JPH0329548B2

JPH0329548B2 -

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Publication number: JPH0329548B2
Application number: JP61294351A
Authority: JP
Priority date: 1986-12-10
Filing date: 1986-12-10
Publication date: 1991-04-24
Also published as: JPS63150158A

Description

【発明の詳細な説明】 (ア) 技術分野この発明は、−族化合物半導体単結晶ウエ
ハの、デバイス作製完了後の、ウエハ裏面の研削
を行う研削盤切込み装置に関する。

ここで−族化合物半導体というのは、
GaAs、InSb、InP、GaP、GaSbなどのことであ
る。

これらの化合物半導体は、シリコンSiよりも柔
かくて脆いという共通の欠点がある。

化合物半導体の単結晶は、液体カプセル法
（LEC法）又は水平ブリツジマン法（HB法）に
よつて作製される。これを円柱形に研削し、オリ
エンテーシヨンフラツトOF、IFなどを研削する。

このような棒状の単結晶インゴツトを薄い円型
（矩形の場合もある）の板に切り出す。これをア
ズカツトウエハという。

アズカツトウエハは厚みをそろえるために、両
面、又は片面ラツピングを行ない、さらに両面又
は片面を鏡面研摩する。この間に何回かエツチン
グを行ない、加工変質層を除く。また周面のエツ
ジを丸くするベベリングを行なう事も多い。こう
してできたものをミラーウエハという。

本発明は、アズカツトウエハからミラーウエハ
に至る工程の中の研削には関係がない。

ミラーウエハの上には、数多くの種類のデバイ
スがウエハプロセスを重ねる事によつて製作され
る。デバイスは発光素子、高速論理素子の集積回
路、受光素子、赤外線その他の検出素子など任意
である。

ウエハプロセスには、目的によつて多様なもの
が用いられる。エピタキシー、イオン打込み、エ
ツチング、蒸着、絶縁膜の形成など多様である。

このようにデバイス作製が完了したウエハを、
本発明は対象とするのである。

デバイスが作製されたウエハは、例えば３イン
チ径では厚みが620μｍ〜700μｍ程度である。こ
れはミラーウエハの厚みがこの程度だからであ
る。エピタキシーなどにより層の厚みが多少変化
するが、せいぜい数μｍ程度であり、ミラーウエ
ハ厚みと殆ど変わらない。

このように、ウエハが比較的厚いのは、デバイ
ス作製時にウエハに機械的な強度が必要だからで
ある。これ以上、薄いとハンドリングが難しい。

半導体素子を作る場合、ウエハは基板となるだ
けなのであるから、表面の数μｍの厚みだけが必
要であつて、それ以外の部分は単に機械的強度を
もたせるために必要なだけである。

さらに、これらのデバイスは使用される段階に
なると、かなりの熱を発生する。集積回路の集積
度が高くなればなるほど発熱が著しい。発光素子
の場合も、順方向に大きい電流を流すから、発熱
の問題は深刻である。

さらに、化合物半導体単結晶ウエハを使つたデ
バイスは、高速である事を特徴とするものもあ
る。素子を高速で動作させるためには、一般に、
大きい電流を流し続ける必要があり、大きい電力
を消費する。従つて、シリコン半導体素子に比べ
て、GaAsなどの素子は、発熱の問題がより重大
な困難となつてくるのである。

さらに不利な事であるが、化合物半導体の熱伝
導率は、Siの熱伝導率よりも低い。デバイスから
出た熱は、大部分がチツプを伝わり、チツプの裏
面からパツケージへと逃げる。

パツケージについても放熱を促進するような工
夫がなされている。Al₂O₃などのセラミツクの薄
板を重ねたパツケージとし、ICチツプの接触す
る部分は金属板とする、というような改良がなさ
れる。

