JP2006060069A - AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス - Google Patents
AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006060069A JP2006060069A JP2004241232A JP2004241232A JP2006060069A JP 2006060069 A JP2006060069 A JP 2006060069A JP 2004241232 A JP2004241232 A JP 2004241232A JP 2004241232 A JP2004241232 A JP 2004241232A JP 2006060069 A JP2006060069 A JP 2006060069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aln crystal
- crystal substrate
- aln
- etching
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】 AlN結晶の表面を機械研削または機械研磨する工程と、その表面をエッチングする工程とを含むAlN結晶の表面処理方法である。ここで、表面を機械研削または機械研磨する工程において、砥粒径が6μm以下の砥粒または砥石を用いることができる。また、表面をエッチングする工程をウエットエッチングにより行なうことができる。
【選択図】 図1
Description
本実施例は、昇華法で成長させたAlN結晶の表面を、機械研削し、さらにエッチングすることにより処理する場合の実施例である。
AlN種結晶(直径50mm×厚さ1.5mm)のAl原子面側のC面((0001)面)上に、昇華法により以下のようにしてAlN結晶を成長させた。
図1(a)を参照して、上記AlN結晶基板のN原子面側のC面をセラミックス製の結晶ホルダ11にワックスで貼り付けた。研削機としては、インフィード型のものを用いた。砥石12は、外径80mm×幅5mmのリング形状をした、ビトリファイドボンドのダイヤモンド砥石を用いた。AlN結晶1を結晶ホルダ11に固定してその回転軸11cを中心にして回転させるとともに、砥石12を砥石台金13に固定してその回転軸12cを中心にして回転させながら、砥石12をAlN結晶の表面に送り込むことによってAlN結晶の表面の機械研削を行なった。砥粒径が15μm、5μm、3μm、2μmの4種類のダイヤモンド砥石を準備し、機械研削の進行とともに、砥粒径を段階的に小さくしていった。本実施例においては、砥粒径が15μm、5μmの2種類のダイヤモンド砥石を、砥粒径の粗いものから細かいものを段階的に用いた。砥粒径が15μmの砥石で研削した後のAlN結晶基板の表面には研削による傷と表面の破砕による深さ100nm以上の穴が見られたが、砥粒径が5μmの砥石で研削した後のAlN結晶基板の表面には研削による傷が低減し、表面の破砕による深さ100nm以上の穴は見られなかった。また、砥粒径が3μmまたは2μmの砥石で研削した後のAlN結晶基板の表面には研削による傷および表面の破砕による深さ100nm以上の穴はいずれも見られなかった。
上記機械研削後のAlN結晶基板を、2規定濃度のKOH水溶液に浸漬し、液温を50℃に保持した後、このAlN結晶基板を取り出して、水洗いした。このエッチング後のAlN結晶基板の表面粗さRyは40nm、表面粗さRaは4nmであった。
上記エッチング後のAlN結晶基板をMOCVD装置内に設置し、NH3ガスを1slm(標準状態のガスが1分間に1リットル流れる流量の単位をいう、以下同じ)流しながら1000℃まで昇温した後、HN3ガスを0.5slm〜5slm流しながら1000℃で10分間保持することによって、AlN結晶基板の熱処理を行なった。
機械研削において、砥粒径が15μm、5μm、3μmの2種類のダイヤモンド砥石を砥粒径の粗いものから細かいものを段階的に用いたこと以外は、実施例1と同様にして、AlN結晶基板の表面の機械研削およびエッチングを行なった後、そのAlN結晶基板上にエピタキシャル層を形成した。
機械研削において、砥粒径が15μm、5μm、3μm、2μmの4種類のダイヤモンド砥石を砥粒径の粗いものから細かいものを段階的に用いたこと、エッチングにおいて、機械研削後のAlN結晶基板を、2規定濃度の硝酸水溶液に浸漬し、液温を75℃に保持したこと以外は、実施例1と同様にして、AlN結晶基板の表面の機械研削およびエッチングを行なった後、そのAlN結晶基板上にエピタキシャル層を形成した。結果を表1にまとめた。
機械研削において、砥粒径が15μm、5μm、3μmの3種類のダイヤモンド砥石を砥粒径の粗いものから細かいものを段階的に用いたこと、また、最終段階に用いたダイヤモンド砥石には砥粒径1μmのFe2O3が混合質量比は、ダイヤモンド:Fe2O3=80:20)されていたこと以外は、実施例1と同様にして、AlN結晶基板の表面の機械研削およびエッチングを行なった後、そのAlN結晶基板上にエピタキシャル層を形成した。
機械研削において、砥粒径が15μm、5μm、3μmの3種類のダイヤモンド砥石を砥粒径の粗いものから細かいものを段階的に用いたこと、エッチングにおいて、RIEによるドライエッチングを行なった以外は、実施例1と同様にして、AlN結晶基板の表面の機械研削およびエッチングを行なった後、そのAlN結晶基板上にエピタキシャル層を形成した。本実施例におけるドライエッチングは、平行平板式のRIE装置を用いてエッチングガスとしてCl2ガスとBCl3ガスを使用した。Cl2ガス流量は25sccm(標準状態のガスが1分間に1cm3流れる流量の単位をいう、以下同じ)、BCl3ガス流量は25sccm、圧力は2.66Pa、RFパワーは200Wであった。
実施例1と同様にして機械研削をした後、エッチングを行なうことなく、AlN結晶基板上に実施例1と同様にしてエピタキシャル層を形成した。機械研削後におけるAlN結晶基板の加工変質層の厚さは2000nmであり、AlN結晶基板の表面粗さRyは35nm、表面粗さRaは3.2nmであった。また、AlN結晶基板上に形成されたエピタキシャル層は白濁し、その表面粗さRyは100nmを超え、表面粗さRaは10nmを超えていた。結果を表1にまとめた。
本実施例は、HVPE法で成長させたAlN結晶の表面を、機械研磨し、さらにエッチングすることにより処理する場合の実施例である。
AlN種結晶(直径50mm×厚さ0.5mm)のAl原子面側のC面((0001)面)上に、HVPE法により以下のようにしてAlN結晶を成長させた。
図1(b)を参照して、AlN結晶基板1のN原子面側のC面((000−1)面)をセラミックス製の結晶ホルダ11にワックスで貼り付けた。ラップ装置(図示せず)に直径300mmの定盤15を設置し、ダイヤモンドの砥粒16が分散されたスラリーを定盤15に供給しながら、定盤15をその回転軸15cを中心にして回転させるとともに、結晶ホルダ11上に重り14を載せることによりAlN結晶基板1を定盤15に押し付けながら、AlN結晶基板1を結晶ホルダ11の回転軸11cを中心にして回転させることにより、AlN結晶の表面の機械研磨を行なった。ここで、定盤15としては銅定盤または錫定盤を用いた。砥粒径が6μm、3μm、2μm、0.5μmの4種類のダイヤモンド砥粒を準備し、機械研磨の進行とともに、砥粒径を段階的に小さくしていった。本実施例においては、砥粒径が6μmの砥粒を用いた。研磨圧力は100g/cm2〜500g/cm2とし、AlN結晶1および定盤15の回転数はいずれも30rpm〜100rpmとした。
上記機械研磨後のAlN結晶基板を、2規定濃度のKOH水溶液に浸漬し、液温を50℃に保持した後、このAlN結晶基板を取り出して、水洗いした。このエッチング後のAlN結晶基板の表面粗さRyは40nm、表面粗さRaは4.0nmであった。
上記エッチング後のAlN結晶基板をMOCVD装置内に設置し、NH3ガスを1slm流しながら1000℃まで昇温した後、NH3ガスを0.5slm〜5slm流しながら1000℃で10分間保持することによって、AlN結晶基板の熱処理を行なった。
機械研磨において、砥粒径が6μm、3μmの2種類のダイヤモンド砥粒を砥粒径の粗いものから細かいものを段階的に用いたこと以外は、実施例6と同様にして、AlN結晶基板の表面の機械研磨およびエッチングを行なった後、そのAlN結晶基板上にエピタキシャル層を形成した。
機械研磨において、砥粒径が6μm、3μm、2μmの3種類のダイヤモンド砥粒を砥粒径の粗いものから細かいものを段階的に用いたこと、エッチングにおいて、機械研磨後のAlN結晶基板を、2規定濃度の硝酸水溶液に浸漬し、液温を70℃に保持したこと以外は、実施例6と同様にして、AlN結晶基板の表面の機械研磨およびエッチングを行なった後、そのAlN結晶基板上にエピタキシャル層を形成した。
機械研磨において、砥粒径が6μm、3μmの2種類のSiC砥粒を砥粒径の粗いものから細かいものを段階的に用いたこと、定盤15に替えて不織布に樹脂を含浸させた研磨パッドを用いたこと以外は、実施例6と同様にして、AlN結晶基板の表面の機械研磨およびエッチングを行なった後、そのAlN結晶基板上にエピタキシャル層を形成した。
機械研磨において、砥粒径が6μm、3μm、2μm、0.5μmの4種類のダイヤモンド砥粒を砥粒径の粗いものから細かいものを段階的に用いたこと、エッチングにおいて、機械研磨後のAlN結晶基板を、2規定濃度の硝酸水溶液に浸漬し、液温を70℃に保持したこと以外は、実施例6と同様にして、AlN結晶基板の表面の機械研磨およびエッチングを行なった後、そのAlN結晶基板上にエピタキシャル層を形成した。
機械研磨において、砥粒径が6μm、3μmの2種類のダイヤモンド砥粒を砥粒径の粗いものから細かいものを段階的に用いたこと、エッチングにおいて、RIEによるドライエッチングを行なった以外は、実施例6と同様にして、AlN結晶基板の表面の機械研磨およびエッチングを行なった後、そのAlN結晶基板上にエピタキシャル層を形成した。本実施例におけるドライエッチングは、平行平板式のRIE装置を用いてエッチングガスとしてCl2ガスとBCl3ガスを使用した。Cl2ガス流量は25sccm、BCl3ガス流量は25sccm、圧力は2.66Pa、RFパワーは200Wであった。
実施例6と同様にして機械研磨をした後、エッチングを行なうことなく、AlN結晶基板上に実施例6と同様にしてエピタキシャル層を形成した。機械研磨後におけるAlN結晶基板の加工変質層の厚さは2000nmであり、AlN結晶基板の表面粗さRyは34nm、表面粗さRaは3.1nmであった。また、AlN結晶基板上に形成されたエピタキシャル層は白濁し、その表面粗さRyは100nmを超え、表面粗さRaは10nmを超えていた。
HVPE法によりAlN結晶を成長させる際に、SiをAlN結晶にドーピングしてn型のAlN結晶を得た。得られたn型のAlN結晶を、実施例8と同様にして、機械研磨、エッチングを行い、n型のAlN結晶基板を得た。
Claims (13)
- AlN結晶の表面を機械研削または機械研磨する工程と、前記表面をエッチングする工程とを含むAlN結晶の表面処理方法。
- 前記表面を機械研削または機械研磨する工程において、砥粒径が6μm以下の砥粒または砥石を用いる請求項1に記載のAlN結晶の表面処理方法。
- 前記表面を機械研削または機械研磨する工程後におけるAlN結晶の加工変質層の厚さが2000nm以下である請求項1または請求項2に記載のAlN結晶の表面処理方法。
- 前記表面をエッチングする工程をウェットエッチングにより行なう請求項1から請求項3のいずれかに記載のAlN結晶の表面処理方法。
- 前記表面をエッチングする工程後のAlN結晶の表面粗さRyが40nm以下である請求項1から請求項4のいずれかに記載のAlN結晶の表面処理方法。
- 前記表面をエッチングする工程後のAlN結晶の表面粗さRaが4nm以下である請求項1から請求項5のいずれかに記載のAlN結晶の表面処理方法。
- 請求項1から請求項6のいずれかに記載のAlN結晶の表面処理方法により得られたAlN結晶基板。
- 請求項7に記載のAlN結晶基板を熱処理して得られたAlN結晶基板。
- 前記AlN結晶基板の主面が、ウルツ鉱型構造におけるC面、A面、R面、M面およびS面のいずれかの面に平行である請求項7または請求項8に記載のAlN結晶基板。
- 前記AlN結晶基板の主面と、ウルツ鉱型構造におけるC面、A面、R面、M面およびS面のいずれかの面とのなす角であるオフ角が、0.05°以上15°以下である請求項7に記載のAlN結晶基板。
- 請求項7から請求項10のいずれかに記載のAlN結晶基板上にエピタキシャル成長により形成された1層以上のIII族窒化物層を有するエピタキシャル層付AlN結晶基板。
- 請求項7から請求項10のいずれかに記載のAlN結晶基板を含む半導体デバイス。
- 請求項7から請求項10のいずれかに記載のAlN結晶基板を含む半導体デバイスであって、
前記AlN結晶基板における一方の主面側にエピタキシャル成長された3層以上の半導体層と、前記AlN結晶基板の他方の主面に形成された第1の電極と、前記半導体層の最外半導体層上に形成された第2の電極とを含む発光素子と、前記発光素子を搭載する導電体とを備え、
前記発光素子は、前記AlN結晶基板側が発光面側であり、前記最外半導体層側が搭載面側であり、
前記半導体層は、p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層と前記n型半導体層との間に形成される発光層とを含む半導体デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004241232A JP2006060069A (ja) | 2004-08-20 | 2004-08-20 | AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004241232A JP2006060069A (ja) | 2004-08-20 | 2004-08-20 | AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006060069A true JP2006060069A (ja) | 2006-03-02 |
Family
ID=36107275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004241232A Pending JP2006060069A (ja) | 2004-08-20 | 2004-08-20 | AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006060069A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1833147A2 (en) | 2006-03-06 | 2007-09-12 | Honda Motor Co., Ltd | Electric motor |
WO2009066466A1 (ja) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | 窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法ならびに窒化物半導体発光素子 |
WO2009066464A1 (ja) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | 窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法 |
JP2010536181A (ja) * | 2007-08-08 | 2010-11-25 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | ミスカット基板上に成長した平面型非極性m平面iii族窒化物薄膜 |
JP2011049610A (ja) * | 2010-12-10 | 2011-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス |
US7960284B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-06-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | III-V compound semiconductor substrate manufacturing method |
JP2013211491A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 第13族窒化物結晶基板の製造方法 |
JP2013229586A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 第13族窒化物結晶基板の製造方法 |
JP2013254777A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Fujikura Ltd | 研磨方法 |
US8822314B2 (en) | 2012-06-14 | 2014-09-02 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of growing epitaxial layers on a substrate |
WO2016039116A1 (ja) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム単結晶基板の洗浄方法および積層体 |
CN111952179A (zh) * | 2019-05-15 | 2020-11-17 | 株式会社电装 | 半导体装置的制造方法 |
JP7285507B1 (ja) | 2023-02-24 | 2023-06-02 | 有限会社サクセス | 半導体結晶ウェハの研削加工方法 |
-
2004
- 2004-08-20 JP JP2004241232A patent/JP2006060069A/ja active Pending
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1833147A2 (en) | 2006-03-06 | 2007-09-12 | Honda Motor Co., Ltd | Electric motor |
