパッド溝加工砥石２０´に形成する。
　次いで、パッド溝加工砥石２０´と研磨パッド３０とを互いに平行な回転軸上でそれぞれ回転させながら、パッド溝加工砥石２０´を研磨パッド３０に圧接することにより研磨パッド３０の側面全体にパッド加工溝２１´（パッド加工凸部２２´）に対応した複数のパッド溝３１´を形成する。
　これにより、研磨工程（ＳＴＥＰ１１０／図１）において、研磨パッド３０´により複数の凹溝１１にぴったり一致する複数のパッド凸部３２´により凹溝１１を研磨することができ、研磨性をより向上させることができる。
　なお、本実施形態のＳｉＣウェハの製造方法において、上述の一連の処理の後、必要に応じて、化学機械研磨（ＣＭＰ）工程やウェハ洗浄工程が行われてもよい。
　また、本実施形態は、半導体結晶ウェハの製造方法として、ＳｉＣインゴットからＳｉＣウェハを製造する場合について説明したが、半導体結晶は、ＳｉＣに限定されるものはなく、ガリヒソ、インジュウムリン、シリコン、その他の化合物半導体であってもよい。
　さらに、本実施形態では、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）において、ＳｉＣインゴット１０は、その両端面が一対の保護板１５，１５を介して保護された状態で回転自在に支持される場合について説明したが、これに限定されるものではない。
　例えば、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）において、一対の保護板１５，１５を省略して回転軸に直接ＳｉＣインゴット１０を固定してもよい。
　また、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）以外の工程、例えば、研磨工程（ＳＴＥＰ１１０／図１）や切断工程（ＳＴＥＰ１２０／図１）においても、ＳｉＣインゴット１０の両端面を一対の保護板１５，１５により保護した状態で加工処理を行うようにしてもよい。
　また、本実施形態では、図３において、同一の縦方向において、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）と研磨工程（ＳＴＥＰ１１０／図１）とが同時に行われる場合について説明したが、これに限定されるものではない。
　例えば、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）が縦方向で行われると共に、研磨工程（ＳＴＥＰ１１０／図１）が横方向で同時に行われてもよく、その逆に、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）が横方向で行われると共に、研磨工程（ＳＴＥＰ１１０／図１）が縦方向で同時に行われてもよい。また、溝加工工程（ＳＴＥＰ１００／図１）の後に、研磨工程（ＳＴＥＰ１１０／図１）が行われてもよい。
　さらに、本実施形態では、図２，図３，図５において、ＳｉＣインゴット１０、溝加工ドラム砥石２０、研磨パッド３０などが横たわった状態の配置で説明したが、これに限定されるものではなく、これらを立てた状態で加工を行ってもよい。
１…ＳｉＣ結晶（半導体結晶）、４…ワイヤーソー装置、１０…ＳｉＣインゴット（半導体結晶インゴット）、１１…凹溝、１５，１５…一対の保護板、２０…溝加工ドラム砥石、２０´…パッド溝加工砥石、２１…凸部、２１´…パッド加工溝、２２´…パッド加工凸部、３０…研磨パッド、３１，３１，３１´…パッド溝、３２，３２´…パッド凸部、４０…ワイヤーソーボビン、４１…ボビン溝、４２…ワイヤー、５０…メカニカルポリッシュ装置（超高合成高精度研削加工装置）、５１…スピンドル、５２…プラテン、５３…ダイアモンド砥石、５４…真空ポーラスチャック（吸着プレート）、１００…ＳｉＣウェハ（半導体結晶ウェハ）、１１０…一面、１２０…他面。

Claims (5)

  1. 　円筒形状に研削加工された半導体結晶インゴットからスライス状にウェハを切り出す半導体結晶ウェハの製造装置であって、
    　前記半導体結晶インゴットの側面全体に周回する複数の凹溝を形成するためのドラム砥石であって、該複数の凹溝に対応した複数の凸部が側面に形成された溝加工ドラム砥石と、
    　前記複数の凹溝を研磨するための円筒状のパッドであって、側面全体に前記複数の凸部に対応した複数のパッド溝が形成された研磨パッドと、
    　前記複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを周回させながら前進させることにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断するワイヤーソーであって、該複数のワイヤーを周回させるワイヤーソーボビンの側面全体に前記複数の凸部に対応したボビン溝が形成されたワイヤーソー装置と
    を備えることを特徴とする半導体結晶ウェハの製造装置。
  2. 　請求項１記載の半導体結晶ウェハの製造装置において、
    　少なくとも前記溝加工ドラム砥石により前記半導体結晶インゴットの側面全体に周回する複数の凹溝を形成する際に使用される、該半導体結晶インゴットの両端面を保護する一対の保護板を備えることを特徴とする半導体結晶ウェハの製造装置。
  3. 　円筒形状に研削加工された半導体結晶インゴットからスライス状にウェハを切り出す半導体結晶ウェハの製造方法であって、
    　前記半導体結晶インゴットの側面全体に周回する複数の凹溝を形成する溝加工工程と、
    　前記溝加工工程において形成された複数の凹溝に配置された複数のワイヤーを周回させながら前進させることにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断する切断工程と
    を備え、
    　前記溝加工工程に先立って、
    　前記溝加工工程において前記半導体結晶インゴットに圧接して使用する、前記複数の凹溝に対応した複数の凸部が側面に形成された溝加工ドラム砥石を用いて、該溝加工工程により形成された複数の凹溝を研磨するための円筒状の研磨パッドの側面全体に前記複数の凸部に対応した複数のパッド溝を形成するパッド溝形成工程と、
    　前記溝加工工程において前記半導体結晶インゴットに圧接して使用する前記溝加工ドラム砥石を用いて、前記切断工程で使用する、前記複数のワイヤーを周回させるワイヤーソーボビンの側面全体に前記複数の凸部に対応したボビン溝を形成するボビン溝形成工程と
    が実行され、
    　前記溝加工工程では、前記溝加工ドラム砥石を互いに平行な回転軸上でそれぞれ回転させながら前記半導体結晶インゴットに圧接することにより該凹溝を形成すると共に、前記パッド溝形成工程によりパッド溝が形成された研磨パッドを互いに平行な回転軸上でそれぞれ回転させながら該半導体結晶インゴットに圧接することにより該凹溝を研磨し、
    　前記切断工程では、前記ボビン溝形成工程により形成された複数のボビン溝にそれぞれワイヤーが配置されたワイヤーソーにより前記半導体結晶インゴットをスライス状に切断することを特徴とする半導体結晶ウェハの製造方法。
  4. 　請求項３記載の半導体結晶ウェハの製造方法において、
    　前記パッド溝形成工程は、
    　前記溝加工ドラム砥石を、円筒状のパッド溝加工砥石の側面全体に圧接して前記複数の凸部に対応したパッド加工溝を形成し、
    　前記パッド加工溝が形成された前記パッド溝加工砥石を、前記研磨パッドの側面全体に圧接して該複数の凸部に対応した複数のパッド溝を形成することを特徴とする半導体結晶ウェハの製造方法。
  5. 　請求項３または４記載の半導体結晶ウェハの製造方法において、
    　少なくとも前記溝加工工程において、前記半導体結晶インゴットの両端面を保護する一対の保護板を介して該半導体結晶インゴットが回転自在に支持されることを特徴とする半導体結晶ウェハの製造方法。
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