JPH11207583A - 半導体基板の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
半導体基板の製造方法及びその製造装置Info
- Publication number
- JPH11207583A JPH11207583A JP856598A JP856598A JPH11207583A JP H11207583 A JPH11207583 A JP H11207583A JP 856598 A JP856598 A JP 856598A JP 856598 A JP856598 A JP 856598A JP H11207583 A JPH11207583 A JP H11207583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- edge
- arc
- blade
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 デバイスプロセスにてエッジの欠けやチッピ
ングを防止できる半導体基板の製造方法及びその製造装
置を提供する。 【解決手段】 半導体基板の製造方法において、曲面が
軸方向に形成される柱状の回転砥石７０１でウエハ２０
１の面取りを行い、そのウエハ２０１の表面側のエッジ
曲面が第１の円弧６０１を描き、前記ウエハ２０１の裏
面側のエッジ曲面が第２の円弧６０２を描き、前記第１
の円弧６０１の半径ａが前記第２の円弧６０２の半径ｂ
より短く、かつ前記第２の円弧６０２の部分が前記ウエ
ハ２０１の厚さの半分より表面側に位置するように形成
する。
ングを防止できる半導体基板の製造方法及びその製造装
置を提供する。 【解決手段】 半導体基板の製造方法において、曲面が
軸方向に形成される柱状の回転砥石７０１でウエハ２０
１の面取りを行い、そのウエハ２０１の表面側のエッジ
曲面が第１の円弧６０１を描き、前記ウエハ２０１の裏
面側のエッジ曲面が第２の円弧６０２を描き、前記第１
の円弧６０１の半径ａが前記第２の円弧６０２の半径ｂ
より短く、かつ前記第２の円弧６０２の部分が前記ウエ
ハ２０１の厚さの半分より表面側に位置するように形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法及びその製造装置に係り、特に、半導体集積回路装
置に用いられる、特に大口径（８″φや３００mmφ）の
半導体基板のエッジ形状及び裏面を研削するバックグラ
インドに関するものである。
方法及びその製造装置に係り、特に、半導体集積回路装
置に用いられる、特に大口径（８″φや３００mmφ）の
半導体基板のエッジ形状及び裏面を研削するバックグラ
インドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、文献名 Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｓｅｒｉｅｓ ３ シリコンの科
学 ＵＣＳ半導体基盤技術研究会 ＲＥＡＬＩＺＥ Ｉ
ＮＣ．第４章 第３節 ウエハー加工 第４項 エッジ
加工 Ｐ２７９〜２８２に開示されるものがあった。
例えば、文献名 Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｓｅｒｉｅｓ ３ シリコンの科
学 ＵＣＳ半導体基盤技術研究会 ＲＥＡＬＩＺＥ Ｉ
ＮＣ．第４章 第３節 ウエハー加工 第４項 エッジ
加工 Ｐ２７９〜２８２に開示されるものがあった。
【０００３】従来、半導体基板のエッジは、上記文献に
示すようなＮＣ面取りにより、エッジ加工を行い面取り
を行っている。この面取りは、デバイスプロセスでのカ
ケやチッピングを防止するためであり、面取り面の断面
形状は、表面に対し、２２°ないし１１°の斜面とそれ
に続く曲面で構成されている。また、この半導体基板
は、デバイスプロセスを経ると、バックグラインドにて
所定の厚さに加工していた。
示すようなＮＣ面取りにより、エッジ加工を行い面取り
を行っている。この面取りは、デバイスプロセスでのカ
ケやチッピングを防止するためであり、面取り面の断面
形状は、表面に対し、２２°ないし１１°の斜面とそれ
に続く曲面で構成されている。また、この半導体基板
は、デバイスプロセスを経ると、バックグラインドにて
所定の厚さに加工していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体基板においては、バックグラインドにて
薄膜化できない問題点があった。一般に、半導体基板は
大口径化と共に厚さが増加しており、例えば、３″φで
は３８０μｍであったものが、４″φでは５２５μｍ、
６″φでは６２５μｍ、８″φでは７２５μｍ、３００
ｍｍφでは７７５μｍと厚くなっており、パッケージン
グの都合で厚さをバックグラインドにて薄くする工程が
必要である。
た従来の半導体基板においては、バックグラインドにて
薄膜化できない問題点があった。一般に、半導体基板は
大口径化と共に厚さが増加しており、例えば、３″φで
は３８０μｍであったものが、４″φでは５２５μｍ、
６″φでは６２５μｍ、８″φでは７２５μｍ、３００
ｍｍφでは７７５μｍと厚くなっており、パッケージン
グの都合で厚さをバックグラインドにて薄くする工程が
必要である。
【０００５】しかし、デバイスプロセスを経た半導体基
板での量産的バックグラインドの許容厚さは、３″φで
は２００μｍが容易であったものが、４″φでは２２０
μｍでも相当量の折損率となり、６″φでは３００μｍ
程度であり、８″φで２００μｍは、一旦バックグライ
ンドで３５０μｍ程度とし、その後バックエッチで１５
０μｍエッチ除去しなければならず、多大な工数と薬品
代が必要であった。
板での量産的バックグラインドの許容厚さは、３″φで
は２００μｍが容易であったものが、４″φでは２２０
μｍでも相当量の折損率となり、６″φでは３００μｍ
程度であり、８″φで２００μｍは、一旦バックグライ
ンドで３５０μｍ程度とし、その後バックエッチで１５
０μｍエッチ除去しなければならず、多大な工数と薬品
代が必要であった。
【０００６】すなわち、折損率を極めて小さい値に見積
もる厚さである量産的バックグラインドの許容厚さは、
口径とともに厚くなっている。また、経験上許容厚は各
口径の厚さの半分程度であり、それを越えて薄膜化する
と、折損率が急激に増加する。この要因について、図１
８〜図２０を参照しながら説明する。図１８は従来の半
導体基板のブレード型バックグラインドの概念図であ
る。
もる厚さである量産的バックグラインドの許容厚さは、
口径とともに厚くなっている。また、経験上許容厚は各
口径の厚さの半分程度であり、それを越えて薄膜化する
と、折損率が急激に増加する。この要因について、図１
８〜図２０を参照しながら説明する。図１８は従来の半
導体基板のブレード型バックグラインドの概念図であ
る。
【０００７】ウエハチャック１には真空吸着で半導体基
板（以後、ウエハという）２が固定されている。ダイヤ
モンドを埋め込んだブレード３は、数千ｒｐｍで回転し
ているホイール４に固定されており、ウエハチャック１
がブレード３に向かって移動することにより、ブレード
３は研削部５を研削している。図１９は従来のウエハ厚
さ半分より少ない場合のバックグラインドでのブレード
３がウエハ２のエッジ６に接触した瞬間の応力を示して
おり、大きな水平方向の応力と、それより小さい下向き
の応力が発生しており、ウエハ２はウエハチャック１に
十分に固定されることになり、問題はない。
板（以後、ウエハという）２が固定されている。ダイヤ
モンドを埋め込んだブレード３は、数千ｒｐｍで回転し
ているホイール４に固定されており、ウエハチャック１
がブレード３に向かって移動することにより、ブレード
３は研削部５を研削している。図１９は従来のウエハ厚
さ半分より少ない場合のバックグラインドでのブレード
３がウエハ２のエッジ６に接触した瞬間の応力を示して
おり、大きな水平方向の応力と、それより小さい下向き
の応力が発生しており、ウエハ２はウエハチャック１に
十分に固定されることになり、問題はない。
【０００８】図２０は従来のウエハ厚さ半分より多くバ
ックグラインドする場合の応力を示しており、ブレード
３はウエハ２のエッジ６の下部に接触するため、研削部
の応力は水平方向と上向きの応力が発生する。そこで、
ウエハ２はウエハチャック１に真空吸着により固定され
ているが、エッジは真空吸着が完全ではないことや、デ
バイスプロセスが原因であるウエハ２に反りがあること
から、エッジ６の固定は完全ではなく、エッジ６は上方
に浮くことがあり、その瞬間にエッジに集中応力が働
き、ウエハ２が破損するといった問題があった。
ックグラインドする場合の応力を示しており、ブレード
３はウエハ２のエッジ６の下部に接触するため、研削部
の応力は水平方向と上向きの応力が発生する。そこで、