チツプの上面から裏面までの熱の伝達によるチ
ツプ内の放熱の効率も問題である。

放熱を促進するためには、半導体チツプを薄く
すればよいのである。

そこで、デバイスが製作された後、ウエハの裏
面を削りとつて、薄くする、という事が行なわれ
る。

Si半導体の場合でも、発熱が著しい場合は裏面
を削りとつて、薄くするという事が行われる。Si
は熱伝導率がよいので、400μｍ程度にまで薄く
すれば十分である。

Si半導体の場合、裏面を削るため、ラツピング
が用いられる。

このラツピングは、アズカツトウエハからミラ
ーウエハへ加工するためのラツピングとは目的が
異なる。しかし、手法は同じようなものである。
ウエハの表面を適当な加圧円板に固定する。加圧
円板を回転し、研磨剤を供給しつつ定盤に当て、
定盤の回転と加圧円板の回転によつてウエハの裏
面をラツピングする。研磨剤には砥粒が大量に含
まれている。砥粒との物理的接触によつてウエハ
裏面が削りとられてゆく。

ラツピングによつて、400μｍのウエハにする
事はできるが、ラツピングは湿式の処理であつ
て、必ずしも優れた方法ではない。

前処理、後処理の時間を含め加工時間が長い。
遊離砥粒を使うから、ウエハ裏面に砥粒が埋まる
こともあり、十分に洗い流さなければならない。
ラツピングによる加工変質層が大きい。また大量
の廃液を出すが、この処理が問題になる。さら
に、バツチ処理であつて、自動化ができない。

このように裏面を削るためにラツピングすると
いう方法は多くの難点があつた。

そこで、Siウエハについては、ウエハ裏面をダ
イヤモンドホイールで研削する、という事が強く
要望された。

本出願人は、この要望に答えて、Siウエハの裏
面をダイヤモンドホイールで研削するという手法
の実現に成功した。これは特開昭61−95866
（S61.5.14公開）の端面研削盤を用いる方法であ
る。

これは、遊離砥粒でなく固定砥粒を使う。加工
時間が短かい。自動化できる、など優れた特長が
ある。

このように、ダイヤモンドホイールにより、ウ
エハ裏面を研削することを、簡単にバツクグライ
ンデイングと呼んでいる。

本出願人の成功によつて、Siチツプの裏面の薄
層化の手段は、ラツピングからバツクグラインデ
イングへ移行しつつある。

現在でも、ラツピングが主流であるが、やが
て、バツクグラインデイングへ殆んど移行するも
のと考えられる。

(イ) 従来技術以上説明したものは、ウエハ裏面の薄層化の必
要な理由と、シリコンウエハについての手法の変
遷である。

−族化合物の場合は、Siウエハよりも脆い
という決定的な困難がある。

さらに、Siよりも、熱伝導率が低い。またSiよ
りも高速動作するから発熱が著しい。

このため、Siウエハの場合が400μｍまで薄くす
ればよかつたのに、−族の場合は、200μｍ
まで薄くしなければならない。

Siウエハに比べて不利な条件がそろつている。

そこで、従来、化合物半導体ウエハの裏面の薄
層化のためには、ラツピングが専ら用いられてき
た。ラツピングであるから、遊離砥粒を使う。遊
離砥粒を含む液体によつて、ウエハの裏面が無理
なく削り落される。このため、200μｍという薄
片にまで研削しても、ウエハが割れたり、かけた
りすることが少かつた。

このように、化合物半導体ウエハの裏面をラツ
ピングによつて薄層化するのは最適の寸法だつた
という事ができる。このため、現在も、ラツピン
グのみが用いられている。

しかし、既に述べたように、ラツピングは前処
理、後処理が煩雑であつて能率の悪い方法であ
る。ラツピング後、砥粒が残留してはいけないか
ら、十分に洗浄しなければならない。また廃液が
大量に出る。廃液処理が困難な問題になる。また
連続作業できず、自動化に適さない、という欠点
があつた。

(ウ) 発明が解決すべき問題点ダイヤモンドホイールにより、バツクグライン
デイングすることによつて化合物半導体ウエハの
裏面を薄くする、という事が強く要望されてい
る。

シリコンに於ては実用化されている方法である
が、これをそのまま適用する事ができない。シリ
コンは丈夫で割れ難い。しかし、GaAsなど化合
物半導体は、僅かな力で劈開するので、極めて脆
く、割れやすい。

