JP7285507B1 - 半導体結晶ウェハの研削加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)研削加工するダイアモンド砥石の粒径と、
(2)前記ウェハをウェハ支持台を介して研削盤に押圧する押圧力と、
(3)前記ウェハ支持台の前記研削盤に対する進行速度と
から、前記ウェハの研削盤側の表面に、前記研削盤との間で前記ダイアモンド砥石が介在する摩擦に起因する温度上昇により塑性変形領域を形成する際に、
前記ダイアモンド砥石の粒径が該塑性変形領域の領域幅を超えるような粒径を採用せず、且つ、前記進行速度は該塑性変形領域の深さを超えないようにすることを特徴とする。
(1)研削加工するダイアモンド研磨砥粒(ダイアモンド砥石)53の粒径と、
(2)ウェハ100をスピンドル51を介してプラテン52に押圧する押圧力と、
(3)スピンドル51のプラテン52に対する進行速度と
から、ウェハ100のプラテン52(研削定盤)側の表面に、プラテン52との間でダイアモンド研磨砥粒53が介在する摩擦に起因する温度上昇(例えば、700℃以上融点未満)により塑性変形領域100Aを形成する。
Claims (1)
- 筒状に研削加工された半導体結晶インゴットからスライス状に切り出されたウェハを研削加工する半導体結晶ウェハの研削加工方法であって、
(1)研削加工するダイアモンド砥石の粒径と、
(2)前記ウェハをウェハ支持台を介して研削盤に押圧する押圧力と、
(3)前記ウェハ支持台の前記研削盤に対する進行速度と
から、前記ウェハの研削盤側の表面に、前記研削盤との間で前記ダイアモンド砥石が介在する摩擦に起因する温度上昇により塑性変形領域を形成する際に、
前記ダイアモンド砥石の粒径が該塑性変形領域の領域幅を超えるような粒径を採用せず、且つ、前記進行速度は該塑性変形領域の深さを超えないようにすることを特徴とする半導体結晶ウェハの研削加工方法。
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WO2020022391A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社デンソー | SiCウェハ及びSiCウェハの製造方法 |
JP2023032894A (ja) * | 2021-08-27 | 2023-03-09 | 三桜工業株式会社 | GaN基板の表面加工方法およびGaN基板の製造方法 |
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- 2023-02-24 JP JP2023027465A patent/JP7285507B1/ja active Active
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