JPH11254309A - ウェーハ加工装置および加工方法 - Google Patents
ウェーハ加工装置および加工方法Info
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- JPH11254309A JPH11254309A JP5340898A JP5340898A JPH11254309A JP H11254309 A JPH11254309 A JP H11254309A JP 5340898 A JP5340898 A JP 5340898A JP 5340898 A JP5340898 A JP 5340898A JP H11254309 A JPH11254309 A JP H11254309A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はウェーハの外周縁部（エッジ部）およ
びウェーハの両面を連続的に加工するための枚葉式ポリ
ッシング装置に関するものである。更に詳しくは、１２
インチあるいはそれ以上の大口径のウェーハを枚葉式で
連続的にエッジ部とその両面をポリッシング加工する装
置およびその加工方法に係るものである。 【構成】本発明は、表面にポリッシング用パッドあるい
は研磨用砥石を貼付した定盤を、ウエ−ハ両面に配置し
てウェーハを挟持すると共に、前記定盤及び前記ウェー
ハの少なくとも何れか一方を回転させながらウェ−ハ表
面を加工するウェーハ加工装置において、前記定盤の径
は前記ウェーハの半径よりも大きく且つその直径よりも
小さく、かつ前記ウェーハはその外周縁部に当接する少
なくとも３個のガイドローラーに把持され、更に好まし
くは該ガイドローラーのうち少なくとも一つがポリッシ
ング用のローラーであることを特徴とするウェーハ加工
装置であり、更に該ウェーハ加工装置によるウェーハの
エッジポリッシングおよび表面のポリッシング加工方法
を提供する。
びウェーハの両面を連続的に加工するための枚葉式ポリ
ッシング装置に関するものである。更に詳しくは、１２
インチあるいはそれ以上の大口径のウェーハを枚葉式で
連続的にエッジ部とその両面をポリッシング加工する装
置およびその加工方法に係るものである。 【構成】本発明は、表面にポリッシング用パッドあるい
は研磨用砥石を貼付した定盤を、ウエ−ハ両面に配置し
てウェーハを挟持すると共に、前記定盤及び前記ウェー
ハの少なくとも何れか一方を回転させながらウェ−ハ表
面を加工するウェーハ加工装置において、前記定盤の径
は前記ウェーハの半径よりも大きく且つその直径よりも
小さく、かつ前記ウェーハはその外周縁部に当接する少
なくとも３個のガイドローラーに把持され、更に好まし
くは該ガイドローラーのうち少なくとも一つがポリッシ
ング用のローラーであることを特徴とするウェーハ加工
装置であり、更に該ウェーハ加工装置によるウェーハの
エッジポリッシングおよび表面のポリッシング加工方法
を提供する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明はウェーハの枚葉式ポ
リッシング装置に関するものであり、具体的にはウェー
ハの両面およびウェーハの外周縁部（エッジ部）を連続
的に加工するための枚葉式ポリッシング装置に関するも
のである。更に詳しくは、１２インチあるいはそれ以上
の大口径のウェーハを枚葉式で連続的にエッジ部とその
両面をポリッシング加工する装置およびその加工方法に
関する。
リッシング装置に関するものであり、具体的にはウェー
ハの両面およびウェーハの外周縁部（エッジ部）を連続
的に加工するための枚葉式ポリッシング装置に関するも
のである。更に詳しくは、１２インチあるいはそれ以上
の大口径のウェーハを枚葉式で連続的にエッジ部とその
両面をポリッシング加工する装置およびその加工方法に
関する。
【０００２】
【従来技術】シリコン単結晶等半導体素材を原材料とし
たＩＣ、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩ等の電子部品は、シリ
コンあるいはその他の化合物半導体の単結晶のインゴッ
