JP2001053578A

JP2001053578A - 弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウエーハ

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Publication number: JP2001053578A
Application number: JP11230246A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Shiono; 嘉幸塩野; Yoshinori Kuwabara; 由則桑原; Toshihiko Ryuo; 俊彦流王
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 1999-08-17
Filing date: 1999-08-17
Publication date: 2001-02-23

Abstract

(57)【要約】【課題】弾性表面波速度又は擬似弾性表面波速度の偏
差が少ない、速度均一性に優れた弾性表面波又は擬似弾
性表面波デバイス用圧電性単結晶ウエーハを提供する。【解決手段】弾性表面波又は擬似弾性表面波を送受信
する電極が形成されるウエーハ面のエッチングピット密
度が、７．８×１０^４個／ｍｍ^２以下であることを特徴
とする弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイス用圧電性
単結晶ウエーハ。上記圧電性ウエーハは、タンタル酸リ
チウム単結晶からなることが特に好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波又は擬
似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウエーハに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】弾性表面波デバイス又は擬似弾性表面波
デバイスは、電気信号をそれぞれ弾性表面波又は擬似弾
性表面波に変換して信号処理を行う回路素子であり、従
来、フィルタ、共振子、遅延線などに用いられている。
このような弾性表面波デバイス又は擬似弾性表面波デバ
イスは、一般的に、圧電性単結晶ウエーハの表面上に弾
性表面波又は擬似弾性表面波を送受信する電極を形成さ
せ、チップ状に切り出したものである。

【０００３】前記圧電性単結晶ウエーハ自体は、一般的
に次のように製造される。まず、圧電性を有する単結晶
を適当な単結晶育成法により、例えばタンタル酸リチウ
ム単結晶棒をチョクラルスキー法（ＣＺ法）により育成
する。次いで、この単結晶棒を円筒研削加工し、この円
筒状単結晶棒を一定の結晶面方位を有するようにスライ
スしてウエーハを切り出す。さらに、このように得られ
たウエーハの片面又は両面にラッピング、鏡面研磨を順
次施すことで圧電性単結晶ウエーハとすることができ
る。

【０００４】このように製造された圧電性単結晶ウエー
ハは、前記鏡面研磨が施された面に、主としてＡｌから
なる電極を一定の方向に形成し（以下、電極が形成され
る面を電極形成面、あるいはウエーハ面と言う場合があ
る）、これをチップ状に切り出すことによって弾性表面
波又は擬似弾性表面波デバイスが作製される。

【０００５】前記のように作製された弾性表面波又は擬
似弾性表面波デバイスの性能は、使用する材料、結晶方
位、電極の設計、作製条件等、様々な要因により決定さ
れるが、弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイスで特に
注目すべき性能要因として、ウエーハ面から数十μｍま
での深さに存在する表面加工層があげられる。

【０００６】弾性表面波と表面加工層との関係、あるい
は表面加工層を考慮した弾性表面波用単結晶ウエーハの
研磨加工方法については次のような報告がされている。
木村ら（木村ら、信学技法、ＵＳ７５−５６、１７−２
３、１９７５年）は、水晶を用いて表面加工層と弾性表
面波のＱ値との関係を調査し、マイクロクラックのよう
な顕著な表面加工層が半波長の深さまで存在するような
場合、上記弾性表面波のＱ値の違いとして現れることを
報告している。

【０００７】また、Ｋｉｍｕｒａら（Ｔ．Ｋｉｍｕｒａ
ｅｔａｌ．、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５０
（７），４７６７−４７７２，（１９７９））は、水晶
を用いて表面加工層と弾性表面波の伝搬ロスとの関係を
調査、解析し、マイクロクラックの深さ及び量と、伝搬
ロスとの関係を報告している。

【０００８】弾性表面波用タンタル酸リチウム単結晶ウ
エーハの研磨加工方法としては、シリコン単結晶ウエー
ハ加工で用いられている方法と同様に、ラッピング加工
後にＳｉＯ_２コロイダル研磨液を使用するポリッシング
方法が報告されている（日本学術振興会弾性表面波素子
技術第１５０委員会編、弾性波素子ハンドブック、２９
６−２９８（１９９１））。ポリッシング工程で重要な
ことは鏡面状態を得ることと共にラッピング工程での加
工ひずみ層を完全に除去することであり、通常１５μｍ
以下の研磨砥粒でラッピングするので加工ひずみ層は１
０μｍ以下であり、１０μｍも研磨すれば十分であると
報告されている。

【０００９】以上のように、弾性表面波と表面加工層と
の関係、及び表面加工層を考慮した弾性表面波用単結晶
ウエーハの研磨加工方法についての報告は以前よりある
が、その一方、擬似弾性表面波と表面加工層との関係、
あるいは擬似弾性表面波用単結晶ウエーハの研磨加工方
法に関する報告はされていない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、弾性表面波
又は擬似弾性表面波デバイスは、近年、爆発的に普及し
ている移動体通信用フィルタとして非常に需要が高まっ
ており、同時に、品質向上の要求、特にデバイスに使用
される圧電性単結晶ウエーハ面内及びウエーハ毎の弾性
表面波速度、又は擬似弾性表面波速度の均一性向上の要
求が高まっている。

【００１１】弾性表面波速度及びその均一性に関して
は、組成や切断方法、あるいは伝搬方位との関係が報告
されている（日本学術振興会弾性表面波素子技術第１５
０委員会編、弾性波素子ハンドブック、２８９−３０
２、（１９９１）、及び相川他、電子情報通信学会秋季
大会、１９、（１９９４））。

【００１２】しかしながら、近年は組成や切断方法、伝
搬方位だけでは説明できないと考えられる弾性表面波速
度又は擬似弾性表面波速度のウエーハ面内、あるいはウ
エーハ毎の偏差が問題となっている。

【００１３】そこで、本発明は上記問題に鑑みてなされ
たもので、弾性表面波速度又は擬似弾性表面波速度の偏
差が少ない、速度均一性に優れた弾性表面波又は擬似弾
性表面波デバイス用圧電性単結晶ウエーハを提供するこ
とを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、以下の２
つの理由から弾性表面波速度又は擬似弾性表面波速度の
偏差と表面加工層との関係に着目し、調査した。まず一
つは、前記したように、弾性表面波のＱ値や伝搬ロスと
表面加工層との関係は報告されているが、弾性表面波速
度又は擬似弾性表面波速度の偏差と表面加工層との関係
は報告されていなかったためである。もう一つは、近年
要求されている品質を満足するためにはマイクロクラッ
ク以外の表面加工層を考慮する必要があると考えられた
ためである。

【００１５】近年要求されている品質は、従来のそれと
は明らかに異なっているにもかかわらず、加工方法及び
着眼点は従来の技術のままであった。そこで、本発明者
らは弾性表面波又は擬似弾性表面波のエネルギーが集中
する表面近傍、すなわち表面加工層の状態は非常に重要
であると考えた。ここでの表面加工層とはマイクロクラ
ックだけでなく、加工歪等も含めたものである。そし
て、本発明者らは、表面加工層の定量評価方法としてエ
ッチングピット密度計測が有効であることを見出し、そ
の結果、エッチングピット密度と弾性表面波速度又は擬
似弾性表面波速度の偏差との相関を見出した。

【００１６】すなわち、前記目的を達成するため、本発
明の請求項１に記載した発明は、弾性表面波又は擬似弾
性表面波を送受信する電極が形成されるウエーハ面のエ
ッチングピット密度が、７．８×１０^４個／ｍｍ^２以下
であることを特徴とする弾性表面波又は擬似弾性表面波
デバイス用圧電性単結晶ウエーハである。

【００１７】このように、弾性表面波又は擬似弾性表面
波を送受信する電極が形成されるウエーハ面のエッチン
グピット密度を７．８×１０^４個／ｍｍ^２以下とするこ
とで、デバイス作製時の弾性表面波速度又は擬似弾性表
面波速度の偏差が小さくなり、伝搬特性に優れた弾性表
面波又は擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウエー
ハとなる。