ウエハ２はウエハチャック１に真空吸着により固定され
ているが、エッジは真空吸着が完全ではないことや、デ
バイスプロセスが原因であるウエハ２に反りがあること
から、エッジ６の固定は完全ではなく、エッジ６は上方
に浮くことがあり、その瞬間にエッジに集中応力が働
き、ウエハ２が破損するといった問題があった。
【０００９】また、近年バックグラインドにおいてダイ
ヤモンドの研磨材を含む砥石を回転させ、自公転してい
るウエハを裏面側から研削するインフィード型（ｄｉｓ
ｃｏ社）のバックグラインドも採用されているが、原理
的にはブレード型と同様にダイヤモンドの研磨材がウエ
ハのエッジに衝突しており、上向きの応力が発生するウ
エハ厚さの半分より多くバックグラインドすると折損率
は増加している。
ヤモンドの研磨材を含む砥石を回転させ、自公転してい
るウエハを裏面側から研削するインフィード型（ｄｉｓ
ｃｏ社）のバックグラインドも採用されているが、原理
的にはブレード型と同様にダイヤモンドの研磨材がウエ
ハのエッジに衝突しており、上向きの応力が発生するウ
エハ厚さの半分より多くバックグラインドすると折損率
は増加している。
【００１０】この問題を解決するため、ウエハをチャッ
クに固定する方法として、ワックスも検討されたが、張
り付け、剥がし、ワックス洗浄の工程が増加し、特に、
ワックス洗浄において有機溶剤が必要であるが、近年環
境汚染の防止により、採用が不可能であり、従来のウエ
ハ及びそのプロセスでは、バックグラインドにて薄膜化
できない問題があって、技術的に満足できるものは得ら
れなかった。
クに固定する方法として、ワックスも検討されたが、張
り付け、剥がし、ワックス洗浄の工程が増加し、特に、
ワックス洗浄において有機溶剤が必要であるが、近年環
境汚染の防止により、採用が不可能であり、従来のウエ
ハ及びそのプロセスでは、バックグラインドにて薄膜化
できない問題があって、技術的に満足できるものは得ら
れなかった。
【００１１】本発明は、上記問題点を除去し、デバイス
プロセスにてエッジの欠けやチッピングを防止できる半
導体基板の製造方法及びその製造装置を提供することを
目的とする。
プロセスにてエッジの欠けやチッピングを防止できる半
導体基板の製造方法及びその製造装置を提供することを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体基板の製造方法において、曲面が軸方向に
形成される柱状の回転砥石で半導体基板の面取りを行
い、前記半導体基板の表面側のエッジ曲面が第１の円弧
を描き、前記半導体基板の裏面側のエッジ曲面が第２の
円弧を描き、前記第１の円弧の半径が前記第２の円弧の
半径より短く、かつ前記第２の円弧の部分が前記半導体
基板の厚さの半分より表面側に位置するように形成す
る。
成するために、 〔１〕半導体基板の製造方法において、曲面が軸方向に
形成される柱状の回転砥石で半導体基板の面取りを行
い、前記半導体基板の表面側のエッジ曲面が第１の円弧
を描き、前記半導体基板の裏面側のエッジ曲面が第２の
円弧を描き、前記第１の円弧の半径が前記第２の円弧の
半径より短く、かつ前記第２の円弧の部分が前記半導体
基板の厚さの半分より表面側に位置するように形成す
る。
【００１３】〔２〕半導体基板の製造方法において、曲
面が軸方向に形成される柱状の回転砥石で半導体基板の
面取りを行い、前記半導体基板の表面側のエッジ曲面が
第１の楕円弧を描き、前記半導体基板の裏面側のエッジ
曲面が第２の楕円弧を描き、前記第１の楕円弧の短軸の
長さが前記第２の楕円弧の短軸の長さより短く、前記第
２の楕円弧の部分が前記半導体基板の厚さの半分より表
面側に位置するように形成する。
面が軸方向に形成される柱状の回転砥石で半導体基板の
面取りを行い、前記半導体基板の表面側のエッジ曲面が
第１の楕円弧を描き、前記半導体基板の裏面側のエッジ
曲面が第２の楕円弧を描き、前記第１の楕円弧の短軸の
長さが前記第２の楕円弧の短軸の長さより短く、前記第
２の楕円弧の部分が前記半導体基板の厚さの半分より表
面側に位置するように形成する。
【００１４】〔３〕半導体基板の製造方法において、曲
面が軸方向に形成される柱状の回転砥石で半導体基板の
表面側の側面部に２２°の斜面で形成した面取りを行
い、前記斜面に滑らかに接続した半導体基板の表面側の
エッジ曲面が第１の楕円弧を描き、前記半導体基板の裏
面側のエッジ曲面が第２の楕円弧を描き、前記第１の楕
円弧の短軸の長さが前記第２の楕円弧の短軸の長さより
短く、前記第２の楕円弧の部分が前記半導体基板の厚さ
の半分より表面側に位置するように形成する。
面が軸方向に形成される柱状の回転砥石で半導体基板の
表面側の側面部に２２°の斜面で形成した面取りを行
い、前記斜面に滑らかに接続した半導体基板の表面側の
エッジ曲面が第１の楕円弧を描き、前記半導体基板の裏
面側のエッジ曲面が第２の楕円弧を描き、前記第１の楕
円弧の短軸の長さが前記第２の楕円弧の短軸の長さより
短く、前記第２の楕円弧の部分が前記半導体基板の厚さ
の半分より表面側に位置するように形成する。
【００１５】〔４〕半導体基板の製造方法において、半
導体基板の表面側と裏面側に２２°の斜面で形成した面
取りを行い、前記斜面に滑らかに接続した半導体基板の
表面側のエッジ曲面が数式ｙ＝ｘn1の弧を描き、前記半
導体基板の裏面側のエッジ曲面が数式ｙ＝−ｘn2の弧を
描き、座標原点は最大直径部を得る点であり、ｙは表面
方向であり、ｘは厚さ方向で曲線を表しており、ｎ１＞
ｎ２であり、最大直径部分が前記半導体基板の厚さの半
分より表面側に位置するように形成する。
導体基板の表面側と裏面側に２２°の斜面で形成した面
取りを行い、前記斜面に滑らかに接続した半導体基板の
表面側のエッジ曲面が数式ｙ＝ｘn1の弧を描き、前記半
導体基板の裏面側のエッジ曲面が数式ｙ＝−ｘn2の弧を
描き、座標原点は最大直径部を得る点であり、ｙは表面
方向であり、ｘは厚さ方向で曲線を表しており、ｎ１＞
ｎ２であり、最大直径部分が前記半導体基板の厚さの半
分より表面側に位置するように形成する。
【００１６】〔５〕半導体基板の製造方法において、デ
バイスプロセスが完了した半導体基板のエッジを円柱状
の回転砥石にて垂直面取りを行い、前記半導体基板のバ
ックグラインドを行う。 〔６〕半導体基板の製造方法において、デバイスプロセ
スが完了した半導体基板の裏面側のエッジを円錐状の回
転砥石にて表面に対し鋭角な面取りを行い、前記半導体
基板のバックグラインドを行う。
バイスプロセスが完了した半導体基板のエッジを円柱状
の回転砥石にて垂直面取りを行い、前記半導体基板のバ
ックグラインドを行う。 〔６〕半導体基板の製造方法において、デバイスプロセ
スが完了した半導体基板の裏面側のエッジを円錐状の回
転砥石にて表面に対し鋭角な面取りを行い、前記半導体
基板のバックグラインドを行う。
【００１７】〔７〕半導体基板の製造方法において、デ
バイスプロセスが完了した半導体基板の表面側の斜面に
滑らかに接続したエッジ曲面が第１の楕円弧を描き、前
記半導体基板の裏面側のエッジ曲面が第２の楕円弧を描
き、前記第１の楕円弧の短軸の長さが前記第２の楕円弧
の短軸の長さより短く、前記第２の楕円弧の部分が前記
半導体基板の厚さの半分より表面側に位置するように曲
面が軸方向に形成される柱状の回転砥石で半導体基板の
面取りを行い、前記半導体基板のバックグラインドを行
う。
バイスプロセスが完了した半導体基板の表面側の斜面に
滑らかに接続したエッジ曲面が第１の楕円弧を描き、前
記半導体基板の裏面側のエッジ曲面が第２の楕円弧を描
き、前記第１の楕円弧の短軸の長さが前記第２の楕円弧
の短軸の長さより短く、前記第２の楕円弧の部分が前記
半導体基板の厚さの半分より表面側に位置するように曲
面が軸方向に形成される柱状の回転砥石で半導体基板の
面取りを行い、前記半導体基板のバックグラインドを行
う。
【００１８】〔８〕半導体基板の製造装置において、半
導体基板を真空吸着させる手段と、ダイヤモンドを埋め
込んだブレードを固定したホイールを前記半導体基板の
表面に対して傾斜させて回転させ前記半導体基板の側面
を研削する手段と、前記ブレードを固定したホイールを
回転させる際、前記ブレードの片方が半導体基板のエッ
ジに当たらず、かつ、このブレードに対向する前記ブレ
ードは半導体基板を研削する位置に前記ホイールの軸を
固定する手段と、前記ブレードが常に前記半導体基板の
中心部からエッジに向かって研削する手段とを具備する
ようにしたものである。
導体基板を真空吸着させる手段と、ダイヤモンドを埋め
込んだブレードを固定したホイールを前記半導体基板の
表面に対して傾斜させて回転させ前記半導体基板の側面
を研削する手段と、前記ブレードを固定したホイールを
回転させる際、前記ブレードの片方が半導体基板のエッ
ジに当たらず、かつ、このブレードに対向する前記ブレ
ードは半導体基板を研削する位置に前記ホイールの軸を