ドを薄い円板状にスライスしたウェーハに多数の微細な
電気回路を書き込み分割した小片状の半導体素子チップ
を基に製造されるものであるが、近年、その生産性と効
率の向上といった必要性から、その原材料であるシリコ
ンウェーハ、あるいは化合物系のウェーハ（以下ウェー
ハと総称する）のサイズの大型化の傾向が著しく、特
に、シリコンウェーハの場合はその原料となるシリコン
単結晶インゴットの製造技術が向上し、直径１２イン
チ、１６インチといった大口径のものの生産も工業的に
行われるようになって来ている。
たＩＣ、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩ等の電子部品は、シリ
コンあるいはその他の化合物半導体の単結晶のインゴッ
ドを薄い円板状にスライスしたウェーハに多数の微細な
電気回路を書き込み分割した小片状の半導体素子チップ
を基に製造されるものであるが、近年、その生産性と効
率の向上といった必要性から、その原材料であるシリコ
ンウェーハ、あるいは化合物系のウェーハ（以下ウェー
ハと総称する）のサイズの大型化の傾向が著しく、特
に、シリコンウェーハの場合はその原料となるシリコン
単結晶インゴットの製造技術が向上し、直径１２イン
チ、１６インチといった大口径のものの生産も工業的に
行われるようになって来ている。
【０００３】インゴッドからスライスされたウェーハ
は、ラッピング、エッチング更にはポリッシングという
工程を経て、少なくともその片面が鏡面仕上げされた鏡
面ウェーハに加工されてゆく。従来、これらのウェーハ
面の加工は、スライシング後のウェーハの表面の凹凸や
平坦度の是正等形状精度の向上と基準面作りを目的とし
たラッピング工程においても、面粗さの向上を目的とし
たポリッシング工程においても、生産性と効率の向上の
ために、複数のウェーハを同時に加工する方法が行われ
ている。即ち、上下両面に、大型鋳鉄定盤あるいはポリ
ッシングパッドを貼付した定盤を具備した加工機が一般
的に使用されており、ウェーハの把持はキャリアを介し
て行われる。加工に際しては、複数枚のウェーハをセッ
トした状態で上下両定盤を圧接し微細砥粒を含んだ加工
液を供給しながら定盤およびウェーハを回転させて加工
を行うものである。また、最終の鏡面加工においては片
面のみの加工が行われることが多い。
は、ラッピング、エッチング更にはポリッシングという
工程を経て、少なくともその片面が鏡面仕上げされた鏡
面ウェーハに加工されてゆく。従来、これらのウェーハ
面の加工は、スライシング後のウェーハの表面の凹凸や
平坦度の是正等形状精度の向上と基準面作りを目的とし
たラッピング工程においても、面粗さの向上を目的とし
たポリッシング工程においても、生産性と効率の向上の
ために、複数のウェーハを同時に加工する方法が行われ
ている。即ち、上下両面に、大型鋳鉄定盤あるいはポリ
ッシングパッドを貼付した定盤を具備した加工機が一般
的に使用されており、ウェーハの把持はキャリアを介し
て行われる。加工に際しては、複数枚のウェーハをセッ
トした状態で上下両定盤を圧接し微細砥粒を含んだ加工
液を供給しながら定盤およびウェーハを回転させて加工
を行うものである。また、最終の鏡面加工においては片
面のみの加工が行われることが多い。
【０００４】しかしながら、前述の如くウェーハそのも
のの口径が大型化してゆくと、それを複数枚同時加工す
るための加工機も大型化してゆく必要があり、それに伴
い加工機自体に要求される寸法精度の安定性も極めてシ
ビアなものとなるのみならずウェーハの着脱等に伴うハ
ンドリングの煩雑さも問題とされることが多く、複数枚
同時加工の特徴である生産性の良さを出すことは出来な
くなって来ていた。
のの口径が大型化してゆくと、それを複数枚同時加工す
るための加工機も大型化してゆく必要があり、それに伴
い加工機自体に要求される寸法精度の安定性も極めてシ
ビアなものとなるのみならずウェーハの着脱等に伴うハ
ンドリングの煩雑さも問題とされることが多く、複数枚
同時加工の特徴である生産性の良さを出すことは出来な
くなって来ていた。
【０００５】このような大口径ウェーハ加工に特有な問
