JPH076984A - 単結晶ウェーハの製造方法 - Google Patents
単結晶ウェーハの製造方法Info
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- JPH076984A JPH076984A JP14738593A JP14738593A JPH076984A JP H076984 A JPH076984 A JP H076984A JP 14738593 A JP14738593 A JP 14738593A JP 14738593 A JP14738593 A JP 14738593A JP H076984 A JPH076984 A JP H076984A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 デバイス化工程等による割れ率の低減を図る
ことを可能にした単結晶ウェーハの製造方法を提供す
る。 【構成】 単結晶ボールをスライス加工する工程(101)
と、スライス加工により作製されたウェーハの両面をラ
ップ加工する工程(102) と、ラップ加工されたウェーハ
の裏面を粗し加工する工程(103) と、ウェーハの他方の
表面を鏡面研磨加工する工程(105) とを有する単結晶ウ
ェーハの製造方法において、裏面粗し加工工程後に、ウ
ェーハの外周面取り加工(104) を行う。
ことを可能にした単結晶ウェーハの製造方法を提供す
る。 【構成】 単結晶ボールをスライス加工する工程(101)
と、スライス加工により作製されたウェーハの両面をラ
ップ加工する工程(102) と、ラップ加工されたウェーハ
の裏面を粗し加工する工程(103) と、ウェーハの他方の
表面を鏡面研磨加工する工程(105) とを有する単結晶ウ
ェーハの製造方法において、裏面粗し加工工程後に、ウ
ェーハの外周面取り加工(104) を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶ウェーハの製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波装置のような表面波デバイス
は、圧電性を呈する LiTaO3 単結晶ウェーハや LiNbO3
単結晶ウェーハ等を基板とし、このような基板の一主面
にインターデジタル形状のトランスジューサを設けるこ
とによって構成されている。このような構成において
は、トランスジューサで弾性表面波を励受信する形とな
っているが、同時にバルク波等の不要波（障害波）も励
受信し、周波数特性におけるスプリアス妨害を引き起こ
してしまう。そこで、表面波デバイス用の単結晶ウェー
ハにおいては、粗い研磨材による研磨やホーニング加工
等によって、裏面全面を粗している。
は、圧電性を呈する LiTaO3 単結晶ウェーハや LiNbO3
単結晶ウェーハ等を基板とし、このような基板の一主面
にインターデジタル形状のトランスジューサを設けるこ
とによって構成されている。このような構成において
は、トランスジューサで弾性表面波を励受信する形とな
っているが、同時にバルク波等の不要波（障害波）も励
受信し、周波数特性におけるスプリアス妨害を引き起こ
してしまう。そこで、表面波デバイス用の単結晶ウェー
ハにおいては、粗い研磨材による研磨やホーニング加工
等によって、裏面全面を粗している。
【０００３】上記したような表面波デバイス用の単結晶
ウェーハは、従来、単結晶ボールをスライス加工してウ
ェーハ状とし、このウェーハの両面をラップ加工した
後、上述した裏面粗し加工を行い、さらに表面の鏡面加
工を行って作製していた。また、単結晶ウェーハの外周
面には、スライス工程やラップ工程等により微小なクラ
ックが生じると共に、熱歪みが残留しており、その後の
製造工程におけるウェーハの割れ要因となるため、通
常、単結晶ウェーハの外周面には面取り加工を施してい
る。従来の単結晶ウェーハの製造工程において、上記外
周面取り加工は、スライス工程またはラップ工程を行っ
た後に実施していた。
ウェーハは、従来、単結晶ボールをスライス加工してウ
ェーハ状とし、このウェーハの両面をラップ加工した
後、上述した裏面粗し加工を行い、さらに表面の鏡面加
工を行って作製していた。また、単結晶ウェーハの外周
面には、スライス工程やラップ工程等により微小なクラ
ックが生じると共に、熱歪みが残留しており、その後の
製造工程におけるウェーハの割れ要因となるため、通
常、単結晶ウェーハの外周面には面取り加工を施してい
る。従来の単結晶ウェーハの製造工程において、上記外
周面取り加工は、スライス工程またはラップ工程を行っ
た後に実施していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな外周面取り加工を、スライス加工工程またはラップ
加工工程の後に行った従来の単結晶ウェーハは、その後
裏面粗し加工工程、表面鏡面加工工程、さらにはデバイ
ス化工程に供されるが、このような従来の単結晶ウェー
ハは、デバイス化工程等で割れ率が常に 5〜6%程度発生
するという問題を有していた。
うな外周面取り加工を、スライス加工工程またはラップ
加工工程の後に行った従来の単結晶ウェーハは、その後
裏面粗し加工工程、表面鏡面加工工程、さらにはデバイ
ス化工程に供されるが、このような従来の単結晶ウェー
ハは、デバイス化工程等で割れ率が常に 5〜6%程度発生
するという問題を有していた。
【０００５】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、デバイス化工程等による割れ率の低
減を図ることを可能にした単結晶ウェーハの製造方法を
提供することを目的としている。
になされたもので、デバイス化工程等による割れ率の低
減を図ることを可能にした単結晶ウェーハの製造方法を
提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するために、単結晶ウェーハの各製造工程について
詳細に検討した結果、裏面粗し加工により、ウェーハ外
周部は大きなダメージを受けて、外周面や裏面側角部に
クラックが発生したり、また面取り形状が変形し、これ
らがその後の工程における割れの発生要因となることを
見出した。
達成するために、単結晶ウェーハの各製造工程について
詳細に検討した結果、裏面粗し加工により、ウェーハ外
周部は大きなダメージを受けて、外周面や裏面側角部に
クラックが発生したり、また面取り形状が変形し、これ
らがその後の工程における割れの発生要因となることを
見出した。
【０００７】本発明は、上記知見に基いて成されたもの
で、本発明の単結晶ウェーハの製造方法は、単結晶ボー
ルをスライス加工する工程と、前記スライス加工により
作製されたウェーハの両面をラップ加工する工程と、前
記ラップ加工されたウェーハの裏面を粗し加工する工程
と、前記ウェーハの表面を鏡面研磨加工する工程とを有
する単結晶ウェーハの製造方法において、前記裏面粗し
加工工程後に、前記ウェーハの外周面取り加工を行うこ
とを特徴としている。
で、本発明の単結晶ウェーハの製造方法は、単結晶ボー
ルをスライス加工する工程と、前記スライス加工により
作製されたウェーハの両面をラップ加工する工程と、前
記ラップ加工されたウェーハの裏面を粗し加工する工程
と、前記ウェーハの表面を鏡面研磨加工する工程とを有
する単結晶ウェーハの製造方法において、前記裏面粗し
加工工程後に、前記ウェーハの外周面取り加工を行うこ
とを特徴としている。
【０００８】本発明の単結晶ウェーハの製造方法につい
て、図１を参照して、より詳細に説明する。本発明の製
造方法においては、まず単結晶ボールを所定の厚さにス
ライス加工（図１-101）してウェーハ状とし、このウェ
ーハの両面をラップ加工（図１-102）する。このスライ
ス加工とラップ加工は、従来と同様に行えばよい。次い
で、ラップ加工したウェーハの裏面に対して、比較的粗
い遊離砥粒を用いて研磨したり、また遊離砥粒を直接吹
き付ける等によって、例えば中心線平均粗さＲa が2.0
μm 以上となるように粗し加工（図１-103）を施す。
て、図１を参照して、より詳細に説明する。本発明の製
造方法においては、まず単結晶ボールを所定の厚さにス
ライス加工（図１-101）してウェーハ状とし、このウェ
ーハの両面をラップ加工（図１-102）する。このスライ
ス加工とラップ加工は、従来と同様に行えばよい。次い
で、ラップ加工したウェーハの裏面に対して、比較的粗
い遊離砥粒を用いて研磨したり、また遊離砥粒を直接吹
き付ける等によって、例えば中心線平均粗さＲa が2.0
μm 以上となるように粗し加工（図１-103）を施す。
【０００９】ここで、図２に示すように、ラップ加工後
のウエーハ１は、単結晶ボールの外周丸め加工、スライ
ス加工およびラップ加工時の加工ダメージを受け、その
外周面１ａには微小なクラック２ａ（例えば 5〜10μm
程度の深さのクラック）が多数発生する。また、図３に
示すように、裏面（１ｂ）粗し加工後のウエーハ１は、
砥粒のダメージを受けて、その外周面１ａや裏面１ｂ側
角部１ｃに、例えば50〜 100μm 程度の深さのクラック
２ｂが多数発生する。
のウエーハ１は、単結晶ボールの外周丸め加工、スライ