固定する手段と、前記ブレードが常に前記半導体基板の
中心部からエッジに向かって研削する手段とを具備する
ようにしたものである。
【００１９】
〔９〕ダイヤモンドを埋め込んだブレード
を固定したホイールを半導体基板の表面に対して傾斜さ
せて回転させ前記半導体基板の側面を研削し、前記ブレ
ードを固定したホイールを回転させる際、前記ブレード
の片方が半導体基板のエッジに当たらず、かつ、このブ
レードに対向する前記ブレードは半導体基板を研削する
位置に前記ホイールの軸を固定し、前記ブレードが常に
前記半導体基板の中心部からエッジに向かって、デバイ
スプロセスが完了した半導体基板のエッジを全周研削
し、その後、バックグラインドを行う。
を固定したホイールを半導体基板の表面に対して傾斜さ
せて回転させ前記半導体基板の側面を研削し、前記ブレ
ードを固定したホイールを回転させる際、前記ブレード
の片方が半導体基板のエッジに当たらず、かつ、このブ
レードに対向する前記ブレードは半導体基板を研削する
位置に前記ホイールの軸を固定し、前記ブレードが常に
前記半導体基板の中心部からエッジに向かって、デバイ
スプロセスが完了した半導体基板のエッジを全周研削
し、その後、バックグラインドを行う。
【００２０】〔１０〕ダイヤモンドを埋め込んだブレー
ドを固定したホイールを半導体基板の表面に対して傾斜
させて回転させ前記半導体基板の側面を研削し、前記ブ
レードを固定したホイールを回転させる際、前記ブレー
ドの片方が半導体基板のエッジに当たらず、かつ、この
ブレードに対向する前記ブレードは半導体基板を研削す
る位置に前記ホイールの軸を固定し、前記ブレードが常
に前記半導体基板の中心部からエッジに向かって、デバ
イスプロセスが完了した半導体基板のエッジを半周以上
全周未満研削し、その後、ブレード型バックグラインド
にてブレードがこの研削面に最初に当たる位置で、前記
半導体基板のバックグラインドを行うようにしたもので
ある。
ドを固定したホイールを半導体基板の表面に対して傾斜
させて回転させ前記半導体基板の側面を研削し、前記ブ
レードを固定したホイールを回転させる際、前記ブレー
ドの片方が半導体基板のエッジに当たらず、かつ、この
ブレードに対向する前記ブレードは半導体基板を研削す
る位置に前記ホイールの軸を固定し、前記ブレードが常
に前記半導体基板の中心部からエッジに向かって、デバ
イスプロセスが完了した半導体基板のエッジを半周以上
全周未満研削し、その後、ブレード型バックグラインド
にてブレードがこの研削面に最初に当たる位置で、前記
半導体基板のバックグラインドを行うようにしたもので
ある。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示すウ
エハのバックグラインド方法の説明図、図２はそのバッ
クグラインド方法によって面取りされるウエハの構造を
示す側面図である。
て詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示すウ
エハのバックグラインド方法の説明図、図２はそのバッ
クグラインド方法によって面取りされるウエハの構造を
示す側面図である。
【００２２】この第１実施例では、これらの図に示すよ
うに、面取り前のウエハ２０１は表面２０１Ａ、裏面２
０１Ｂを有しており、その面取り前のウエハ２０１のエ
ッジ（側面部）を、曲面が軸方向に形成される柱状の回
転砥石７０１によって面取りする。すると、図２に示す
ように、ウエハ２０１の表面側のエッジ曲面が第１の円
弧６０１を描き、前記ウエハ２０１の裏面側のエッジ曲
面が第２の円弧６０２を描き、前記第１の円弧６０１の
半径ａは前記第２の円弧６０２の半径ｂより短く、かつ
前記第２の円弧６０２の部分が前記ウエハ２０１の厚さ
の半分より表面側に位置するように形成する。
うに、面取り前のウエハ２０１は表面２０１Ａ、裏面２
０１Ｂを有しており、その面取り前のウエハ２０１のエ
ッジ（側面部）を、曲面が軸方向に形成される柱状の回
転砥石７０１によって面取りする。すると、図２に示す
ように、ウエハ２０１の表面側のエッジ曲面が第１の円
弧６０１を描き、前記ウエハ２０１の裏面側のエッジ曲
面が第２の円弧６０２を描き、前記第１の円弧６０１の
半径ａは前記第２の円弧６０２の半径ｂより短く、かつ
前記第２の円弧６０２の部分が前記ウエハ２０１の厚さ
の半分より表面側に位置するように形成する。
【００２３】このように、二つのエッジ曲面は表面と裏
面に滑らかに接続するとともに、前記第２の円弧６０２
の部分がウエハ２０１の厚みの中心より表面側に位置し
ている。このような、第１実施例のバックグラインド時
の応力について、図３を用いて説明する。
面に滑らかに接続するとともに、前記第２の円弧６０２
の部分がウエハ２０１の厚みの中心より表面側に位置し
ている。このような、第１実施例のバックグラインド時
の応力について、図３を用いて説明する。
【００２４】図３は本発明の第１実施例の第２の円弧の
部分の端にブレードが接触した瞬間の応力を示す図であ
る。この図より明らかなように、第１の円弧と第２の円
弧の境界部にブレード３が接触した時は、水平の応力が
あるのみである。このように、第１実施例によれば、ウ
エハ２０１のエッジは表面側の円弧６０１と裏面側の円
弧６０２は連続で接続された曲面となるので、デバイス
プロセスにてエッジの欠けやチッピングを防止すること
ができる。
部分の端にブレードが接触した瞬間の応力を示す図であ
る。この図より明らかなように、第１の円弧と第２の円
弧の境界部にブレード３が接触した時は、水平の応力が
あるのみである。このように、第１実施例によれば、ウ
エハ２０１のエッジは表面側の円弧６０１と裏面側の円
弧６０２は連続で接続された曲面となるので、デバイス
プロセスにてエッジの欠けやチッピングを防止すること
ができる。
【００２５】また、ウエハの表面側の円弧の半径ａを小
さくするようにしたので、その分、半径の大きい裏面側
の円弧部分が表面側に移動しており、バックグラインド
にて折損率を増加させることなく、従来よりウエハの薄
膜化を図ることができる。また、この実施例において、
ウエハのエッジ加工において、回転砥石を変更するのみ
で、実施できるので、デバイスプロセスにおいて、工数
増加を伴うことなく、実施することができる。
さくするようにしたので、その分、半径の大きい裏面側
の円弧部分が表面側に移動しており、バックグラインド
にて折損率を増加させることなく、従来よりウエハの薄
膜化を図ることができる。また、この実施例において、
ウエハのエッジ加工において、回転砥石を変更するのみ
で、実施できるので、デバイスプロセスにおいて、工数
増加を伴うことなく、実施することができる。
【００２６】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図４は本発明の第２実施例を示すウエハのバックグ
ラインド方法の説明図、図５はそのバックグラインド方
法によって面取りされるウエハの構造を示す側面図であ
る。これら図に示すように、ウエハ２０２は表面２０２
Ａ、裏面２０２Ｂを有しており、その面取り前のウエハ
２０２のエッジ（側面部）を、曲面が軸方向に形成され
る柱状の回転砥石７０２によって面取りする。
る。図４は本発明の第２実施例を示すウエハのバックグ
ラインド方法の説明図、図５はそのバックグラインド方
法によって面取りされるウエハの構造を示す側面図であ
る。これら図に示すように、ウエハ２０２は表面２０２
Ａ、裏面２０２Ｂを有しており、その面取り前のウエハ
２０２のエッジ（側面部）を、曲面が軸方向に形成され
る柱状の回転砥石７０２によって面取りする。
【００２７】すると、図５に示すように、その面取り前
のウエハ２０２の表面側のエッジ曲面が第１の楕円弧６
０３を描き、前記ウエハ２０２の裏面側のエッジ曲面が
第２の楕円弧６０４を描き、前記第１の楕円弧６０３の
短軸の長さａが前記第２の楕円弧６０４の短軸の長さｂ
より短く、前記第２の楕円弧６０４の部分が前記ウエハ
２０２の厚さの半分より表面側に位置するように形成す
る。
のウエハ２０２の表面側のエッジ曲面が第１の楕円弧６
０３を描き、前記ウエハ２０２の裏面側のエッジ曲面が
第２の楕円弧６０４を描き、前記第１の楕円弧６０３の
短軸の長さａが前記第２の楕円弧６０４の短軸の長さｂ
より短く、前記第２の楕円弧６０４の部分が前記ウエハ
２０２の厚さの半分より表面側に位置するように形成す
る。
【００２８】このように、第２実施例によれば、ウエハ
２０２のエッジは、表面側のエッジ６０３と裏面側のエ
ッジ６０４は連続で接続された曲面で形成されるので、
デバイスプロセスにてエッジの欠けやチッピングを防止
することができる。したがって、第２実施例によれば、
第１実施例と同様にバックグラインドにてウエハ２０２
のエッジに加わる応力としては、上向きの応力は発生し
ない。
２０２のエッジは、表面側のエッジ６０３と裏面側のエ