このため、ダイヤモンドホイールによる裏面研
削は不可能であると、考えられていた。

まず、ホイールとの物理的接触によつて割れて
しまう。Siウエハより弱いのに、約半分の厚さに
まで削らなければならないのであるから、割れ
る、ということが多い。

割れない場合でも、ウエハ表面に劈開面に沿う
ムシレ現象が起きる。つまり、面に多数の窪みが
生ずるのである。これはホイールの固定砥粒によ
つて、表面の柔かい面が局所的に掘り起こされる
からである。

ムシレ現象が起こると、ウエハ裏面が鏡面にな
らない。鏡面にならないと、パツケージにダイボ
ンドした場合、チツプとパツケージの接触が悪
く、熱抵抗も大きくなり、不都合である。

このように、脆弱な化合物半導体ウエハの裏面
の研削には、Siウエハに比較し、格段の困難があ
る。

(エ) ダイヤモンドホイール本発明者は、ダイヤモンドホイールによる化合
物半導体ウエハの裏面研削を可能にする方法を模
索して実験を重ねた。

主にGaAsウエハを中心とし、多数枚のウエハ
を実際にダイヤモンドホイールによつて研削し
た。

ダイヤモンドホイールは、ダイヤモンド砥粒
と、結合剤と充填剤とを固めたものである。

充填剤は結合に寄与するが、研磨に寄与するこ
とがない成分で、固体粒子よりなる物質である。
これは炭酸カルシウム、アルミナ、炭化けい素、
銅粉などがある。これらは、固体であるが、砥粒
として機能するのではなく、空間を占めるだけの
ものであるから、ダイヤモンド砥粒より、微小径
の固体粉である。

結合剤というのは、ダイヤモンド砥粒と、充填
剤とを均一に分布させ、これらを結合して、一定
の形状をもつようにするものである。

結合剤としてはレジンボンド、メタルボンド、
ビトリフアイドボンドなどがある。またゴムを結
合剤とするゴム砥石もある。

本発明はこの内、レジンボンドホイールを対象
にする。

樹脂を結合剤とする。樹脂としてはフエノール
樹脂が主に用いられる。ポリイミド系樹脂が使わ
れることもある。

ダイヤモンド砥粒は、ホイールの三成分の中で
最も重要なものである。これが研削を行なう主体
だからである。

ダイヤモンド砥粒は２つのパラメータによつて
指定される。粒度と集中度である。

ダイヤモンドホイールの砥粒として使用可能な
範囲は＃2000〜＃4000である。ここで＃3000の粒
度というのは、平均直径が約3μｍの粒度に対応
する。

ダイヤモンド砥粒の特製を示すもうひとつのパ
ラメータである集中度（コンセントレーシヨン）
は砥石など研磨材の砥粒層の中にダイヤモンド砥
粒が体積比でどの程度入つているかということを
25％を100として表わすものである。

以上が、レジンボンドダイヤモンドホイールの
物性である。

このホイールは、リング状に形成され、コの字
型断面の砥石ヘツドの円周端面に固着される。お
わんの様な形状なのでカツプ型ホイールという。

(オ) 研削の条件を決めるパラメータウエハをバツクグラインデングする可能性のあ
る条件を求める実験を行なうのであるから、パラ
メータを決めて行なわなければならない。

これには次のようなものが考えられるＡダイヤモンド砥粒の粒度Ｂダイヤモンド砥粒の集中度Ｃ結合剤の比率Ｄ充填材の比率Ｅホイールの厚みＦホイールの内径Ｇホイールの外径Ｈ砥石の周速Ｉ砥石の切込速度などである。

そして、目標とするのは、化合物半導体ウエハ
の裏面を、鏡面に研削することである。単に鏡面
に研削するのではなく200μｍ程度の厚さで、ウ
エハを割ることなく、ムシレ現象を起こすことな
く鏡面に仕上げる、という事が重要である。

数多くの化合物半導体ウエハを研削して多くの
条件の下で実験を行なつた。

そうすると、Ｅ〜Ｉの条件については適当な範
囲があるが、これらは化合物半導体ウエハに特有
の範囲ではない、という事が分つた。

Ａ〜Ｄのホイールの物性が、ウエハを劈開させ
ることなく鏡面仕上げするために極めて強い相関
がある、という事が分つてきた。

ところが、Ａ〜Ｄのどのひとつの条件を決めて
も、研削の最適条件を規定することができない。

Ａ〜Ｄのいくつかの条件の内に相関がある、と
いう事が分つた。

(カ) 曲げ弾性率Ａ〜Ｄによつてきまる曲げ弾性率というものを
考える。これはホイールに加えた単位面積当りの
力を、歪みで割つた値である。ホイールのかたさ
を表現する値であるということもできる。

曲げ弾性率の単位は、Kg重／cm²又はKgｆ／cm²と
書く。これが大きいと歪み難いから硬い材料であ
るということができる。これが小さいと、柔い材
料であるという事ができる。

曲げ弾性率ＪがＡ〜Ｄによつて決まるが、Ａ〜
Ｄのどのひとつを規定するものでもなく、曲げ弾
性率Ｊを規定することにより、最適のホイールを
与える事ができる。本発明者は数多くの実験によ
つて、このような事を知るに至つた。

最初に述べたように、現在、化合物半導体ウエ
ハの裏面を薄層化するために用いられている技術
はラツピングである。

手数が煩雑であり廃液処理の問題もあるが、ウ
エハにとつてラツピングが最良の方法である、と
いえる。

ラツピングは遊離砥粒によるものであるから、
曲げ弾性Ｊが０の極限と考える事ができる。

Ｊ→０が理想かとも考えられるが、そうではな
い。遊離粒子と固定粒子では違うのである。

Ｊを小さくするためには、結合剤として柔い材
料を用いた砥石がよい。例えば結合剤をゴム系材
料とするゴム砥石である。これは曲げ剛性Ｊが小
さい。

しかし、曲げ剛性が小さいと、ダイヤモンド砥
粒が研削中にゴム系結合剤の中へもぐつてしま
う。すると結合剤がウエハに接触し、これを擦す
ることになる。ウエハと結合剤の摩擦係数が大き
いので、ウエハに強大な摩擦力が加わる。このた
め脆いウエハが破損する。

このように、固定砥粒の場合、Ｊ→０とする
と、実効的に砥粒が消失し、結合剤とウエハの摩
擦だけが残るという事になる。

ラツピングの場合は、結合剤というものが、そ
もそも存在しないから、Ｊ→０の極限であつて
も、砥粒とウエハが接触する。

曲げ弾性率の大きい、つまり硬いダイヤモンド
ホイールを用いると、ウエハに対するクツシヨン
作用がない。このため、ウエハ面に劈開がおこ
り、鏡面に仕上げる事ができない。

つまり、Ｊが小さいと、ウエハが破損し、Ｊが
大きいと面が粗れて鏡面にならない。

ここで曲げ弾性率の定義を述べる。

引張り荷重又は圧縮荷重を材料に加え、これに
よつて生じた歪みで、単位面積あたりの荷重を割
つた値が曲げ弾性率である。これはヤング
（Young）率と同じものである。

棒材に形成したものを、片もち、又は両もち状
態にし、棒材に直角な力を加え、棒の曲がり量か
ら、ヤング率を求める。この技術分野では、砥石
のヤング率をこのような方法で求めるから、ヤン
グ率のことを曲げ弾性率というのである。

(キ) 研削抵抗の変動本発明者は、化合物半導体ウエハの裏面研削を
可能にする重要なパラメータが、ダイヤモンドホ
イールの曲げ弾性率であるという事を、数多くの
実験によつて見出すことができた。Ｊ＝10〜15×
10⁴Kgｆ／cm²が最適の範囲である。

Ｊがこれより小さいと、樹脂とウエハの摩擦が
主体になり、ウエハが強い摩擦力のため破損す
る。

Ｊがこれより大きいと、鏡面にならない。

しかし、これだけでは、未だに、脆弱な化合物
半導体ウエハの研削には十分でない。

研削が円滑に行われており、研削抵抗が一定で
あれば、これだけでもよい。

しかし、研削抵抗が変動する場合、これを抑制
しなければ、ウエハが破損する。Siウエハよりも
はるかに脆いウエハであるから、研削抵抗の変動
は致命的である。

ここで研削抵抗というのは、ホイールがウエハ
との接触によつて受ける抵抗力のことである。ホ
イールは回転体であるから、研削抵抗はトルクと
して与えられる。

研削抵抗はウエハに加わる摩擦力という面もあ
る。研削抵抗が０であつては研削ができない。研
削抵抗が大きいと、ウエハに加わる摩擦力が大き
くなるので、ウエハが破損する。

研削抵抗Ｒが一定である事が望ましい。

しかし、砥石の切れ味、切屑の排出状況などに
よつて研削抵抗Ｒが変動する。変動分をΔRとす
る。許容できる変動分ΔRが大きいSiウエハの場
合はあまり問題がない。

化合物半導体ウエハは脆いから、許容できる変
動分ΔRが極めて小さい。

そこで、ΔR→０にするようにしなければなら
ない。特に、200μｍ〜100μｍのように、極めて
薄くなるまで研削する場合、これは重要なことで
ある。

研削抵抗Ｒの変動は、砥石軸に加わるトルクと
して現われる。

これはモータの回転を抑制しようとする抑止ト
ルクである。従つて、抵抗Ｒが大きくなると、回
転数Ωが減少する。また、モータの電流値Ｉが増
加する。

砥石を回転するモータは直流モータであるか
ら、反対トルクＲと、回転数Ω、電流値Ｉの関係
は定まつている。

ここで、電圧を一定するから、電流値Ｉが変動
するのである。Ｒが小さくなると、Ωが増え、Ｉ
が減少する。

この間の関係は、モータの動特性による。一般
にＲ＝Ｒ（Ω、Ｉ） (1) と書くことができる。

つまり、ＩとΩとから研削抵抗が分る。

(ク) 目的化合物半導体ウエハの裏面を研削し、厚みが
200μｍ又はこれ以下になるようにしてもウエハ
が破損しないように研削抵抗の変動ΔRを抑制す
ることのできる端面研削盤切込み装置を提供する
ことが本発明の目的である。

（ケ）構成研削抵抗Ｒは、砥石の回転数Ωを変えることに
よつて変える事ができる。これは、モータ電圧を
変えることによつて行なう事ができる。

Ωの他に、砥石の降下速度、すなわち切込み速
度Φを変えることによつても研削抵抗Ｒを変える
ことができる。

本発明の装置では、モータ電圧Ｖではなく、切
込み速度Φを変えることにより、研削抵抗Ｒを制
御することにする。

すなわち、観測量……砥石回転数Ω、モータ電流Ｉ制御量……切込速度Φ 固定量……モータ電圧Ｖとするのである。

Ｉが増え、Ωが減つた場合、すなわち抵抗Ｒが
増えた場合、切込み速度Φを減ずる。

Ｉが減り、Ωが増えた場合、すなわち抵抗Ｒが
減少した場合、切込み速度Φを増す。

以下、図面によつて本発明の構成を説明する。

化合物半導体ウエハ１は、チヤツクテーブル２
の上に、表面を下にして真空チヤツクされてい
る。

真空チヤツクのかわりに両面テープによつてウ
エハ１をチヤツクテーブル２に固定してもよい。

チヤツクテーブル２は、インデツクステーブル
３の上に、複数個設けられている。インデツクス
テーブル３を一工程ごとに回転することにより、
加工作業を連続的に行なうことができるようにな
る。

たとえば、第３図のように４つのチヤツクテー
ブル２を設けるようにすれば、取付け、粗加工、
仕上加工、取外しの４工程を行なうことができ
る。

チヤツクテーブルドライブモータ４は、チヤツ
クテーブル２を回転させる。

砥石ヘツド５は、昇降可能な部材であつて、下
端に砥石軸７、カツプ型ダイヤモンドホイール６
を有する。上方には砥石軸駆動用モータ８が設け
られている。

砥石軸７はモータ８によつて回転駆動する。こ
れとともにカツプ型ダイヤモンドホイール６が回
転し、砥石ヘツド５を下げると、カツプ型ダイヤ
モンドホイール６によつて、ウエハ１が研削され
てゆく。