【００１８】また、この場合、請求項２に記載したよう
に、前記圧電性単結晶ウエーハは、タンタル酸リチウ
ム、ニオブ酸リチウム、水晶、四ホウ酸リチウム、又は
ランガサイトからなる単結晶ウエーハであることが好ま
しい。特に、タンタル酸リチウム単結晶からなる圧電性
単結晶ウエーハは、バランスのとれた弾性表面波又は擬
似弾性表面波特性を有している。

【００１９】さらに好ましくは、請求項３に記載したよ
うに、前記圧電性単結晶ウエーハは、電極が形成される
ウエーハ面がＸ軸と平行であり、且つ該ウエーハ面の垂
線とＹ軸（但し、単結晶のａ軸をＸ軸、ｃ軸をＺ軸とし
たときに、Ｘ軸及びＺ軸に直交する軸をＹ軸とする。）
との成す角度が３３〜４６°の範囲にある（以後３３〜
４６°Ｙカットと記す）タンタル酸リチウム単結晶ウエ
ーハである。このように、圧電性単結晶ウエーハが上記
のようなタンタル酸リチウム単結晶であれば、該圧電性
単結晶ウエーハは特に一層優れた擬似弾性表面波特性を
示す。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。

【００２１】前記したように、本発明者らは、弾性表面
波又は擬似弾性表面波デバイスにおいて、弾性表面波速
度又は擬似弾性表面波速度の偏差と表面加工層との関係
に着目し、調査、研究を行った。その結果、ウエーハの
電極形成面のエッチングピット密度と弾性表面波又は擬
似弾性表面波速度の偏差との相関を見出した。すなわ
ち、本発明者らは、弾性表面波又は擬似弾性表面波デバ
イス用圧電性単結晶ウエーハの電極形成面のエッチング
ピット密度が小さいほど、この面に電極を形成して弾性
表面波又は擬似弾性表面波デバイスとしたとき、弾性表
面波速度又は擬似弾性表面波速度の均一性が向上し、つ
まり、それらの速度偏差が小さくなることを見出した。

【００２２】従って、ウエーハの電極形成面のエッチン
グピット密度を小さくすることで、デバイス作製時の弾
性表面波又は擬似弾性表面波の速度偏差が小さくなり、
伝搬性に優れた弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイス
を得ることができる。また、このようにエッチングピッ
ト密度の小さい圧電性単結晶ウエーハを製造すること
で、デバイス作製時の弾性表面波又は擬似弾性表面波速
度偏差が基準値を超えてしまうようなことがなくなると
共に、不良率が大幅に減少し、ひいては歩留りが向上す
る。

【００２３】そして、弾性表面波又は擬似弾性表面波デ
バイス用圧電性単結晶ウエーハは、弾性表面波又は擬似
弾性表面波を送受信する電極が形成されるウエーハ面の
エッチングピット密度を７．８×１０^４個／ｍｍ^２以下
とすることで、デバイス作製時の弾性表面波速度又は擬
似弾性表面波の速度均一性が極めて優れ、速度偏差が非
常に小さく、伝搬特性に優れた弾性表面波又は擬似弾性
表面波デバイス用圧電性単結晶ウエーハとすることがで
きる。

【００２４】また、本発明の圧電性単結晶ウエーハにお
いて、弾性表面波又は擬似弾性表面波が伝搬するウエー
ハ面（電極形成面）は、弾性表面波又は擬似弾性表面波
の伝搬損失を抑え、且つウエーハの使用目的等に応じた
最適の弾性表面波又は擬似弾性表面波特性を示すウエー
ハ面が好ましい。特に、近年の移動体通信の普及に伴
い、３３〜４６°Ｙカットタンタル酸リチウムを用いた
フィルタが多く使用され、このフィルタは特に速度偏差
が小さいことが要求されているので、３３〜４６°Ｙカ
ットタンタル酸リチウムが特に好ましい。なお、ここで
は、タンタル酸リチウム単結晶のａ軸をＸ軸、ｃ軸をＺ
軸としたときに、Ｘ軸及びＺ軸に直交する軸をＹ軸とす
る。

【００２５】図１は、このような好適なウエーハ表面を
有するウエーハの面方位を説明する図である。図１中、
１はウエーハ表面を示し、２はウエーハ表面１の垂線方
向（即ち３３〜４６°回転Ｙ方向）を示す。図１から判
るように、３３〜４６°Ｙカットタンタル酸リチウム単
結晶ウエーハにおいては、ウエーハ表面１はＸ軸と平行
であり、且つウエーハ表面１の垂線方向２とＹ軸との成
す角度は３３〜４６°となっている。

【００２６】本発明の弾性表面波又は擬似弾性表面波デ
バイス用圧電性単結晶ウエーハの材質としては、前記タ
ンタル酸リチウムのほか、圧電性単結晶として良好な圧
電性を有し、ウエーハとした時に優れた弾性表面波又は
擬似弾性表面波特性を示すものであれば、全て適用でき
る。具体的には、ニオブ酸リチウム、水晶、四ホウ酸リ
チウム、又はランガサイトが挙げられるが、特に、タン
タル酸リチウムが好ましい。

【００２７】なお、圧電性単結晶の育成法としては、Ｆ
Ｚ法、ボート法等、種々の方法が挙げられるが、特には
結晶引上げ法（ＣＺ法）を好適に利用することができ
る。即ち、圧電性単結晶原料（例えばタンタル酸リチウ
ム粗結晶）を融解させ、種結晶をこの融液に接触させ
る。そして、単結晶を育成させつつ回転させながら種結
晶を引上げて圧電性単結晶を成長させる。

【００２８】単結晶を引き上げる際、弾性表面波又は擬
似弾性表面波の伝搬損失を抑え且つウエーハの使用目的
等に応じた最適の弾性表面波又は擬似弾性表面波特性を
示す結晶面と、単結晶の育成軸とが垂直になる方向に、
単結晶を引き上げるのが好ましい。このような方向に単
結晶を引き上げることにより、後述するように単結晶の
育成軸に垂直にスライスしてウエーハを切り出した場
合、擬似弾性表面波の伝搬損失を抑え且つウエーハの使
用目的等に応じた最適の弾性表面波又は擬似弾性表面波
特性を示す結晶面をウエーハ表面とすることができる。
もちろん、任意の結晶軸方向に結晶を成長させ、切断す
る際に最適の結晶面となるように切断するようにしても
よい。

【００２９】具体的には、圧電性単結晶がタンタル酸リ
チウム単結晶である場合、Ｙ軸からＺ軸方向に３３〜４
６°回転させた方向（即ち図１における垂線方向２）が
育成軸となるように、単結晶を引き上げるのが好ましい
（尚、Ｙ軸及びＺ軸は前記と同義。）。

【００３０】このような方向に単結晶を引き上げるに
は、種結晶として結晶軸の方向がＹ軸からＺ軸方向に３
３〜４６°回転させた方向（即ち図１における垂線方向
２）の種結晶を用い、これをそのまま垂直方向へ引き上
げればよい。すなわち、結晶面がＸ軸と平行であり且つ
結晶面の垂線とＹ軸との成す角度が３３〜４６°である
ような結晶面（即ち、図１中のウエーハ表面１に該当す
る結晶面）が水平になるように種結晶を加工し、これを
結晶面が水平になるようにチャック等に取り付け単結晶
を育成させ、これを回転させながら垂直方向へ引き上げ
ればよい。

【００３１】次いで、このようにして育成した圧電性単
結晶を、必要に応じ円筒研削加工（円筒状加工）等を行
った後、スライスしてウエーハを切り出す。その際、得
られた単結晶の育成軸に垂直にスライスするのが好まし
い。このようにスライスすることにより、スライスする
際の加工ロスを最も少なくすることができ、ウエーハ製
造の歩留りを向上させることができる。スライスは、例
えばマルチワイヤーソー、内周刃スライサー等にて行
う。