ッジ６０４は連続で接続された曲面で形成されるので、
デバイスプロセスにてエッジの欠けやチッピングを防止
することができる。したがって、第２実施例によれば、
第１実施例と同様にバックグラインドにてウエハ２０２
のエッジに加わる応力としては、上向きの応力は発生し
ない。
【００２９】よって、第１実施例と同様の効果が得られ
るばかりでなく、エッジの断面形状を形成している曲線
に楕円を採用したので、両者の曲面はより滑らかに接続
できて、その境界部をより表面に位置させることが可能
となり、結果として、バックグラインドでの薄膜化を図
ることができる。次に、本発明の第３実施例について説
明する。
るばかりでなく、エッジの断面形状を形成している曲線
に楕円を採用したので、両者の曲面はより滑らかに接続
できて、その境界部をより表面に位置させることが可能
となり、結果として、バックグラインドでの薄膜化を図
ることができる。次に、本発明の第３実施例について説
明する。
【００３０】図６は本発明の第３実施例を示すウエハの
バックグラインド方法の説明図、図７は本発明の第３実
施例を示すウエハのバックグラインド方法によって面取
りされるウエハの構造を示す側面図である。この実施例
では、図６に示すように、デバイスプロセスが完了した
斜面６０５が形成された面取り前のウエハ２０３のエッ
ジを、曲面が軸方向に形成される柱状の回転砥石で面取
りする。
バックグラインド方法の説明図、図７は本発明の第３実
施例を示すウエハのバックグラインド方法によって面取
りされるウエハの構造を示す側面図である。この実施例
では、図６に示すように、デバイスプロセスが完了した
斜面６０５が形成された面取り前のウエハ２０３のエッ
ジを、曲面が軸方向に形成される柱状の回転砥石で面取
りする。
【００３１】すると、図７に示すように、２２°の斜面
６０５に滑らかに接続したウエハ２０３の表面２０３Ａ
側のエッジ曲面が第１の楕円弧６０６を描き、前記ウエ
ハ２０３の裏面２０３Ｂ側のエッジ曲面が第２の楕円弧
６０８を描き、前記第１の楕円弧６０６の短軸の長さａ
が前記第２の楕円弧６０８の短軸の長さｂより短く、前
記第２の楕円弧６０８の部分が前記ウエハ２０３の厚さ
の半分より表面側に位置するように形成する。
６０５に滑らかに接続したウエハ２０３の表面２０３Ａ
側のエッジ曲面が第１の楕円弧６０６を描き、前記ウエ
ハ２０３の裏面２０３Ｂ側のエッジ曲面が第２の楕円弧
６０８を描き、前記第１の楕円弧６０６の短軸の長さａ
が前記第２の楕円弧６０８の短軸の長さｂより短く、前
記第２の楕円弧６０８の部分が前記ウエハ２０３の厚さ
の半分より表面側に位置するように形成する。
【００３２】このように、エッジ曲面が表面側の２２°
の斜面６０５と裏面側の斜面６０７に滑らかに接続する
とともに、２つのエッジ曲面の境界部がウエハ２０３の
厚みの中心より表面側に位置している。したがって、図
示していないが、この第３実施例では、第１実施例と同
様に、２つのエッジ曲面の境界部までバックグラインド
にてウエハ２０３のエッジに加わる応力において、上向
きの応力は発生しない。
の斜面６０５と裏面側の斜面６０７に滑らかに接続する
とともに、２つのエッジ曲面の境界部がウエハ２０３の
厚みの中心より表面側に位置している。したがって、図
示していないが、この第３実施例では、第１実施例と同
様に、２つのエッジ曲面の境界部までバックグラインド
にてウエハ２０３のエッジに加わる応力において、上向
きの応力は発生しない。
【００３３】したがって、第１実施例と同様の効果が得
られるばかりでなく、エッジ曲面のの断面形状におい
て、表面側には従来一般的に用いられている２２°の斜
面を有してるので、デバイスプロセス、特にホトリソで
レジスト塗布でのエッジの効果において、従来と変わら
ない特徴を奏することができる。次に、本発明の第４実
施例について説明する。
られるばかりでなく、エッジ曲面のの断面形状におい
て、表面側には従来一般的に用いられている２２°の斜
面を有してるので、デバイスプロセス、特にホトリソで
レジスト塗布でのエッジの効果において、従来と変わら
ない特徴を奏することができる。次に、本発明の第４実
施例について説明する。
【００３４】図８は本発明の第４実施例を示すウエハの
バックグラインド方法によって面取りされるウエハの構
造を示す側面図である。この実施例では、図８に示すよ
うに、デバイスプロセスが完了した斜面６０５，６０７
が形成された面取り前のウエハ２０４のエッジを曲面が
軸方向に形成される柱状の回転砥石７０３Ａで面取りす
る。
バックグラインド方法によって面取りされるウエハの構
造を示す側面図である。この実施例では、図８に示すよ
うに、デバイスプロセスが完了した斜面６０５，６０７
が形成された面取り前のウエハ２０４のエッジを曲面が
軸方向に形成される柱状の回転砥石７０３Ａで面取りす
る。
【００３５】すなわち、ウエハ２０４は表面２０４Ａ、
裏面２０４Ｂを有しており、そのウエハ２０４は、エッ
ジの断面形状を表面側の２２°の斜面６０５と、それに
接続している表面側のエッジ曲面が数式ｙ＝ｘn1の弧６
０９を描き、前記ウエハ２０４の裏面側のエッジ曲面が
数式ｙ＝−ｘn2の弧６１０を描き、座標原点は最大直径
部を得る点であり、ｙは表面方向であり、ｘは厚さ方向
で曲線を表しており、ｎ１＞ｎ２であり、最大直径部分
である２つのエッジ曲面の境界部が、前記ウエハ２０４
の厚さの半分より表面側に位置するように形成する。
裏面２０４Ｂを有しており、そのウエハ２０４は、エッ
ジの断面形状を表面側の２２°の斜面６０５と、それに
接続している表面側のエッジ曲面が数式ｙ＝ｘn1の弧６
０９を描き、前記ウエハ２０４の裏面側のエッジ曲面が
数式ｙ＝−ｘn2の弧６１０を描き、座標原点は最大直径
部を得る点であり、ｙは表面方向であり、ｘは厚さ方向
で曲線を表しており、ｎ１＞ｎ２であり、最大直径部分
である２つのエッジ曲面の境界部が、前記ウエハ２０４
の厚さの半分より表面側に位置するように形成する。
【００３６】この実施例によれば、図示していないが、
第１実施例と同様にバックグラインドにてウエハのエッ
ジに加わる応力において上向きの応力は発生しない。し
たがって、第３実施例と同様の効果を奏することができ
るばかりでなく、エッジの曲線に高次曲線を用いている
ため、より２つのエッジ曲面の境界部の位置を表面側に
移動することができ、結果として、バックグラインドで
の薄膜化を図ることができる。
第１実施例と同様にバックグラインドにてウエハのエッ
ジに加わる応力において上向きの応力は発生しない。し
たがって、第３実施例と同様の効果を奏することができ
るばかりでなく、エッジの曲線に高次曲線を用いている
ため、より２つのエッジ曲面の境界部の位置を表面側に
移動することができ、結果として、バックグラインドで
の薄膜化を図ることができる。
【００３７】次に、本発明の第５実施例について説明す
る。図９は本発明の第５実施例を示すウエハのバックグ
ラインド方法の説明図、図１０はそのエッジ研磨の手順
を示す図である。この実施例では、デバイスプロセスを
完了したウエハ２０５は、表面２０５Ａ、裏面２０５Ｂ
を有しており、そのウエハ２０５のエッジを垂直な面で
形成した円柱状の回転砥石７０４にてエッジ研磨を行
う。エッジ研磨を行ったウエハ２０５の垂直研磨面６１
１は円柱状の回転砥石７０４にて形成したものである。
その後、バックグラインドにて裏面を研削し、裏面研削
面８を得る。
る。図９は本発明の第５実施例を示すウエハのバックグ
ラインド方法の説明図、図１０はそのエッジ研磨の手順
を示す図である。この実施例では、デバイスプロセスを
完了したウエハ２０５は、表面２０５Ａ、裏面２０５Ｂ
を有しており、そのウエハ２０５のエッジを垂直な面で
形成した円柱状の回転砥石７０４にてエッジ研磨を行
う。エッジ研磨を行ったウエハ２０５の垂直研磨面６１
１は円柱状の回転砥石７０４にて形成したものである。
その後、バックグラインドにて裏面を研削し、裏面研削
面８を得る。
【００３８】この実施例によれば、図示していないが、
垂直研磨面６１１をバックグラインドすれば、第１実施
例と同様にウエハのエッジに加わる応力において、上向
きの応力は発生しない。したがって、バックグラインド
工程前にエッジ研磨工程を付加するだけで、いかなる形
状のエッジ断面形状のウエハであっても、バックグライ
ンドの限界近くまで薄膜化することができる。
垂直研磨面６１１をバックグラインドすれば、第１実施
例と同様にウエハのエッジに加わる応力において、上向
きの応力は発生しない。したがって、バックグラインド
工程前にエッジ研磨工程を付加するだけで、いかなる形
状のエッジ断面形状のウエハであっても、バックグライ
ンドの限界近くまで薄膜化することができる。
【００３９】次に、本発明の第６実施例について説明す
る。図１１は本発明の第６実施例を示すウエハのバック
グラインド方法の説明図、図１２は第６実施例における
研磨の手順を示す図である。この実施例では、これらの
図に示すように、デバイスプロセスを完了したウエハ２
０６は、表面２０６Ａ、裏面２０６Ｂを有しており、こ
のウエハ２０６のエッジを垂直な面とウエハ側への斜面
で構成した円錐状の回転砥石７０５にてエッジ研磨を実
施する。エッジ研磨を行ったウエハ２０６の垂直部を含
む斜面で構成した研磨面６１２は回転砥石７０５にて形
成したものである。その後、ウエハ２０６を逆さまにし
て、バックグラインドにて裏面を研削し、裏面研削面８
を得る。
る。図１１は本発明の第６実施例を示すウエハのバック
グラインド方法の説明図、図１２は第６実施例における
研磨の手順を示す図である。この実施例では、これらの
図に示すように、デバイスプロセスを完了したウエハ２
０６は、表面２０６Ａ、裏面２０６Ｂを有しており、こ
のウエハ２０６のエッジを垂直な面とウエハ側への斜面
で構成した円錐状の回転砥石７０５にてエッジ研磨を実
施する。エッジ研磨を行ったウエハ２０６の垂直部を含
む斜面で構成した研磨面６１２は回転砥石７０５にて形
成したものである。その後、ウエハ２０６を逆さまにし
て、バックグラインドにて裏面を研削し、裏面研削面８
を得る。
【００４０】この実施例によれば、図示していないが、
研磨面６１２をバックグラインドすれば、第１実施例と
同様にウエハのエッジに加わる応力において、上向きの
応力は発生しない。したがって、第５実施例と同様の効
果が得られると共に、研磨面６１２の斜面をバックグラ
インドする場合は、ウエハのエッジに加わる応力が常に
下向きであり、折損率を極めて改善することができる。
研磨面６１２をバックグラインドすれば、第１実施例と
同様にウエハのエッジに加わる応力において、上向きの
応力は発生しない。したがって、第５実施例と同様の効
果が得られると共に、研磨面６１２の斜面をバックグラ
インドする場合は、ウエハのエッジに加わる応力が常に
下向きであり、折損率を極めて改善することができる。
【００４１】次に、本発明の第７実施例について説明す
る。図１３は本発明の第７実施例を示すウエハのバック
グラインド方法の説明図、図１４はそのウエハのエッジ
研磨の手順を示す図である。この実施例では、デバイス
プロセスを完了したウエハ２０７は、表面２０７Ａ、裏
面２０７Ｂを有しており、このウエハ２０７のエッジ
（側面部）を、曲面が軸方向に形成される柱状の回転砥
石７０６によって面取りする。
る。図１３は本発明の第７実施例を示すウエハのバック
グラインド方法の説明図、図１４はそのウエハのエッジ
研磨の手順を示す図である。この実施例では、デバイス
プロセスを完了したウエハ２０７は、表面２０７Ａ、裏
面２０７Ｂを有しており、このウエハ２０７のエッジ
（側面部）を、曲面が軸方向に形成される柱状の回転砥
石７０６によって面取りする。
【００４２】すなわち、デバイスプロセスが完了したウ
エハ２０７の表面側の斜面に滑らかに接続したエッジ曲
面が第１の楕円弧を描き、前記半導体基板の裏面側のエ
ッジ曲面が第２の楕円弧を描き、前記第１の楕円弧の短
軸の長さが前記第２の楕円弧の短軸の長さより短く、前
記第２の楕円弧の部分が前記半導体基板の厚さの半分よ
り表面側に位置するように曲面が軸方向に形成される柱
状の回転砥石７０６でウエハ２０７の面取りを行い、エ
ッジ研磨を実施する。その後、バックグラインドにて裏
面を研削し、裏面研削面８を得る。
エハ２０７の表面側の斜面に滑らかに接続したエッジ曲
面が第１の楕円弧を描き、前記半導体基板の裏面側のエ
ッジ曲面が第２の楕円弧を描き、前記第１の楕円弧の短
軸の長さが前記第２の楕円弧の短軸の長さより短く、前
記第２の楕円弧の部分が前記半導体基板の厚さの半分よ
り表面側に位置するように曲面が軸方向に形成される柱
状の回転砥石７０６でウエハ２０７の面取りを行い、エ
ッジ研磨を実施する。その後、バックグラインドにて裏
面を研削し、裏面研削面８を得る。
【００４３】この実施例によれば、図示してないが、第
２実施例と同様に、２つの楕円弧の境界部までバックグ
ラインドにてウエハのエッジに加わる応力において上向
きの応力は発生しない。したがって、第５実施例と同様
の効果を奏することができると共に、研磨面６１３は曲
線で面取りされているため、バックグラインド前工程で
の欠けやチッピングを防止することができる。
２実施例と同様に、２つの楕円弧の境界部までバックグ
ラインドにてウエハのエッジに加わる応力において上向
きの応力は発生しない。したがって、第５実施例と同様
の効果を奏することができると共に、研磨面６１３は曲
線で面取りされているため、バックグラインド前工程で
の欠けやチッピングを防止することができる。
【００４４】次に、本発明の第８実施例について説明す
る。図１５は本発明の第８実施例を示すウエハのバック
グラインド方法の説明図、図１６はそのバックグライン
ド方法によって面取りされるウエハの構造を示す側面図
である。この実施例では、回転するウエハチャック１１
にデバイスプロセスを完了したウエハ２０８の表面２０
８Ａを真空吸着させ固定する装置と、ダイヤモンドを埋
め込んだブレード４０を固定したホイール４１と、この
ホイール４１のブレード４０の片方が回転により、ウエ
ハ２０８のエッジに当たらない程度に傾斜させており、
ブレード４０が常にウエハ２０８の中心部からエッジに
向かって研削できる位置関係となっている。
る。図１５は本発明の第８実施例を示すウエハのバック
グラインド方法の説明図、図１６はそのバックグライン
ド方法によって面取りされるウエハの構造を示す側面図
である。この実施例では、回転するウエハチャック１１
にデバイスプロセスを完了したウエハ２０８の表面２０
８Ａを真空吸着させ固定する装置と、ダイヤモンドを埋
め込んだブレード４０を固定したホイール４１と、この
ホイール４１のブレード４０の片方が回転により、ウエ
ハ２０８のエッジに当たらない程度に傾斜させており、
ブレード４０が常にウエハ２０８の中心部からエッジに
向かって研削できる位置関係となっている。
【００４５】このブレード４０にてウエハ２０８のエッ
ジを全周研削し、面取り研削面６１４を得るようにして
いる。なお、２０８Ｂはウエハ２０８の裏面である。図
１６はウエハのエッジ研削の手順を示しており、全周面
取り研削したウエハ２０８の研削面６１４はホイール４
１にて形成したものである。その後、バックグラインド
にて裏面を研削し、裏面研削面８を得る。
ジを全周研削し、面取り研削面６１４を得るようにして
いる。なお、２０８Ｂはウエハ２０８の裏面である。図
１６はウエハのエッジ研削の手順を示しており、全周面
取り研削したウエハ２０８の研削面６１４はホイール４
１にて形成したものである。その後、バックグラインド
にて裏面を研削し、裏面研削面８を得る。
【００４６】この実施例によれば、図示していないが、
第１実施例と同様にバックグラインドにてウエハのエッ
ジに加わる応力において、上向きの応力は発生しない。
したがって、第５実施例と同様の効果を奏することがで
きると共に、研削面６１４の斜面をバックグラインドし
ているため、ウエハ２０８のエッジに加わる応力が常に
下向きであり、折損率を極めて改善することができる。
第１実施例と同様にバックグラインドにてウエハのエッ
ジに加わる応力において、上向きの応力は発生しない。
したがって、第５実施例と同様の効果を奏することがで
きると共に、研削面６１４の斜面をバックグラインドし
ているため、ウエハ２０８のエッジに加わる応力が常に
下向きであり、折損率を極めて改善することができる。
【００４７】次に、本発明の第９実施例について説明す
る。図１７は本発明の第９実施例を示す、第８実施例に
示した製造装置により、面取り研削を全周の略半分実施
した平面模式図である。この実施例では、ウエハ２０９
の裏面を略半周面取り研削し、研削面６１５を得てい
る。ブレード型バックグラインドにてブレードが固定さ
れているホイール４１に対し研削移動方向に研削面６１
５と未研削の境界を合わせ、かつホイール４１のブレー
ドが当たる側に研削面６１５を位置させ、裏面を研削す
る。
る。図１７は本発明の第９実施例を示す、第８実施例に
示した製造装置により、面取り研削を全周の略半分実施
した平面模式図である。この実施例では、ウエハ２０９
の裏面を略半周面取り研削し、研削面６１５を得てい
る。ブレード型バックグラインドにてブレードが固定さ
れているホイール４１に対し研削移動方向に研削面６１
５と未研削の境界を合わせ、かつホイール４１のブレー
ドが当たる側に研削面６１５を位置させ、裏面を研削す
る。
【００４８】この実施例によれば、図示していないが、
第１実施例と同様に面取り研削部分のバックグラインド
にてウエハのエッジに加わる応力において上向きの応力
は発生しない。したがって、第８実施例と同様の効果を
奏することができると共に、研削面６１５は半周しか研
削する必要がないので、研削時間の短縮化を図ることが
できる。