US7960284B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-06-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | III-V compound semiconductor substrate manufacturing method |
JP2010536181A (ja) * | 2007-08-08 | 2010-11-25 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | ミスカット基板上に成長した平面型非極性m平面iii族窒化物薄膜 |
US9048100B2 (en) | 2007-11-21 | 2015-06-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Nitride semiconductor and nitride semiconductor crystal growth method |
JP2009239250A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-10-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法ならびに窒化物半導体発光素子 |
JP2009147319A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-07-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法 |
WO2009066464A1 (ja) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | 窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法 |
US8652948B2 (en) | 2007-11-21 | 2014-02-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Nitride semiconductor, nitride semiconductor crystal growth method, and nitride semiconductor light emitting element |
KR101502195B1 (ko) * | 2007-11-21 | 2015-03-12 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 및 질화물 반도체의 결정 성장 방법 그리고 질화물 반도체 발광 소자 |
WO2009066466A1 (ja) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | 窒化物半導体および窒化物半導体の結晶成長方法ならびに窒化物半導体発光素子 |
EP2221856B1 (en) * | 2007-11-21 | 2020-09-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Nitride semiconductor, nitride semiconductor crystal growth method, and nitride semiconductor light emitting element |
JP2011049610A (ja) * | 2010-12-10 | 2011-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス |
JP2013211491A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 第13族窒化物結晶基板の製造方法 |
JP2013229586A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 第13族窒化物結晶基板の製造方法 |
JP2013254777A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Fujikura Ltd | 研磨方法 |
US8822314B2 (en) | 2012-06-14 | 2014-09-02 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of growing epitaxial layers on a substrate |
CN106605291A (zh) * | 2014-09-11 | 2017-04-26 | 株式会社德山 | 氮化铝单结晶基板的洗净方法及层叠体 |
JPWO2016039116A1 (ja) * | 2014-09-11 | 2017-06-29 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム単結晶基板の洗浄方法および積層体 |
US20170260650A1 (en) * | 2014-09-11 | 2017-09-14 | Tokuyama Corporation | Cleaning Method and Laminate of Aluminum Nitride Single-Crystal Substrate |
US10753011B2 (en) | 2014-09-11 | 2020-08-25 | Tokuyama Corporation | Cleaning method and laminate of aluminum nitride single-crystal substrate |
WO2016039116A1 (ja) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム単結晶基板の洗浄方法および積層体 |
TWI721955B (zh) * | 2014-09-11 | 2021-03-21 | 日商德山股份有限公司 | 氮化鋁單結晶基板的洗淨方法及層疊體 |
US11952677B2 (en) | 2014-09-11 | 2024-04-09 | Tokuyama Corporation | Laminate of aluminum nitride single-crystal substrate |
