JP2001138221A - 半導体ウエハラッピング用キャリア - Google Patents
半導体ウエハラッピング用キャリアInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ収容孔２内で半導体ウエハが円滑な自
転運動を行うことができ、また、半導体ウエハＷの外周
面のベベル端面が、ラッピングの砥粒に損傷されないよ
うにした半導体ウエハラッピング用キャリアを提供す
る。 【解決手段】 キャリアＣ1 のウエハ収容孔１５の内周
面を、円周に沿って配列された複数個の凸面１５ａを接
続して形成される凹凸曲線とした。ウエハ収容孔１５に
進入したラッピングの砥粒は、凸面１５ａと凸面１５ａ
との間に形成される凹部１５ｂに収容されるので、半導
体ウエハＷの外周面の磨耗が防止される。また、半導体
ウエハＷの外周面は凸面１５ａの先端部に点接触し、キ
ャリアＣ 1 の移動方向の力を受けて回転し易くなり、ラ
ッピング仕上げ面の平面度が向上する。
転運動を行うことができ、また、半導体ウエハＷの外周
面のベベル端面が、ラッピングの砥粒に損傷されないよ
うにした半導体ウエハラッピング用キャリアを提供す
る。 【解決手段】 キャリアＣ1 のウエハ収容孔１５の内周
面を、円周に沿って配列された複数個の凸面１５ａを接
続して形成される凹凸曲線とした。ウエハ収容孔１５に
進入したラッピングの砥粒は、凸面１５ａと凸面１５ａ
との間に形成される凹部１５ｂに収容されるので、半導
体ウエハＷの外周面の磨耗が防止される。また、半導体
ウエハＷの外周面は凸面１５ａの先端部に点接触し、キ
ャリアＣ 1 の移動方向の力を受けて回転し易くなり、ラ
ッピング仕上げ面の平面度が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの両
面を砥粒でラッピングするときに使用される半導体ウエ
ハラッピング用キャリアに関するものである。
面を砥粒でラッピングするときに使用される半導体ウエ
ハラッピング用キャリアに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハを製造するには、多結晶シ
リコンから単結晶の半導体インゴットを作り、このイン
ゴットをマルチワイヤソー等の切断手段により所定厚さ
にスライスして板状の半導体ウエハを製造する。このよ
うにして、スライスされた半導体ウエハの表面には、凹
凸のソーマークが存在している。これを除去して半導体
ウエハの表面を平滑面とし、両面の平面度および平行度
の精度を高め、厚さ寸法を均一化するために、アルミナ
砥粒などを用いたラッピング液を用いた表面のラップ加
工が行われる。
リコンから単結晶の半導体インゴットを作り、このイン
ゴットをマルチワイヤソー等の切断手段により所定厚さ
にスライスして板状の半導体ウエハを製造する。このよ
うにして、スライスされた半導体ウエハの表面には、凹
凸のソーマークが存在している。これを除去して半導体
ウエハの表面を平滑面とし、両面の平面度および平行度
の精度を高め、厚さ寸法を均一化するために、アルミナ
砥粒などを用いたラッピング液を用いた表面のラップ加
工が行われる。
【０００３】図５は、板状の半導体ウエハＷのラップ加
工に使用される従来のキャリアＣの平面図であり、表面
に凹凸のないステンレス製の円形状板の外周面に歯車１
を設け、内部に複数（図５では３個）のウエハ収容孔２
を設けたものである。前記各ウエハ収容孔２は、半導体
ウエハＷの挿入、取り出しができるように、半導体ウエ
ハＷの直径よりも僅かに大きく形成されている。また、
半導体ウエハＷをキャリアＣのウエハ収容孔２に収容し
て、その両面を研磨するために、キャリアＣの厚さは半
導体ウエハＷの厚さよりも僅かに薄く形成されている。
工に使用される従来のキャリアＣの平面図であり、表面
に凹凸のないステンレス製の円形状板の外周面に歯車１
を設け、内部に複数（図５では３個）のウエハ収容孔２
を設けたものである。前記各ウエハ収容孔２は、半導体
ウエハＷの挿入、取り出しができるように、半導体ウエ
ハＷの直径よりも僅かに大きく形成されている。また、
半導体ウエハＷをキャリアＣのウエハ収容孔２に収容し
て、その両面を研磨するために、キャリアＣの厚さは半
導体ウエハＷの厚さよりも僅かに薄く形成されている。
【０００４】前記各ウエハ収容孔２に半導体ウエハＷを
収容したキャリアＣは、図４に示す両面研磨装置Ａに取
り付けられる。この両面研磨装置Ａのテーブル３には、
表面に溝４が設けられた円形の下定盤５と、下定盤５の
周囲に立設された環状の外側構体６が設けられ、外側構
体６の内周面にインターナルギア７が設けられている。
前記下定盤５には、インターナルギア７の中心となる位
置に駆動軸８が回転可能に支承され、駆動軸８の上端部
には太陽ギア９が設けられている。また、テーブル３の
上方に、上下動および回転可能なアーム駆動軸１０が設
けられ、アーム駆動軸１０に設けられたアーム１１の先
端に上定盤１２が取り付けられ、上定盤１２の下面にも
溝が設けられている。
収容したキャリアＣは、図４に示す両面研磨装置Ａに取
り付けられる。この両面研磨装置Ａのテーブル３には、
表面に溝４が設けられた円形の下定盤５と、下定盤５の
周囲に立設された環状の外側構体６が設けられ、外側構
体６の内周面にインターナルギア７が設けられている。
前記下定盤５には、インターナルギア７の中心となる位
置に駆動軸８が回転可能に支承され、駆動軸８の上端部
には太陽ギア９が設けられている。また、テーブル３の
上方に、上下動および回転可能なアーム駆動軸１０が設
けられ、アーム駆動軸１０に設けられたアーム１１の先
端に上定盤１２が取り付けられ、上定盤１２の下面にも
溝が設けられている。
【０００５】また前記したように、複数（図４、図６で
は３個）のキャリアＣの歯車１が、太陽ギア９およびイ
ンターナルギア７に噛み合っているので、太陽ギア９お
よびインターナルギア７が回転すると、各キャリアＣは
自転しながら太陽ギア９の周囲を公転する遊星運動を行
う。したがって、防錆剤および分散剤混合溶液中に研摩
砥粒を分散させたラッピング液を、キャリアＣの各ウエ
ハ収容孔２に収容されている半導体ウエハＷと上定盤１
２、下定盤１３との間に流し、上定盤１２、下定盤１３
で半導体ウエハＷを挟圧した状態で太陽ギア９およびイ
ンターナルギア７ならびに上下定盤を適宜の回転方向、
速度で回転させると、遊星運動を行う各キャリアＣに収
容された半導体ウエハＷの両面が、ラッピング液ととも
に上定盤１２、下定盤５に摺り合わされてラッピング加
工される。その結果、半導体ウエハの加工ダメージ層や
汚れが除去されると共に、その表面は高精度の平行面に
仕上げられる。
は３個）のキャリアＣの歯車１が、太陽ギア９およびイ
ンターナルギア７に噛み合っているので、太陽ギア９お
よびインターナルギア７が回転すると、各キャリアＣは
自転しながら太陽ギア９の周囲を公転する遊星運動を行
う。したがって、防錆剤および分散剤混合溶液中に研摩
砥粒を分散させたラッピング液を、キャリアＣの各ウエ
ハ収容孔２に収容されている半導体ウエハＷと上定盤１
２、下定盤１３との間に流し、上定盤１２、下定盤１３
で半導体ウエハＷを挟圧した状態で太陽ギア９およびイ
ンターナルギア７ならびに上下定盤を適宜の回転方向、
速度で回転させると、遊星運動を行う各キャリアＣに収
容された半導体ウエハＷの両面が、ラッピング液ととも
に上定盤１２、下定盤５に摺り合わされてラッピング加
工される。その結果、半導体ウエハの加工ダメージ層や
汚れが除去されると共に、その表面は高精度の平行面に
仕上げられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のキャ
リアにあっては、図７に示すように、キャリアＣの内周
面と半導体ウエハＷの外周面との間には、半導体ウエハ
Ｗが回転可能な隙間ｄが形成されているため、半導体ウ
エハＷはウエハ収容孔２に対して自転運動を行う。この
自転運動によって、半導体ウエハはより均一に、かつ高
精度の平行面に仕上げられる。しかしながら、従来のキ
ャリアでは円形のウエハ収容孔２内に、半導体ウエハＷ
が収容されているため、半導体ウエハＷは円滑な自転運
動を行うことができず、均一な、かつ高精度の平行面を
得ることができなかったという技術的課題があった。特
に、従来のキャリアではウエハとキャリアの接点は絶え
ず一点であるため、ウエハを強制的に自転させる作用は
キャリアから受けにくいという課題があった。
リアにあっては、図７に示すように、キャリアＣの内周
面と半導体ウエハＷの外周面との間には、半導体ウエハ
Ｗが回転可能な隙間ｄが形成されているため、半導体ウ
エハＷはウエハ収容孔２に対して自転運動を行う。この
自転運動によって、半導体ウエハはより均一に、かつ高
精度の平行面に仕上げられる。しかしながら、従来のキ
ャリアでは円形のウエハ収容孔２内に、半導体ウエハＷ
が収容されているため、半導体ウエハＷは円滑な自転運
動を行うことができず、均一な、かつ高精度の平行面を
得ることができなかったという技術的課題があった。特
に、従来のキャリアではウエハとキャリアの接点は絶え
ず一点であるため、ウエハを強制的に自転させる作用は
キャリアから受けにくいという課題があった。
【０００７】また、半導体ウエハＷの外周面にはベベル
面が形成されているが、図８に示すように、ウエハ収容
孔２と半導体ウエハＷとの隙間ｄにラッピングの砥粒Ｇ
が進入し、ウエハ収容孔２に対して運動する半導体ウエ
ハＷの外周面（ベベル端面）が砥粒Ｇによって損耗し、
前記ベベル端面にピットが生じる等のダメージを受ける
という技術的課題があった。
面が形成されているが、図８に示すように、ウエハ収容
孔２と半導体ウエハＷとの隙間ｄにラッピングの砥粒Ｇ
が進入し、ウエハ収容孔２に対して運動する半導体ウエ
ハＷの外周面（ベベル端面）が砥粒Ｇによって損耗し、
前記ベベル端面にピットが生じる等のダメージを受ける
という技術的課題があった。
【０００８】本発明はかかる課題を解決するためになさ
れたものであり、ウエハ収容孔２内で半導体ウエハが円
滑な自転運動を行うことができ、また、半導体ウエハＷ
の外周面のベベル端面が、ラッピングの砥粒に損傷され
ないようにした半導体ウエハラッピング用キャリアを提
供することを目的とする。
れたものであり、ウエハ収容孔２内で半導体ウエハが円
滑な自転運動を行うことができ、また、半導体ウエハＷ
の外周面のベベル端面が、ラッピングの砥粒に損傷され
ないようにした半導体ウエハラッピング用キャリアを提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体ウエハラッピング用キャリアは、ウ
エハ収容孔に収容される半導体ウエハを上下定盤間に挟
圧し、砥粒により半導体ウエハの両面をラッピングする
半導体ウエハラッピング用キャリアにおいて、前記ウエ
ハ収容孔の内周面に、ウエハ収容孔内側に突出した複数
個の凸面が形成されていることを特徴としている。
に、本発明の半導体ウエハラッピング用キャリアは、ウ
エハ収容孔に収容される半導体ウエハを上下定盤間に挟
圧し、砥粒により半導体ウエハの両面をラッピングする
半導体ウエハラッピング用キャリアにおいて、前記ウエ
ハ収容孔の内周面に、ウエハ収容孔内側に突出した複数
個の凸面が形成されていることを特徴としている。
【００１０】このように構成されているため、半導体ウ
エハはウエハ収容孔内側に突出した凸面と接触する。こ
のとき、半導体ウエハの外周面と前記ウエハ収容孔（凸
面）との隙間に進入した砥粒は、凸面以外の部分に逃げ
る。その結果、前記砥粒は半導体ウエハとウエハ収容孔
とによって挟圧されないため、半導体ウエハがウエハ収
容孔内周面に接触しながら自転しても、半導体ウエハの
外周面（ベベル端面）は砥粒によるダメージを受けるこ
となく、また前記ベベル端面にピットが生じることもな
い。
エハはウエハ収容孔内側に突出した凸面と接触する。こ
のとき、半導体ウエハの外周面と前記ウエハ収容孔（凸
面）との隙間に進入した砥粒は、凸面以外の部分に逃げ
る。その結果、前記砥粒は半導体ウエハとウエハ収容孔
とによって挟圧されないため、半導体ウエハがウエハ収
容孔内周面に接触しながら自転しても、半導体ウエハの
外周面（ベベル端面）は砥粒によるダメージを受けるこ
となく、また前記ベベル端面にピットが生じることもな
い。
【００１１】ここで、前記凸面の間に形成される凹部
に、前記半導体ウエハの外周面と前記ウエハ収容孔との
間に介在する砥粒が収容されることが望ましい。このよ
うに構成することによって、半導体ウエハの外周面と前
記ウエハ収容孔（凸面）との隙間に進入した砥粒を、滞
留させることなく、速やかに前記凹部に逃がすことがで
きる。
に、前記半導体ウエハの外周面と前記ウエハ収容孔との
間に介在する砥粒が収容されることが望ましい。このよ
うに構成することによって、半導体ウエハの外周面と前
記ウエハ収容孔（凸面）との隙間に進入した砥粒を、滞
留させることなく、速やかに前記凹部に逃がすことがで
きる。
【００１２】また、前記ウエハ収容孔は、前記半導体ウ
エハを回転可能に収容する大きさであり、前記凸面はウ
エハ収容孔の内周面に略同一ピッチに配列され、前記凸
面の先端部に前記半導体ウエハの外周面が点接触するこ
とが望ましい。このような構成により、半導体ウエハの
外周面が凸面と点接触したとき、半導体ウエハは、凸面
からキャリア移動方向の力を受けて回転（自転）し、ま
た更に次に接触する凸面からも同様の力を受ける。その
結果、半導体ウエハはキャリアから略回転力を持続して
受けることになり、回転の急激な変動や衝撃を生じるこ
となく円滑に回転（自転）する。特に、前記半導体ウエ
ハの外周面に、複数の前記凸面の先端部が点接触してい
る場合には、回転の急激な変動や衝撃を生じることなく
円滑に回転（自転）する。
エハを回転可能に収容する大きさであり、前記凸面はウ
エハ収容孔の内周面に略同一ピッチに配列され、前記凸
面の先端部に前記半導体ウエハの外周面が点接触するこ
とが望ましい。このような構成により、半導体ウエハの
外周面が凸面と点接触したとき、半導体ウエハは、凸面
からキャリア移動方向の力を受けて回転（自転）し、ま
た更に次に接触する凸面からも同様の力を受ける。その
結果、半導体ウエハはキャリアから略回転力を持続して
受けることになり、回転の急激な変動や衝撃を生じるこ
となく円滑に回転（自転）する。特に、前記半導体ウエ
ハの外周面に、複数の前記凸面の先端部が点接触してい
る場合には、回転の急激な変動や衝撃を生じることなく
円滑に回転（自転）する。
【００１３】更に、前記キャリアは金属製、あるいは合
成樹脂であることが望ましい。特に、前記キャリアが金
属製であっても、半導体ウエハはウエハ収容孔内を円滑
に回転し、キャリアとの衝突による衝撃を受けないの
で、半導体ウエハは損傷を受けない。
成樹脂であることが望ましい。特に、前記キャリアが金
属製であっても、半導体ウエハはウエハ収容孔内を円滑
に回転し、キャリアとの衝突による衝撃を受けないの
で、半導体ウエハは損傷を受けない。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の具体例を図
面を参照して説明する。図１は本発明にかかる半導体ウ
エハラッピング用キャリアＣ1 の平面図、図２は半導体
ウエハを収容したウエハ収容孔の部分拡大図、図３は凸
面の数を最小にしたウエハ収容孔の部分拡大図である。
半導体ウエハラッピング用キャリアＣ1 は金属製の板材
より加工され、図１に示すように、外周面には歯車１が
設けられ、キャリアＣ1 の中心に対して同心の円周上に
複数（図１では４個）のウエハ収容孔１５が設けられて
いる。
面を参照して説明する。図１は本発明にかかる半導体ウ
エハラッピング用キャリアＣ1 の平面図、図２は半導体
ウエハを収容したウエハ収容孔の部分拡大図、図３は凸
面の数を最小にしたウエハ収容孔の部分拡大図である。
半導体ウエハラッピング用キャリアＣ1 は金属製の板材
より加工され、図１に示すように、外周面には歯車１が
設けられ、キャリアＣ1 の中心に対して同心の円周上に
複数（図１では４個）のウエハ収容孔１５が設けられて
いる。
【００１５】前記ウエハ収容孔１５の大きさは半導体ウ
エハＷを回転可能に収容する大きさであり、ウエハ収容
孔１５の内周面は、その周上にほぼ同一ピッチに配列さ
れる複数個の凸面１５ａを接続した形状に形成されてい
る。前記凸面１５ａの輪郭は、ほぼ同じ大きさの円弧
（あるいは２次曲線等）を接続したものであり、凸面１
５ａの頂部（先端部）が半導体ウエハＷの外周面に点接
触するように形成されている。特に、前記半導体ウエハ
Ｗの外周面に、複数の前記凸面１５ａの先端部が点接触
している場合には、回転の急激な変動や衝撃を生じるこ
となく円滑に回転（自転）させることができ、好まし
い。また、凸面１５ａ、１５ａの間には、ラッピング砥
粒を収容するに充分なスペースの凹部１５ｂが形成され
ている（図２参照）。なお、キャリアＣ1 のその他の構
成は従来例のキャリアＣと同様である。
エハＷを回転可能に収容する大きさであり、ウエハ収容
孔１５の内周面は、その周上にほぼ同一ピッチに配列さ
れる複数個の凸面１５ａを接続した形状に形成されてい
る。前記凸面１５ａの輪郭は、ほぼ同じ大きさの円弧
（あるいは２次曲線等）を接続したものであり、凸面１
５ａの頂部（先端部）が半導体ウエハＷの外周面に点接
触するように形成されている。特に、前記半導体ウエハ
Ｗの外周面に、複数の前記凸面１５ａの先端部が点接触
している場合には、回転の急激な変動や衝撃を生じるこ
となく円滑に回転（自転）させることができ、好まし
い。また、凸面１５ａ、１５ａの間には、ラッピング砥
粒を収容するに充分なスペースの凹部１５ｂが形成され
ている（図２参照）。なお、キャリアＣ1 のその他の構
成は従来例のキャリアＣと同様である。
【００１６】以上のように構成されたキャリアＣ1 によ
る半導体ウエハＷのラッピング加工を説明する。複数個
のキャリアＣ1 を両面研磨装置Ａの下定盤５の上面にセ
ットし、歯車１を両面研磨装置Ａのインターナルギア７
および太陽ギア９に噛み合わせ、各ウエハ収容孔１５内
に半導体ウエハＷを挿入する。上定盤１２をこの真上に
位置決めした後に下降して押しつけ、上定盤１２及び下
定盤５で半導体ウエハＷの両面を挟圧する。
る半導体ウエハＷのラッピング加工を説明する。複数個
のキャリアＣ1 を両面研磨装置Ａの下定盤５の上面にセ
ットし、歯車１を両面研磨装置Ａのインターナルギア７
および太陽ギア９に噛み合わせ、各ウエハ収容孔１５内
に半導体ウエハＷを挿入する。上定盤１２をこの真上に
位置決めした後に下降して押しつけ、上定盤１２及び下
定盤５で半導体ウエハＷの両面を挟圧する。
【００１７】上下の定盤間に砥粒Ｇを含有するラッピン
グ液を供給しながらインターナルギア７及び太陽ギア９
を回転すると、各キャリアＣ1 が太陽ギア９の周囲を公
転すると共に自転を行う遊星運動を行う。各キャリアＣ
1 のウエハ収容孔１５に回転可能に挿入されている半導
体ウエハＷは、キャリアＣ1 の移動に伴って１または２
個の凸面１５ａの頂部（先端部）に点接触する。
グ液を供給しながらインターナルギア７及び太陽ギア９
を回転すると、各キャリアＣ1 が太陽ギア９の周囲を公
転すると共に自転を行う遊星運動を行う。各キャリアＣ
1 のウエハ収容孔１５に回転可能に挿入されている半導
体ウエハＷは、キャリアＣ1 の移動に伴って１または２
個の凸面１５ａの頂部（先端部）に点接触する。
【００１８】この接触点からキャリアＣ1 の移動方向の
力を受けて半導体ウエハＷは回転し、更に次に接触する
凸面１５ａからも同様の移動方向の力を受ける。その結
果、半導体ウエハＷはキャリアＣ1 からほぼ同じ回転力
を持続して受けることになり、回転の急激な変動や衝撃
を生じることなく円滑に回転する。従って、キャリアＣ
1 を金属製にしても、半導体ウエハＷに割れや欠けなど
の損傷を生じる虞れはなく、半導体ウエハＷが円滑な回
転が持続されることにより、その両面の平面度の精度が
向上する。
力を受けて半導体ウエハＷは回転し、更に次に接触する
凸面１５ａからも同様の移動方向の力を受ける。その結
果、半導体ウエハＷはキャリアＣ1 からほぼ同じ回転力
を持続して受けることになり、回転の急激な変動や衝撃
を生じることなく円滑に回転する。従って、キャリアＣ
1 を金属製にしても、半導体ウエハＷに割れや欠けなど
の損傷を生じる虞れはなく、半導体ウエハＷが円滑な回
転が持続されることにより、その両面の平面度の精度が
向上する。
【００１９】また図２に示すように、半導体ウエハＷの
外周面とウエハ収容孔１５との隙間に進入した砥粒Ｇ
は、半導体ウエハＷが凸面１５ａに接触するときに、凹
部１５ｂに向けて押し出されるので、砥粒Ｇは、半導体
ウエハＷの外周面とウエハ収容孔１５との間に挟まれる
ことはない。従って、半導体ウエハＷの外周縁のベベル
端面にピットが生ずる等のダメージを受けることない。
外周面とウエハ収容孔１５との隙間に進入した砥粒Ｇ
は、半導体ウエハＷが凸面１５ａに接触するときに、凹
部１５ｂに向けて押し出されるので、砥粒Ｇは、半導体
ウエハＷの外周面とウエハ収容孔１５との間に挟まれる
ことはない。従って、半導体ウエハＷの外周縁のベベル
端面にピットが生ずる等のダメージを受けることない。
【００２０】特に、本発明にあっては、半導体ウエハＷ
を回転の急激な変動や衝撃を与えることなく円滑な回転
を持続させるためには、半導体ウエハＷに回転力を発生
させる凸面１５ａの配列ピッチが重要である。前記凸面
１５ａの配列ピッチが小さい場合には、多数の凸面１５
ａが同時に半導体ウエハＷの外周面に接触するので、半
導体ウエハＷに与える回転力が弱くなる。しかし、凹面
１５ａの配列ピッチが大き過ぎると、半導体ウエハＷが
凸面１５ａに衝突して衝撃を受ける問題と、回転が脈動
を伴った不規則な回転となる問題があるので、図３に示
すように凸面１５ａを５個あるいはそれ以上にすること
が望ましい。
を回転の急激な変動や衝撃を与えることなく円滑な回転
を持続させるためには、半導体ウエハＷに回転力を発生
させる凸面１５ａの配列ピッチが重要である。前記凸面
１５ａの配列ピッチが小さい場合には、多数の凸面１５
ａが同時に半導体ウエハＷの外周面に接触するので、半
導体ウエハＷに与える回転力が弱くなる。しかし、凹面
１５ａの配列ピッチが大き過ぎると、半導体ウエハＷが
凸面１５ａに衝突して衝撃を受ける問題と、回転が脈動
を伴った不規則な回転となる問題があるので、図３に示
すように凸面１５ａを５個あるいはそれ以上にすること
が望ましい。
【００２１】なお、上記実施形態ではキャリアＣが金属
製の場合について説明したが、キャリアの材質として
は、例えば硬質の合成樹脂を用いることができる。キャ
リアの材質として、硬質の合成樹脂を用いた場合、半導
体ウエハが凸面に接触するときに、砥粒Ｇは凹部１５ｂ
に向けて押し出され、半導体ウエハの外周面とウエハ収
容孔との間に挟まれることはない。したがって、硬質の
合成樹脂製のキャリアの摩耗等を抑制することができ、
実用上問題なく、使用することができる。
製の場合について説明したが、キャリアの材質として
は、例えば硬質の合成樹脂を用いることができる。キャ
リアの材質として、硬質の合成樹脂を用いた場合、半導
体ウエハが凸面に接触するときに、砥粒Ｇは凹部１５ｂ
に向けて押し出され、半導体ウエハの外周面とウエハ収
容孔との間に挟まれることはない。したがって、硬質の
合成樹脂製のキャリアの摩耗等を抑制することができ、
実用上問題なく、使用することができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明は以上述べたように構成されてい
るので、キャリアのウエハ収容孔に挿入された半導体ウ
エハは、ラッピング加工中に衝撃を受けることなく円滑
な回転を持続することができるので、衝撃による損傷を
受けることなく、高精度の平面を得ることができる。ま
た、ラッピング中にウエハ収容孔に進入した砥粒は、ウ
エハ収容孔の凹部に収容されるので、半導体ウエハの外
周面（ベベル端面）は磨耗による損傷を受けず、良好な
ラッピング加工を行うことができる。
るので、キャリアのウエハ収容孔に挿入された半導体ウ
エハは、ラッピング加工中に衝撃を受けることなく円滑
な回転を持続することができるので、衝撃による損傷を
受けることなく、高精度の平面を得ることができる。ま
た、ラッピング中にウエハ収容孔に進入した砥粒は、ウ
エハ収容孔の凹部に収容されるので、半導体ウエハの外
周面（ベベル端面）は磨耗による損傷を受けず、良好な
ラッピング加工を行うことができる。
【図１】本発明にかかる実施形態を示す平面図である。
【図２】本発明にかかる実施形態において、半導体ウエ
ハを収容したウエハ収容孔の部分拡大図である。
ハを収容したウエハ収容孔の部分拡大図である。
【図３】本発明にかかる実施形態において、凸面の数を
最小にしたウエハ収容孔の部分拡大図である。
最小にしたウエハ収容孔の部分拡大図である。
【図４】両面研磨盤の斜視図である。
【図５】半導体ウエハラッピング用キャリアの従来例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図６】ウエハラッピング用キャリアの遊星運動を説明
するための概略図である。
するための概略図である。
【図７】キャリアと半導体ウエハとの間の隙間を説明す
るための平面図である。
るための平面図である。
【図８】キャリアと半導体ウエハとの間の隙間に進入し
た砥粒を説明するための部分拡大図である。
た砥粒を説明するための部分拡大図である。
Ｗ 半導体ウエハ Ｃ1 キャリア Ａ 両面研磨装置 Ｇ ラッピング砥粒 ｄ 隙間 １ 歯車 ７ インターナルギア ９ 太陽ギア １５ ウエハ収容孔 １５ａ 凸面 １５ｂ 凹部
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハ収容孔に収容される半導体ウエハ
を上下定盤間に挟圧し、砥粒により半導体ウエハの両面
をラッピングする半導体ウエハラッピング用キャリアに
おいて、 前記ウエハ収容孔の内周面に、ウエハ収容孔内側に突出
した複数個の凸面が形成されていることを特徴とする半
導体ウエハラッピング用キャリア。 - 【請求項２】 前記凸面の間に形成される凹部に、前記
半導体ウエハの外周面と前記ウエハ収容孔との間に介在
する砥粒が収容されることを特徴とする請求項１に記載
された半導体ウエハラッピング用キャリア。 - 【請求項３】 前記ウエハ収容孔は、前記半導体ウエハ
を回転可能に収容する大きさであり、前記凸面はウエハ
収容孔の内周面に略同一ピッチに配列され、前記凸面の
先端部に前記半導体ウエハの外周面が点接触することを
特徴とする請求項１または請求項２に記載された半導体
ウエハラッピング用キャリア。 - 【請求項４】 前記半導体ウエハの外周面に、複数の前
記凸面の先端部が点接触することを特徴とする請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載された半導体ウエハラッ
ピング用キャリア。 - 【請求項５】 前記キャリアは金属製、あるいは硬質の
合成樹脂であることを特徴とする請求項１乃至請求項３
のいずれかに記載された半導体ウエハラッピング用キャ
リア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32205299A JP2001138221A (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 半導体ウエハラッピング用キャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32205299A JP2001138221A (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 半導体ウエハラッピング用キャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001138221A true JP2001138221A (ja) | 2001-05-22 |
Family
ID=18139380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32205299A Pending JP2001138221A (ja) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | 半導体ウエハラッピング用キャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001138221A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP7444050B2 (ja) | 2020-12-24 | 2024-03-06 | 株式会社Sumco | 両面研磨用キャリア及びウェーハの研磨方法 |
-
1999
- 1999-11-12 JP JP32205299A patent/JP2001138221A/ja active Pending
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