JP7381031B1 - SiC延長インゴットの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 39
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 19
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 44
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 17
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
前記単体のSiCインゴットに対して、その端面を鏡面に研削加工する研削加工工程と、
前記研削加工工程により鏡面に研削加工された前記SiCインゴットに対して、端面同士を結合させる結合工程と
を備えて、前記結合工程により前記単体のSiCインゴットを軸方向に延長させるSiC延長インゴットの製造方法であって、
前記研削加工工程は、
(1)研削加工するダイアモンド砥石の粒径と、
(2)前記SiCインゴットを支持台を介して研削盤に押圧する押圧力と、
(3)前記支持台の前記研削盤に対する進行速度と
から、前記SiCインゴットの研削盤側の表面に、前記研削盤との間で前記ダイアモンド砥石が介在する摩擦に起因する温度上昇により塑性変形領域を形成する際に、
前記ダイアモンド砥石の粒径が該塑性変形領域の領域幅を超えるような粒径を採用せず、且つ、前記進行速度は連続的に形成される該塑性変形領域の深さを超えないようにすることを特徴とする。
前記単体のSiCインゴットは、その側面を切り欠いたノッチを有し、
前記結合工程では、前記SiCインゴット同士は、前記ノッチを合わせた状態で、鏡面に研削加工された端面同士が結合することにより延長されてなることを特徴とする。
(1)研削加工するダイアモンド研磨砥粒(ダイアモンド砥石)53の粒径と、
(2)ウェハ100をスピンドル51を介してプラテン52に押圧する押圧力と、
(3)スピンドル51のプラテン52に対する進行速度と
から、ウェハ100のプラテン52(研削定盤)側の表面に、プラテン52との間でダイアモンド研磨砥粒53が介在する摩擦に起因する温度上昇(例えば、700℃以上融点未満)により塑性変形領域100Aを形成する。
Claims (2)
- 筒状に研削加工された単体のSiCインゴットを軸方向に接合させて延長させたSiC延長インゴットの製造方法において、
前記単体のSiCインゴットに対して、その端面を鏡面に研削加工する研削加工工程と、
前記研削加工工程により鏡面に研削加工された前記SiCインゴットに対して、端面同士を結合させる結合工程と
を備えて、前記結合工程により前記単体のSiCインゴットを軸方向に延長させるSiC延長インゴットの製造方法であって、
前記研削加工工程は、
(1)研削加工するダイアモンド砥石の粒径と、
(2)前記SiCインゴットを支持台を介して研削盤に押圧する押圧力と、
(3)前記支持台の前記研削盤に対する進行速度と
から、前記SiCインゴットの研削盤側の表面に、前記研削盤との間で前記ダイアモンド砥石が介在する摩擦に起因する温度上昇により塑性変形領域を形成する際に、
前記ダイアモンド砥石の粒径が該塑性変形領域の領域幅を超えるような粒径を採用せず、且つ、前記進行速度は連続的に形成される該塑性変形領域の深さを超えないようにすることを特徴とするSiC延長インゴットの製造方法。 - 請求項1記載のSiC延長インゴットの製造方法において、
前記単体のSiCインゴットは、その側面を切り欠いたノッチを有し、
前記結合工程では、前記SiCインゴット同士は、前記ノッチを合わせた状態で、鏡面に研削加工された端面同士が結合することにより延長されてなることを特徴とするSiC延長インゴットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023052511A JP7381031B1 (ja) | 2023-03-29 | 2023-03-29 | SiC延長インゴットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023052511A JP7381031B1 (ja) | 2023-03-29 | 2023-03-29 | SiC延長インゴットの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7381031B1 true JP7381031B1 (ja) | 2023-11-15 |
Family
ID=88729105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023052511A Active JP7381031B1 (ja) | 2023-03-29 | 2023-03-29 | SiC延長インゴットの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7381031B1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011184224A (ja) | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Showa Denko Kk | 炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2014192513A (ja) | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Kyocera Corp | 半導体ブロックの切断方法 |
JP2017119596A (ja) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶接合体、SiC単結晶接合体の製造方法、SiCインゴットの製造方法及びSiCウェハの製造方法 |
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2023
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011184224A (ja) | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Showa Denko Kk | 炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法 |
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JP2017119596A (ja) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶接合体、SiC単結晶接合体の製造方法、SiCインゴットの製造方法及びSiCウェハの製造方法 |
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