JPH0632905B2 - ▲ｉｉｉ▼―ｖ族化合物半導体ウエハ薄層化処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (ア) 技術分野 この発明は、III−V族化合物半導体単結晶ウエハのデバ
イスの作製完了後の、薄層化処理方法に関する。

ここでIII−V族化合物半導体というとは、GaAs、InSb、
InP、GaP、GaSbなどの事である。

これらの化合物半導体は、シリコンSiよりも柔らかくて
脆いという共通の欠点がある。

化合物半導体の単結晶は、液体カプセル法（ＬＥＣ法）
又は水平ブリツジマン法（ＨＢ法）によつて作製され
る。これを円柱形に研削し、オリエンテーシヨンフラツ
トＯＦ、ＩＦなどを研削する。

このような棒状の単結晶インゴツトを薄い円形（矩形の
場合もある）の板に切り出す。これをアズカツトウエハ
という。

アズカツトウエハは厚みをそろえるために、両面、又は
片面ラツピングを行ない、さらに両面又は片面を鏡面研
磨する。この間に何回かエツチングを行ない、加工変質
層を除く。また周面のエツジを丸くするベベリングを行
なう事も多い。こうしてできたものをミラーウエハとい
う。

本発明は、アズカツトウエハからミラーウエハに至る工
程の中の研削には関係がない。

ミラーウエハの上には、数多くの種類のデバイスがウエ
ハプロセスを重ねる事によつて製作される。デバイスは
発光素子、高速論理素子の集積回路、受光素子、赤外線
その他の検出素子など任意である。

ウエハプロセスには、目的によって多様なものが用いら
れる。エピタキシー、イオン打込み、エツチング、蒸
着、絶縁膜の形成など多様である。

このようにデバイス作製が完了したウエハを、本発明は
対象とするのである。

デバイスが作製されたウエハは、例えば３インチ径で
は、厚みが620μｍ〜700μｍ程度である。これはミラー
ウエハの厚みがこの程度だからである。エピタキシーな
どにより層の厚みが多少変化するが、せいぜい数μｍで
あり、ミラーウエハ厚みと殆んど変わらない。

このように、ウエハが比較的厚いのは、デバイス作製時
にウエハに機械的な強度が必要だからである。これ以
上、薄いとハンドリングが難しい。

半導体素子を作る場合、ウエハは基板となるだけなので
あるから、表面の数μｍの厚みだけが必要であつて、そ
れ以外の部分は単に機械的強度をもたせるために必要な
だけである。

さらに、これらのデバイスは使用される段階になると、
かなりの熱を発生する。集積回路の集積度が高くなれば
なるほど発熱が著しい。発光素子の場合も、順方向に大
きい電流を流すから、発熱の問題は深刻である。

さらに、化合物半導体単結晶ウエハを使つたデバイス
は、高速である事を特徴とするものである。素子を高速
で動作させるためには、一般に大きい電流を流し続ける
必要があり、大きい電力を消費する。従つて、シリコン
半導体素子に比べて、GaAsなどの素子は、発熱の問題が
より重大な困難となつてくるのである。

さらに不利な事であるが、化合物半導体の熱伝導率は、
Siの熱伝導率よりも低い。デバイスから出た熱は、大部
分がチップを伝わり、チップの裏面からパツケージへと
逃げる。

パツケージについても、放熱を促進するような工夫がな
されている。Al₂O₃などのセラミツクの薄板を重ねたパ
ツケージとし、ＩＣチツプの接触する部分は金属板とす
る、というような改良がなされる。

チツプの上面から裏面までの熱の伝達によるチツプ内の
放熱の効率も問題である。

放熱を促進するためには、半導体チツプを薄くすればよ
いのである。

そこで、デバイスが製作された後、ウエハの裏面を削り
取つて薄くする、という事が行なわれる。

Si半導体の場合でも、発熱が著しい場合は、裏面を削り
取つて薄くする、という事が行なわれる。Siは熱伝導率
がよいので、400μｍ程度にまで薄くすれば十分であ
る。

Si半導体の場合、裏面を削るため、ラツピングが用いら
れる。

このラツピングは、アズカツトウエハからミラーウエハ
へ加工するためのラツピングとは目的が異なる。しか
し、手法は同じようなものである。ウエハの裏面を適当
な加圧円板に固定する。加圧円板を回転し、研磨剤を供
給しつつ定盤に当て、定盤の回転と加圧円板の回転によ
つてウエハの裏面をラツピングする。研磨剤には砥粒が
大量に含まれている。砥粒との物理的接触によつてウエ
ハ裏面が削り取られてゆく。