第１実施例と同様に面取り研削部分のバックグラインド
にてウエハのエッジに加わる応力において上向きの応力
は発生しない。したがって、第８実施例と同様の効果を
奏することができると共に、研削面６１５は半周しか研
削する必要がないので、研削時間の短縮化を図ることが
できる。
【００４９】なお、本発明は、Ｓｉウエハについて述べ
たが、化合物半導体基板においても同様の効果を奏する
ことができる。また、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可
能であり、これらを本発明の範囲から排除するものでは
ない。
たが、化合物半導体基板においても同様の効果を奏する
ことができる。また、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可
能であり、これらを本発明の範囲から排除するものでは
ない。
【００５０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１記載の発明によれば、半導体基板は表面
側のエッジと裏面側のエッジは、連続で接続された半径
の異なる円弧で形成されているので、デバイスプロセス
にてエッジの欠けやチッピングを防止することができ
る。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１記載の発明によれば、半導体基板は表面
側のエッジと裏面側のエッジは、連続で接続された半径
の異なる円弧で形成されているので、デバイスプロセス
にてエッジの欠けやチッピングを防止することができ
る。
【００５１】また、表面側の円弧の半径を裏面側の円弧
の半径より小さくするようにしたので、その分最大直径
部が表面側に移動しており、バックグラインドにて折損
率を増加させることなく、従来の半導体基板より薄膜化
することができる。更に、半導体基板の製造工程の面取
りにおいて、回転砥石を変更するのみで、実施できるの
で、デバイスプロセスにおいて工数増加を伴うことな
く、実施することができる。
の半径より小さくするようにしたので、その分最大直径
部が表面側に移動しており、バックグラインドにて折損
率を増加させることなく、従来の半導体基板より薄膜化
することができる。更に、半導体基板の製造工程の面取
りにおいて、回転砥石を変更するのみで、実施できるの
で、デバイスプロセスにおいて工数増加を伴うことな
く、実施することができる。
【００５２】（Ｂ）請求項２記載の発明によれば、半導
体基板のエッジの断面形状を形成している曲面に楕円を
採用することにより、表面に、より滑らかに接続でき
て、最大直径部を、より表面に位置させることが可能と
なり、結果としてバックグラインドでの薄膜化を図るこ
とができる。 （Ｃ）請求項３記載の発明によれば、半導体基板のエッ
ジの曲面において、表面側には従来一般的に用いられて
いる２２°の斜面を有することにより、デバイスプロセ
ス、特にホトリソでのレジスト塗布でのエッジの効果に
おいて、従来と変わらない特徴を有している。
体基板のエッジの断面形状を形成している曲面に楕円を
採用することにより、表面に、より滑らかに接続でき
て、最大直径部を、より表面に位置させることが可能と
なり、結果としてバックグラインドでの薄膜化を図るこ
とができる。 （Ｃ）請求項３記載の発明によれば、半導体基板のエッ
ジの曲面において、表面側には従来一般的に用いられて
いる２２°の斜面を有することにより、デバイスプロセ
ス、特にホトリソでのレジスト塗布でのエッジの効果に
おいて、従来と変わらない特徴を有している。
【００５３】（Ｄ）請求項４記載の発明によれば、半導
体基板のエッジの曲面に高次曲線を用いていることによ
り、より最大直径部の位置を表面側に移動でき、結果と
してバックグラインドでの薄膜化を図ることができる。 （Ｅ）請求項５記載の発明によれば、半導体基板のバッ
クグラインド工程前にエッジ研磨工程を付加するだけ
で、いかなる形状のエッジ断面形状の半導体基板であっ
ても、バックグラインドの限界近くまで薄膜化すること
ができる。
体基板のエッジの曲面に高次曲線を用いていることによ
り、より最大直径部の位置を表面側に移動でき、結果と
してバックグラインドでの薄膜化を図ることができる。 （Ｅ）請求項５記載の発明によれば、半導体基板のバッ
クグラインド工程前にエッジ研磨工程を付加するだけ
で、いかなる形状のエッジ断面形状の半導体基板であっ
ても、バックグラインドの限界近くまで薄膜化すること
ができる。
【００５４】（Ｆ）請求項６記載の発明によれば、研磨
面の斜面をバックグラインドする場合は半導体基板のエ
ッジに加わる応力が常に下向きであり、折損率を極めて
改善することができる。 （Ｇ）請求項７記載の発明によれば、半導体基板は研磨
面は曲面で面取りされているため、バックグラインド前
工程での欠けやチッピングを防止することができる。
面の斜面をバックグラインドする場合は半導体基板のエ
ッジに加わる応力が常に下向きであり、折損率を極めて
改善することができる。 （Ｇ）請求項７記載の発明によれば、半導体基板は研磨
面は曲面で面取りされているため、バックグラインド前
工程での欠けやチッピングを防止することができる。
【００５５】（Ｈ）請求項９記載の発明によれば、半導
体基板は研削面の斜面をバックグラインドしているた
め、半導体基板のエッジに加わる応力が常に下向きであ
り、折損率を極めて改善することができる。 （Ｉ）請求項１０記載の発明によれば、半導体基板の研
削面は半周しか研削しなくて済むので、研削時間の短縮
化を図ることができる。
体基板は研削面の斜面をバックグラインドしているた
め、半導体基板のエッジに加わる応力が常に下向きであ
り、折損率を極めて改善することができる。 （Ｉ）請求項１０記載の発明によれば、半導体基板の研
削面は半周しか研削しなくて済むので、研削時間の短縮
化を図ることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示すウエハのバックグラ
インド方法の説明図である。
インド方法の説明図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すウエハのバックグラ
インド方法によって面取りされるウエハの構造を示す側
面図である。
インド方法によって面取りされるウエハの構造を示す側
面図である。
【図３】本発明の第１実施例のウエハの最大直径部にブ
レードが接触した瞬間の応力を示す図である。
レードが接触した瞬間の応力を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すウエハのバックグラ
インド方法の説明図である。
インド方法の説明図である。
【図５】本発明の第２実施例を示すバックグラインド方
法によって面取りされるウエハの構造を示す側面図であ
る。
法によって面取りされるウエハの構造を示す側面図であ
る。
【図６】本発明の第３実施例を示すウエハのバックグラ
インド方法の説明図である。
インド方法の説明図である。
【図７】本発明の第３実施例を示すウエハのバックグラ
インド方法によって面取りされたウエハの構造を示す側
面図である。
インド方法によって面取りされたウエハの構造を示す側
面図である。
【図８】本発明の第４実施例を示すウエハのバックグラ
インド方法によって面取りされるウエハの構造を示す側
面図である。
インド方法によって面取りされるウエハの構造を示す側
面図である。
【図９】本発明の第５実施例を示すウエハのバックグラ
インド方法の説明図である。
インド方法の説明図である。
【図１０】本発明の第５実施例を示すウエハのエッジ研
磨の手順を示す図である。
磨の手順を示す図である。
【図１１】本発明の第６実施例を示すウエハのバックグ
ラインド方法の説明図である。
ラインド方法の説明図である。
【図１２】本発明の第６実施例を示すウエハのエッジ研
磨の手順を示す図である。
磨の手順を示す図である。
【図１３】本発明の第７実施例を示すウエハのバックグ
ラインド方法の説明図である。
ラインド方法の説明図である。
【図１４】本発明の第７実施例を示すウエハのバックグ
ラインド方法によって面取りされるウエハの構造を示す
側面図である。
ラインド方法によって面取りされるウエハの構造を示す
側面図である。
【図１５】本発明の第８実施例を示すウエハのバックグ
ラインド方法の説明図である。
ラインド方法の説明図である。
【図１６】本発明の第８実施例を示すウエハのバックグ
ラインド方法によって面取りされるウエハの構造を示す
側面図である。
ラインド方法によって面取りされるウエハの構造を示す
側面図である。
【図１７】本発明の第９実施例を示す、第８実施例の製
造装置により、面取り研削を全周の半分実施した平面模
式図である。
造装置により、面取り研削を全周の半分実施した平面模
式図である。
【図１８】従来の半導体基板のブレード型バックグライ
ンドの概念図である。
ンドの概念図である。
【図１９】従来のウエハ厚さ半分より少ない場合のバッ
クグラインドでのブレードがウエハのエッジに接触した
瞬間の応力を示す図である。
クグラインドでのブレードがウエハのエッジに接触した
瞬間の応力を示す図である。
【図２０】従来のウエハ厚さ半分より多くバックグライ
ンドする場合の応力を示す図である。
ンドする場合の応力を示す図である。
３ ブレード ８ 裏面研削面 １１ ウエハチャック ４０ ブレード ４１ ホイール ２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２
０７，２０８，２０９ウエハ（半導体基板） ２０１Ａ，２０２Ａ，２０３Ａ，２０４Ａ，２０５Ａ，
２０６Ａ，２０７Ａ，２０８Ａ 表面 ２０１Ｂ，２０２Ｂ，２０３Ｂ，２０４Ｂ，２０５Ｂ，
２０６Ｂ，２０７Ｂ，２０８Ｂ 裏面 ６０１，６０２ 円弧 ６０３，６０４，６０６，６０８ 楕円弧 ６０５，６０７ 斜面 ６０９，６１０ 弧 ６１１ 垂直研磨面 ６１２ 研磨面 ６１３，６１４，６１５ 研削面 ７０１，７０２，７０３，７０３Ａ，７０４，７０５，
７０６ 回転砥石
０７，２０８，２０９ウエハ（半導体基板） ２０１Ａ，２０２Ａ，２０３Ａ，２０４Ａ，２０５Ａ，
２０６Ａ，２０７Ａ，２０８Ａ 表面 ２０１Ｂ，２０２Ｂ，２０３Ｂ，２０４Ｂ，２０５Ｂ，
２０６Ｂ，２０７Ｂ，２０８Ｂ 裏面 ６０１，６０２ 円弧 ６０３，６０４，６０６，６０８ 楕円弧 ６０５，６０７ 斜面 ６０９，６１０ 弧 ６１１ 垂直研磨面 ６１２ 研磨面 ６１３，６１４，６１５ 研削面 ７０１，７０２，７０３，７０３Ａ，７０４，７０５，
７０６ 回転砥石
Claims (10)
- 【請求項１】（ａ）曲面が軸方向に形成される柱状の回
転砥石で半導体基板の面取りを行い、（ｂ）前記半導体
基板の表面側のエッジ曲面が第１の円弧を描き、前記半
導体基板の裏面側のエッジ曲面が第２の円弧を描き、前
記第１の円弧の半径が前記第２の円弧の半径より短く、
かつ前記第２の円弧の部分が前記半導体基板の厚さの半
分より表面側に位置するように形成することを特徴とす
る半導体基板の製造方法。 - 【請求項２】（ａ）曲面が軸方向に形成される柱状の回
転砥石で半導体基板の面取りを行い、（ｂ）前記半導体
基板の表面側のエッジ曲面が第１の楕円弧を描き、前記
半導体基板の裏面側のエッジ曲面が第２の楕円弧を描
き、前記第１の楕円弧の短軸の長さが前記第２の楕円弧
の短軸の長さより短く、前記第２の楕円弧の部分が前記
半導体基板の厚さの半分より表面側に位置するように形
成することを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 【請求項３】（ａ）曲面が軸方向に形成される柱状の回
転砥石で半導体基板の表面側の側面部に２２°の斜面で
形成した面取りを行い、（ｂ）前記斜面に滑らかに接続
した半導体基板の表面側のエッジ曲面が第１の楕円弧を
描き、前記半導体基板の裏面側のエッジ曲面が第２の楕
円弧を描き、前記第１の楕円弧の短軸の長さが前記第２
の楕円弧の短軸の長さより短く、前記第２の楕円弧の部
分が前記半導体基板の厚さの半分より表面側に位置する
ように形成することを特徴とする半導体基板の製造方
法。 - 【請求項４】（ａ）半導体基板の表面側と裏面側に２２
°の斜面で形成した面取りを行い、（ｂ）前記斜面に滑
らかに接続した半導体基板の表面側のエッジ曲面が数式
ｙ＝ｘn1の弧を描き、前記半導体基板の裏面側のエッジ
曲面が数式ｙ＝−ｘn2の弧を描き、座標原点は最大直径
部を得る点であり、ｙは表面方向であり、ｘは厚さ方向
で曲線を表しており、ｎ１＞ｎ２であり、最大直径部分
が前記半導体基板の厚さの半分より表面側に位置するよ
うに形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 【請求項５】（ａ）デバイスプロセスが完了した半導体
基板のエッジを円柱状の回転砥石にて垂直面取りを行
い、（ｂ）前記半導体基板のバックグラインドを行うこ
とを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 【請求項６】（ａ）デバイスプロセスが完了した半導体
基板の裏面側のエッジを円錐状の回転砥石にて表面に対
し鋭角な面取りを行い、（ｂ）前記半導体基板のバック
グラインドを行うことを特徴とする半導体基板の製造方
法。 - 【請求項７】（ａ）デバイスプロセスが完了した半導体
基板の表面側の斜面に滑らかに接続したエッジ曲面が第
１の楕円弧を描き、前記半導体基板の裏面側のエッジ曲
面が第２の楕円弧を描き、前記第１の楕円弧の短軸の長
さが前記第２の楕円弧の短軸の長さより短く、前記第２
の楕円弧の部分が前記半導体基板の厚さの半分より表面
側に位置するように曲面が軸方向に形成される柱状の回
転砥石で半導体基板の面取りを行い、（ｂ）前記半導体
基板のバックグラインドを行うことを特徴とする半導体
基板の製造方法。 - 【請求項８】（ａ）半導体基板を真空吸着させる手段
と、（ｂ）ダイヤモンドを埋め込んだブレードを固定し
たホイールを前記半導体基板の表面に対して傾斜させて
回転させ前記半導体基板の側面を研削する手段と、
（ｃ）前記ブレードを固定したホイールを回転させる
際、前記ブレードの片方が半導体基板のエッジに当たら
ず、かつ該ブレードに対向する前記ブレードは半導体基
板を研削する位置に前記ホイールの軸を固定する手段
と、（ｄ）前記ブレードが常に前記半導体基板の中心部
からエッジに向かって研削する手段とを具備することを
特徴とする半導体基板の製造装置。 - 【請求項９】 ダイヤモンドを埋め込んだブレードを固
定したホイールを半導体基板の表面に対して傾斜させて
回転させ前記半導体基板の側面を研削し、前記ブレード
を固定したホイールを回転させる際、前記ブレードの片
方が半導体基板のエッジに当たらず、かつ該ブレードに
対向する前記ブレードは半導体基板を研削する位置に前
記ホイールの軸を固定し、前記ブレードが常に前記半導
体基板の中心部からエッジに向かって、デバイスプロセ
スが完了した半導体基板のエッジを全周研削し、その
後、バックグラインドを行うことを特徴とする半導体基
板の製造方法。 - 【請求項１０】 ダイヤモンドを埋め込んだブレードを
固定したホイールを半導体基板の表面に対して傾斜させ
て回転させ前記半導体基板の側面を研削し、前記ブレー
ドを固定したホイールを回転させる際、前記ブレードの
片方が半導体基板のエッジに当たらず、かつ該ブレード
に対向する前記ブレードは半導体基板を研削する位置に
前記ホイールの軸を固定し、前記ブレードが常に前記半
導体基板の中心部からエッジに向かって、デバイスプロ
セスが完了した半導体基板のエッジを半周以上全周未満
研削し、その後、ブレード型バックグラインドにてブレ
ードが該研削面に最初に当たる位置で、前記半導体基板
のバックグラインドを行うことを特徴とする半導体基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00856598A JP3964029B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00856598A JP3964029B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11207583A true JPH11207583A (ja) | 1999-08-03 |
| JP3964029B2 JP3964029B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=11696600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00856598A Expired - Fee Related JP3964029B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3964029B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003094215A1 (fr) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de fabrication de plaquettes semi-conductrices et plaquette |
| JP2011071288A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| WO2011161906A1 (ja) * | 2010-06-21 | 2011-12-29 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体素子の製造方法と製造装置 |
