JP2022178554A - 粗面圧電性基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、この欠けはLT結晶のへき開方向に割れていることが確認された。
(1)へき開面を有する圧電性基板の1面の平坦加工を実施する工程、および砥粒の噴射方向と前記圧電性基板のへき開面との成す角度が30°以下となるように砥粒を前記1面に噴射して前記1面の粗面化処理を実施する工程、を含む粗面圧電性基板の製造方法。
(2)前記平坦加工は、ラップ処理または研削処理または研磨処理のうち少なくとも1つの処理を含むことを特徴とする上記(1)に記載の粗面圧電性基板の製造方法。
(3)前記粗面化処理がサンドブラスト処理であることを特徴とする上記(1)または(2)に記載の粗面圧電性基板の製造方法。
(4)前記砥粒がアルミナであることを特徴とする上記(1)~(3)のいずれか1つに記載の粗面圧電性基板の製造方法。
(5)前記圧電性基板がタンタル酸リチウムであることを特徴とする上記(1)~(4)のいずれか1つに記載の粗面圧電性基板の製造方法。
(6)前記圧電性基板は36°以上、50°以下の回転Yカット基板であることを特徴とする上記(5)に記載の粗面圧電性基板の製造方法。
はじめに、CZ法により引上げられた4インチ径のLT単結晶インゴットを42°の回転Yカット面となる方位に調整してスライスし、面取り、ラップ、研磨処理を行い、厚さ200μmの42°Y面を主面とするLT基板を作製した。研磨処理した面をAFMの□10μm視野で測定したところ算術平均表面粗さRaは0.4nmであった。+X軸方向にオリフラも作製した。
実施例1同様にLT基板を作製した。
実施例1同様にLT基板を作製した。
CZ法により引上げられた4インチ径のLT単結晶インゴットを36°の回転Yカット面となる方位に調整してスライスし、面取り、ラップ、研磨処理を行い、厚さ200μmの36°Y面を主面とするLT基板を作製した。研磨処理した面をAFMの□10μm視野で測定したところ算術平均表面粗さRaは0.3nmであった。+X軸方向にオリフラも作製した。
CZ法により引上げられた4インチ径のLT単結晶インゴットを50°の回転Yカット面となる方位に調整してスライスし、面取り、ラップ、研磨処理を行い、厚さ200μmの50°Y面を主面とするLT基板を作製した。研磨処理した面をAFMの□10μm視野で測定したところ算術平均表面粗さRaは0.5nmであった。+X軸方向がオリフラ垂直方向となるようにオリフラも作製した。
実施例1同様にLT基板を作製した。
実施例1同様にLT基板を作製した。
2 へき開面
3 LT基板
4 ノズル
5 砥粒の噴射方向
Claims (6)
- へき開面を有する圧電性基板の1面の平坦加工を実施する工程、および
砥粒の入射方向と前記圧電性基板のへき開面との成す角度が30°以下となるように砥粒を前記1面に噴射して前記1面の粗面化処理を実施する工程、
を含む粗面圧電性基板の製造方法。 - 前記平坦加工は、ラップ処理、研削処理および研磨処理のうち少なくとも1つの処理を含むことを特徴とする請求項1に記載の粗面圧電性基板の製造方法。
- 前記粗面化処理がサンドブラスト処理であることを特徴とする請求項1または2に記載の粗面圧電性基板の製造方法。
- 前記砥粒がアルミナであることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の粗面圧電性基板の製造方法。
- 前記圧電性基板がタンタル酸リチウムであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の粗面圧電性基板の製造方法。
- 前記圧電性基板は36°以上、50°以下の回転Yカット基板であることを特徴とする請求項5に記載の粗面圧電性基板の製造方法。
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