TWI786006B - 半導體結晶晶圓的製造方法及製造裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之目的在於提供能夠簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓的半導體結晶晶圓的製造方法及製造裝置。半導體結晶晶圓之SiC晶圓的製造方法係包含於溝加工步驟(STEP100/圖1)之前的墊溝形成步驟(STEP10/圖1)及線軸溝形成步驟(STEP20/圖1)，且包含接續於溝加工步驟(STEP100/圖1)的研磨步驟(STEP110/圖1)、切斷步驟(STEP120/圖1)、第一面加工步驟(STEP130/圖1)、及第二面加工步驟(STEP140/圖1)。
Description
本發明係有關對於從研削加工成圓筒形狀的半導體結晶錠切出片狀的晶圓的半導體結晶晶圓的製造裝置及製造方法。
以往，就此種半導體結晶晶圓之SiC晶圓的製造方法而言，如下述專利文獻1所示，已知有包含晶圓形狀形成步驟，接著進行之加工變質層去除步驟，以及最終的鏡面研磨步驟之SiC晶圓的製造方法。就晶圓形狀形成步驟而言，例如包含：晶錠成形步驟，將結晶成長成的單結晶SiC塊加工成圓柱狀的晶錠；結晶方位成形步驟，於晶錠的外周的一部分形成切口以成為顯示晶錠之結晶方位的標記；切片步驟，將單結晶SiC的晶錠切片而加工成薄圓板狀的SiC晶圓；平坦化步驟，使用未達修正莫氏硬度的磨粒將SiC晶圓平坦化；形成記號的記號形成步驟；以及將外周部倒角的倒角步驟。就加工變質層去除步驟而言，例如將先行的步驟中導入於SiC晶圓的加工變質層予以去除。就鏡面研磨步驟而言，例如併用研磨墊之機械性作用與漿料之化學性作用來進行研磨的化學機械研磨(CMP)步驟。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本專利公開公報特開2020-15646號
然而，上述之習知SiC晶圓的製造方法存在有製程多且複雜，裝置構造複雜且製造成本高漲的問題。
另一方面，若簡化製程時，難以穩定獲得SiC晶圓需求的品質。
對此，本發明之目的在於提供能夠簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓的半導體結晶晶圓的製造裝置及製造方法。
第一發明的半導體結晶晶圓的製造裝置係從研削加工成圓筒形狀的半導體結晶錠切出片狀的晶圓者，該半導體結晶晶圓的製造裝置係具備：
溝加工鼓輪磨石，係為了要在前述半導體結晶錠的側面整體形成環繞的複數條凹溝，而於側面形成有對應於該複數條凹溝的複數條凸部；
研磨墊，係用以研磨前述複數條凹溝之圓筒狀的墊，於側面整體形成有對應於前述複數條凸部的複數條墊溝；及
線鋸裝置，係使配置於前述複數條凹溝的複數條線旋繞同時前進，藉此將前述半導體結晶錠切斷成片狀，且供該複數條線旋繞的線鋸線軸的側面整體形成有對應於前述複數條凸部的線軸溝。
依據第一發明的半導體結晶晶圓的製造裝置，(1)此製造裝置係由
溝加工鼓輪磨石以及對應於該溝加工鼓輪磨石的兩個追加構件之合計三個構件所構成，該溝加工鼓輪磨石係為了要在半導體結晶錠的側面整體形成環繞的複數條凹溝，而於側面形成有對應於該複數條凹溝的複數條凸部。
(2)追加構件之第一個構件係用以研磨半導體結晶錠的側面整體之複數條凹溝之圓筒狀的研磨墊，於側面整體形成有對應於前述複數條凸部的複數條墊溝。
(3)追加構件之第二個構件係使配置於前述半導體結晶錠的側面整體所形成之複數條凹溝之複數條線旋繞的線鋸裝置，且於線鋸線軸的側面整體形成有對應於前述複數條凸部的線軸溝。
並且，由於上述(1)溝加工鼓輪磨石、(2)研磨墊、(3)以及線鋸裝置成為對應的凹凸的溝形狀，因而可對於(1)藉由溝加工鼓輪磨石在半導體結晶錠的側面整體形成的複數條凹溝，(2)藉由間距正確地一致的研磨墊進行沿著凹溝的研磨，並且(3)由於線繞著與凹溝相同形狀的線鋸線軸而旋繞，因而能夠以正確地配置於複數條凹溝的複數條線，將半導體結晶錠精度良好地切斷成片狀。
再者，由於切斷成片狀而獲得的半導體晶圓的周緣皆藉由間隙正確地一致的研磨墊將角部均勻地倒角，所以切斷後不須再施予倒角加工等。
如此，依據第一發明的半導體結晶晶圓的製造裝置，能夠精度良好地將半導體結晶錠切斷成片狀，而能夠簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓。
第二發明的半導體結晶晶圓的製造裝置係於第一發明中具備一對保護板，該保護板至少使用於藉由前述溝加工鼓輪磨石形成環繞前述半導體結晶錠的側面整體的複數條凹溝時，以保護該半導體結晶錠的兩端面。
依據第二發明的半導體結晶晶圓的製造裝置，具備一對保護板，該保護板至少使用於藉由溝加工鼓輪磨石形成環繞半導體結晶錠的側面整體的複數條凹溝時，以保護該半導體結晶錠的兩端面。
藉此，藉由一對保護板能夠保護半導體結晶錠的兩端部，能夠防止兩端部的缺角、破裂。因此，能夠使複數條凹溝形成至靠近兩端面的端緣，進而能夠更多量地切斷而獲得更多量的半導體結晶晶圓。
如此，依據第二發明的半導體結晶晶圓的製造裝置，能夠精度良好地將半導體結晶錠切斷成更多的片狀，而能夠效率良好、簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓。
第三發明的半導體結晶晶圓的製造方法係從研削加工成圓筒形狀的半導體結晶錠切出片狀的晶圓者，該半導體結晶晶圓的製造方法係包含：
溝加工步驟，係形成環繞前述半導體結晶錠的側面整體之複數條凹溝；及
切斷步驟，係使配置於前述溝加工步驟中所形成的複數條凹溝的複數條線旋繞同時前進，藉此將前述半導體結晶錠切斷成片狀；並且
於前述溝加工步驟之前先執行：
墊溝形成步驟，係使用溝加工鼓輪磨石於圓筒狀的研磨墊的側面整體形成複數條墊溝，該溝加工鼓輪磨石係於側面形成有對應於前述複數條凹溝的複數條凸部，且為在前述溝加工步驟中壓接於前述半導體結晶錠而使用者，該研磨墊係用以研磨藉由該溝加工步驟所形成的前述複數條凹溝，且前述複數條墊溝係對應於前述複數條凸部；及
線軸溝形成步驟，係使用在前述溝加工步驟中壓接於前述半導體結晶錠而使用的前述溝加工鼓輪磨石，於線鋸線軸的側面整體形成對應於前述複數條凸
部的線軸溝，該線鋸線軸係使用於前述切斷步驟中供前述複數條線旋繞者；
前述溝加工步驟係使前述溝加工鼓輪磨石與前述半導體結晶錠分別在相互平行的旋轉軸上旋轉的同時壓接於前述半導體結晶錠，藉此形成該凹溝，並且使藉由前述墊溝形成步驟而形成墊溝的研磨墊與前述半導體結晶錠分別在相互平行的旋轉軸上旋轉的同時壓接於前述半導體結晶錠，藉此研磨該凹溝；
前述切斷步驟係藉由分別將線配置於前述線軸溝形成步驟所形成的複數條線軸溝的線鋸而將前述半導體結晶錠切斷成片狀。
依據第三發明的半導體結晶晶圓的製造方法，(1)於半導體結晶錠的側面整體形成與溝加工鼓輪之複數條凸部對應的凹溝的溝加工步驟之前，先使用該溝加工鼓輪(複數條凸部)執行以下的兩個步驟。
首先，第一個步驟係(2)藉由墊溝形成步驟於圓筒狀的研磨墊的側面整體形成複數條墊溝，該研磨墊係用以研磨於半導體結晶錠的側面整體所形成的複數條凹溝，且對應於複數條凸部而形成複數條墊溝。
第二個步驟係(3)藉由線軸溝形成步驟，在使用於切斷步驟中供複數條線旋繞的線鋸線軸的側面整體形成對應於複數條凸部的線軸溝。
並且，由於此等(1)溝加工鼓輪磨石、(2)研磨墊、及(3)線鋸裝置成為對應的凹凸的溝形狀，故可對(1)於溝加工步驟中藉由溝加工鼓輪在半導體結晶錠的側面整體形成的複數條凹溝，(2)於研磨步驟中藉由間距正確地一致的研磨墊進行沿著凹溝的研磨，並且(3)於切斷步驟中，由於線繞著與凹溝相同形狀的線鋸線軸而旋繞，因而能夠以正確地配置於複數條凹溝的複數條線，精度良好地將半導體結晶錠切斷成片狀。
而且，由於切斷成片狀而得的半導體晶圓的周緣皆藉由間距正確
地一致的研磨墊將角部均勻地倒角，所以不須於切斷後再施予倒角加工等。
如此，依據第三發明的半導體結晶晶圓的製造方法，能夠精度良好地將半導體結晶錠切斷成片狀，而能夠簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓。
第四發明的半導體結晶晶圓的製造方法係於第三發明中，前述墊溝形成步驟係將前述溝加工鼓輪磨石壓接於圓筒狀的墊溝加工磨石的側面整體而形成對應於前述複數條凸部的墊加工溝，並且將形成有前述墊加工溝的前述墊溝加工磨石壓接於前述研磨墊的側面整體而形成對應於前述複數條凸部的複數條墊溝。
依據第四發明的半導體結晶晶圓的製造方法，於墊溝形成步驟中，預先準備形成有與複數條凸部對應的墊加工溝的墊溝加工磨石。並且，藉由該墊溝加工磨石壓接於研磨墊的側面整體而形成與墊加工溝對應的複數條墊溝，藉此，能夠使該墊溝與溝加工鼓輪磨石的複數條凸部成為相同形狀。
藉此，研磨步驟中可藉由研磨墊以與複數條凹溝完全一致的複數條墊溝來研磨該凹溝。
如此，依據第四發明的半導體結晶晶圓的製造方法，能夠使研磨性更提升，精度良好地將半導體結晶錠切斷成片狀，而能夠簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓。
第五發明的半導體結晶晶圓的製造方法係於第三發明或第四發明中，前述半導體結晶錠至少於前述溝加工步驟中隔著保護該半導體結晶錠的兩端面的一對保護板而被支持成可自由旋轉。
依據第五發明的半導體結晶晶圓的製造方法，半導體結晶錠至少
於半導體結晶錠的側面整體形成複數條凹溝的溝加工步驟中，隔著半導體結晶錠的兩端面的一對保護板而被支持成可自由旋轉。
藉此，藉由一對保護板能夠保護半導體結晶錠的兩端面，能夠防止兩端部的缺角、破裂。因此，能夠使複數條凹溝形成至靠近兩端面的端緣，進而能夠更多量地切斷而獲得更多量的半導體結晶晶圓。
如此，依據第五發明的半導體結晶晶圓的製造方法，能夠精度良好地將半導體結晶錠切斷成更多的片狀，而能夠效率良好、簡易且確實地製造高品質的半導體結晶晶圓。
1:SiC結晶(半導體結晶)
4:線鋸裝置
10:SiC晶錠(半導體結晶錠)
11:凹溝
15:保護板
20:溝加工鼓輪磨石
20’:墊溝加工磨石
21:凸部
21’:墊加工溝
22’:墊加工凸部
30:研磨墊
31,31’:墊溝
32,32’:墊凸部
40:線鋸線軸
41:線軸溝
42:線
50:機械拋光裝置(超高合成高精度研削加工裝置)
51:旋轉體
52:研磨台
53:鑽石磨石
54:多孔質真空吸盤(吸附板)
100:SiC晶圓(半導體結晶晶圓)
110:一面
120:另一面
STEP10:墊溝形成步驟
STEP20:線軸溝形成步驟
STEP100:溝加工步驟
STEP110:研磨步驟
STEP120:切斷步驟
STEP130:第一面加工步驟
STEP140:第二面加工步驟
圖1係顯示本實施型態之SiC晶圓(半導體結晶晶圓)的製造方法的製程整體的流程圖。
圖2係顯示藉由圖1之SiC晶圓的製造方法中的墊溝形成步驟、線軸溝形成步驟及溝加工步驟構成的本實施型態之SiC晶圓的製造裝置的說明圖。
圖3係顯示圖1之SiC晶圓的製造方法中的溝加工步驟、研磨步驟及切斷步驟之內容的說明圖。
圖4係顯示圖1之SiC晶圓的製造方法中的第一面加工步驟及第二面加工步驟之內容的說明圖。
圖5係顯示圖2之SiC晶圓的製造裝置之變化例的說明圖。
如圖1所示，本實施型態中，半導體結晶晶圓之SiC晶圓的製造方法係用以獲得對從研削加工成圓筒形狀的SiC晶錠切出片狀的SiC晶圓，此製造方法係包含在溝加工步驟(STEP100/圖1)之前的墊溝形成步驟(STEP10/圖1)及線軸溝形成步驟(STEP20/圖1)，並且包含接續於溝加工步驟(STEP100/圖1)的研磨步驟(STEP110/圖1)、切斷步驟(STEP120/圖1)、第一面加工步驟(STEP130/圖1)及第二面加工步驟(STEP140/圖1)。
參照圖2至圖4，說明各步驟的詳細內容及本實施型態之SiC晶圓的製造裝置。
圖2所示的墊溝形成步驟(STEP10/圖1)與線軸溝形成步驟(STEP20/圖1)中，共通地使用溝加工步驟(STEP100/圖1)中使用的溝加工鼓輪磨石20，進行以下的加工。
溝加工鼓輪磨石20係用以形成環繞SiC晶錠10的側面整體之複數條凹溝11的鼓輪磨石，於側面形成有與複數條凹溝11對應的複數條凸部21。
首先，墊溝形成步驟(STEP10/圖1)係對用以研磨出複數條凹溝11的圓筒狀的研磨墊30的加工，使研磨墊30與溝加工鼓輪磨石20分別在相互平行的旋轉軸上旋轉的同時，將溝加工鼓輪磨石20壓接於研磨墊30，藉此，於研磨墊30的側面整體形成與複數條凸部21對應的複數條墊溝31。
此時，研磨墊30(依據需要而含有適度的水分)係在冷凍而固化的狀態下形成墊溝31。並且，形成了墊溝31的研磨墊30係在解凍處理(依據需要進行乾燥處理)之後，使用於以下的步驟。
再者，線軸溝形成步驟(STEP20/圖1)係對於供使用於切斷步驟(STEP120/圖1)的線鋸裝置4的複數條線42旋繞的線鋸線軸40的加工，使線鋸線
軸40與溝加工鼓輪磨石20分別在相互平行的旋轉軸上旋轉的同時，將溝加工鼓輪磨石20壓接於線鋸線軸40，藉此，於線鋸線軸40的側面整體形成與複數條凸部21對應的複數條線軸溝41。
在此，本實施型態中係以從墊溝形成步驟(STEP10/圖1)至線軸溝形成步驟(STEP20/圖1)的順序進行加工，然而，也可以從線軸溝形成步驟(STEP20/圖1)至墊溝形成步驟(STEP10/圖1)的順序進行加工。
接著，溝加工步驟(STEP100/圖1)中，藉由共通的溝加工鼓輪磨石20，對於該SiC晶錠10形成環繞側面整體的複數條凹溝11。
具體而言，溝加工步驟(STEP100/圖1)中，使側面整體形成有與複數條凹溝11對應之複數條凸部21的溝加工鼓輪磨石20與SiC晶錠10分別在相互平行的旋轉軸上旋轉的同時，將溝加工鼓輪磨石20壓接於SiC晶錠10，藉此形成凹溝11。
此時，SiC晶錠10係在以一對保護板15、15保護其兩端面的狀態下，被支持成可自由旋轉。
保護板15係例如聚氯乙烯等合成樹脂，可依據需要藉由接著劑與SiC晶錠10接合。
藉由該一對保護板15、15能夠保護SiC晶錠10的兩端部，能夠防止兩端部的缺角、破裂。因此，能夠使複數條凹溝11形成至靠近兩端面的端緣，進而能夠更多量地切斷而獲得更多量的後述SiC晶圓100。
此外，將SiC晶錠10夾持固定於旋轉軸時，能夠依據需要而對保護板15、15進行加工(例如開孔加工)而固定。而且，即使是如此的情形，由於未伴隨SiC晶錠10本身的加工，故不會損傷到SiC晶錠10。
藉由以上的加工步驟所形成的SiC晶錠10之複數條凹溝11、研磨墊30的複數條墊溝31及線鋸線軸40的複數條線軸溝41係成為與溝加工鼓輪磨石20之複數個凸部21對應的相同形狀。
因此，如圖3所示，能夠與以溝加工步驟(STEP100/圖1)於SiC晶錠10形成複數條凹溝11大致同時地，於研磨步驟(STEP110/圖1)中，藉由間距與凹溝11相同的研磨墊30的複數個墊凸部32(鄰接的兩個墊溝31、31之間的凸部)進行沿著凹溝11的研磨。
在此，研磨步驟(STEP110/圖1)可藉由CMP漿料(化學機械液體研磨劑)進行研磨，惟也可於研磨墊30的表面斷續地或連續地添加粉末研磨劑(拋光研磨劑)。
在此，要對研磨墊30的表面添加粉末研磨劑(拋光研磨劑)時，例如可先對於與後述墊溝加工磨石20’相同形狀的拋光輪塗布粉末研磨劑(拋光研磨劑)，再使拋光輪斷續地或連續地接觸研磨墊30的表面而進行添加。
再者，切斷步驟(STEP120/圖1)中，將作為切斷加工裝置的線鋸裝置4的複數條線42配置於溝加工步驟(STEP100/圖1)中所形成的複數條凹溝11，使線42旋繞同時前進，將SiC晶錠10切斷成片狀。
此時，線42係繞著形成了與複數條凹溝11相同形狀的線軸溝41的線鋸線軸40而旋繞，藉此，能夠以正確地配置於複數條凹溝11之複數條線42，同時地將SiC晶錠10精度良好地切斷成片狀。
並且，由於切斷成片狀而獲得的SiC晶圓100的周緣皆藉由間距正確地一致的研磨墊30將角部均勻地倒角，所以切斷後不須再進行倒角加工等。
在此，就本實施型態之半導體結晶晶圓(SiC晶圓)的製造裝置(切
斷裝置)的構成而言，可藉由上述溝加工鼓輪磨石20、研磨墊30及線鋸裝置4來構成。
接著，如圖4所示，第一面加工步驟(STEP130/圖1)中，以切斷面的任一側的面之一面110作為支持面，而對另一面120進行機械拋光(高精度研削加工)。
具體而言，第一面加工步驟(STEP130/圖1)中，藉由施予機械拋光的機械拋光裝置50(超高合成高精度研削加工裝置)進行研削加工。
機械拋光裝置50係具備旋轉體51及位於平盤之研磨台52上的鑽石磨石53。
首先，在此以一面110朝向上面並吸附於旋轉體51的吸附板之多孔質真空吸盤54而支持於此，以另一面120朝向下面，並藉由鑽石磨石53研削加工另一面120。
此時，旋轉體51及鑽石磨石53係藉由未圖示的驅動裝置旋轉驅動，且藉由未圖示的空壓機等將旋轉體51向鑽石磨石53推壓而對另一面120施予研削加工。
在此，可於研削加工之後，藉由修整器(dresser修整鑽石磨石53。
再者，機械拋光裝置50可依據需要而具有機能水供給配管，以於加工時可使用複數種機能水。
接著，第二面加工步驟(STEP140/圖1)中，將藉由第一面加工步驟而施予高精度研削加工的另一面120朝向上面，而對一面110實施與第一面加工步驟同樣的高精度研削加工。
亦即，以另一面120朝向上面而吸附於旋轉體51的吸附板之多孔
質真空吸盤54，以一面110朝向下面而藉由鑽石磨石53研削加工一面110。
此情形下，也可依據需要，將修整器等推壓於鑽石磨石53以進行修整。
依據上述第一面加工步驟(STEP130/圖1)及第二面加工步驟(STEP140/圖1)的機械拋光(高精度研削加工)處理，依序以切斷步驟所獲得的具有高平坦性的無轉移切斷面之任一面作為支持面(吸附面)而對另一面施予機械拋光(高精度研削加工)，藉此，能夠防止所謂的轉印而獲得高品質的SiC晶圓，並且能夠大幅地簡化以往的游離磨石加工步驟，亦即能夠大幅地簡化一次至四次之複數次拋光等複雜的製造步驟。
更具體而言，不須要交換磨石以進行粗切削、複數次的精研削，例如能夠藉由#30000以上的磨石直接進行一次研削加工而進行至精修加工，因此，不僅簡易，且具有能夠從SiC晶圓100大幅地確保可利用的本徵半導體層的優異性。
在此，第一面加工步驟(STEP130/圖1)及第二面加工步驟(STEP140/圖1)的高精度研削加工處理中，SiC晶圓100的尺寸目前至8英吋為止，惟可依據研磨頭的面積設置各種口徑的晶圓(可至12英吋)而進行高精度研削加工處理。
以上說明為本實施型態之SiC晶圓的製造方法的詳細內容。如以上的詳細說明，依據本實施型態之SiC晶圓的製造方法及裝置，由於(1)溝加工鼓輪磨石、(2)研磨墊30及(3)線鋸裝置4成為對應的凹凸的溝形狀，因而可對於(1)藉由溝加工鼓輪磨石20在SiC晶錠10的側面整體形成的複數條凹溝11，(2)藉由間距正確地一致的研磨墊30進行沿著凹溝11的研磨，並且(3)由於線42繞著具有與凹
溝11相同形狀的線軸溝41的線鋸線軸40而旋繞，因而能夠以正確地配置於複數條凹溝11的複數條線42，同時地將SiC晶錠10精度良好地切斷成片狀，而能夠簡易且確實地製造高品質的SiC晶圓100。
此外，上述實施型態中，墊溝形成步驟(STEP10/圖1)也可變更為使墊溝31及墊凸部32成為與環繞SiC晶錠10的側面整體的複數條凹溝11(溝加工鼓輪磨石20的複數條凸部21)相同形狀。
具體而言，如圖5所示，墊溝形成步驟(STEP10/圖1)中，預先準備圓筒狀的墊溝加工磨石20’，再使溝加工鼓輪磨石20與墊溝加工磨石20’分別在相互平行的旋轉軸上旋轉的同時進行壓接，藉此，於墊溝加工磨石20’形成與複數條凸部21對應的墊加工溝21’(墊加工凸部22’)。
接著，使墊溝加工磨石20’與研磨墊30分別在相互平行的旋轉軸上旋轉的同時，將墊溝加工磨石20’壓接於研磨墊30，藉此，於研磨墊30的側面整體形成與墊加工溝21’(墊加工凸部22’)對應的複數條墊溝31’。
藉此，於研磨步驟(STEP110/圖1)中，可藉由研磨墊30且以與複數條凹溝11完全一致的複數條墊凸部32’研磨凹溝11，而可更提升研磨性。
此外，本實施型態之SiC晶圓的製造方法中，可於上述一連串的處理之後，依據需要而進行化學機械研磨(CMP)步驟、晶圓洗淨步驟等。
再者，本實施型態係以從SiC晶錠製造SiC晶圓的情形來說明半導體結晶晶圓的製造方法，惟半導體結晶不限於SiC，亦可為砷化鎵、磷化銦、矽、其他化合物半導體。
再者，本實施型態已說明了溝加工步驟(STEP100/圖1)中，SiC晶錠10係在以一對保護板15、15保護其兩端面的狀態下，被支持成可自由旋轉的情
形，惟不限於此。
例如，溝加工步驟(STEP100/圖1)也可省略一對保護板15、15而直接將SiC晶錠10固定於旋轉軸。
再者，溝加工步驟(STEP100/圖1)以外的步驟例如研磨步驟(STEP110/圖1)、切斷步驟(STEP120/圖1)等也能夠以藉由一對保護板15、15保護SiC晶錠10的兩端面的狀態來進行加工處理。
再者，本實施型態中，於圖3說明了沿相同的縱向同時進行溝加工步驟(STEP100/圖1)與研磨步驟(STEP110/圖1)的情形，惟不限於此。