| KR101395055B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2014-05-14 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 면취 작업대 평탄도 측정 방법 |
| CN113510609A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-10-19 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆以及晶圆的处理方法 |
| CN113809149A (zh) * | 2021-07-23 | 2021-12-17 | 上海先进半导体制造有限公司 | 晶圆、半导体元件及半导体元件处理方法 |
-
1998
- 1998-01-20 JP JP00856598A patent/JP3964029B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003094215A1 (fr) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de fabrication de plaquettes semi-conductrices et plaquette |
| US7250368B2 (en) | 2002-04-30 | 2007-07-31 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor wafer manufacturing method and wafer |
| CN100365774C (zh) * | 2002-04-30 | 2008-01-30 | 信越半导体株式会社 | 半导体晶片的制造方法及晶片 |
| JP2011071288A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| WO2011161906A1 (ja) * | 2010-06-21 | 2011-12-29 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体素子の製造方法と製造装置 |
| JPWO2011161906A1 (ja) * | 2010-06-21 | 2013-08-19 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体素子の製造方法と製造装置 |
| KR101395055B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2014-05-14 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 면취 작업대 평탄도 측정 방법 |
| CN104215212A (zh) * | 2013-05-28 | 2014-12-17 | 康宁精密素材株式会社 | 用于测量倒角台的平整度的方法 |
| CN113510609A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-10-19 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆以及晶圆的处理方法 |
| CN113510609B (zh) * | 2021-07-12 | 2023-09-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆以及晶圆的处理方法 |
| CN113809149A (zh) * | 2021-07-23 | 2021-12-17 | 上海先进半导体制造有限公司 | 晶圆、半导体元件及半导体元件处理方法 |
| CN113809149B (zh) * | 2021-07-23 | 2023-12-12 | 上海先进半导体制造有限公司 | 晶圆、半导体元件及半导体元件处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3964029B2 (ja) | 2007-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8029335B2 (en) | Wafer processing method | |
| CN100533660C (zh) | 贴合晶片的制造方法及贴合晶片的外周磨削装置 | |
| JPH04263425A (ja) | 半導体基板の研削装置及び研削方法 | |
| JP2003526900A (ja) | ウェハ・エッジ・エンジニアリング方法および装置 | |
| JP4892201B2 (ja) | 貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置 | |
| TW200935575A (en) | Wafer | |
| US20040097053A1 (en) | Semiconductor wafer protective member and semiconductor wafer grinding method | |
| JPH02291126A (ja) | 半導体デバイス用基板の加工方法 | |
| JP2013045998A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| US8092278B2 (en) | Reclamation method of semiconductor wafer | |
| TWI263556B (en) | Backside polishing method of semiconductor wafer | |
| JP2010052084A (ja) | ハブ付きブレード | |
| JP2010263084A (ja) | Ｓｏｉウェーハの製造方法 | |
| JP2003273053A (ja) | 平面研削方法 | |
| JPH11207583A (ja) | 半導体基板の製造方法及びその製造装置 | |
| JP2018069348A (ja) | チャックテーブルの整形方法 | |
| JPH05121384A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4103808B2 (ja) | ウエーハの研削方法及びウエーハ | |
| JP7258489B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP2008108837A (ja) | 半導体ウエハの研削装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2006120819A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ | |
| US20150044783A1 (en) | Methods of alleviating adverse stress effects on a wafer, and methods of forming a semiconductor device | |
| JP3779104B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| JPH08336741A (ja) | 表面研削方法 | |
| JPH0837169A (ja) | 半導体基板の研削方法及び研削装置及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040826 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060413 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061017 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061124 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070320 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070419 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070522 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070523 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |