JP3866887B2 - 圧電性単結晶ウエーハ - Google Patents
圧電性単結晶ウエーハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3866887B2 JP3866887B2 JP30640499A JP30640499A JP3866887B2 JP 3866887 B2 JP3866887 B2 JP 3866887B2 JP 30640499 A JP30640499 A JP 30640499A JP 30640499 A JP30640499 A JP 30640499A JP 3866887 B2 JP3866887 B2 JP 3866887B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- single crystal
- axis
- piezoelectric single
- acoustic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電性単結晶ウエーハ、特に弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイスの作製に使用される圧電性単結晶ウエーハに関する。
【0002】
【従来の技術】
弾性表面波デバイス又は擬似弾性表面波デバイスは、電気信号をそれぞれ弾性表面波又は擬似弾性表面波に変換して信号処理を行う回路素子であり、従来、フィルタ、共振子、遅延線などに用いられている。
【0003】
このような弾性表面波デバイス又は擬似弾性表面波デバイスの作製手順としては、まず、適当な単結晶育成法により圧電性を有する単結晶棒を育成、例えばチョクラルスキー法(CZ法)によりタンタル酸リチウム単結晶棒を育成し、この単結晶棒を、軸に垂直な断面が円形状となるように加工し、さらに一定の結晶面方位を有するウエーハに切断する。次いで、該ウエーハの弾性表面波又は擬似弾性表面波を送受信する電極が形成されるウエーハ表面に鏡面研磨加工を施し、さらに鏡面研磨されたウエーハ表面上に主としてAlからなる電極を一定の方位に形成した後、チップ状に切り出すことによってデバイスが作製される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
前記のように作製される弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイスは、近年、爆発的に普及している移動体通信用フィルタとしての需要が非常に高まっている。この移動体通信用フィルタは低コストが強く要求され、フィルタ製造歩留りが製造コストを大きく左右する。
【0005】
フィルタ製造不良の要因は様々であるが、とりわけ、ウエーハ表面上に付着した微小異物(粒子)が原因と考えられる不良とウエーハの割れによるものが多くを占めていた。最近の移動体通信用フィルタは0.1〜3GHz、特に1〜2.5GHzの周波数領域で使用されることが多く、1μm以下の線幅の電極も要求されている。そのため、従来は問題とならなかった数μmの微小異物も現在は大きな問題となっている。例えば、ウエーハ表面上に数μmの微小異物が付着したまま電極形成を行うと、その付着した部分には電極が形成されず、所望の伝搬特性を得ることができなくなってしまう。その結果、歩留りが低下し、製造コストも上昇してしまう。
【0006】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電極が形成される表面上に付着する微小異物及びウエーハの割れが大幅に低減される圧電性単結晶ウエーハを提供し、ひいては優れた特性を有するフィルタ等が良好な製造歩留りで得られる圧電性単結晶ウエーハを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ウエーハ表面上に付着した微小異物について詳細に調査、解析を行ったところ、ウエーハを構成している単結晶と同じ材質の微小粒子の付着が多く見られることを突き止めた。また、このように単結晶と同じ材質の微小粒子はウエーハ外周に近いほど多く見られることを突き止めた。これらの微小粒子の発生についてさらに詳細に調査したところ、圧電性単結晶ウエーハは、例えばシリコンのようなウエーハに比べて極端に割れやすく、ウエーハ外周面の微小凹凸は小さな衝撃でも凸部が欠けて微小粒子としてウエーハ外周付近に付着する。また、ウエーハ外周面の微小凹凸からウエーハの割れが発生していることを突き止めた。
【0008】
これらの知見に基き、本発明者らは、以下のような圧電性単結晶ウエーハを提供することでウエーハ外周付近への微小粒子の付着を抑制し、ウエーハの割れを防止することを見出した。さらに、このようなウエーハを用いて弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイスを作製することにより、優れた伝搬特性を有するフィルタ等のデバイスを歩留り良く作製できることを突き止め、本発明の完成に至った。
【0009】
前記目的を達成するため、本発明によれば、弾性表面波又は擬似弾性表面波を送受信するための電極が形成されるウエーハ表面及びその裏面を除く外周面の表面粗さRaが、2.3μm以下であることを特徴とする圧電性単結晶ウエーハが提供される。
【0010】
ウエーハの外周面を上記のように2.3μm以下の表面粗さRaとすることにより、ウエーハの外周面が非常に滑らかとなってウエーハの割れを防ぐことができる。また、微小粒子の発生原因となる凸部もほとんど無くなる。従って、ウエーハ表面に電極を形成するための成膜工程やフォトリソグラフィ工程での搬送、吸着でのクラックの発生がほとんど無くなり、ウエーハの割れを防ぐことができる。さらに、容器との擦れ、ハンドリング等によりウエーハ自体、特にその外周面が削れて発生する微小粒子もほとんど無く、結果的にウエーハ表面上に付着する微小粒子が著しく減少する。
また、このように外周面の表面粗さが小さい圧電性単結晶ウエーハは、表面上に微小異物(粒子)がほとんど付着していないため、該表面上に電極を形成する際、微小異物が原因で電極が形成されない部分が無くなり、優れた伝搬特性を有するフィルタ等のデバイスを高い歩留りで作製することができる。
【0011】
また、本発明によれば、前記圧電性単結晶ウエーハは、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四ホウ酸リチウム、ランガサイト、又は水晶からなることが好ましい。特に、タンタル酸リチウム単結晶からなる圧電性単結晶ウエーハは、バランスのとれた弾性表面波又は擬似弾性表面波伝搬特性を示す。
【0012】
さらに好ましくは、前記圧電性単結晶ウエーハは、電極が形成されるウエーハ表面がX軸と平行であり、且つ該ウエーハ表面の垂線とY軸(但し、単結晶のa軸をX軸、c軸をZ軸としたときに、X軸及びZ軸に直交する軸をY軸とする。)との成す角度が33〜46°の範囲にある(以後33〜46°Yカットと記す)タンタル酸リチウム単結晶ウエーハである。
このように、圧電性単結晶ウエーハが上記のようなタンタル酸リチウム単結晶であれば、該圧電性単結晶ウエーハは、ウエーハ表面上に微小粒子が付着していない状態で電極を形成することで、特に一層優れた擬似弾性表面波伝搬特性を示す。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0014】
前記したように、本発明に係る圧電性単結晶ウエーハは、弾性表面波又は擬似弾性表面波を送受信するための電極が形成されるウエーハ表面及びその裏面を除く外周面の表面粗さRaが、2.3μm以下であることを特徴としている。なお、本発明で言うウエーハの「外周面」とはその形状には特に限定されず、電極が形成されるウエーハ表面とその裏面を除く全ての面のことを意味し、一般的に、面取り面、あるいは外周縁面とも呼ばれるが、特にそれらの文言に拘泥されるものでない。
【0015】
このように外周面の表面粗さRaを2.3μm以下とすることで、外周面上に形成される凹凸部がほとんど無くなり、ウエーハ表面に電極を形成するための成膜工程やフォトリソグラフィ工程での搬送、吸着での微小粒子の発生やウエーハの割れを防止することができる。また、容器との擦れ、ハンドリング等においても該単結晶自体に由来する微小粒子もほとんど発生しない。そのため、ウエーハ表面上に付着する微小粒子もほとんど無く、これを用いたデバイス作製においても、電極が形成されない不良箇所が無くなり、優れた伝搬特性を有するフィルタ等のデバイスを高い歩留りで作製することができる。
【0016】
本発明の圧電性単結晶ウエーハの材質としては、前記タンタル酸リチウムのほか、圧電性単結晶として良好な圧電性を有し、ウエーハとした時に優れた弾性表面波又は擬似弾性表面波特性を示すものであれば、全て適用できる。具体的には、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四ホウ酸リチウム、ランガサイト、又は水晶が挙げられるが、特に、タンタル酸リチウムが好ましい。
【0017】
また、近年の移動体通信の普及に伴い、33〜46°Yカットタンタル酸リチウムを用いたフィルタが多く使用され、このフィルタは特に速度偏差が小さいことが要求されているので、33〜46°Yカットタンタル酸リチウムにおいて本発明を適用するのが特に好ましい。なお、ここでは、タンタル酸リチウム単結晶のa軸をX軸、c軸をZ軸としたときに、X軸及びZ軸に直交する軸をY軸とする。
【0018】
図1は、このような好適なウエーハ表面を有するウエーハの面方位を説明する図である。図1中、1はウエーハ表面を示し、2はウエーハ表面1の垂線方向(即ち33〜46°回転Y方向)を示す。図1から判るように、33〜46°Yカットタンタル酸リチウム単結晶ウエーハにおいては、ウエーハ表面1はX軸と平行であり、且つウエーハ表面1の垂線方向2とY軸との成す角度は33〜46°となっている。
【0019】
なお、圧電性単結晶の育成法としては、FZ法、ボート法等、種々の方法が挙げられるが、特には結晶引上げ法(CZ法)を好適に利用することができる。即ち、圧電性単結晶原料(例えばタンタル酸リチウム粗結晶)を融解させ、種結晶をこの融液に接触させる。そして、単結晶を育成させつつ回転させながら種結晶を引上げて圧電性単結晶を成長させる。
【0020】
単結晶を引き上げる際、弾性表面波又は擬似弾性表面波の伝搬損失を抑え且つウエーハの使用目的等に応じた最適の弾性表面波又は擬似弾性表面波特性を示す結晶面と、単結晶の育成軸とが垂直になる方向に、単結晶を引き上げるのが好ましい。このような方向に単結晶を引き上げることにより、後述するように単結晶の育成軸に垂直にスライスしてウエーハを切り出した場合、擬似弾性表面波の伝搬損失を抑え且つウエーハの使用目的等に応じた最適の弾性表面波又は擬似弾性表面波特性を示す結晶面をウエーハ表面とすることができる。もちろん、任意の結晶軸方向に結晶を成長させ、切断する際に最適の結晶面となるように切断するようにしてもよい。
【0021】
具体的には、圧電性単結晶がタンタル酸リチウム単結晶である場合、Y軸からZ軸方向に33〜46°回転させた方向(即ち図1における垂線方向2)が育成軸となるように、単結晶を引き上げるのが好ましい(尚、Y軸及びZ軸は前記と同義。)。
【0022】
このような方向に単結晶を引き上げるには、種結晶として結晶軸の方向がY軸からZ軸方向に33〜46°回転させた方向(即ち図1における垂線方向2)の種結晶を用い、これをそのまま垂直方向へ引き上げればよい。
すなわち、結晶面がX軸と平行であり且つ結晶面の垂線とY軸との成す角度が33〜46°であるような結晶面(即ち、図1中のウエーハ表面1に該当する結晶面)が水平になるように種結晶を加工し、これを結晶面が水平になるようにチャック等に取り付け単結晶を育成させ、これを回転させながら垂直方向へ引き上げればよい。
【0023】
次いで、このようにして育成した圧電性単結晶を、必要に応じ円筒研削加工(円筒状加工)等を行った後、スライスしてウエーハを切り出す。その際、得られた単結晶の育成軸に垂直にスライスするのが好ましい。このようにスライスすることにより、スライスする際の加工ロスを最も少なくすることができ、ウエーハの製造歩留りを向上させることができる。スライスは、例えばマルチワイヤーソー、内周刃スライサー等にて行う。
【0024】
上記のように得られたウエーハに面取り加工を施した後、ラッピングし、さらにウエーハ表面を鏡面研磨する。本発明に係る圧電性単結晶ウエーハの外周面を所望の表面粗さとするには、上記面取り加工における諸条件、例えば、ホイールの粒度や研磨液中の砥粒の大きさ、あるいはバフによる仕上げ研磨時間の長さ等を調整することにより行うことができる。
【0025】
なお、前記のように得られた所望の外周面の表面粗さを有する圧電性単結晶ウエーハを用いて、例えば、擬似弾性表面波デバイスを作製するには、常法に従い、圧電性単結晶ウエーハの鏡面研磨されたウエーハ表面上に主としてAlからなる膜を被覆する。そして、フォトリソグラフィ等を使用した微細加工技術により所望形状、例えば櫛形の電極を形成した後、チップ状に切り出すことによって擬似弾性表面波デバイスが作製される。
【0026】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例、比較例)
<圧電性単結晶ウエーハの作製>
X軸を中心にY軸から36°Z軸方向に回転した方向(以下、「36°Y方向」という場合がある)が引上げ方向である直径80mm、長さ100mmのタンタル酸リチウム単結晶棒をチョクラルスキー法により育成した。この単結晶棒を直径76.2mmの円筒状に加工し、さらに36°Y方向がウエーハ表面と垂直となるようにマルチワイヤソーでウエーハ(36°Yカットタンタル酸リチウムウエーハ)に切断した。その後、外形研削機によりウエーハ表面及びその裏面を除く外周面を表1に記載の5種類のホイールを用いて研削した(方法A〜E)。次いで両面をラッピングし、さらにウエーハ表面を鏡面研磨した。
このようにして作製されたタンタル酸リチウム単結晶ウエーハは直径76.2mm、厚さ0.4mmであった。
【0027】
<外周面の表面粗さ測定>
作製したウエーハ表面及びその裏面を除く外周面の表面粗さRaを(株)キーエンス製、表面形状測定顕微鏡、VF−7500を使用してピッチ(Pitch)0.1μmm、Z−dist50μmにて測定した。ウエーハの外周面の任意位置4ヶ所の表面粗さを測定し、その平均値をRaとして表1に示した。
【0028】
<ウエーハ割れの評価及び微小異物の数量計測>
作製したウエーハを使用して電極形成工程にて電極の形成を実施し、150枚のウエーハに対してウエーハ割れの発生割合を調査し、その結果を表1に示した。さらに、ウエーハ外周から6mmの位置、任意4ヶ所について金属顕微鏡にて観察し、0.5〜10μmの大きさの微小異物の個数を測定し、その平均値を微小異物個数として表1に示した。
【0029】
【表1】
【0030】
表1から明らかなように、外周面の表面粗さRaが2.3μm以下のウエーハは、Raが3.7μm以上のウエーハに比べ、ウエーハ割れの発生割合が極端に低く、微小異物個数も極端に少なくなっていることが分かる。
【0031】
上記実施例及び比較例は、36°Yカットタンタル酸リチウム単結晶ウエーハを用いたものであるが、タンタル酸リチウムの他の方位、及びニオブ酸リチウム、四ホウ酸リチウム、ランガサイト、または水晶よりなる圧電性単結晶ウエーハを用いた場合でも同様の結果が得られた。
【0032】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【0033】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る圧電性単結晶ウエーハは、その外周面の表面粗さRaが、2.3μm以下と非常に滑らかであるため、ウエーハ表面に電極を形成するための成膜工程やフォトリソグラフィ工程等での搬送、吸着での割れの発生がほとんど無くなる。また、容器との擦れ、ハンドリング等によりウエーハの外周面が削れて発生する微小粒子も無くなり、ウエーハ表面上に付着する微小粒子が著しく減少する。
また、このように外周面の表面粗さが低い圧電性単結晶ウエーハは、表面上に微小異物がほとんど付着していないため、該表面上に電極を形成する際、微小異物が原因で電極が形成されない部分が無くなり、優れた特性を有するフィルタ等のデバイスを高い歩留りで作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】33〜46°Yカットタンタル酸リチウム単結晶ウエーハにおけるウエーハ表面の方位を示す。
【符号の説明】
1…ウエーハ表面、 2…垂線方向。
Claims (3)
- 圧電性単結晶ウエーハの製造方法であって、少なくとも、圧電性単結晶をスライスしてウエーハを切り出す工程と、該切り出したウエーハに面取り加工を施す工程と、その後、該面取り加工を施したウエーハをラッピングする工程とを有し、前記面取り加工を施す工程において、弾性表面波又は擬似弾性表面波を送受信するための電極が形成されるウエーハ表面及びその裏面を除く外周面の表面粗さRaを、2.3μm以下とすることを特徴とする圧電性単結晶ウエーハの製造方法。
- 前記圧電性単結晶ウエーハを、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四ホウ酸リチウム、ランガサイト、又は水晶からなる圧電性単結晶ウエーハとすることを特徴とする請求項1に記載の圧電性単結晶ウエーハの製造方法。
- 前記圧電性単結晶ウエーハを、電極が形成されるウエーハ表面がX軸と平行であり、且つ該ウエーハ表面の垂線とY軸(但し、単結晶のa軸をX軸、c軸をZ軸としたときに、X軸及びZ軸に直交する軸をY軸とする。)との成す角度が33〜46°の範囲にあるタンタル酸リチウム単結晶ウエーハとすることを特徴とする請求項1に記載の圧電性単結晶ウエーハの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30640499A JP3866887B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 圧電性単結晶ウエーハ |
US09/637,011 US6580196B1 (en) | 1999-08-17 | 2000-08-14 | Piezoelectric single crystal wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30640499A JP3866887B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 圧電性単結晶ウエーハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001130997A JP2001130997A (ja) | 2001-05-15 |
JP3866887B2 true JP3866887B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=17956618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30640499A Expired - Fee Related JP3866887B2 (ja) | 1999-08-17 | 1999-10-28 | 圧電性単結晶ウエーハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3866887B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6439639B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2018-12-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 非磁性ガーネット単結晶基板、磁性ガーネット単結晶膜 |
JP7019052B2 (ja) * | 2018-08-21 | 2022-02-14 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子用基板及びその製造方法 |
CN113690365B (zh) * | 2021-07-23 | 2024-02-13 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 压电器件及其制作方法 |
-
1999
- 1999-10-28 JP JP30640499A patent/JP3866887B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001130997A (ja) | 2001-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6567970B2 (ja) | 複合基板の製法 | |
US4412886A (en) | Method for the preparation of a ferroelectric substrate plate | |
EP3859971A1 (en) | Composite substrate, piezoelectric element, and method for manufacturing composite substrate | |
JP3866887B2 (ja) | 圧電性単結晶ウエーハ | |
JP5871282B2 (ja) | 圧電性酸化物単結晶ウェーハの製造方法。 | |
JP2007260793A (ja) | ウェーハ基板の研磨方法及び圧電性単結晶からなるウェーハ | |
JP4170617B2 (ja) | 酸化物単結晶ウエーハ及びその製造方法並びに評価方法 | |
US6580196B1 (en) | Piezoelectric single crystal wafer | |
JP3384546B2 (ja) | 擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウエーハ及びその製造方法 | |
KR100375173B1 (ko) | 단결정 잉곳의 제조 방법 및 이 단결정 잉곳을 이용한웨이퍼 제조방법 | |
JP2001053578A (ja) | 弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウエーハ | |
JP5068511B2 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
EP1178135B1 (en) | Piezoelectric oxide single crystal wafer | |
JP7336961B2 (ja) | 単結晶インゴットの製造方法及び単結晶ウエハの製造方法 | |
US4154025A (en) | Method for preparing oxide piezoelectric material wafers | |
JP4221111B2 (ja) | ランガサイト単結晶及びそのウエーハ、並びにこれらの製造方法 | |
JP7019052B2 (ja) | 弾性表面波素子用基板及びその製造方法 | |
JP7271468B2 (ja) | サファイア基板の研削方法 | |
JP2009189036A (ja) | 弾性表面波フィルタの製造方法 | |
CN118061386A (zh) | 晶锭切割加工方法和晶体切割料的循环利用方法 | |
JP3062031B2 (ja) | ルチル単結晶からなる光学部品の製造方法 | |
JP2023534863A (ja) | ひび割れを低減するための半導体半製品および半導体基板における結晶構造配向、ならびにそれを設定する方法 | |
JPH07170145A (ja) | 弾性表面波素子とその製造方法 | |
JP2022068748A (ja) | 酸化物単結晶ウエハ、複合基板用ウエハ、複合基板、酸化物単結晶ウエハの加工方法、酸化物単結晶ウエハの製造方法、複合基板用ウエハの製造方法および複合基板の製造方法 | |
JPH11298291A (ja) | 疑似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウェーハおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060919 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061006 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3866887 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151013 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |