JPH09290358A - 半導体ウェハの製造方法および半導体インゴットの面 取り加工装置 - Google Patents
半導体ウェハの製造方法および半導体インゴットの面 取り加工装置Info
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- JPH09290358A JPH09290358A JP8142123A JP14212396A JPH09290358A JP H09290358 A JPH09290358 A JP H09290358A JP 8142123 A JP8142123 A JP 8142123A JP 14212396 A JP14212396 A JP 14212396A JP H09290358 A JPH09290358 A JP H09290358A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 確実に一括した面取りを行い、切断と面取り
に係る加工時間を大幅に短縮できる半導体ウェハの製造
方法および半導体インゴットの面取り加工装置を提供す
る。 【解決手段】 半導体インゴット２をその中心軸Ｃ回り
で回転させる。回転する半導体インゴット２の外周面２
１に砥石１の凹凸１１面を当接させる。砥石１の凹凸１
１により外周面２１を面取り形状に加工する。ワイヤー
ソーを使用し半導体インゴット２を切断してスライスド
ウェハ３を得る。。
に係る加工時間を大幅に短縮できる半導体ウェハの製造
方法および半導体インゴットの面取り加工装置を提供す
る。 【解決手段】 半導体インゴット２をその中心軸Ｃ回り
で回転させる。回転する半導体インゴット２の外周面２
１に砥石１の凹凸１１面を当接させる。砥石１の凹凸１
１により外周面２１を面取り形状に加工する。ワイヤー
ソーを使用し半導体インゴット２を切断してスライスド
ウェハ３を得る。。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、半導体インゴットを切
断してスライスドウェハを得る半導体ウェハの製造方法
および半導体ウェハの面取り加工装置に関するものであ
る。
断してスライスドウェハを得る半導体ウェハの製造方法
および半導体ウェハの面取り加工装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体インゴットを切断してスラ
イスドウェハを得、このスライスドウェハをさらに加工
して製品の半導体ウェハにするためには、まずその周縁
部を面取りすることにより、その後の工程でカケやチッ
ピングが発生するのを防止している。ところが、このス
ライスドウェハの面取りは枚葉ごとに行われているため
に、面取り加工に要する時間が非常に長く、スループッ
トが非常に悪いという欠点があった。
イスドウェハを得、このスライスドウェハをさらに加工
して製品の半導体ウェハにするためには、まずその周縁
部を面取りすることにより、その後の工程でカケやチッ
ピングが発生するのを防止している。ところが、このス
ライスドウェハの面取りは枚葉ごとに行われているため
に、面取り加工に要する時間が非常に長く、スループッ
トが非常に悪いという欠点があった。
【０００３】この欠点を克服する手段としては、「特公
平６−４２１７号」の公告公報や「特開平６−７７１８
８号」の公開公報などに示されたものがあり、これらは
複数のスライスドウェハを束ねるように重ねて挟持し、
これをその中心軸回りで回転させながら一括して面取り
するものである。
平６−４２１７号」の公告公報や「特開平６−７７１８
８号」の公開公報などに示されたものがあり、これらは
複数のスライスドウェハを束ねるように重ねて挟持し、
これをその中心軸回りで回転させながら一括して面取り
するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たようなスライスドウェハを一括して面取りする方法で
は、一度切断したスライスドウェハを挟持された状態に
設定するのに時間がかかり効率が悪いというという問題
点がある。また、一旦切断されたスライスドウェハを束
ねた状態で挟持するのでは、ウェハ相互間におけるブレ
等が生じる可能性があり、すべてのスライスドウェハに
ついて確実な面取りをすることは困難であるという問題
点がある。本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、確実に一括した面取りを行い、切断と面取りに係る
加工時間を大幅に短縮できる半導体ウェハの製造方法お
よび半導体インゴットの面取り加工装置を提供すること
を目的とするものである。
たようなスライスドウェハを一括して面取りする方法で
は、一度切断したスライスドウェハを挟持された状態に
設定するのに時間がかかり効率が悪いというという問題
点がある。また、一旦切断されたスライスドウェハを束
ねた状態で挟持するのでは、ウェハ相互間におけるブレ
等が生じる可能性があり、すべてのスライスドウェハに
ついて確実な面取りをすることは困難であるという問題
点がある。本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、確実に一括した面取りを行い、切断と面取りに係る
加工時間を大幅に短縮できる半導体ウェハの製造方法お
よび半導体インゴットの面取り加工装置を提供すること
を目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、半
導体ウェハの製造方法を、切断してスライスドウェハを
得る前の半導体インゴットの外周面を、スライスドウェ
ハを得るために切断する間隔ごとに面取り形状に予め加
工した後に、半導体インゴットを切断するようにしたも
のである。
導体ウェハの製造方法を、切断してスライスドウェハを
得る前の半導体インゴットの外周面を、スライスドウェ
ハを得るために切断する間隔ごとに面取り形状に予め加
工した後に、半導体インゴットを切断するようにしたも
のである。
【０００６】また、半導体ウェハの面取り加工装置を、
半導体インゴットをその中心軸回りで回転させる回転手
段と、スライスドウェハを得るために切断する間隔ごと
に面取り形状の凹凸を有する研削材とからなるようにし
たものである。
半導体インゴットをその中心軸回りで回転させる回転手
段と、スライスドウェハを得るために切断する間隔ごと
に面取り形状の凹凸を有する研削材とからなるようにし
たものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】従来、半導体インゴットをスライ
ス状に切断した後に、これにより得られたスライスドウ
ェハの周縁部を面取りしていたのに替わり、スライス状
に切断する前に半導体インゴットの外周面を面取り形状
に加工し、この面取り形状に合わせて半導体インゴット
を切断してスライスドウェハを得ることにより、面取り
工程にかかる加工時間を大幅に削減するものである。
ス状に切断した後に、これにより得られたスライスドウ
ェハの周縁部を面取りしていたのに替わり、スライス状
に切断する前に半導体インゴットの外周面を面取り形状
に加工し、この面取り形状に合わせて半導体インゴット
を切断してスライスドウェハを得ることにより、面取り
工程にかかる加工時間を大幅に削減するものである。
【０００８】尚、この製造方法における半導体インゴッ
トの切断方法としては、近年急速に普及しつつあるワイ
ヤーソーを使用した切断が最も適している。すなわち、
このワイヤーソーによる切断では一度に複数のウェハを
切断できると共に、この切断により得られたウェハの厚
みは略均一で、予め等間隔で面取り加工された半導体イ
ンゴットの面取りの間隔に一致させて切断するのに好適
である。
トの切断方法としては、近年急速に普及しつつあるワイ
ヤーソーを使用した切断が最も適している。すなわち、
このワイヤーソーによる切断では一度に複数のウェハを
切断できると共に、この切断により得られたウェハの厚
みは略均一で、予め等間隔で面取り加工された半導体イ
ンゴットの面取りの間隔に一致させて切断するのに好適
である。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説
明する。 実施例１ 図１は実施例１の製造方法の各工程を示す模式図であ
る。本発明の半導体ウェハの製造方法のためには、半導
体インゴットを切断する前に、その外周部に面取り加工
を施す面取り加工装置を使用する。したがって、まずこ
の半導体インゴットの面取り加工装置について説明す
る。本実施例１における半導体インゴットの面取り加工
装置は、図１（ａ）に示すように、半導体インゴット２
をその中心軸Ｃ回りで回転させる回転手段（図示せず）
と、回転する半導体インゴット２の外周面２１に当接さ
せて面取り形状に研削する研削材としての砥石１とから
なり、この砥石１は円柱状に形成されて回転するように
設けられ、その外周面には加工する面取り形状の凹凸１
１が等間隔に設けられている。
明する。 実施例１ 図１は実施例１の製造方法の各工程を示す模式図であ
る。本発明の半導体ウェハの製造方法のためには、半導
体インゴットを切断する前に、その外周部に面取り加工
を施す面取り加工装置を使用する。したがって、まずこ
の半導体インゴットの面取り加工装置について説明す
る。本実施例１における半導体インゴットの面取り加工
装置は、図１（ａ）に示すように、半導体インゴット２
をその中心軸Ｃ回りで回転させる回転手段（図示せず）
と、回転する半導体インゴット２の外周面２１に当接さ
せて面取り形状に研削する研削材としての砥石１とから
なり、この砥石１は円柱状に形成されて回転するように
設けられ、その外周面には加工する面取り形状の凹凸１
１が等間隔に設けられている。
【００１０】尚、半導体インゴット２の回転手段として
は、半導体インゴット２の外周面に回転ドラム等を当接
させて回転させるものや、中心軸Ｃを保持して、この中
心軸Ｃに回転を与えるもの等、半導体インゴット２を安
定して回転させることができるものであればいずれの方
法でも任意である。
は、半導体インゴット２の外周面に回転ドラム等を当接
させて回転させるものや、中心軸Ｃを保持して、この中
心軸Ｃに回転を与えるもの等、半導体インゴット２を安
定して回転させることができるものであればいずれの方
法でも任意である。
【００１１】次に、半導体ウェハの製造方法について説
明する。図１（ａ）に示すように、半導体インゴット２
をその中心軸Ｃ回りで回転させ、この回転する半導体イ
ンゴット２の外周面２１に回転する砥石１の凹凸１１を
当接させる。これにより半導体インゴット２の外周面２
１は凹凸１１の形状に研削される。
明する。図１（ａ）に示すように、半導体インゴット２
をその中心軸Ｃ回りで回転させ、この回転する半導体イ
ンゴット２の外周面２１に回転する砥石１の凹凸１１を
当接させる。これにより半導体インゴット２の外周面２
１は凹凸１１の形状に研削される。
【００１２】図１（ｂ）に示すように、砥石１の凹凸１
１により研削され、外周面２１が面取り形状に加工され
た半導体インゴット２ができる。
１により研削され、外周面２１が面取り形状に加工され
た半導体インゴット２ができる。
【００１３】図１（ｃ）に示すように、ワイヤーソーを
使用した切断により一度に多数のスライスドウェハ３を
得る。
使用した切断により一度に多数のスライスドウェハ３を
得る。
【００１４】図１（ｄ）に示すように、このスライスド
ウェハ３は、その断面を見るとわかるようにすでに面取
りされているために、この状態のまま次の工程であるラ
ッピング工程または平面研削工程等に送ることができ
る。
ウェハ３は、その断面を見るとわかるようにすでに面取
りされているために、この状態のまま次の工程であるラ
ッピング工程または平面研削工程等に送ることができ
る。
【００１５】この切断前の面取り加工に要する時間は、
例えば直径が８インチの半導体インゴット１本について
およそ３〜５分程度とすると、１本の半導体インゴット
からは凡そ２００枚程度のスライスドウェハを得られる
ことから、スライスドウェハ１枚当たりの面取り時間に
換算すると、３〜５／２００分であり、従来の枚葉面取
りに要する時間が凡そ１分程度であることからも、大幅
に加工時間を短縮できるのは明らかである。
例えば直径が８インチの半導体インゴット１本について
およそ３〜５分程度とすると、１本の半導体インゴット
からは凡そ２００枚程度のスライスドウェハを得られる
ことから、スライスドウェハ１枚当たりの面取り時間に
換算すると、３〜５／２００分であり、従来の枚葉面取
りに要する時間が凡そ１分程度であることからも、大幅
に加工時間を短縮できるのは明らかである。
【００１６】実施例２ 図２は実施例２の製造方法の各工程を示す模式図であ
る。実施例１では、１種類の形状の砥石１により湾曲し
た形状に面取り加工していたが、本実施例２では面取り
形状をテーパー形状にするために、２段階の面取り加工
を行う。
る。実施例１では、１種類の形状の砥石１により湾曲し
た形状に面取り加工していたが、本実施例２では面取り
形状をテーパー形状にするために、２段階の面取り加工
を行う。
【００１７】図２（ａ）に示すように、実施例１と同様
に半導体インゴット２ａをその中心軸Ｃ回りで回転させ
る。まず一段目の面取り加工として、平坦な研削面を有
する砥石１ａを当接させ、半導体インゴット２ａの外周
面２１ａ全体を研削する。
に半導体インゴット２ａをその中心軸Ｃ回りで回転させ
る。まず一段目の面取り加工として、平坦な研削面を有
する砥石１ａを当接させ、半導体インゴット２ａの外周
面２１ａ全体を研削する。
【００１８】図２（ｂ）に示すように、この一段目の研
削により半導体インゴット２ａは円滑な外周面２１ａに
加工され、さらにこの半導体インゴット２ａの外周面２
１ａを二段目の面取り加工として櫛状に研削刃１１ｂを
複数有する研削材１ｂにより研削する。
削により半導体インゴット２ａは円滑な外周面２１ａに
加工され、さらにこの半導体インゴット２ａの外周面２
１ａを二段目の面取り加工として櫛状に研削刃１１ｂを
複数有する研削材１ｂにより研削する。
【００１９】図２（ｃ）に示すように、この二段目の研
削により、半導体インゴット２ａの外周面２１ａに等間
隔で溝２２ａが形成される。実施例１と同様に面取り加
工を終了した半導体インゴット２ａをスライス状に切断
することにより、図２（ｄ）に示すような面取り面がテ
ーパー状のスライスドウェハ３ａを得ることができる。
削により、半導体インゴット２ａの外周面２１ａに等間
隔で溝２２ａが形成される。実施例１と同様に面取り加
工を終了した半導体インゴット２ａをスライス状に切断
することにより、図２（ｄ）に示すような面取り面がテ
ーパー状のスライスドウェハ３ａを得ることができる。
【００２０】実施例３ 図３は実施例３の製造方法における半導体インゴットの
面取り加工の方法を示す模式図である。上記の実施例１
および実施例２では、半導体インゴットの外周面全体を
一度に面取り加工していたが、図３に示すように、本実
施例３は半導体インゴット２ｂを中心軸Ｃ回りに回転さ
せ、一条彫りの研削材１ｃにより溝２２ｃを一条ずつ連
続して研削するようにしたものであり、これにより上記
実施例と同様な面取り加工を施すことができ、この方法
