JPS60242958A - 硬脆材料の加工法 - Google Patents
硬脆材料の加工法Info
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- JPS60242958A JPS60242958A JP9811284A JP9811284A JPS60242958A JP S60242958 A JPS60242958 A JP S60242958A JP 9811284 A JP9811284 A JP 9811284A JP 9811284 A JP9811284 A JP 9811284A JP S60242958 A JPS60242958 A JP S60242958A
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- thin metal
- abrasive grains
- metal wire
- ingot
- wire
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、硬脆材料のインゴットからウエノ・−を得る
際の加工法に関する。
際の加工法に関する。
硬脆材料のインゴットからウェハーを得るために採用さ
れて来た従来の加工法についての一例を以下に示す。
れて来た従来の加工法についての一例を以下に示す。
■ インゴットよりダイヤモンドホイールをツールとし
たスライシングマシンや一金属ストリップと遊離砥粒を
ツールとしたプレードソーにて中間ウェハーを切断する
。
たスライシングマシンや一金属ストリップと遊離砥粒を
ツールとしたプレードソーにて中間ウェハーを切断する
。
■ 切断された中間ウエノ・−を面ラッピングして完成
ウエノ・−とする。ランピングの順序は−例えば粗ラン
プで＃１０００Ｇ（、中間ラップで＃２０００ＧＣ−仕
上げラップで＃４０００Ｆ（Ｊ−の如くである。
ウエノ・−とする。ランピングの順序は−例えば粗ラン
プで＃１０００Ｇ（、中間ラップで＃２０００ＧＣ−仕
上げラップで＃４０００Ｆ（Ｊ−の如くである。
前記従来技術による加工法の欠点はランピング工程が粗
・中・仕上げと３工程あるため−特に完成品のコストダ
ウンのニーズから量産性を目的としたウェハーの大型化
−薄型化を進めるに従って加工条件が厳しくなり一表面
に引き傷やウエノ・−の欠は等が増加しウエノ・−製造
の歩留りを低下させることである。又、スライシングマ
シンやプレードソーで切断した直後の中間ウエノ・−は
厚さ方向に数１０μｍから画数ＪＯμｍの範囲でくさび
状になるためにくさび形状を平行になるまで面うノブ修
正する分だけ原材料費も増加してしまう。
・中・仕上げと３工程あるため−特に完成品のコストダ
ウンのニーズから量産性を目的としたウェハーの大型化
−薄型化を進めるに従って加工条件が厳しくなり一表面
に引き傷やウエノ・−の欠は等が増加しウエノ・−製造
の歩留りを低下させることである。又、スライシングマ
シンやプレードソーで切断した直後の中間ウエノ・−は
厚さ方向に数１０μｍから画数ＪＯμｍの範囲でくさび
状になるためにくさび形状を平行になるまで面うノブ修
正する分だけ原材料費も増加してしまう。
更にラッピング工程が３工程あるとその分だけラッピン
グマシンの台数も多く準備せねばならず一研摩用砥粒も
沢山消費することになる。
グマシンの台数も多く準備せねばならず一研摩用砥粒も
沢山消費することになる。
この様に従来ラッピング工程が使われて来た理由は一従
来の加工法では中間ウェハーを切断する°際の加工変質
層が大きいことと厚みのバラツキが大きいためである。
来の加工法では中間ウェハーを切断する°際の加工変質
層が大きいことと厚みのバラツキが大きいためである。
つまり加工変質層を取り除くためにラッピング工程が必
要であり一厚みのバラツキを小さくするためにラッピン
グ工程が必要であったわけである。
要であり一厚みのバラツキを小さくするためにラッピン
グ工程が必要であったわけである。
以下図面に従って従来技術を具体的忙説明する。
第１図は硬脆材料のインゴットの斜視図であり概略円柱
状になっている。１はインゴットであり−インゴットの
材料としては、酸化物単結晶（例えば人工水晶−タンタ
ル酸リチウム−ニオブ酸リチウム−〇〇Ｇ−サファイヤ
単結晶フェライト磁石等）−半導体単結晶（例えばシリ
コン、ゲルマニウム等）−磁器（例えばアルミナセラミ
ック、チタン酸バリウム−ガラス等）等がある。
状になっている。１はインゴットであり−インゴットの
材料としては、酸化物単結晶（例えば人工水晶−タンタ
ル酸リチウム−ニオブ酸リチウム−〇〇Ｇ−サファイヤ
単結晶フェライト磁石等）−半導体単結晶（例えばシリ
コン、ゲルマニウム等）−磁器（例えばアルミナセラミ
ック、チタン酸バリウム−ガラス等）等がある。
バーの斜視図であり−２は中間ウェハーである。
中間ウェハー２は各種デバイス（例えばＩＣ−振動子−
フィルター−メモリー等）の基板となるため一表裏面の
いずれか一方又は両方とも平坦度及び加工変質層の無い
ことが要求され、三工程のラッピング工程を必要として
いた。又デバイスノコストダウンのニーズから量産性を
目的とした平面サイズの大型化、厚さの薄型化が進めら
れているため厚さ精度や加工時間等の加工条件が厳しく
なってきており−ウエハー製造の歩留りが低下していた
。
フィルター−メモリー等）の基板となるため一表裏面の
いずれか一方又は両方とも平坦度及び加工変質層の無い
ことが要求され、三工程のラッピング工程を必要として
いた。又デバイスノコストダウンのニーズから量産性を
目的とした平面サイズの大型化、厚さの薄型化が進めら
れているため厚さ精度や加工時間等の加工条件が厳しく
なってきており−ウエハー製造の歩留りが低下していた
。
したがって従来技術は−ラノピング工程、平面サイズの
大型化、厚さの薄型化により一うノビングマシンの多数
使用−ウニバー材料や研摩用砥粒の大量消費１歩留りの
低水準等一作業面、コスト面で問題があった。
大型化、厚さの薄型化により一うノビングマシンの多数
使用−ウニバー材料や研摩用砥粒の大量消費１歩留りの
低水準等一作業面、コスト面で問題があった。
本発明の目的は硬脆材料のインゴットをウェハーにする
際の効率の良い加工法を見出すことであ、る。
際の効率の良い加工法を見出すことであ、る。
上記目的を満たすための本発明の要旨は硬脆材料を金属
細線と遊離砥粒を使って加工することによって一ラップ
工程を省略した加工法であることを特徴とする。
細線と遊離砥粒を使って加工することによって一ラップ
工程を省略した加工法であることを特徴とする。
本発明の一実施例による方法を第３図〜第６図に従って
説明する。
説明する。
、第３図は硬脆材料のインゴットを加工用基準台（以下
基台と略記する）に取付けた状態を示す斜視図である。
基台と略記する）に取付けた状態を示す斜視図である。
第３図に於て、６は硬脆材料より成るインゴットであり
前記のインゴット１と同様の材料より成る。５はガラス
等より成る板材である。
前記のインゴット１と同様の材料より成る。５はガラス
等より成る板材である。
インゴット６と板材５はラック等の接着剤４により接着
されている。６は１台でありインゴットの切断される方
向を決めるための基準となる台であり一板材５とネジ止
メ等め方法で方向と位置を定めて固定される。
されている。６は１台でありインゴットの切断される方
向を決めるための基準となる台であり一板材５とネジ止
メ等め方法で方向と位置を定めて固定される。
第４図は一第３図の状態に固定されたインゴット６がメ
カニカルワイヤーソーに取りつけられた状態の機械正面
から見た斜視図である。
カニカルワイヤーソーに取りつけられた状態の機械正面
から見た斜視図である。
第４図に於て−７は駆動軸で、上方に２個備えられてお
り外周部に金属細線８が案内されてピンチを決めるため
の複数の溝を掘った高分子材料製多溝滑車９が圧入嵌合
している。１０は従動軸で一下方に２個備えられてあり
従動軸１０の外周部にも多溝滑車９が圧入嵌合している
。１１は遊離砥粒１１ａを金属細線８及びワークである
インゴット乙に供給するノズルである。従動軸１０の下