ラツピングによつて、400μｍのウエハにする事はでき
るが、ラツピングは湿式の処理であつて、必ずしも優れ
た方法ではない。

前処理、後処理の時間を含め加工時間が長い。遊離砥粒
を使うから、ウエハ裏面に砥粒が埋まることもあり、十
分に洗い流さなければならない。ラツピングによる加工
変質層が大きい。また大量の廃液を出すが、この処理が
問題になる。さらに、バツチ処理であつて、自動化がで
きない。

このように裏面を削るためにラツピングするという方法
は多くの難点があつた。

そこで、Siウエハについては、ウエハ裏面をダイヤモン
ドホイールで研削する、という事が強く要望された。

本出願人はこの要望に応えて、Siウエハの裏面をダイヤ
モンドホイールで研削するという手法の実現に成功し
た。これは特開昭61-95866（Ｓ．61.5.14公開）の端面
研削盤を用いる方法である。

これは、遊離砥粒でなく固定砥粒を使う。加工時間が短
い、自動化できる、など優れた特長がある。

このように、ダイヤモンドホイールにより、ウエハ裏面
を研削することを、簡単にバツクグラインデイングと呼
んでいる。

本出願人の成功によつて、Siチツプの裏面の薄層化の手
段は、ラツピングからバツクグラインデイングへ移行し
つつある。

現在でも、ラツピングが主流であるが、やがて、バツク
グラインデイングへ殆ど移行するものと考えられる。

(イ) 従来技術 以上説明したものは、ウエハ裏面の薄層化の必要な理由
と、シリコンウエハについての手法の変遷である。

III−V族化合物の場合は、Siウエハよりも脆いという決
定的な困難がある。

さらに、Siよりも熱伝導率が低い。またSiよりも高速動
作するから、発熱が著しい。

このため、Siウエハの場合が400μｍまで薄くすればよ
かつたのに、III−V族の場合は、200μｍまで薄くしな
ければならない。

Siウエハに比べて、不利な条件が揃つている。

そこで、従来、化合物半導体ウエハの裏面の薄層化のた
めには、ラツピングが専ら用いられてきた。ラツピング
であるから、遊離砥粒を使う。遊離砥粒を含む液体によ
つて、ウエハの裏面が無理なく削り落とされる。このた
め、200μｍという薄片にまで研削しても、ウエハが割
れたり、かけたりすることが少かつた。

このように、化合物半導体ウエハの裏面をラツピングに
よつて薄層化するには最適の方法だつたという事ができ
る。このため、現在も、ラツピングのみが用いられてい
る。

しかし、既に述べたように、ラツピングは前処理、後処
理が煩雑であつて能率の悪い方法である。ラツピング
後、砥粒が残留してはいけないから、十分に洗浄しなけ
ればならない。遊離砥粒を用いるから、クリーンでな
い。また廃液が大量に出る。廃液処理が困難な問題にな
る。また連続作業できず、自動化に適さない、という欠
点があつた。

(ウ) 発明が解決すべき問題点 ダイヤモンドホイールにより、バツクグラインデイング
することによつて化合物半導体ウエハの裏面を薄くす
る、という事が強く要望されている。

シリコンに於ては実用化されている方法であるが、これ
をそのまま適用する事ができない。シリコンは丈夫で割
れ難い。しかし、GaAsなど化合物半導体は、僅かな力で
劈開するので極めて脆く、割れやすい。

このため、ダイヤモンドホイールによる裏面研削は不可
能であると考えられていた。まず、ホイールとの物理的
接触によつて割れてしまう。Siウエハより弱いのに、約
半分の厚さにまで削らなければならないのであるから、
割れる、という事が多い。

割れない場合でも、ウエハ表面に劈開面に沿うムシレ現
象が起きる。つまり、面に多数の窪みが生ずるのであ
る。これはホイールの固定砥粒によつて、表面の柔い面
が局所的に堀り起こされるからである。

ムシレ現象が起こると、ウエハ裏面が鏡面にならない。
鏡面にならないと、パツケージにダイボンドした場合、
チツプとパツケージの接触が悪く、熱抵抗も大きくな
り、不都合である。

このように、脆弱な化合物半導体ウエハの裏面の研削に
は、Siウエハに比較し、格段の困難がある。

(エ) ダイヤモンドホイール 本発明者は、ダイヤモンドホイールによる化合物半導体
ウエハの裏面研削を可能にする方法を模索して実験を重
ねた。

主にGaAsウエハを中心とし、多数枚のウエハを実際にダ
イヤモンドホイールによつて研削した。

ダイヤモンドホイールは、ダイヤモンド砥粒と、結合剤
と充填材とを固めたものである。

充填材は結合に寄与するが、研磨に寄与することのない
成分で、固体粒子よりなる物質である。これは炭酸カル
シウム、アルミナ、炭火けい素、銅粉などがある。これ
らは、固体であるが、砥粒として機能するのではなく、
空間を占めるだけのものであるから、ダイヤモンド砥粒
より、微小径の固体粉である。

結合剤というのは、ダイヤモンド砥粒と、充填材とを均
一に分布させ、これらを結合して、一定の形状をもつよ
うにするものである。

結合剤としてはレジンボンド、メタルボンド、ビトリフ
アイドボンドなどがある。またゴムを結合剤とするゴム
砥石もある。

本発明はこの内、レジンボンドホイールを対象にする。

樹脂を結合剤とする。樹脂としてはフエノール樹脂が主
に用いられる。ポリイミド系樹脂が使われることもあ
る。

ダイヤモンド砥粒は、ホイールの三成分の中で最も重要
なものである。これが研削を行なう主体だからである。

ダイヤモンド砥粒は２つのパラメータによつて指定され
る。粒度と集中度である。

ダイヤモンドホイールの砥粒として使用可能な範囲は＃
2000〜＃4000がある。ここで＃3000の粒度というのは、
平均直径が約３μｍの粒度に対応する。

ダイヤモンド砥粒の特性を示すもうひとつのパラメータ
である集中度（コンセントレーシヨン）は、砥石など研
磨材の砥粒層の中にダイヤモンド砥粒が体積比でどの程
度入つているかということを25％を100として表わすも
のである。

以上がレンジボンドダイヤモンドホイールの物性であ
る。

このホイールは、リング状に形成され、コの字型断面の
砥石ヘツドの円周端面に固着される。おわんのような形
状であるから、カツプ型ホイールという。

(オ) 研削の条件を決めるパラメータ ウエハをバツクグラインデイングする可能性のある条件
を求める実験を行なうのであるから、パラメータを決め
て行なわなければならない。

これには次のようなものが考えられる。

Ａ ダイヤモンド砥粒の粒度 Ｂ ダイヤモンド砥粒の集中度 Ｃ 結合剤の比率 Ｄ 充填材の比率 Ｅ ホイールの厚み Ｆ ホイールの内径 Ｇ ホイールの外径 Ｈ 砥石の周速 Ｉ 砥石の切込速度 などである。

そして、目標とするのは、化合物半導体ウエハの裏面
を、鏡面に研削することである。単に鏡面に研削するの
ではなく200μｍ程度の厚さで、ウエハを割ることな
く、ムシレ現象を起こすことなく鏡面に仕上げる、とい
う事が重要である。

数多くの化合物半導体ウエハを研削して多くの条件の下
で実験を行なつた。

そうすると、Ｅ〜Ｉの条件については適当な範囲がある
が、これらは化合物半導体ウエハに特有の範囲ではな
い、という事が分つた。

Ａ〜Ｄのホイールの物性が、ウエハを劈開させることな
く鏡面仕上げするために極めて強い相関がある、という
事が分つてきた。

ところが、Ａ〜Ｄのどのひとつの条件を決めても、研削
の最適条件を規定することができない。

Ａ〜Ｄのいくつかの条件の内に相関がある、という事が
分つた。

(カ) 曲げ弾性率 Ａ〜Ｄによつてきまる曲げ弾性率というものを考える。
これは、ホイールに加えた単位面積当りの力を、歪みで
割つた値である。ホイールのかたさを表現する値である
という事もできる。

曲げ弾性率の単位は、kg重／cm²又はkgf/cm²と書く。こ
れが大きいと歪み難いから硬い材料であるという事がで
きる。これが小さいと、柔い材料であるという事ができ
る。

曲げ弾性率ＪがＡ〜Ｄによつて決まるが、Ａ〜Ｄのどの
ひとつを規定するものでもなく、曲げ弾性率Ｊを規定す
ることにより、最適のホイールを与える事ができる。本
発明者は数多くの実験によつて、このような事を知るに
至つた。