によっても枚葉の面取りに比べると加工時間を短縮する
ことができる。
面取り加工の方法を示す模式図である。上記の実施例１
および実施例２では、半導体インゴットの外周面全体を
一度に面取り加工していたが、図３に示すように、本実
施例３は半導体インゴット２ｂを中心軸Ｃ回りに回転さ
せ、一条彫りの研削材１ｃにより溝２２ｃを一条ずつ連
続して研削するようにしたものであり、これにより上記
実施例と同様な面取り加工を施すことができ、この方法
によっても枚葉の面取りに比べると加工時間を短縮する
ことができる。
【００２１】さらに、数条ずつ溝を形成できる研削材を
使用し、面取り加工を幾度にか分割して行うことも任意
である。
使用し、面取り加工を幾度にか分割して行うことも任意
である。
【００２２】尚、上記実施例ではワイヤーソーによる切
断を用いていたが、これに限られるものではなく、その
切断面を制御して、面取り加工に対応した厚さにウェハ
を切断できれば、内周刃や割断等の切断によっても同様
の効果を得られる。
断を用いていたが、これに限られるものではなく、その
切断面を制御して、面取り加工に対応した厚さにウェハ
を切断できれば、内周刃や割断等の切断によっても同様
の効果を得られる。
【００２３】また、オリフラが必要な半導体ウェハを製
造するに当たっては、予め半導体インゴットの外周面に
オリフラ部分を設け、この半導体インゴットの外周面に
倣うようにして、上記実施例と同様の面取り加工を施し
た後に切断することにより、オリフラを備えたスライス
ドウェハを得られる。
造するに当たっては、予め半導体インゴットの外周面に
オリフラ部分を設け、この半導体インゴットの外周面に
倣うようにして、上記実施例と同様の面取り加工を施し
た後に切断することにより、オリフラを備えたスライス
ドウェハを得られる。
【００２４】さらに、面取り加工をするに当たり、上記
各実施例で示したように砥石等の研削材は回転しながら
研削する方法でも、固定された研削材により研削する方
法でも任意であり、半導体インゴットの面取り加工面の
仕上がりの要求度に応じていずれの方法も選択できる。
各実施例で示したように砥石等の研削材は回転しながら
研削する方法でも、固定された研削材により研削する方
法でも任意であり、半導体インゴットの面取り加工面の
仕上がりの要求度に応じていずれの方法も選択できる。
【００２５】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
半導体インゴットを切断する前に、その外周面を一括し
て面取り加工でき、従来技術の枚葉式の面取り加工に比
し、大幅な加工時間の短縮を図れるという優れた効果が
ある。また、インゴット単位で保持した状態で面取り加
工できることから、確実なインゴットの保持と研削材の
当接ができ、均一な状態の面取り加工ができるという優
れた効果がある。
半導体インゴットを切断する前に、その外周面を一括し
て面取り加工でき、従来技術の枚葉式の面取り加工に比
し、大幅な加工時間の短縮を図れるという優れた効果が
ある。また、インゴット単位で保持した状態で面取り加
工できることから、確実なインゴットの保持と研削材の
当接ができ、均一な状態の面取り加工ができるという優
れた効果がある。
【図１】実施例１の製造方法の各工程を示す模式図あ
る。
る。
【図２】実施例２の製造方法の各工程を示す模式図であ
る。
る。
【図３】実施例３の製造方法における半導体インゴット
の面取り加工の方法を示す模式図である。
の面取り加工の方法を示す模式図である。
１‥‥‥砥石 １１‥‥凹凸 ２‥‥‥半導体インゴット ２１‥‥外周面 ３‥‥‥スライスドウェハ Ｃ‥‥‥中心軸 １ａ‥‥砥石 １ｂ‥‥研削材 １１ｂ‥研削刃 ２ａ‥‥半導体インゴット ２１ａ‥外周面 ２２ａ‥溝 ３ａ‥‥スライスドウェハ １ｃ‥‥研削材 ２ｂ‥‥半導体インゴット ２２ａ‥溝
Claims (4)
- 【請求項１】 切断してスライスドウェハを得る前の半
導体インゴットの外周面を、スライスドウェハを得るた
めに切断する間隔ごとに面取り形状に予め加工した後
に、半導体インゴットを切断することを特徴とする半導
体ウェハの製造方法。 - 【請求項２】 半導体インゴットをワイヤーソーを使用
して切断することを特徴とする請求項１記載の半導体ウ
ェハの製造方法。 - 【請求項３】 半導体インゴットをその中心軸回りで回
転させる回転手段と、スライスドウェハを得るために切
断する間隔ごとに面取り形状の凹凸を有する研削材とか
らなることを特徴とする半導体ウェハの面取り加工装
置。 - 【請求項４】 研削材が砥石であることを特徴とする請
求項３記載の半導体ウェハの面取り加工装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8142123A JPH09290358A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 半導体ウェハの製造方法および半導体インゴットの面 取り加工装置 |
| TW086103786A TW406299B (en) | 1996-04-25 | 1997-03-25 | Process and apparatus for fabricating a semiconductor wafer |
| US08/840,639 US5845630A (en) | 1996-04-25 | 1997-04-25 | Process and apparatus for fabricating a semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8142123A JPH09290358A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 半導体ウェハの製造方法および半導体インゴットの面 取り加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09290358A true JPH09290358A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=15307928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8142123A Pending JPH09290358A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 半導体ウェハの製造方法および半導体インゴットの面 取り加工装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5845630A (ja) |
| JP (1) | JPH09290358A (ja) |
| TW (1) | TW406299B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250962A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの製造方法 |
| JP2012129284A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハ生産方法 |
| KR20190019492A (ko) * | 2017-08-18 | 2019-02-27 | 이정우 | 철근의 용접비드 제거용 비드제거기가 구비된 직선기 |
| JP7045676B1 (ja) * | 2021-12-14 | 2022-04-01 | 有限会社サクセス | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 |
| JP7398852B1 (ja) * | 2023-06-23 | 2023-12-15 | 有限会社ドライケミカルズ | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| CN1265924C (zh) * | 2000-10-05 | 2006-07-26 | 本田技研工业株式会社 | 金属薄板罐体的切断装置 |
| JP3910933B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2007-04-25 | 本田技研工業株式会社 | 金属製薄板の切断装置 |
| DE102006060195A1 (de) * | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Jacobs University Bremen Ggmbh | Kantenverrundung von Wafern |
| DE102013113030A1 (de) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zur Kantenverrundung von Halbleiter-Wafern |
| CN110281101B (zh) * | 2019-07-23 | 2021-10-29 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种边缘研磨装置及方法 |
| WO2023119703A1 (ja) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | 有限会社サクセス | 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 |
| CN114800212A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-29 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种hit用电池硅片及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
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