方にワークであるインゴット６がセットされる。ソー゛
りすなわちインゴット３はメカニカルワイヤーソーに組
み込まれていて一上下にスライドするスライダー１２上
に位置決め固定される。ノズル１１より砥粒が供給され
金属細線８が矢印８ａの方向に往復運動しスライダー１
２により加圧力が加えられることによりインゴット６が
スライスされる。
り外周部に金属細線８が案内されてピンチを決めるため
の複数の溝を掘った高分子材料製多溝滑車９が圧入嵌合
している。１０は従動軸で一下方に２個備えられてあり
従動軸１０の外周部にも多溝滑車９が圧入嵌合している
。１１は遊離砥粒１１ａを金属細線８及びワークである
インゴット乙に供給するノズルである。従動軸１０の下
方にワークであるインゴット６がセットされる。ソー゛
りすなわちインゴット３はメカニカルワイヤーソーに組
み込まれていて一上下にスライドするスライダー１２上
に位置決め固定される。ノズル１１より砥粒が供給され
金属細線８が矢印８ａの方向に往復運動しスライダー１
２により加圧力が加えられることによりインゴット６が
スライスされる。
第５図はインゴット６がスライスされた状態を示す側面
図である。
図である。
第５図に於て１３はインゴット６からスライスされた中
間ウェハーで第２図に示す中間ウェハー２と同様のもの
であり、接着剤４で板材５に強固に固着されている。板
材５は部分的に溝入れされるまでスライスされる。
間ウェハーで第２図に示す中間ウェハー２と同様のもの
であり、接着剤４で板材５に強固に固着されている。板
材５は部分的に溝入れされるまでスライスされる。
ここでの加工条件の】例を示す。
遊離砥粒はＧＣ＃１２００とラッピングオイル等の切削
油を混合したものを使用する。金属細線８はφ０．１
ｍｍのピアノ線を使用する。多溝滑車９のピッチは０．
６ ｍｍを使用する。金属細線８０ストロークは片側８
００ｍｍ−サイクルは６０サイクル−スピードは平均１
００ｍ／分を使用する。
油を混合したものを使用する。金属細線８はφ０．１
ｍｍのピアノ線を使用する。多溝滑車９のピッチは０．
６ ｍｍを使用する。金属細線８０ストロークは片側８
００ｍｍ−サイクルは６０サイクル−スピードは平均１
００ｍ／分を使用する。
この様な条件で切断したウェハーは外径３インチのシリ
コノウ−ｎバーが約５時間で切断でき−厚さ精度は０．
４６ ｍｍ±０．００５ｍｍ−加工変質層は片側最大で
０．０５ ｍｍであった。又平均値では０．０２ｍｍで
あった。
コノウ−ｎバーが約５時間で切断でき−厚さ精度は０．
４６ ｍｍ±０．００５ｍｍ−加工変質層は片側最大で
０．０５ ｍｍであった。又平均値では０．０２ｍｍで
あった。
上記加工変質層の量は従来技術による加工法と比べて後
述の理由により極めて小さく・ものである。
述の理由により極めて小さく・ものである。
例えばダイヤモンドホイールによる加工法では平均０．
１ ｍｍであり、ブレートン−では平均０．０５ｍｍで
ある。この理由はダイヤモンドホイールでは固定砥粒に
よる研削だから加工変質層が大きいのは当然であるがプ
レードソーではツールが金属薄板であるために遊離砥粒
が切断面に十分廻り切らず金属薄板で無理矢理切断して
（・る様な状態だからである。
１ ｍｍであり、ブレートン−では平均０．０５ｍｍで
ある。この理由はダイヤモンドホイールでは固定砥粒に
よる研削だから加工変質層が大きいのは当然であるがプ
レードソーではツールが金属薄板であるために遊離砥粒
が切断面に十分廻り切らず金属薄板で無理矢理切断して
（・る様な状態だからである。
板材５は金属細線８で途中まで溝入れされているが、中
間ウーしバー１６とは接着剤４を介して互いに固着され
たままである、 次にこの中間ウェハーを再び第５図で説明した場合より
も太い金属細線と細かい遊離砥粒とを用いてメカニカル
ワイヤーソーにて中間ウェハーの厚さ寸法を減らす方向
で加工する。
間ウーしバー１６とは接着剤４を介して互いに固着され
たままである、 次にこの中間ウェハーを再び第５図で説明した場合より
も太い金属細線と細かい遊離砥粒とを用いてメカニカル
ワイヤーソーにて中間ウェハーの厚さ寸法を減らす方向
で加工する。
この加工状態を第６図に示す。
第６図は第５図の次工程の加工の途中の状態を示す拡大
側面図である。
側面図である。
第６図に示した金属細線１７１は第５図の工程で使用し
た金属細線８より太い。令弟５図の工程で使用した金属
細線８の線径をφａ ｍｍ又遊離砥粒の平均粒径をφｂ
ｍｍとすると第６図で使用する金属細線１４０線径φ
Ｃは次の範囲に設定される。すなわち φａ＋３×φｂ≦φＣ≦φａ−１−５Ｘφｂ又第６図の
加工工程で使用する遊離砥粒の平均粒径をφｄとすれば
、φｄ≦φｂ ／ ５に設定される。
た金属細線８より太い。令弟５図の工程で使用した金属
細線８の線径をφａ ｍｍ又遊離砥粒の平均粒径をφｂ
ｍｍとすると第６図で使用する金属細線１４０線径φ
Ｃは次の範囲に設定される。すなわち φａ＋３×φｂ≦φＣ≦φａ−１−５Ｘφｂ又第６図の
加工工程で使用する遊離砥粒の平均粒径をφｄとすれば
、φｄ≦φｂ ／ ５に設定される。
通常メカニカルワイヤーソーでツールとして使用される
金属細線の径は細い方は金属細線に張力を約２ ｋｇ以
上かげる必要があるので加工中断線しないためには８０
μｍφ以上必要である。又太も・方は機械の剛性及び多
溝滑車の材質（プラスチックス）上の制約及び高価な原
材料を効率良く利用するという観点から３００μｍφ以
下にするのがよｔｌ。
金属細線の径は細い方は金属細線に張力を約２ ｋｇ以
上かげる必要があるので加工中断線しないためには８０
μｍφ以上必要である。又太も・方は機械の剛性及び多
溝滑車の材質（プラスチックス）上の制約及び高価な原
材料を効率良く利用するという観点から３００μｍφ以
下にするのがよｔｌ。
メカニカルワイヤーノー加工により得られた中間ウェハ
ーの加工変質層は、加工の際使用する砥粒の平均粒径の
２倍以内であるから次の工程で使用する金属細線の線径
はφａ＋φ３Ｘｂ以上とする。
ーの加工変質層は、加工の際使用する砥粒の平均粒径の
２倍以内であるから次の工程で使用する金属細線の線径
はφａ＋φ３Ｘｂ以上とする。
又いくら太くても良い訳ではなく前述の如く太い方にも
制限がありφ２＋φ５Ｘｂが太い方の限界である。又砥
粒の平均粒径についてはφｂは実用上ＧＣ１２０’０＃
が加ニスピードを犠牲にせず尚且つ加工変質層を一定値
以下に抑える上で必要である。ＧＣ１２００＃の平均粒
径φｂは約１５μｍである。従ってφｄ≦φｂ ／ ５
にすれば加工変質層は６μｍ以下となるので実用上表面
を化学エツチングすれば容易に除去出来るオーダーであ
る。
制限がありφ２＋φ５Ｘｂが太い方の限界である。又砥
粒の平均粒径についてはφｂは実用上ＧＣ１２０’０＃
が加ニスピードを犠牲にせず尚且つ加工変質層を一定値
以下に抑える上で必要である。ＧＣ１２００＃の平均粒
径φｂは約１５μｍである。従ってφｄ≦φｂ ／ ５
にすれば加工変質層は６μｍ以下となるので実用上表面
を化学エツチングすれば容易に除去出来るオーダーであ
る。
実際に使用した条件の１例をあげろと以下の如くである
。金属細線１６の線径φＣはφ０．２４ ｍｍ−遊離砥
粒の平均粒径はφ２μｍであり−１−１：４０００のＦ
Ｏ相当である。多溝滑車のピッチは０．６ｍｍ−金属細
線１４０ストロークは片側８００ ｍｍ−サイクルは４
０サイクル、スピードは平均８０ｍ／分である。切断時
間は約３時間であり一厚さ精度はＱ、 ３５４ ｍｍ±
０．００３ｍｍ−加工変質層は片側最大でＯ，ＯＯ６ｍ
ｍであった。加工変質層がランプによらずに十分小さな
値に抑えることが出来たが、その理由はツールが金属−
線であるため切断表面に遊離砥粒が十分に廻ること及び
金属細線の移動速度を早く出来るので被加工物に加えら
れる切断荷重を小さく出来るからである。
。金属細線１６の線径φＣはφ０．２４ ｍｍ−遊離砥
粒の平均粒径はφ２μｍであり−１−１：４０００のＦ
Ｏ相当である。多溝滑車のピッチは０．６ｍｍ−金属細
線１４０ストロークは片側８００ ｍｍ−サイクルは４
０サイクル、スピードは平均８０ｍ／分である。切断時
間は約３時間であり一厚さ精度はＱ、 ３５４ ｍｍ±
０．００３ｍｍ−加工変質層は片側最大でＯ，ＯＯ６ｍ
ｍであった。加工変質層がランプによらずに十分小さな
値に抑えることが出来たが、その理由はツールが金属−
線であるため切断表面に遊離砥粒が十分に廻ること及び
金属細線の移動速度を早く出来るので被加工物に加えら
れる切断荷重を小さく出来るからである。
又ウェハー表面に傷が発生し、なくなったが−その理由
は一ラップの如く−ウエハーの稜線部のチッピング破片
がいつまでも切断面付近に留まらずに、常に金属細線と
純粋な研摩砥粒のみで加工されるからで゛ある。
は一ラップの如く−ウエハーの稜線部のチッピング破片
がいつまでも切断面付近に留まらずに、常に金属細線と
純粋な研摩砥粒のみで加工されるからで゛ある。
更に厚みバラツキが少なく、クサビ形状にならないよう
になったが、その理由は金属細線の新線が常に供給され
るためスライシングマシンの様にツールの目づまりをお
こしたりブレードソーの様にツールの厚みが加工中に減
少することがほとんど無いからである。
になったが、その理由は金属細線の新線が常に供給され
るためスライシングマシンの様にツールの目づまりをお
こしたりブレードソーの様にツールの厚みが加工中に減
少することがほとんど無いからである。
本発明によれば以下の様な効果が生ずる。
第１蹟材料歩留りが向上する。すなわち切断にダイヤモ
ンド外周刃を使った場合は−０，３５ｍｍのウェハーを
得るのにピンチ２ ｍｍで切断しなければならないから
材料歩留りは２．０ ／ ０．６で３倍強向上する。マ
ルチブレードソーを使用した場合はピッチ］、 ｍｍで
切断しなければならないので１．０ ／ ０．６で約７
０％向上する。
ンド外周刃を使った場合は−０，３５ｍｍのウェハーを
得るのにピンチ２ ｍｍで切断しなければならないから
材料歩留りは２．０ ／ ０．６で３倍強向上する。マ
ルチブレードソーを使用した場合はピッチ］、 ｍｍで
切断しなければならないので１．０ ／ ０．６で約７
０％向上する。
第２に加工中の割れ欠は等がほとんどないので加工歩留
りも著しく向上する。なぜなら割れ欠けはほとんど全て
ランプ工程に起因しランプでの荷重のかたよりやキャリ
ヤーどの接触により発生するからである。
りも著しく向上する。なぜなら割れ欠けはほとんど全て
ランプ工程に起因しランプでの荷重のかたよりやキャリ
ヤーどの接触により発生するからである。
第３にバッチ処理であり−ウエハーを１枚ずつ手作業に
てならべる工程がなくなるしワックスはかしがなくなる
ので工数も大巾に削減出来てコストダウンに寄与すると
ころ大である。
てならべる工程がなくなるしワックスはかしがなくなる
ので工数も大巾に削減出来てコストダウンに寄与すると
ころ大である。
尚数ミクロン程度の加工変質層を除去するＫはエツチン
グによれば簡単に出来ミラーポリシュを必要としない−
バルク波の振動子フィルター等の用途には十分役立つも
のである。
グによれば簡単に出来ミラーポリシュを必要としない−
バルク波の振動子フィルター等の用途には十分役立つも
のである。
第１図−第２図は従来技術を説明するための図面で、第
１図は−インゴットの斜視図−第２図は一中間つエバー
の斜視図−第３図より第６図は本発明を説明するための
図面で、第３図は−インゴットを基台に取付けた状態を
示す斜視図−第４図は一メカニカルワイヤーソーの正面
斜視図−第５図は一中間スライスされたインゴットの側
面図、第６図は一仕上げスライス中のウェハーの側面図
である。 １−３・・・・・・インゴット。 １１３・・・・・・中間ウェハー− ８−１４・・・・・・金属細線− φａ・・・・・スライス時の金属細線外径−φＣ・・・
・・・仕上時の金属細線外径、特許出願人 シチズン時
計株式会社 第１図 第２図 第４図
１図は−インゴットの斜視図−第２図は一中間つエバー
の斜視図−第３図より第６図は本発明を説明するための
図面で、第３図は−インゴットを基台に取付けた状態を
示す斜視図−第４図は一メカニカルワイヤーソーの正面
斜視図−第５図は一中間スライスされたインゴットの側
面図、第６図は一仕上げスライス中のウェハーの側面図
である。 １−３・・・・・・インゴット。 １１３・・・・・・中間ウェハー− ８−１４・・・・・・金属細線− φａ・・・・・スライス時の金属細線外径−φＣ・・・
・・・仕上時の金属細線外径、特許出願人 シチズン時
計株式会社 第１図 第２図 第４図
Claims (1)
- 酸化物単結晶−半導体革結晶一磁器等の硬脆材料の加工
法に於て、前記硬脆材料を一金属細線と遊離砥粒にて所
定ピッチにスライスする際−まずφａなる金属細線と平
均粒径がφｂなるＧＣ砥粒にてスライスし一次にφ（ａ
＋３Ｘｂ ）≦φＣ〈φ（ａ＋５Ｘｂ ）なる金属細線
と平均粒径がφｂ１５以下のＦＯ砥粒にてスライスした
面を加工除去し−ランピング工程を経ずに完成ウェハー
とすることを特徴とする硬脆材料の加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9811284A JPS60242958A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 硬脆材料の加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9811284A JPS60242958A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 硬脆材料の加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60242958A true JPS60242958A (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=14211235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9811284A Pending JPS60242958A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 硬脆材料の加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60242958A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0236530A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Naoetsu Denshi Kogyo Kk | 半導体ウエハ積層体及びその製造方法並びにディスクリート素子用基板の製造方法 |
| JPH05185420A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ワイヤーソーによるワークの切断方法及び切断装置 |
| KR100942144B1 (ko) * | 2007-12-12 | 2010-02-16 | 주식회사 실트론 | 더블 쏘우 와이어 잉곳 절단장치 |
| CN101797713A (zh) * | 2010-04-08 | 2010-08-11 | 南京航空航天大学 | 硅片的磨削/电解复合多线切割加工方法 |
| CN104175409A (zh) * | 2014-08-28 | 2014-12-03 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种硅片带电多线切割方法及带电多线切割装置 |
-
1984
- 1984-05-16 JP JP9811284A patent/JPS60242958A/ja active Pending
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| JPH05185420A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ワイヤーソーによるワークの切断方法及び切断装置 |
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