最初に述べたように、現在、化合物半導体ウエハの裏面
を薄層化するために用いられている技術はラツピングで
ある。

手数が煩雑であり廃液処理の問題もあるが、ウエハにと
つてラツピングが最良の方法である、といる。

ラツピングは遊離砥粒によるものであるから、曲げ弾性
Ｊが０の極限と考える事ができる。

Ｊ→０が理想かとも考えられるが、そうではない。遊離
粒子と固定粒子では違うのである。

Ｊを小さくするためには、結合剤として柔い材料を用い
た粒石がよい。例えば結合剤をゴム系材料とするゴム砥
石である。これは曲げ剛性Ｊが小さい。

しかし、曲げ剛性が小さいと、ダイヤモンド砥粒が研削
中にゴム系結合剤の中へもぐつてしまう。すると結合剤
がウエハに接触し、これを擦することになる。ウエハと
結合剤の摩擦係数が大きいので、ウエハに強大な摩擦力
が加わる。このため脆いウエハが破損する。

このように、固定砥粒の場合、Ｊ→０とすると、実効的
に砥粒が消失し、結合剤というウエハの摩擦だけが残る
という事になる。

ラツピングの場合は、結合剤というものがそもそも存在
しないから、Ｊ→０の極限であつても、砥粒とウエハが
接触する。

曲げ弾性率の大きい、つまり硬いダイヤモンドホイール
を用いると、ウエハに対するクツシヨン作用がない。こ
のため、ウエハ面に劈開が起こり、鏡面に仕上げること
ができない。

つまり、Ｊが小さいと、ウエハが破損し、Ｊが大きいと
面が粗れて鏡面にならない。

ここで曲げ弾性率の定義を述べる。

引張り荷重又は圧縮荷重を材料に加え、これによつて生
じた歪みで、単位面積あたりの荷重を割つた値が曲げ弾
性率である。これはヤング(Young)率と同じものであ
る。

棒材に形成したものを、片もち、又は両もち状態にし、
棒材に直角な力を加え、棒の曲がり量から、ヤング率を
求める。この技術分野では、砥石のヤング率をこのよう
な方法で求めるから、ヤング率のことを曲げ弾性率とい
うのである。

(キ) 本発明の方法 本発明者は、化合物半導体ウエハの裏面研削の可能性を
規定する条件が曲げ弾性率Ｊであり、この最適値が10〜
15×14⁴kgf/cm²であることを見出した。

したがつて、本発明の方法は、曲げ弾性率が10〜15×14
⁴kgf/cm²であるダイヤモンドホイールで、裏面研削をす
る、という事に特徴がある。

その他の条件は任意である。

たとえば、ダイヤモンド砥粒の大きさは、＃2000〜＃40
00のものを使うことができる。これは端面研削に通常用
いられる、ありふれた範囲である。

集中度は50〜200のいずれでもよい。

ホイールの内径Ｆ、外径Ｇ、厚みＥは任意である。

砥石の周速Ｈ、切込速度Ｉも任意である。

曲げ弾性が10〜15×14⁴kgf/cm²というのは、柔いホイー
ルを表現している。現在、シリコンウエハのバツクグラ
インデイングに使われているものの曲げ弾性率はこれら
よりずつと大きい。

曲げ弾性率を決める因子について述べる。

レジンボンドダイヤモンドホイールであるから、結合剤
は樹脂である。充填材はアルミ、炭酸カルシウム、炭化
けい素、銅粉などである。砥粒はダイヤモンドである。

充填材、砥粒が多くなると曲げ弾性率が大きくなる。樹
脂が多くなると曲げ弾性率が小さくなる。

充填材は剛性を高めるが、研磨作用はない。このため、
固体の微粒子であつて、粒径はダイヤモンド砥粒より小
さいものでなければならない。

このように３つの材料があり、規定すべきパラメータは
ひとつなのであるから、任意のひとつのパラメータを固
定しても、残りの２つのパラメータを加減すれば、Ｊ＝
10〜15×14⁴kgf/cm²にすることができる。

既に述べたように、ウエハはウエハプロセスによつて、
全てのデバイスが表面に形成された時に、620μｍ〜700
μｍの厚みがある。これを表面研削し200μｍの厚みに
しなければならない。

420μｍ〜500μｍを研削するわけである。

この間、一様な条件で研削してもよい。しかしそうする
と時間がかかりすぎる。時間を節約するためには、粗加
工と仕上加工に分けるとよい。

粗加工は、鏡面にするという条件を外し、スピードを第
１の条件とする。これによつて大部分の厚みを研削し21
0μｍのウエハとする。つまり、410μｍ〜490μｍは粗
加工で行なう。スピードは、たとえば10μｍ／min程度
である。粒度は＃800程度の切れ味のよい粗目の砥石で
よい。

仕上加工は、残りの10μｍ程度を、ゆつくりと鏡面に仕
上げるもので、＃2000〜＃4000、特に、＃3000程度のホ
イールによつて行なう。切込みスピードはたとえば1μ
ｍ／min程度である。

本発明の条件は、この内仕上加工に対するものである。

粗加工に対しては、Ｊが10×10⁴kg/cm²以上でなければ
ならない、という条件はある。つまり下限はある。破損
してならないからである。しかし、条件は15×10⁴kgf/c
m²というわけではない。これは鏡面になるための条件で
ある。粗加工では鏡面ではなくてもよいのであるから、
この条件が外れる。

つまり、本発明のＪ＝10〜15×14⁴kgf/cm²というのは、
仕上加工に関するものである、という事になる。

もちろん、２段階に分けず、全工程を同一の条件で実行
してもよい。この場合は、Ｊ＝10〜15×14⁴kgf/cm²とい
う条件が全工程に対して要求される。

第１図〜第３図に研削装置を図示する。

これは、特開昭61-95866 と装置としては同じものであ
る。

第１図は縦断面図、第２図は横断面図である。

化合物半導体ウエハ１は表面を下にして、チヤツクテー
ブル２に真空チヤツクされている。

チヤツクテーブル２は、回転できるインデツクステーブ
ル３の上に設けられる。これは、チヤツクテーブルドラ
イブモータ４によつて回転する。

チヤツクテーブル２の上方には、砥石軸７があり、この
下端にカツプ型砥石６が固着されている。

カツプ型ダイヤモンドホイール６は、砥石台金の下端に
リング状の砥粒層１３を貼りつけたものである。台金と
砥粒層がカツプ状をすなわち、カツプ型砥石又はカツプ
型ホイールという。

チヤツクテーブル２とカツプ型ダイヤモンドホイール６
とは互に反対方向に回転し、ウエハの裏面を削つてゆ
く。

第３図はチヤツクテーブルを４つ具えたインデツクステ
ーブルを示している。インデツクステーブルは回転でき
る。４つのチヤツクテーブルの位置は、取付け、粗加
工、仕上加工取外しに対応している。

粗加工と仕上加工を平行して行なうのは、能率を上げる
ためである。このため砥石軸、カツプ型ダイヤモンドホ
イールよりなる砥石ヘツドは、粗加工用、仕上加工用の
２つが必要である。

一工程が終るごとに、インデツクステーブル３を１ステ
ツプずつ回転することにより、自動化運転できる。

第１図、第２図の構成では、砥粒層１３の中心Ｏと、砥
石軸７の中心Ｏ′が喰い違つている。砥粒層を偏心運動
させるようになつている。これは、砥粒層が摩滅した時
にウエハ中心に研削されない部分が残る惧れがあるの
で、偏心運動させて、このような可能性を除去している
のである。

このような工夫は特開昭61-95866 に説明されている。

本発明に於ては、ＯＯ′の間隔は任意である。

(ク) 実施例 粒度＃3000のダイヤモンド砥粒を集中度100（つまり25v
ol％）で含み、曲げ弾性率の異なる６種類のダイヤモン
ドホイールを製作し、これらによつて、GaAsウエハを研
削した。

GaAsウエハは直径が３インチである。

砥石の周速は2200m/minとした。

切込速度は1μｍ/minとした。

ウエハ研削後の厚みは200μｍとした。

ダイヤモンドホイールＡ〜Ｆの樹脂、充填材、ダイヤモ
ンド砥粒の体積比は以下のとおりであつた。

樹脂(vol%)充填材(vol%)砥粒(vol%) Ａ 75 ０ 25 Ｂ 65 10 25 Ｃ 55 20 25 Ｄ 45 30 25 Ｅ 35 40 25 Ｆ 30 45 25 ここで樹脂はフエノール樹脂である。充填材は炭酸カル
シウムを主に用いた。しかし、アルミナ、炭化けい素、
銅粉を充填材としても、結果は同じであつた。

これらのダイヤモンドホイールを用い、GaAs３インチウ
エハを、200μｍの厚さまで背面研削したところ、ホイ
ールＡでは面粗さが０．１μＲmaxで鏡面となつたがウ
エハの割れが多発した。ホイールＡは不適であつた。

ホイールＦでは200μｍまで割れずに研削できたが、面
粗さが０．３μＲmaxとなり鏡面とならず、梨地状の面
となつた。ホイールＦは不適である。

ホイールＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅでは200μｍまで割れず、しか
も面粗さが０．１μＲmaxの鏡面研削が可能であつた。

第４図はホイールＡ〜Ｆの曲げ弾性率の測定値を示すグ
ラフである。横軸は樹脂、充填材の体積比率(%)であ
る。縦軸は曲げ弾性率(kgf/cm²)である。

これらのうち、Ａはウエハが破壊されることがあり、Ｆ
は鏡面にならないのであるから、曲げ弾性率が10×10⁴k
gf/cm²より小さいもの、15×10⁴kgf/cm²より大きいもの
は不適であるという事が判明する。

この実施例はダイヤモンドの充填率を100(25vol%)とし
たものである。ダイヤモンドの充填率を変えても差支え
ない。この場合、樹脂、充填材のvol%の関係が合計75％
とはならない。

横軸の充填材についての目盛をそのままとすれば、ダイ
ヤモンドの集中度を下げると、曲げ弾性率−充填材曲線
は、この曲線より右へ偏奇する。

反対に、ダイヤモンドの集中度を上げると、この曲線よ
り左へ偏奇する。

いずれにしても曲げ弾性率が10〜15×10⁴kgf/cm²であれ
ばよいのである。

(ケ) 効 果 従来、ラツピングで行なっていた化合物半導体ウエハの
裏面の研削を、ダイヤモンドホイールで実行することが
できるようになる。

ダイヤモンドホイールでは従来全く不可能であつた事
を、本発明によつて好適に行なう事ができるようになつ
た。

ラツピングは遊離砥粒によるため、処理後ウエハを充分
に洗浄しなければならなかつた。加工変質層も大きかつ
た。バツチ処理であつて不能率であつた。廃液処理が問
題である、などの数多くの欠点があつた。

本発明は固定砥粒による裏面研削であるから、次の利点
がある。

(i) 加工時間が短い。

(ii) 洗浄など後処理が不要である。

(iii) 加工変質層が少ない。

(iiii) 連続的に処理できるから自動化できる。

(v) 廃液が出ない。

(vi) 清浄な環境を損なわない。

【図面の簡単な説明】

第１図はダイヤモンドホイールによるウエハ研削工程を
略示する公知の装置の縦断面図。 第２図は同じものの横断面図。 第３図は４つのチヤツクテーブルを有するインデツクス
テーブルの平面図。 第４図は本発明の実施例にかかるレジンダイヤモンドホ
イールの充填材、樹脂の体積％と曲げ弾性率の測定値を
示すグラフ。 １……ウエハ ２……チヤツクテーブル ３……インデツクステーブル ４……チヤツクテーブルドライブモータ ６……カツプ型ダイヤモンドホイール ７……砥石軸 １３……砥粒層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西口 勝規 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 関口 剛 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 見義 一兄 神奈川県川崎市高津区久地185番地 旭ダ イヤモンド工業株式会社玉川工場内 (72)発明者 西尾 清 大阪府豊中市勝部３丁目８番９号 日清工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−155358（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−79573（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−66090（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−219137（ＪＰ，Ａ)

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ウエハプロセスにより表面に電子デバイス
   又は電子光デバイスが形成されたIII−Ｖ族化合物半導
   体ウエハの放熱性を向上させるため、ダイヤモンド砥粒
   と充填材と樹脂である結合剤とからなりダイヤモンド砥
   粒の大きさが＃２０００〜＃４０００であり曲げ弾性率
   が１０〜１５×⁴kgf／cm^２であるダイヤモンドホイール
   によってウエハの裏面を研削し厚みを減じるようにした
   ことを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体ウエハの薄層
   化処理方法。
2. 【請求項２】ダイヤモンドホイールを構成する結合剤が
   フェノール樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲
   第(1) 項記載のIII−Ｖ族化合物半導体ウエハの薄層化
   処理方法。
3. 【請求項３】ダイヤモンドホイールを構成する充填材が
   炭酸カルシウムであることを特徴とする特許請求の範囲
   第(2) 項記載のIII−Ｖ族化合物半導体ウエハの薄層化
   処理方法。
4. 【請求項４】ダイヤモンドホイールの砥粒層の中心Ｏ
   と、ホイール回転中心Ｏ′が食い違っていることを特徴
   とする特許請求の範囲第(3) 項記載のIII−Ｖ族化合物
   半導体ウエハの薄層化処理方法。