カツプ型ダイヤモンドホイール６は、台金と砥
粒層１３を含めた砥石であつて、カツプ型をして
いるので、この名がある。

砥石ヘツド５は、垂直のスライド部１１によつ
て、鉛直線上に案内されるようになつている。砥
石ヘツド５の背面には、ねじこま１４が固着され
ている。

ねじこま１４の雌螺穴には、回転可能な切り込
みネジ９が螺合している。

スライド部１１は固定部材１２の一部に取付け
られたレール状の部材である。

切り込みネジ９は、固定部材１２上端のブラケ
ツト１６に固定されたサーボモータ１０によつて
回転する。

サーボモータ１０は正逆回転でき、回転速度も
自由に調節できるモータである。

サーボモータ１０の回転によつて、切り込みネ
ジ９が回転し、砥石ヘツド５が昇降する。

砥石ヘツド５が下降することにより、ウエハの
面を少しずつ研削してゆく。研削中の砥石ヘツド
の下降速度が研削速度に等しい。これを切り込み
速度Φという。

従来の端面研削盤は以上の構成からなつてお
り、砥石ヘツドは定速で送られる。すなわち、従
来は、Φ＝constantであつた。

本発明の端面研削盤は、これらの構成に加え
て、Ｘ：主軸モータ電流値分析回路Ｙ：主軸回転数分析回路Ｚ：砥石切り込み速度制御回路を具えている。

主軸モータ電流値分析回路Ｘは、砥石軸駆動用
モータの電流Ｉを得て、これに対応する研削抵抗
を求める。

主軸回転数分析回路Ｙは、砥石軸７の回転数Ω
を知つて、これに対応する研削抵抗を得る。

これらの結果は砥石切り込み速度制御回路Ｚへ
入力される。これは、正常な研削抵抗R₀と、計
算された現在の研削抵抗Ｒとを比較し、ＲをR₀
に近づけるように、切り込み速度Φを調整するも
のである。

たとえば、仕上加工に於て、平均の切り込み速
度が1μｍ／minであるとすれば、これを０〜2μ
ｍ／minの間で変動させるという事を行なう。

ここで正常な研削抵抗R₀というのは、ウエハ
が破損せず、鏡面に仕上るという条件を含んでい
る。

しかし、既に述べたように、粗加工と仕上加工
に分けている場合は、R₀に加えられる条件も、
ダイヤモンドホイールの条件も異なる。

たとえば、ウエハを400μｍ研削しなければな
らないとする。この内390μｍを粗加工で、10μｍ
を仕上加工で行なうというようになる。

粗加工の場合、ダイヤモンドホイールの粒度が
＃800で、例えば10μｍ〜数10μｍ／minの切り込
み速度となる。

仕上加工の場合、ダイヤモンドホイールの粒度
が＃3000で、例えば1μｍ／minの切り込み速度と
なる。

両者はウエハの厚みも異なつてくるし、仕上の
場合、鏡面研削という条件も加わる。従つて、
R₀も両者の場合で異なるのは当然である。

第２図に示すように、砥粒層１３の中心Ｏと、
砥石軸の中心O′はくい違つている。砥粒層１３
は偏心運動する。

偏心運動しないとき（Ｏ＝O′）、砥粒層１３が
不等磨滅すると、ウエハの中心に研削残部が生ず
ることがある。そこで偏心運動させて、ウエハを
フラツトに研削できるようにしている。

ウエハと砥石の回転方向は逆回転である。

このような偏心動作は、前記特開昭61−95866
に説明されている。

（コ）作用電流Ｉが増し、回転数Ωが減少した場合、抵抗
Ｒが増えたということであるから、切り込み速度
Φを減ずる。

電流Ｉが減じ、回転数Ωが増えた場合、抵抗Ｒ
が減つたということであるから、切り込み速度Φ
を増す。

（ケ）効果端面研削盤によつて化合物半導体ウエハの裏面
を研削し薄層化することが可能になつた。

すなわち、研削抵抗がほぼ一定になるから、ウ
エハが割れることはなく、きれいな鏡面に仕上げ
ることができる。また、加工変質層の厚みのバラ
ツキが著しく減少した。

従来のようにラツピングによつて薄層化するに
は、前後の処理が煩雑であつて、処理時間も長か
つた。処理後は、砥粒を完全にとるため、念入り
に洗浄しなければならなかつた。バツチ処理で不
能率であつた。廃液処理が難しい。

このような難点があつたが、本発明はラツピン
グでなく、バツクグラインデイングによるから、
次の利点がある。

() 加工時間が短い。

() 洗浄などの後処理が不要である。

() 加工変質層が少い。

() 連続的に処理できるから自動化できる。

() 廃液が出ない。

() 清浄な工程である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の端面研削盤切込み装置の構成
図。第２図はホイールとウエハ近傍のみの平面
図。第３図はインデツクステーブルの平面図。１……ウエハ、２……チヤツクテーブル、３…
…インデツクステーブル、４……チヤツクテーブ
ルドライブモータ、５……砥石ヘツド、６……カ
ツプ型ダイヤモンドホイール、７……砥石軸、８
……砥石軸駆動用モータ、９……切り込みネジ、
１０……サーボモータ、１１……スライド部、１
２……固定部材、１３……砥粒層、１６……ブラ
ケツト、Ｘ……主軸モータ電流値分析回路、Ｙ…
…主軸回転数分析回路、Ｚ……砥石切り込み速度
制御回路、Ｉ……モータ電流、Ω……砥石軸回転
数、Φ……切り込み速度。

Claims

【特許請求の範囲】１昇降可能に支持される砥石ヘツド５と、砥石
ヘツド５の一端に回転可能な砥石軸７によつて支
持され砥粒層１３を下面に有するカツプ型ダイヤ
モンドホイール６と、砥石ヘツド５によつて支持
され前記カツプ型ダイヤモンドホイール６を回転
させる砥石軸駆動用モータ８と、砥石ヘツド５を
昇降させるサーボモータ１０と、−族化合物
半導体ウエハ１の電子デバイスが作製されている
表面を吸着固定する適数のチヤツクテーブル２
と、前記チヤツクテーブル２を回転可能に支持す
るインデツクステーブル３と、前記チヤツクテー
ブルを回転させるチヤツクテーブルドライブモー
タ４とを含み、回転する砥粒層１３によつて回転
するウエハ裏面を研削する端面研削盤に於て、前
記砥石軸駆動用モータ８の電流値Ｉを検出する主
軸モータ電流分析回路Ｘと、砥石軸駆動用モータ
８の回転数Ωを検出する主軸回転数分析回路Ｙ
と、電流値Ｉと回転数Ωとから研削抵抗Ｒを求
め、該研削抵抗Ｒが抵抗設定値R₀より大きい場
合はサーボモータ１０の下降する速さである切り
込み速度Φを減じ、研削抵抗Ｒが抵抗設定値R₀
より小さい場合は切り込み速度Φを増すようサー
ボモータ１０を制御する砥石切り込み速度制御回
路Ｚとを設けており、ダイヤモンドホイールがレ
ジンボンドホイールであつて、砥粒層の曲げ弾性
率が10〜15×10⁴Kgｆ／cm²である事を特徴とする
端面研削盤切込み装置。２砥粒層１３の中心Ｏと、砥石軸の回転中心
O′が喰い違つており、砥粒層１３が偏心回転す
るようにした事を特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の端面研削盤切込み装置。３インデツクステーブル３には、取付け、粗加
工、仕上加工、取外しの工程に対する４つのチヤ
ツクテーブル２が設けられ、インデツクステーブ
ル３は一工程ごとに1/4回転するようにし、砥石
ヘツド５、カツプ型ダイヤモンドホイール６、砥
石軸駆動用モータ８、サーボモータ１０、を含む
端面研削盤は粗加工用と仕上加工用の２組のもの
が設けられている事を特徴とする特許請求の範囲
第１項〜第２項のいずれかに記載の端面研削盤切
込み装置。４粗加工によつて必要な全研削厚みの大部分を
加工し、残りの約10μｍを仕上加工によつて加工
するようにした特許請求の範囲第３項記載の端面
研削盤切込み装置。５仕上加工に於ける切込み速度Φの基準値が約
1μｍ／minである事を特徴とする特許請求の範囲
第４項記載の端面研削盤切込み装置。６仕上加工に於ける切込み速度Φの変動幅が０
〜2μｍ／minの間に含まれる事を特徴とする特許
請求の範囲第５項記載の端面研削盤切込み装置。７ −族化合物半導体ウエハ１の研削後の厚
みが200μｍ〜100μｍである事を特徴とする特許
請求の範囲第６項記載の端面研削盤切込み装置。