【００３２】上記のように得られたウエーハに必要に応
じ面取り加工を施した後、ラッピングし、さらに電極形
成面を鏡面研磨する。なお、エッチングピット密度を小
さくするには、例えば鏡面研磨における研磨液、研磨量
等の研磨条件で調整することができる。鏡面研磨後に得
られる本発明に係る弾性表面波又は擬似弾性表面波デバ
イス用圧電性単結晶ウエーハは、ウエーハ面のエッチン
グピットを７．８×１０^４個／ｍｍ^２以下とすること
で、デバイス作製時の速度均一性が極めて優れ、速度偏
差が非常に小さい弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイ
ス用圧電性単結晶ウエーハとすることができる。

【００３３】なお、上記により得られた所望のエッチン
グピット密度を有する圧電性単結晶ウエーハを用いて、
例えば、擬似弾性表面波デバイスを作製するには、常法
に従い、圧電性単結晶ウエーハの鏡面研磨された電極形
成面上に主としてＡｌからなる膜を被覆する。そして、
フォトリソグラフィ等を使用した微細加工技術により所
望形状、例えば櫛形の電極を形成した後、チップ状に切
り出すことによって擬似弾性表面波デバイスが作製され
る。

【００３４】

【実施例】以下、実施例及び比較例を示して本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。（実施例、比較例）＜弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結
晶ウエーハの製造＞圧電性単結晶としてタンタル酸リチ
ウム単結晶をＣＺ法にて育成した。すなわち、ルツボ中
でタンタル酸リチウム粗結晶原料を融解させ、タンタル
酸リチウム種結晶をこの融液に接触させ、単結晶を育成
させつつこれを引上げて、タンタル酸リチウム単結晶棒
を得た。

【００３５】その際、種結晶として、種結晶の結晶軸の
方向がＸ軸を中心にしてＹ軸からＺ軸方向に３６°回転
させた方向（即ち３６°回転Ｙ方向）であるものを用
い、これをそのまま垂直方向へ引き上げた。このように
して、３６°回転Ｙ方向が育成軸となるように単結晶を
引き上げ、直径８０ｍｍ、長さ１００ｍｍのタンタル酸
リチウム単結晶棒を得た。

【００３６】この単結晶棒に単一分域化処理（結晶内の
電気的分極をそろえる操作）を施し、直径７６．２ｍｍ
の円筒状に加工し、さらに、３６°Ｙ方向がウエーハ面
と垂直となるようにマルチワイヤソーでウエーハに切断
した。その後、両面を平均粒径１２μｍのＳｉＣ砥粒材
を用いてラッピングし、擬似弾性表面波を送受信する電
極を形成する面（電極形成面）をＳｉＯ_２コロダイル研
磨液（（株）フジミインコーポレーテッド製、ＣＯＭＰ
ＯＬ−５０）を用いてそれぞれ異なる条件で鏡面研磨を
行い、エッチングピットの異なるウエーハを得た。得ら
れたタンタル酸リチウム単結晶ウエーハは直径７６．２
ｍｍ、厚さ０．４ｍｍである。

【００３７】＜エッチングピット密度計測＞５０重量％
のフッ化水素酸溶液に前記得られたタンタル酸リチウム
単結晶ウエーハを５０時間浸漬し、エッチングピットを
表出させた。取り出したウエーハの表面を顕微鏡にて観
察し、エッチングピットの数量を計測し、単位面積に換
算してエッチングピット密度とした。本実施例では、反
射型金属顕微鏡、明視野、１００倍にて０．１ｍｍ×
０．１ｍｍの領域を観察し、エッチングピット密度を計
測した。１枚のウエーハでは中心位置１ヶ所、及び外周
から中心に向かって１０ｍｍの位置４ヶ所、計５ヶ所を
計測した。同一条件で鏡面研磨を行った５枚のウエーハ
を観察し、計２５ヶ所を計測した。計測した２５のデー
タの平均値をその研磨条件でのエッチングピット密度と
した。

【００３８】＜擬似弾性表面波速度の測定＞ウエーハの
表面にアルミニウム膜を成膜し、フォトリソグラフィに
より櫛型電極を形成し、１枚のウエーハから１００個の
１ポート共振器を作製した。弾性表面波速度または擬似
弾性表面波速度と周波数には以下の関係がある。ｖ＝ｆ・λ ここで、ｖは擬似弾性表面波速度（ｍ／ｓ）、ｆは周波
数（ＭＨｚ）、λは波長（μｍ）である。今回の測定で
は、電極周期λ／４＝１μｍとし、周波数をネットワー
クアナライザにより測定し、擬似弾性表面波速度を求め
た。

【００３９】同一条件で鏡面研磨を行った５枚のウエー
ハの擬似弾性表面波速度、すなわち測定により得られた
５００のデータの最大値と最小値との差をその研磨条件
での擬似弾性表面波速度偏差とし、擬似弾性表面波速度
偏差２．０ｍ／ｓ以下を合格とした。以上、圧電性単結
晶ウエーハのエッチングピット密度と、該ウエーハに電
極を形成して作製した共振器の擬似弾性表面波速度偏差
の測定結果を表１に示した。

【００４０】

【表１】

【００４１】表１から明らかなように、エッチングピッ
ト密度と擬似弾性表面波速度との関係はよく一致してお
り、エッチングピット密度が小さいほど、擬似弾性表面
波速度偏差も小さくなっている。なお、再現性も良好で
あった。

【００４２】また、上記実施例は、擬似弾性表面波での
３６°Ｙカットタンタル酸リチウム単結晶ウエーハを用
いたものであるが、弾性表面波でのＸカットタンタル酸
リチウム単結晶ウエーハを用いたものでも、エッチング
ピット密度と弾性表面波速度偏差の関係は同様であっ
た。さらに、ニオブ酸リチウム、水晶、四ホウ酸リチウ
ム、ランガサイトからなる単結晶ウエーハを用いたもの
でも同様の結果が得られた。

【００４３】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本
発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的
に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、
いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含され
る。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる弾
性表面波又は擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウ
エーハは、弾性表面波又は擬似弾性表面波を送受信する
電極が形成されるウエーハ面のエッチングピット密度
が、７．８×１０^４個／ｍｍ^２以下であり、このウエー
ハを用いて作製される弾性表面波又は擬似弾性表面波デ
バイスは、それぞれ弾性表面波速度又は擬似弾性表面波
速度の偏差が小さく、伝搬特性に優れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】３３〜４６°Ｙカットタンタル酸リチウム単結
晶ウエーハにおけるウエーハ表面の方位を示す。

【符号の説明】１…ウエーハ表面、２…垂線方向。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者流王俊彦群馬県安中市磯部２丁目13番１号信越化学工業株式会社精密機能材料研究所内Ｆターム(参考） 5J097 AA32 FF01 GG03 HA01 HA02 HB08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】弾性表面波又は擬似弾性表面波を送受信
する電極が形成されるウエーハ面のエッチングピット密
度が、７．８×１０^４個／ｍｍ^２以下であることを特徴
とする弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイス用圧電性
単結晶ウエーハ。
【請求項２】前記圧電性単結晶ウエーハが、タンタル
酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、四ホウ酸リチウ
ム、又はランガサイトからなる単結晶ウエーハであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波又は擬似弾
性表面波デバイス用圧電性単結晶ウエーハ。
【請求項３】前記圧電性単結晶ウエーハが、電極が形
成されるウエーハ面がＸ軸と平行であり、且つ該ウエー
ハ面の垂線とＹ軸（但し、単結晶のａ軸をＸ軸、ｃ軸を
Ｚ軸としたときに、Ｘ軸及びＺ軸に直交する軸をＹ軸と
する。）との成す角度が３３〜４６°の範囲にあるタン
タル酸リチウム単結晶ウエーハであることを特徴とする
請求項１に記載の擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結
晶ウエーハ。