JP5726061B2 - ウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
ウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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本発明の実施の形態1係るウェハ(面取りウェハ)の製造方法を、図1〜図7の工程図に基づいて説明する。
実施の形態1では、インゴット1にV字状溝3を形成する工程と、平坦部4を形成する工程とを、それぞれ異なる形状の回転砥石(第1の回転砥石21と第2の回転砥石22)を用いて個別に実行したが、図10に示すように、V字状溝3と平坦部4とを同時に形成できる形状の回転砥石を用いれば、両工程を同時に実行できる。
Claims (8)
- 炭化珪素により形成された円柱形状のインゴットの外周に、当該インゴットの厚さ方向に非対称な形状の複数の溝を形成することにより、当該複数の溝の間に、当該インゴットの厚さ方向に非対称な形状の凸部を形成する工程と、
前記複数の溝が形成された前記インゴットの外周をブラスト加工することにより、前記凸部をR(Round)形状にする工程と、
前記複数の溝の各々の底部に対応する位置で前記インゴットを切断することにより、前記凸部を側面に有するウェハを切り出す工程と、
前記ウェハの第1主面を研削することにより当該ウェハを薄板化する工程と、を備え、
薄板化された前記ウェハの側面に前記凸部の頂上部が残存する
ことを特徴とするウェハの製造方法。 - 前記インゴットから切り出された直後の前記ウェハの側面における前記凸部の頂上部の位置は、当該ウェハの厚さの中心からずれている
請求項1記載のウェハの製造方法。 - 前記凸部の頂上部は、前記薄板化されたウェハの厚さの中心付近に位置している
請求項1または請求項2記載のウェハの製造方法。 - 前記薄板化されたウェハの厚さは、前記インゴットから切り出された直後の当該ウェハの厚さの半分以下である
請求項1から請求項3のいずれか一項記載のウェハの製造方法。 - 前記ウェハを切り出す工程は、前記溝の底部の幅と同等の直径を有するワイヤーを用いてインゴットを切断することにより行われる
請求項1から請求項4のいずれか一項記載のウェハの製造方法。 - 前記ウェハを切り出す工程は、前記ワイヤーを用いた放電加工によって行われる
請求項5記載のウェハの製造方法。 - 前記ウェハの前記ワイヤーによる切断面を研磨する仕上げ処理工程をさらに備える
請求項5または請求項6記載のウェハの製造方法。 - 請求項1から請求項7のいずれか一項記載のウェハの製造方法を用いて半導体ウェハを形成する工程と、
前記半導体ウェハの第2主面に半導体素子を形成する工程とを備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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