JPH06314676A - 半導体ウエハ - Google Patents
半導体ウエハInfo
- Publication number
- JPH06314676A JPH06314676A JP10268393A JP10268393A JPH06314676A JP H06314676 A JPH06314676 A JP H06314676A JP 10268393 A JP10268393 A JP 10268393A JP 10268393 A JP10268393 A JP 10268393A JP H06314676 A JPH06314676 A JP H06314676A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- thickness
- semiconductor
- outer peripheral
- radial direction
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- Pending
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの裏面を研削し、該半導体ウエ
ハの厚さを薄くした後の工程において、当該半導体ウエ
ハに傷が付いたり割れが発生したりするのを防止するこ
とが可能な半導体ウエハを提供する。 【構成】 半導体ウエハ１の外周端部側面形状を、該半
導体ウエハ１の径方向に対して垂直な断面における該径
方向の最長部が、該半導体ウエハ１の上面２より下部、
且つ該半導体ウエハの厚さ方向中心より上部に存在した
ラウンド形状あるいはテーパー形状とする。
ハの厚さを薄くした後の工程において、当該半導体ウエ
ハに傷が付いたり割れが発生したりするのを防止するこ
とが可能な半導体ウエハを提供する。 【構成】 半導体ウエハ１の外周端部側面形状を、該半
導体ウエハ１の径方向に対して垂直な断面における該径
方向の最長部が、該半導体ウエハ１の上面２より下部、
且つ該半導体ウエハの厚さ方向中心より上部に存在した
ラウンド形状あるいはテーパー形状とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハに係り、
特に、半導体ウエハの裏面を研削し、該半導体ウエハの
厚さを薄くした後の工程において、当該半導体ウエハに
傷が付いたり割れが発生することを防止した半導体ウエ
ハに関する。
特に、半導体ウエハの裏面を研削し、該半導体ウエハの
厚さを薄くした後の工程において、当該半導体ウエハに
傷が付いたり割れが発生することを防止した半導体ウエ
ハに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体結晶から切り出した半
導体デバイス用の半導体ウエハは、所望の素子を形成す
る工程で、当該半導体ウエハが種々の製造装置等と接触
して傷付いたり、ひびが入ったりすることを防止するた
めに、前記半導体ウエハの径方向に対して垂直な断面の
該径方向端部の形状が、当該半導体ウエハの厚さの１／
２のアール（Ｒ）を描いた半円形状（丸くなった形状）
となるように、研磨治具により研磨加工（外周端部側面
の丸め加工）が施されている。即ち、半導体ウエハの外
周端部側面は、該半導体ウエハの厚さ方向中心部が外周
方向に向けてピークとなったラウンド形状となってい
る。
導体デバイス用の半導体ウエハは、所望の素子を形成す
る工程で、当該半導体ウエハが種々の製造装置等と接触
して傷付いたり、ひびが入ったりすることを防止するた
めに、前記半導体ウエハの径方向に対して垂直な断面の
該径方向端部の形状が、当該半導体ウエハの厚さの１／
２のアール（Ｒ）を描いた半円形状（丸くなった形状）
となるように、研磨治具により研磨加工（外周端部側面
の丸め加工）が施されている。即ち、半導体ウエハの外
周端部側面は、該半導体ウエハの厚さ方向中心部が外周
方向に向けてピークとなったラウンド形状となってい
る。
【０００３】近年、半導体装置の微細化及び高集積化と
同様に、半導体装置の薄膜化が要求されてきている。こ
の半導体装置の薄膜化を行う方法の一つとして、半導体
ウエハの厚さを薄くする方法が一般的に行われている。
この方法としては、例えば、半導体ウエハを半導体結晶
から切り出す際に、所望の薄い厚さで切り出す方法や、
半導体結晶から切り出した半導体デバイス用の半導体ウ
エハの裏面を研削し、該半導体ウエハを所望の薄い厚さ
にする方法、あるいは、所望の素子が形成された半導体
ウエハの裏面を研削し、該半導体ウエハを所望の薄い厚
さにする方法等が挙げられる。
同様に、半導体装置の薄膜化が要求されてきている。こ
の半導体装置の薄膜化を行う方法の一つとして、半導体
ウエハの厚さを薄くする方法が一般的に行われている。
この方法としては、例えば、半導体ウエハを半導体結晶
から切り出す際に、所望の薄い厚さで切り出す方法や、
半導体結晶から切り出した半導体デバイス用の半導体ウ
エハの裏面を研削し、該半導体ウエハを所望の薄い厚さ
にする方法、あるいは、所望の素子が形成された半導体
ウエハの裏面を研削し、該半導体ウエハを所望の薄い厚
さにする方法等が挙げられる。
【０００４】しかしながら、前記半導体ウエハを所望の
薄い厚さで切り出す方法や、切り出した半導体ウエハの
裏面を研削し、該半導体ウエハを所望の薄い厚さにする
方法は、後の工程で当該半導体ウエハに所望の素子を形
成する際に、該半導体ウエハに反りが生じ易いという問
題があった。そこで近年では、所望の素子が形成された
組み立て工程前の半導体ウエハの裏面を研削し、該半導
体ウエハを所望の薄い厚さにする方法等が一般的に行わ
れている。
薄い厚さで切り出す方法や、切り出した半導体ウエハの
裏面を研削し、該半導体ウエハを所望の薄い厚さにする
方法は、後の工程で当該半導体ウエハに所望の素子を形
成する際に、該半導体ウエハに反りが生じ易いという問
題があった。そこで近年では、所望の素子が形成された
組み立て工程前の半導体ウエハの裏面を研削し、該半導
体ウエハを所望の薄い厚さにする方法等が一般的に行わ
れている。
【０００５】そして、この半導体ウエハの薄膜化工程で
は、通常、所望素子を形成した後、組み立て工程前に、
当該半導体ウエハの厚さが１／２以下程度となるまで、
該半導体ウエハの裏面の研削が行われている。
は、通常、所望素子を形成した後、組み立て工程前に、
当該半導体ウエハの厚さが１／２以下程度となるまで、
該半導体ウエハの裏面の研削が行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記組
み立て工程前に半導体ウエハの裏面を研削して厚さを調
整する従来例は、通常、半導体ウエハの厚さが１／２以
下程度となるまで研削が行われるため、前記研削前の半
導体ウエハの外周端部側面に形成されていたラウンド形
状が崩れ、半導体ウエハの下面が、該半導体ウエハの外
周端部側面のうち最も外周に向けて突出した形状とな
る。従って、研削後の半導体ウエハの下面と外周端部側
面とが形成する角が鋭角な状態（先端が尖った状態）と
なるため、後の工程中に、この部分が種々の装置等に接
触して傷付いたり、欠けたり、割れたりし易く、歩留り
が低下するという問題があった。
み立て工程前に半導体ウエハの裏面を研削して厚さを調
整する従来例は、通常、半導体ウエハの厚さが１／２以
下程度となるまで研削が行われるため、前記研削前の半
導体ウエハの外周端部側面に形成されていたラウンド形
状が崩れ、半導体ウエハの下面が、該半導体ウエハの外
周端部側面のうち最も外周に向けて突出した形状とな
る。従って、研削後の半導体ウエハの下面と外周端部側
面とが形成する角が鋭角な状態（先端が尖った状態）と
なるため、後の工程中に、この部分が種々の装置等に接
触して傷付いたり、欠けたり、割れたりし易く、歩留り
が低下するという問題があった。
【０００７】本発明は、このような従来の問題点を解決
することを課題とするものであり、半導体ウエハの裏面
を研削し、該半導体ウエハの厚さを薄くした後の工程に
おいて、当該半導体ウエハに傷が付いたり割れが発生し
たりするのを防止することが可能な半導体ウエハを提供
することを目的とする。
することを課題とするものであり、半導体ウエハの裏面
を研削し、該半導体ウエハの厚さを薄くした後の工程に
おいて、当該半導体ウエハに傷が付いたり割れが発生し
たりするのを防止することが可能な半導体ウエハを提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、半導体結晶から切り出され、側面に研磨
加工が施された半導体デバイス用の半導体ウエハにおい
て、前記半導体ウエハの径方向に対して垂直な断面にお
ける該径方向の最長部が、該半導体ウエハの上面より下
部、且つ該半導体ウエハの厚さ方向中心より上部に存在
することを特徴とする半導体ウエハを提供するものであ
る。
に、本発明は、半導体結晶から切り出され、側面に研磨
加工が施された半導体デバイス用の半導体ウエハにおい
て、前記半導体ウエハの径方向に対して垂直な断面にお
ける該径方向の最長部が、該半導体ウエハの上面より下
部、且つ該半導体ウエハの厚さ方向中心より上部に存在
することを特徴とする半導体ウエハを提供するものであ
る。
【０００９】
【作用】本発明に係る半導体ウエハは、半導体ウエハの
径方向に対して垂直な断面における該径方向の最長部
が、該半導体ウエハの上面より下部、且つ該半導体ウエ
ハの厚さ方向中心より上部に存在するため、当該半導体
ウエハの厚さが１／２以下程度となるまで、該半導体ウ
エハの裏面を研削しても、研削後の半導体ウエハの外周
端部側面に、前記研削前の半導体ウエハの径方向に対し
て垂直な断面における該径方向の最長部を存在させてお
くことができる。従って、研削後の半導体ウエハの下面
と外周端部側面とが形成する角が鋭角となる（先端の尖
った形状）ことがなく、且つ当該外周端部側面に鋭角な
形状が形成されることがない。このため、前記半導体ウ
エハが種々の製造装置等と接触して傷付いたり、欠けた
り、割れたりすることを防止することができる。
径方向に対して垂直な断面における該径方向の最長部
が、該半導体ウエハの上面より下部、且つ該半導体ウエ
ハの厚さ方向中心より上部に存在するため、当該半導体
ウエハの厚さが１／２以下程度となるまで、該半導体ウ
エハの裏面を研削しても、研削後の半導体ウエハの外周
端部側面に、前記研削前の半導体ウエハの径方向に対し
て垂直な断面における該径方向の最長部を存在させてお
くことができる。従って、研削後の半導体ウエハの下面
と外周端部側面とが形成する角が鋭角となる（先端の尖
った形状）ことがなく、且つ当該外周端部側面に鋭角な
形状が形成されることがない。このため、前記半導体ウ
エハが種々の製造装置等と接触して傷付いたり、欠けた
り、割れたりすることを防止することができる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明に係る実施例について、図面を
参照して説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導
体ウエハの部分断面図である。図１に示す半導体ウエハ
１は、後に行う種々の工程において、当該半導体ウエハ
１が製造装置等と接触して傷付いたり、ひびが入ったり
することを防止するために、前記半導体ウエハ１の外周
端部側面を丸く加工したラウンド形状を備えている。こ
のラウンド形状は、前記半導体ウエハ１の径方向に対し
て垂直な断面における該径方向の最長部が、当該半導体
ウエハ１の上面２より下部、且つ該半導体ウエハ１の厚
さ方向中心より上部に存在し、半導体ウエハ１の厚さ方
向中心線に対して非対称な形状を有している。
参照して説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導
体ウエハの部分断面図である。図１に示す半導体ウエハ
１は、後に行う種々の工程において、当該半導体ウエハ
１が製造装置等と接触して傷付いたり、ひびが入ったり
することを防止するために、前記半導体ウエハ１の外周
端部側面を丸く加工したラウンド形状を備えている。こ
のラウンド形状は、前記半導体ウエハ１の径方向に対し
て垂直な断面における該径方向の最長部が、当該半導体
ウエハ１の上面２より下部、且つ該半導体ウエハ１の厚
さ方向中心より上部に存在し、半導体ウエハ１の厚さ方
向中心線に対して非対称な形状を有している。
【００１１】この半導体ウエハ１は、所望の素子を形成
した後に、当該半導体ウエハ１の裏面を研削し、該半導
体ウエハ１の厚さを１／２以下程度まで薄くすることを
想定して、前記ラウンド形状のピーク（半導体ウエハ１
の外周方向に最も突出した部分、即ち、該半導体ウエハ
１の径方向に対して垂直な断面における該径方向の最長
部）を、当該半導体ウエハ１の上面２より下部、且つ該
半導体ウエハ１の厚さ方向中心より上部に存在させてい
る。このため、半導体ウエハ１の厚さが１／２以下程度
となるまで当該半導体ウエハ１の裏面を研削しても、半
導体ウエハ１の裏面３と外周端部側面とが形成する角が
鋭角となることがないため、研削後の半導体ウエハ１が
傷付いたり、欠けたり、割れたりすることを防止するこ
とができる。
した後に、当該半導体ウエハ１の裏面を研削し、該半導
体ウエハ１の厚さを１／２以下程度まで薄くすることを
想定して、前記ラウンド形状のピーク（半導体ウエハ１
の外周方向に最も突出した部分、即ち、該半導体ウエハ
１の径方向に対して垂直な断面における該径方向の最長
部）を、当該半導体ウエハ１の上面２より下部、且つ該
半導体ウエハ１の厚さ方向中心より上部に存在させてい
る。このため、半導体ウエハ１の厚さが１／２以下程度
となるまで当該半導体ウエハ１の裏面を研削しても、半
導体ウエハ１の裏面３と外周端部側面とが形成する角が
鋭角となることがないため、研削後の半導体ウエハ１が
傷付いたり、欠けたり、割れたりすることを防止するこ
とができる。
【００１２】次に、本実施例に係る半導体ウエハ１の製
造方法について図面を参照して説明する。図２は、本実
施例に係る半導体ウエハ１の外周端部側面を研磨加工
（外周端部側面の丸め加工）する工程を示す図である。
先ず、半導体結晶から６２５μｍの厚さの半導体ウエハ
１を切り出した後、図２に示す研磨加工装置１４を用
い、半導体ウエハ１をウエハ載置台５上の所定位置に載
置し、研磨加工装置１４及びウエハ載置台５を回転させ
ながら当該半導体ウエハ１の外周端部側面の研磨加工を
行う。
造方法について図面を参照して説明する。図２は、本実
施例に係る半導体ウエハ１の外周端部側面を研磨加工
（外周端部側面の丸め加工）する工程を示す図である。
先ず、半導体結晶から６２５μｍの厚さの半導体ウエハ
１を切り出した後、図２に示す研磨加工装置１４を用
い、半導体ウエハ１をウエハ載置台５上の所定位置に載
置し、研磨加工装置１４及びウエハ載置台５を回転させ
ながら当該半導体ウエハ１の外周端部側面の研磨加工を
行う。
【００１３】この研磨加工装置１４は、従来の研磨加工
装置であって、研磨治具４のみを取り替えたものであ
る。前記研磨治具４は、その研磨面のアールが、上部に
行くほど短く下部に行くほど長く、上下方向の中心線に
対して非対称な形状となっている。本実施例では、厚さ
６２５μｍを半導体ウエハ１を研磨加工した際に、図３
に示すように、半導体ウエハ１の外周端部側面のラウン
ド形状のピークが該半導体ウエハ１の上面２から１５０
μｍ下がった位置となり、半導体ウエハ１の厚さ方向中
心線に対して非対称なラウンド形状を形成することが可
能なアールを備えた研磨治具４を使用した。この工程に
より、図３に示す形状を備えた半導体ウエハ１を製造し
た。
装置であって、研磨治具４のみを取り替えたものであ
る。前記研磨治具４は、その研磨面のアールが、上部に
行くほど短く下部に行くほど長く、上下方向の中心線に
対して非対称な形状となっている。本実施例では、厚さ
６２５μｍを半導体ウエハ１を研磨加工した際に、図３
に示すように、半導体ウエハ１の外周端部側面のラウン
ド形状のピークが該半導体ウエハ１の上面２から１５０
μｍ下がった位置となり、半導体ウエハ１の厚さ方向中
心線に対して非対称なラウンド形状を形成することが可
能なアールを備えた研磨治具４を使用した。この工程に
より、図３に示す形状を備えた半導体ウエハ１を製造し
た。
【００１４】次に、図２に示す工程で得た半導体ウエハ
１の表面に、所望の素子を形成した後、組み立て工程前
に、半導体ウエハ１の裏面を研削し、該半導体ウエハ１
の厚さを３００μｍまで薄くする。ここで、研削後の半
導体ウエハ１は、外周端部側面のラウンド形状のピーク
が上面３から１５０μｍ下がった位置にあるため、外周
端部側面のラウンド形状を残すことができ、半導体ウエ
ハの裏面３と外周端部側面とが形成する角を鈍角にする
ことができる。
１の表面に、所望の素子を形成した後、組み立て工程前
に、半導体ウエハ１の裏面を研削し、該半導体ウエハ１
の厚さを３００μｍまで薄くする。ここで、研削後の半
導体ウエハ１は、外周端部側面のラウンド形状のピーク
が上面３から１５０μｍ下がった位置にあるため、外周
端部側面のラウンド形状を残すことができ、半導体ウエ
ハの裏面３と外周端部側面とが形成する角を鈍角にする
ことができる。
【００１５】なお、本実施例では、厚さが６２５μｍの
半導体ウエハ１を３００μｍまで薄くする場合について
説明したが、これに限らず、研削後の半導体ウエハ１の
厚さは、所望により決定してよい。また、本実施例で
は、半導体ウエハ１の外周部側面に形成したラウンド形
状のピークを上面２から１５０μｍ下がった位置に設定
したが、これに限らず、ラウンド形状のピークは、半導
体ウエハ１の上面２より下部、且つ該半導体ウエハ１の
厚さ方向中心より上部に存在させればよい。
半導体ウエハ１を３００μｍまで薄くする場合について
説明したが、これに限らず、研削後の半導体ウエハ１の
厚さは、所望により決定してよい。また、本実施例で
は、半導体ウエハ１の外周部側面に形成したラウンド形
状のピークを上面２から１５０μｍ下がった位置に設定
したが、これに限らず、ラウンド形状のピークは、半導
体ウエハ１の上面２より下部、且つ該半導体ウエハ１の
厚さ方向中心より上部に存在させればよい。
【００１６】そして、本実施例では、外周端部側面にラ
ウンド形状が形成された半導体ウエハ１について説明し
たが、これに限らず、例えば、図４に示すように、半導
体ウエハ１の外周端部側面を、半導体ウエハ１の径方向
に対して垂直な断面における該径方向の最長部が、該半
導体ウエハ１の上面より下部、且つ該半導体ウエハの厚
さ方向中心より上部に存在するように、当該厚さ方向中
心線に対して非対称に面取りする等、前記外周端部側面
に鋭角な形状が存在せず且つ前記条件を満たせば、外周
端部側面は他の形状としてもよい。
ウンド形状が形成された半導体ウエハ１について説明し
たが、これに限らず、例えば、図４に示すように、半導
体ウエハ１の外周端部側面を、半導体ウエハ１の径方向
に対して垂直な断面における該径方向の最長部が、該半
導体ウエハ１の上面より下部、且つ該半導体ウエハの厚
さ方向中心より上部に存在するように、当該厚さ方向中
心線に対して非対称に面取りする等、前記外周端部側面
に鋭角な形状が存在せず且つ前記条件を満たせば、外周
端部側面は他の形状としてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウエハは、径方向に対して垂直な断面における該径方
向の最長部が、該半導体ウエハの上面より下部、且つ該
半導体ウエハの厚さ方向中心より上部に存在するため、
当該半導体ウエハの裏面を研削して該半導体ウエハの厚
さを薄くしても、研削後の半導体ウエハの外周端部側面
に、前記研削前の半導体ウエハの径方向に対して垂直な
断面における該径方向の最長部を存在させておくことが
できる。従って、研削後の半導体ウエハの下面と外周端
部側面とが形成する角を鈍角にすることができるため、
当該半導体ウエハが種々の製造装置等と接触して傷付い
たり、欠けたり、割れたりすることを防止することがで
きる。この結果、製品の歩留りを大幅に向上することが
できる。
体ウエハは、径方向に対して垂直な断面における該径方
向の最長部が、該半導体ウエハの上面より下部、且つ該
半導体ウエハの厚さ方向中心より上部に存在するため、
当該半導体ウエハの裏面を研削して該半導体ウエハの厚
さを薄くしても、研削後の半導体ウエハの外周端部側面
に、前記研削前の半導体ウエハの径方向に対して垂直な
断面における該径方向の最長部を存在させておくことが
できる。従って、研削後の半導体ウエハの下面と外周端
部側面とが形成する角を鈍角にすることができるため、
当該半導体ウエハが種々の製造装置等と接触して傷付い
たり、欠けたり、割れたりすることを防止することがで
きる。この結果、製品の歩留りを大幅に向上することが
できる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体ウエハの部分断面
図である。
図である。
【図２】本実施例に係る半導体ウエハ１の外周端部側面
を研磨加工する工程を示す図である。
を研磨加工する工程を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体ウエハの部分断面
図である。
図である。
【図４】本発明の他の実施例に係る半導体ウエハの部分
断面図である。
断面図である。
１ 半導体ウエハ ２ 上面 ３ 裏面 ４ 研磨治具 ５ ウエハ載置台 １４ 研磨加工装置
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体結晶から切り出され、側面に研磨
加工が施された半導体デバイス用の半導体ウエハにおい
て、 前記半導体ウエハの径方向に対して垂直な断面における
該径方向の最長部が、該半導体ウエハの上面より下部、
且つ該半導体ウエハの厚さ方向中心より上部に存在する
ことを特徴とする半導体ウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268393A JPH06314676A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268393A JPH06314676A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314676A true JPH06314676A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14334040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10268393A Pending JPH06314676A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06314676A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345435A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法、並びにその貼り合わせウェーハ |
| JP2004096108A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 非対称的エッジプロファイルを有した半導体ウェーハ及びその製造方法 |
| JP2007335521A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ外周部研削方法 |
| JP2011071254A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素基板およびその製造方法 |
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| CN104952719A (zh) * | 2014-03-25 | 2015-09-30 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种半导体芯片台面造型方法 |
| CN111463111A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-07-28 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 | 一种边缘便于识别的无损单晶片及其标记方法和专用砂轮 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP10268393A patent/JPH06314676A/ja active Pending
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