例如，也可為沿縱向進行溝加工步驟(STEP100/圖1)且同時地沿橫向進行研磨步驟(STEP110/圖1)，也可相反地，沿橫向進行溝加工步驟(STEP100/圖1)且同時地沿縱向進行研磨步驟(STEP110/圖1)。再者，也可於溝加工步驟(STEP100/圖1)之後進行研磨步驟(STEP110/圖1)。
再者，本實施型態中，於圖2、圖3、圖5說明了SiC晶錠10、溝加工鼓輪磨石20、研磨墊30等配置成橫向的狀態，惟不限於此，此等SiC晶錠10、溝加工鼓輪磨石20、研磨墊30等也能夠配置成豎立的狀態進行加工。
STEP10:墊溝形成步驟
STEP20:線軸溝形成步驟
STEP100:溝加工步驟
STEP110:研磨步驟
STEP120:切斷步驟
STEP130:第一面加工步驟
STEP140:第二面加工步驟
Claims (5)
- 一種半導體結晶晶圓的製造裝置，係從研削加工成圓筒形狀的半導體結晶錠切出片狀的晶圓者，該半導體結晶晶圓的製造裝置係具備：溝加工鼓輪磨石，係為了要在前述半導體結晶錠的側面整體形成環繞的複數條凹溝，而於側面形成有對應於該複數條凹溝的複數條凸部；研磨墊，係用以研磨前述複數條凹溝之圓筒狀的墊，於側面整體形成有對應於前述複數條凸部的複數條墊溝；及線鋸裝置，係使配置於前述複數條凹溝的複數條線旋繞同時前進，藉此將前述半導體結晶錠切斷成片狀，且供該複數條線旋繞的線鋸線軸的側面整體形成有對應於前述複數條凸部的線軸溝。
- 如請求項1所述之半導體結晶晶圓的製造裝置，係具備一對保護板，該保護板至少使用於藉由前述溝加工鼓輪磨石形成環繞前述半導體結晶錠的側面整體的複數條凹溝時，以保護該半導體結晶錠的兩端面。
- 一種半導體結晶晶圓的製造方法，係從研削加工成圓筒形狀的半導體結晶錠切出片狀的晶圓者，該半導體結晶晶圓的製造方法係包含：溝加工步驟，係形成環繞前述半導體結晶錠的側面整體之複數條凹溝；及切斷步驟，係使配置於前述溝加工步驟中所形成的複數條凹溝的複數條線旋繞同時前進，藉此將前述半導體結晶錠切斷成片狀；並且於前述溝加工步驟之前先執行：墊溝形成步驟，係使用溝加工鼓輪磨石於圓筒狀的研磨墊的側面整體形成複數條墊溝，該溝加工鼓輪磨石係於側面形成有對應於前述複數條凹溝的複數條凸部，且為在前述溝加工步驟中壓接於前述半導體結晶錠而使用者，該研磨墊 係用以研磨藉由該溝加工步驟所形成的前述複數條凹溝，且前述複數條墊溝係對應於前述複數條凸部；及線軸溝形成步驟，係使用在前述溝加工步驟中壓接於前述半導體結晶錠而使用的前述溝加工鼓輪磨石，於線鋸線軸的側面整體形成對應於前述複數條凸部的線軸溝，該線鋸線軸係使用於前述切斷步驟中供前述複數條線旋繞者；前述溝加工步驟係使前述溝加工鼓輪磨石與前述半導體結晶錠分別在相互平行的旋轉軸上旋轉的同時壓接於前述半導體結晶錠，藉此形成該凹溝，並且使藉由前述墊溝形成步驟而形成墊溝的研磨墊與前述半導體結晶錠分別在相互平行的旋轉軸上旋轉的同時壓接於前述半導體結晶錠，藉此研磨該凹溝；前述切斷步驟係藉由分別將線配置於前述線軸溝形成步驟所形成的複數條線軸溝的線鋸而將前述半導體結晶錠切斷成片狀。
- 如請求項3所述之半導體結晶晶圓的製造方法，其中，前述墊溝形成步驟係將前述溝加工鼓輪磨石壓接於圓筒狀的墊溝加工磨石的側面整體而形成對應於前述複數條凸部的墊加工溝，並且將形成有前述墊加工溝的前述墊溝加工磨石壓接於前述研磨墊的側面整體而形成對應於前述複數條凸部的複數條墊溝。
- 如請求項3或4所述之半導體結晶晶圓的製造方法，其中，前述半導體結晶錠至少於前述溝加工步驟中隔著保護該半導體結晶錠的兩端面的一對保護板而被支持成可自由旋轉。
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