CN111952179A (zh) * | 2019-05-15 | 2020-11-17 | 株式会社电装 | 半导体装置的制造方法 |
JP2020188165A (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP7151620B2 (ja) | 2019-05-15 | 2022-10-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
CN111952179B (zh) * | 2019-05-15 | 2023-12-19 | 株式会社电装 | 半导体装置的制造方法 |
JP7285507B1 (ja) | 2023-02-24 | 2023-06-02 | 有限会社サクセス | 半導体結晶ウェハの研削加工方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4792802B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の表面処理方法 | |
JP4787891B2 (ja) | エピタキシャル層形成用iii族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付iii族窒化物結晶基板および半導体デバイス | |
JP4333820B1 (ja) | 化合物半導体基板 | |
JP4752214B2 (ja) | エピタキシャル層形成用AlN結晶の表面処理方法 | |
KR20150074176A (ko) | 평탄한 SiC 반도체 기판 | |
JP2008010835A (ja) | 窒化物結晶の表面処理方法、窒化物結晶基板、エピタキシャル層付窒化物結晶基板および半導体デバイス、ならびにエピタキシャル層付窒化物結晶基板および半導体デバイスの製造方法 | |
JP5429350B2 (ja) | GaN結晶の表面処理方法、GaN結晶基板、エピタキシャル層付GaN結晶基板および半導体デバイス、ならびにエピタキシャル層付GaN結晶基板および半導体デバイスの製造方法 | |
JP2009272380A (ja) | Iii族窒化物結晶およびその表面処理方法、iii族窒化物積層体およびその製造方法、ならびにiii族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法 | |
TWI600178B (zh) | III -nitride composite substrate, a method of manufacturing the same, a laminated III-nitride compound substrate, a group III nitride semiconductor device, and a method of fabricating the same | |
JP2007103457A (ja) | ポリシングスラリー、iii族窒化物結晶の表面処理方法、iii族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付iii族窒化物結晶基板、半導体デバイスおよびその製造方法 | |
JP2006060069A (ja) | AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス | |
JP6232853B2 (ja) | Iii族窒化物複合基板およびその製造方法、積層iii族窒化物複合基板、ならびにiii族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法 | |
JP2008028259A (ja) | 単結晶GaN基板の製造方法 | |
JP5402918B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP5696734B2 (ja) | Iii族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付iii族窒化物結晶基板および半導体デバイス | |
JP5636642B2 (ja) | 化合物半導体基板 | |
JP2014157983A (ja) | Iii族窒化物複合基板およびその製造方法、積層iii族窒化物複合基板、ならびにiii族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法 | |
JP6248395B2 (ja) | Iii族窒化物複合基板およびその製造方法、積層iii族窒化物複合基板、ならびにiii族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法 | |
JP2011049610A (ja) | AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス | |
JP2009190936A (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP2014157979A (ja) | Iii族窒化物複合基板およびその製造方法、積層iii族窒化物複合基板、ならびにiii族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法 | |
JP6094243B2 (ja) | 複合基板およびそれを用いた半導体ウエハの製造方法 | |
WO2022064783A1 (ja) | 積層構造体 | |
WO2022079939A1 (ja) | Iii族元素窒化物半導体基板 | |
KR100890085B1 (ko) | 질화물 기판 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070320 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081017 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081209 |