ス加工およびラップ加工時の加工ダメージを受け、その
外周面１ａには微小なクラック２ａ（例えば 5〜10μm
程度の深さのクラック）が多数発生する。また、図３に
示すように、裏面（１ｂ）粗し加工後のウエーハ１は、
砥粒のダメージを受けて、その外周面１ａや裏面１ｂ側
角部１ｃに、例えば50〜 100μm 程度の深さのクラック
２ｂが多数発生する。
【００１０】よって、本発明の製造方法においては、上
記裏面粗し加工工程後に、ウエーハ外周面１ａの面取り
加工（図１-104）を行い、その後ウエーハ表面１ｄの鏡
面研磨加工（図１-105）を行う。外周面取り加工は、外
周面１ａからの加工量が 0.1mm以上となるように行うこ
とが好ましく、さらに好ましくは 0.2mm以上である。こ
の加工量があまり少ないと、上記裏面粗し加工によるク
ラック２ｂを十分に除去することができない。面取り加
工の形状は、特に限定されるものではなく、Ｒ形状やＣ
面取り形状等を適用することができる。
記裏面粗し加工工程後に、ウエーハ外周面１ａの面取り
加工（図１-104）を行い、その後ウエーハ表面１ｄの鏡
面研磨加工（図１-105）を行う。外周面取り加工は、外
周面１ａからの加工量が 0.1mm以上となるように行うこ
とが好ましく、さらに好ましくは 0.2mm以上である。こ
の加工量があまり少ないと、上記裏面粗し加工によるク
ラック２ｂを十分に除去することができない。面取り加
工の形状は、特に限定されるものではなく、Ｒ形状やＣ
面取り形状等を適用することができる。
【００１１】このように、裏面粗し加工工程後に、ウエ
ーハ外周面１ａの面取り加工を行うことによって、より
大きなダメージを及ぼす裏面粗し加工の影響を排除する
ことができ、ウェーハ外周面１ａのクラックや割れ、さ
らには面取り形状の変形等のない健全な単結晶ウェーハ
を得ることが可能となる。逆に、ウエーハの外周面取り
加工を行った後に、裏面粗し加工を行うと、裏面粗し加
工に伴うクラック等がそのまま残った単結晶ウェーハと
なってしまう。
ーハ外周面１ａの面取り加工を行うことによって、より
大きなダメージを及ぼす裏面粗し加工の影響を排除する
ことができ、ウェーハ外周面１ａのクラックや割れ、さ
らには面取り形状の変形等のない健全な単結晶ウェーハ
を得ることが可能となる。逆に、ウエーハの外周面取り
加工を行った後に、裏面粗し加工を行うと、裏面粗し加
工に伴うクラック等がそのまま残った単結晶ウェーハと
なってしまう。
【００１２】本発明の単結晶ウェーハの製造方法は、裏
面粗し加工を必要とする種々の単結晶ウェーハに適用す
ることができ、例えば LiTaO3 単結晶ウェーハや LiNbO
3 単結晶ウェーハ等の製造に好適である。
面粗し加工を必要とする種々の単結晶ウェーハに適用す
ることができ、例えば LiTaO3 単結晶ウェーハや LiNbO
3 単結晶ウェーハ等の製造に好適である。
【００１３】
【作用】本発明の単結晶ウェーハの製造方法において
は、裏面粗し加工工程後にウエーハの外周面取り加工を
行っているため、裏面粗し加工に起因するクラック等も
含めて、外周面取り加工によって、外周面のクラックや
熱歪み等を除去することができる。よって、ウェーハ外
周面にクラックや割れ等がなく、また面取り形状の変形
等もない健全な単結晶ウェーハを得ることが可能とな
る。これによって、その後のデバイス化工程等における
ウェーハの割れ率を最小限に抑えることができる。
は、裏面粗し加工工程後にウエーハの外周面取り加工を
行っているため、裏面粗し加工に起因するクラック等も
含めて、外周面取り加工によって、外周面のクラックや
熱歪み等を除去することができる。よって、ウェーハ外
周面にクラックや割れ等がなく、また面取り形状の変形
等もない健全な単結晶ウェーハを得ることが可能とな
る。これによって、その後のデバイス化工程等における
ウェーハの割れ率を最小限に抑えることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１５】実施例 まず、 LiTaO3 単結晶ボールをスライス加工してウェー
ハ状とした後、このウェーハの両面をラップ加工した。
次いで、粒径60〜 120μm の溶融アルミナ砥粒を用い
て、上記ウェーハの裏面がＲa =2.2μm となるように粗
し加工を施した。この裏面粗し加工を行った厚さ 395μ
m の LiTaO3 ウェーハの外周面取り加工を行った。外周
面取り加工は、Ｒ形砥石（半径:0.125mm、テーパ角度：
22°、番定：＃ 800）を用いて、ウェーハ径が 200μm
除去されるように行った。この後、ウェーハ表面の鏡面
研磨加工を行って、 LiTaO3 単結晶ウェーハを得た。
ハ状とした後、このウェーハの両面をラップ加工した。
次いで、粒径60〜 120μm の溶融アルミナ砥粒を用い
て、上記ウェーハの裏面がＲa =2.2μm となるように粗
し加工を施した。この裏面粗し加工を行った厚さ 395μ
m の LiTaO3 ウェーハの外周面取り加工を行った。外周
面取り加工は、Ｒ形砥石（半径:0.125mm、テーパ角度：
22°、番定：＃ 800）を用いて、ウェーハ径が 200μm
除去されるように行った。この後、ウェーハ表面の鏡面
研磨加工を行って、 LiTaO3 単結晶ウェーハを得た。
【００１６】このようにして得た LiTaO3 単結晶ウェー
ハの外周面およびその断面を観察したところ、図４に示
すように、図３で示した50〜 100μm 程度の深さのクラ
ックはなく、端部形状（面取り形状）も均一であった。
また、上記 LiTaO3 単結晶ウェーハをデバイス化工程に
供した結果、ウェーハの割れ率は0.1%と良好な値を示し
た。
ハの外周面およびその断面を観察したところ、図４に示
すように、図３で示した50〜 100μm 程度の深さのクラ
ックはなく、端部形状（面取り形状）も均一であった。
また、上記 LiTaO3 単結晶ウェーハをデバイス化工程に
供した結果、ウェーハの割れ率は0.1%と良好な値を示し
た。
【００１７】比較例 LiTaO3 単結晶ボールをスライス加工してウェーハ状と
した後、このウェーハの両面を粒径 5.9〜 7.1μm の炭
化ケイ素遊離砥粒を用いて、厚さ 400μm となるように
ラップ加工した。次いで、上記ウェーハの外周面取り加
工を、実施例１と同一条件で行った。この後、粒径60〜
120μm の溶融アルミナ砥粒を用いて、上記ウェーハの
裏面がＲa =2.2μm となるように粗し加工を施し、さら
にウェーハ表面の鏡面研磨加工を行って、 LiTaO3 単結
晶ウェーハを得た。
した後、このウェーハの両面を粒径 5.9〜 7.1μm の炭
化ケイ素遊離砥粒を用いて、厚さ 400μm となるように
ラップ加工した。次いで、上記ウェーハの外周面取り加
工を、実施例１と同一条件で行った。この後、粒径60〜
120μm の溶融アルミナ砥粒を用いて、上記ウェーハの
裏面がＲa =2.2μm となるように粗し加工を施し、さら
にウェーハ表面の鏡面研磨加工を行って、 LiTaO3 単結
晶ウェーハを得た。
【００１８】このようにして得た LiTaO3 単結晶ウェー
ハの外周面およびその断面を観察したところ、図５に示
すように、ウエーハ１の裏面側角部１ｃに欠けが生じる
等によって面取り形状は大きく変形し、さらに深さ30〜
50μm 程度のクラック２が多数生じていた。また、上記
LiTaO3 単結晶ウェーハをデバイス化工程に供した結
果、ウェーハの割れ率は5%であった。
ハの外周面およびその断面を観察したところ、図５に示
すように、ウエーハ１の裏面側角部１ｃに欠けが生じる
等によって面取り形状は大きく変形し、さらに深さ30〜
50μm 程度のクラック２が多数生じていた。また、上記
LiTaO3 単結晶ウェーハをデバイス化工程に供した結
果、ウェーハの割れ率は5%であった。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ク
ラックや面取り形状の変形等のない健全な単結晶ウェー
ハが得られる。このような単結晶ウェーハを用いること
によって、その後のデバイス化工程等における割れ率を
大幅に低下させることが可能となる。
ラックや面取り形状の変形等のない健全な単結晶ウェー
ハが得られる。このような単結晶ウェーハを用いること
によって、その後のデバイス化工程等における割れ率を
大幅に低下させることが可能となる。
【図１】 本発明による単結晶ウェーハの製造工程を示
す図である。
す図である。
【図２】 ラップ加工後の単結晶ウェーハの状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】 裏面粗し加工後の単結晶ウェーハの状態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】 本発明の一実施例で作製した単結晶ウェーハ
の状態を示す断面図である。
の状態を示す断面図である。
【図５】 従来法により作製した単結晶ウェーハの状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１………単結晶ウエーハ １ａ……外周面 １ｂ……裏面 １ｃ……裏面側角部 １ｄ……表面 ２………クラック
Claims (1)
- 【請求項１】 単結晶ボールをスライス加工する工程
と、前記スライス加工により作製されたウェーハの両面
をラップ加工する工程と、前記ラップ加工されたウェー
ハの裏面を粗し加工する工程と、前記ウェーハの表面を
鏡面研磨加工する工程とを有する単結晶ウェーハの製造
方法において、 前記裏面粗し加工工程後に、前記ウェーハの外周面取り
加工を行うことを特徴とする単結晶ウェーハの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14738593A JP3286020B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 単結晶ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14738593A JP3286020B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 単結晶ウェーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076984A true JPH076984A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3286020B2 JP3286020B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=15429065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14738593A Expired - Fee Related JP3286020B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 単結晶ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3286020B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001035450A1 (fr) * | 1999-11-08 | 2001-05-17 | Nikko Materials Co., Ltd. | Tranche de semi-conducteur |
| KR20010078289A (ko) * | 2000-02-03 | 2001-08-20 | 게르트 켈러 | 연마에지를 가진 반도체웨이퍼의 제조방법 |
| JP2001332949A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP2006211759A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | East Japan Railway Co | 交流電圧調整装置 |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP14738593A patent/JP3286020B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001035450A1 (fr) * | 1999-11-08 | 2001-05-17 | Nikko Materials Co., Ltd. | Tranche de semi-conducteur |
| KR20010078289A (ko) * | 2000-02-03 | 2001-08-20 | 게르트 켈러 | 연마에지를 가진 반도체웨이퍼의 제조방법 |
| JP2001332949A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP2006211759A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | East Japan Railway Co | 交流電圧調整装置 |
| JP4671220B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2011-04-13 | 東日本旅客鉄道株式会社 | 交流電圧調整装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3286020B2 (ja) | 2002-05-27 |
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