題点を解決するために、ウェーハを複数枚同時にではな
く、一枚ずつ加工してゆくといういわゆる枚葉式加工方
式が注目され始めて来ている。この方式は相対する両面
に、例えばダイヤモンド砥石等を配置して高速回転せし
め、加工液を供給しつつ、その間にウェーハ等工作物を
スルーフィードさせて加工するといういわゆるグライン
ディングにより加工が進むものであり、ポリッシングに
より優れた鏡面を得るという目的には完全には合致しう
るものではなかった。
題点を解決するために、ウェーハを複数枚同時にではな
く、一枚ずつ加工してゆくといういわゆる枚葉式加工方
式が注目され始めて来ている。この方式は相対する両面
に、例えばダイヤモンド砥石等を配置して高速回転せし
め、加工液を供給しつつ、その間にウェーハ等工作物を
スルーフィードさせて加工するといういわゆるグライン
ディングにより加工が進むものであり、ポリッシングに
より優れた鏡面を得るという目的には完全には合致しう
るものではなかった。
【０００６】ウェーハは、その後のデバイス工程にてそ
の鏡面に微細な電気回路が書き込まれて行くが、複雑か
つ緻密な電気回路が書き込まれ、半導体素子チップに分
割されるまではウェーハは最初の円板状の形状を保った
まま加工されるのであり、各加工工程の間には洗浄、乾
燥、搬送などの操作が入る。その間、ウェーハの外周側
面エッジの形状が切り立ったままでかつ未加工の粗な状
態の面であると、そこが各工程中に装置や他物体と接触
し微小破壊が起こり微細粒子が発生したり、その粗な状
態の面の中に汚染粒子を巻き込み、その後の工程でそれ
が散逸して精密加工を施した面を汚染し製品の歩留まり
や品質に大きな影響を与えたりすることが多い。これを
防止するために、ウェーハ加工の初期の段階でこのエッ
ジ部分の面取り（べべリング）を行ない更にその部分を
鏡面仕上げ（エッジポリッシング）することが一般に行
なわれている。
の鏡面に微細な電気回路が書き込まれて行くが、複雑か
つ緻密な電気回路が書き込まれ、半導体素子チップに分
割されるまではウェーハは最初の円板状の形状を保った
まま加工されるのであり、各加工工程の間には洗浄、乾
燥、搬送などの操作が入る。その間、ウェーハの外周側
面エッジの形状が切り立ったままでかつ未加工の粗な状
態の面であると、そこが各工程中に装置や他物体と接触
し微小破壊が起こり微細粒子が発生したり、その粗な状
態の面の中に汚染粒子を巻き込み、その後の工程でそれ
が散逸して精密加工を施した面を汚染し製品の歩留まり
や品質に大きな影響を与えたりすることが多い。これを
防止するために、ウェーハ加工の初期の段階でこのエッ
ジ部分の面取り（べべリング）を行ない更にその部分を
鏡面仕上げ（エッジポリッシング）することが一般に行
なわれている。
【０００７】しかし、このエッジポリッシングを早い段
階で行うと、その後のウェーハ面の加工の段階の影響で
傷が入ったり、汚染を受けたりしてそれがまた、その後
の工程で逆汚染を引き起こし、製品の歩留まりや品質に
大きな影響を与えることが多い。換言すれば、面のポリ
ッシングとエッジポリッシングを別工程として非連続的
に加工を行うことに問題を擁しているのである。
階で行うと、その後のウェーハ面の加工の段階の影響で
傷が入ったり、汚染を受けたりしてそれがまた、その後
の工程で逆汚染を引き起こし、製品の歩留まりや品質に
大きな影響を与えることが多い。換言すれば、面のポリ
ッシングとエッジポリッシングを別工程として非連続的
に加工を行うことに問題を擁しているのである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は上述の大
口径のウェーハの加工に伴う問題点、およびエッジポリ
ッシングとの相関においての問題点に鑑み鋭意研究を行
ない、本発明になるウェーハ加工装置及び加工方法を開
発するに至ったものであり、その目的とする所は枚葉式
でウェーハの外周縁部（エッジ部）およびウェーハの両
面を連続的に加工するポリッシング装置を提供すること
にある。更に本発明の他の目的は該ポリッシング装置を
利用した加工方法を提供することにある。
口径のウェーハの加工に伴う問題点、およびエッジポリ
ッシングとの相関においての問題点に鑑み鋭意研究を行
ない、本発明になるウェーハ加工装置及び加工方法を開
発するに至ったものであり、その目的とする所は枚葉式
でウェーハの外周縁部（エッジ部）およびウェーハの両
面を連続的に加工するポリッシング装置を提供すること
にある。更に本発明の他の目的は該ポリッシング装置を
利用した加工方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的は、表面にポ
リッシング用パッドあるいは研磨用砥石を貼付した定盤
を、ウエ−ハ両面に配置してウェーハを挟持すると共
に、前記定盤及び前記ウェーハの少なくとも何れか一方
を回転させながらウェ−ハ表面を加工するウェーハ加工
装置において、前記定盤の径は前記ウェーハの半径より
も大きく且つその直径よりも小さく、かつ前記ウェーハ
はその外周縁部に当接する少なくとも３個のガイドロー
ラーに把持されることを特徴とするウェーハ加工装置に
より達成できる。前記ガイドローラーのうち少なくとも
一つがポリッシング用のローラーであることが好まし
い。更に本発明の他の目的は、両面をラッピング加工
し、更に外周縁部のべべリング加工を施した後エッチン
グを行なったウェーハを前述の加工装置にセットし、相
対する定盤をウェーハに圧接し回転を行ないつつ、ポリ
ッシングローラーの溝部分の周速度がウェーハの外周の
周速度より速くなるような回転数で駆動させてウェーハ
のエッジポリッシングを行なった後、該ポリッシングの
駆動を止めフリー回転とし、然る後、前記定盤の回転数
を上げてウェーハ表面のポリッシング加工を行なうこと
を特徴とする加工方法にて達成される。
リッシング用パッドあるいは研磨用砥石を貼付した定盤
を、ウエ−ハ両面に配置してウェーハを挟持すると共
に、前記定盤及び前記ウェーハの少なくとも何れか一方
を回転させながらウェ−ハ表面を加工するウェーハ加工
装置において、前記定盤の径は前記ウェーハの半径より
も大きく且つその直径よりも小さく、かつ前記ウェーハ
はその外周縁部に当接する少なくとも３個のガイドロー
ラーに把持されることを特徴とするウェーハ加工装置に
より達成できる。前記ガイドローラーのうち少なくとも
一つがポリッシング用のローラーであることが好まし
い。更に本発明の他の目的は、両面をラッピング加工
し、更に外周縁部のべべリング加工を施した後エッチン
グを行なったウェーハを前述の加工装置にセットし、相
対する定盤をウェーハに圧接し回転を行ないつつ、ポリ
ッシングローラーの溝部分の周速度がウェーハの外周の
周速度より速くなるような回転数で駆動させてウェーハ
のエッジポリッシングを行なった後、該ポリッシングの
駆動を止めフリー回転とし、然る後、前記定盤の回転数
を上げてウェーハ表面のポリッシング加工を行なうこと
を特徴とする加工方法にて達成される。
【００１０】上述のポリッシング装置において、ポリッ
シング用のローラーは必要に応じて駆動ローラーであり
またフリーローラーにもなり得るものである。また、ポ
リッシング用パッドについては特に限定を受けるもので
はないが例えば合成樹脂発泡体、不織布、不織布の樹脂
加工品、合成皮革あるいはこれ等の複合品の内少なくと
も一つであることが好ましい。更に、研磨用砥石につい
ても特に限定を受けるものではないが、例えばウェーハ
のポリッシング用に特に好適なコロイダルシリカを、比
較的軟質でかつ低結合度の樹脂で固定した合成砥石を用
いることが好ましい。また、本発明のポリッシング装置
の相対する２枚の定盤は上下に配置されたいわゆる水平
タイプものであってもよいし、また左右に配置されたい
わゆる両頭タイプのものであってもよい。
シング用のローラーは必要に応じて駆動ローラーであり
またフリーローラーにもなり得るものである。また、ポ
リッシング用パッドについては特に限定を受けるもので
はないが例えば合成樹脂発泡体、不織布、不織布の樹脂
加工品、合成皮革あるいはこれ等の複合品の内少なくと
も一つであることが好ましい。更に、研磨用砥石につい
ても特に限定を受けるものではないが、例えばウェーハ
のポリッシング用に特に好適なコロイダルシリカを、比
較的軟質でかつ低結合度の樹脂で固定した合成砥石を用
いることが好ましい。また、本発明のポリッシング装置
の相対する２枚の定盤は上下に配置されたいわゆる水平
タイプものであってもよいし、また左右に配置されたい
わゆる両頭タイプのものであってもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明になる装
置の具体例を説明するが、これにより特に限定を受ける
ものではない。図１は本発明になるウェーハ加工装置一
実施例を示す装置の側面図であり、図２はその平面図で
ある。本具体例は相対する両定盤をウェ−ハの上下に配
置した形式のものである。ウェーハ１のエッジ部はガイ
ドローラー５、５’およびポリッシング用ローラー６に
より把持されており、その表面はポリッシングパッド４
を貼付した上定盤２および下定盤３により挾持された構
造である。また、ポリッシング用ローラーのウェーハの
エッジ部に当接する溝状の部分６’にもポリッシングパ
ッドと同等の素材が貼付してある。加工用の砥粒を含有
したスラリー状加工液は上下定盤に穿孔された供給孔
７、８より加工作用面に供給される。上下両定盤２、３
はそれぞれ駆動装置（図示せず）により別個に駆動され
るものとし、またポリッシング用ローラー６も別個の駆
動装置（図示せず）により独立に駆動される構造を有す
る。ガイドローラー５、５’およびポリッシングローラ
ー６は、ウェーハのエッジ部を把持しその水平を維持す
るためのものであるから、適当な圧力でウェーハを抑え
る機能を有するものであり、また必要に応じてその抑え
圧力を加減できるようにしてある。
置の具体例を説明するが、これにより特に限定を受ける
ものではない。図１は本発明になるウェーハ加工装置一
実施例を示す装置の側面図であり、図２はその平面図で
ある。本具体例は相対する両定盤をウェ−ハの上下に配
置した形式のものである。ウェーハ１のエッジ部はガイ
ドローラー５、５’およびポリッシング用ローラー６に
より把持されており、その表面はポリッシングパッド４
を貼付した上定盤２および下定盤３により挾持された構
造である。また、ポリッシング用ローラーのウェーハの
エッジ部に当接する溝状の部分６’にもポリッシングパ
ッドと同等の素材が貼付してある。加工用の砥粒を含有
したスラリー状加工液は上下定盤に穿孔された供給孔
７、８より加工作用面に供給される。上下両定盤２、３
はそれぞれ駆動装置（図示せず）により別個に駆動され
るものとし、またポリッシング用ローラー６も別個の駆
動装置（図示せず）により独立に駆動される構造を有す
る。ガイドローラー５、５’およびポリッシングローラ
ー６は、ウェーハのエッジ部を把持しその水平を維持す
るためのものであるから、適当な圧力でウェーハを抑え
る機能を有するものであり、また必要に応じてその抑え
圧力を加減できるようにしてある。
【００１２】ウェーハ１は上下定盤２、３の回転に従っ
て従動回転し、その従動の程度は前述のガイドローラー
５、５’およびポリッシングローラー６の抑え圧力を加
減することによってコントロールすることができる。ウ
ェーハ１はこのようにして従動し、上下定盤２、３との
相対的位置を変化させてゆく。ここにおいて、上下定盤
２、３の径をウェーハ１の半径よりも大きくしておけば
加工はウェーハ面の全面をカバーすることになり、加工
されていない部分が残ったり、加工斑が出来たりすると
いった好ましからざる現象を回避することが出来る。ま
た、上下定盤２、３の径がウェーハの直径とほぼ同等で
あると定盤とウェーハとの相対的位置関係が変化しない
ため、定盤の中心部と外周部の回転による周速度の差が
そのまま加工斑として残ることがあるので好ましくな
い。更にまた、上下定盤２、３の径がウェーハの直径よ
り大きいと本発明の構造をとることができなくなる。
て従動回転し、その従動の程度は前述のガイドローラー
５、５’およびポリッシングローラー６の抑え圧力を加
減することによってコントロールすることができる。ウ
ェーハ１はこのようにして従動し、上下定盤２、３との
相対的位置を変化させてゆく。ここにおいて、上下定盤
２、３の径をウェーハ１の半径よりも大きくしておけば
加工はウェーハ面の全面をカバーすることになり、加工
されていない部分が残ったり、加工斑が出来たりすると
いった好ましからざる現象を回避することが出来る。ま
た、上下定盤２、３の径がウェーハの直径とほぼ同等で
あると定盤とウェーハとの相対的位置関係が変化しない
ため、定盤の中心部と外周部の回転による周速度の差が
そのまま加工斑として残ることがあるので好ましくな
い。更にまた、上下定盤２、３の径がウェーハの直径よ
り大きいと本発明の構造をとることができなくなる。
【００１３】図１および図２の例における加工液は、上
述の通り上下定盤に穿孔された供給孔７、８より供給さ
れ定盤の回転に伴う遠心力によりウェーハの加工作用面
に均質に拡散されるようになるが、ポリッシングパッド
の形状をその均質な拡散をより円滑にするような形状、
例えば放射状あるいは螺旋状の溝を有するものとするこ
とが好ましい。
述の通り上下定盤に穿孔された供給孔７、８より供給さ
れ定盤の回転に伴う遠心力によりウェーハの加工作用面
に均質に拡散されるようになるが、ポリッシングパッド
の形状をその均質な拡散をより円滑にするような形状、
例えば放射状あるいは螺旋状の溝を有するものとするこ
とが好ましい。
【００１４】図３は本発明の他の例を示す図であって、
装置のポリッシング作用部分全体が液槽９中に浸漬され
ている。液層９の中にはウェーハのポリッシングに必要
な加工液、例えばコロイダルシリカを含んだ加工液が満
たされている。加工は全てこの液層の中で行われるの
で、この場合加工液の供給孔を設ける必要はなく、また
加工液はポリッシング作用面において常時均質に存在し
ている。
装置のポリッシング作用部分全体が液槽９中に浸漬され
ている。液層９の中にはウェーハのポリッシングに必要
な加工液、例えばコロイダルシリカを含んだ加工液が満
たされている。加工は全てこの液層の中で行われるの
で、この場合加工液の供給孔を設ける必要はなく、また
加工液はポリッシング作用面において常時均質に存在し
ている。
【００１５】次に、本発明になるウェーハ加工装置を応
用したウェーハの加工方法について図１および図２を用
いて説明する。上下定盤２、３の表面およびポリッシン
グローラー６の溝部分６’の表面には同等のポリッシン
グパッドが貼付してある。両面をラッピング加工し、更
に外周縁部のべべリング加工を施した後エッチングを行
ったウェーハ１を図２および図３に示す装置にセット
し、相対する上下定盤をウェ−ハのそれぞれの表面に圧
接し回転してウェーハを従動回転せしめる。この状態で
ポリッシングローラー６をその溝部分６’の周速度がウ
ェーハ１の外周の周速度より速くなるようにして強制駆
動回転させながら接触させ加工液を施与しつつエッジ部
分のポリッシングを行なう。エッジポリッシング終了
後、ポリッシングローラー６の駆動をやめフリーローラ
ーとし、次にガイドローラーの抑え圧力を低下し、上下
定盤の回転数を上げて供給孔７、８より加工液を供給し
つつウェーハ両面のポリッシング加工を行なう。ポリッ
シング加工時の好ましい加工圧力は１００〜５００ｇ／
ｃｍ2程度、好ましい定盤回転数は１００〜１０００ｒ
ｐｍ程度である。
用したウェーハの加工方法について図１および図２を用
いて説明する。上下定盤２、３の表面およびポリッシン
グローラー６の溝部分６’の表面には同等のポリッシン
グパッドが貼付してある。両面をラッピング加工し、更
に外周縁部のべべリング加工を施した後エッチングを行
ったウェーハ１を図２および図３に示す装置にセット
し、相対する上下定盤をウェ−ハのそれぞれの表面に圧
接し回転してウェーハを従動回転せしめる。この状態で
ポリッシングローラー６をその溝部分６’の周速度がウ
ェーハ１の外周の周速度より速くなるようにして強制駆
動回転させながら接触させ加工液を施与しつつエッジ部
分のポリッシングを行なう。エッジポリッシング終了
後、ポリッシングローラー６の駆動をやめフリーローラ
ーとし、次にガイドローラーの抑え圧力を低下し、上下
定盤の回転数を上げて供給孔７、８より加工液を供給し
つつウェーハ両面のポリッシング加工を行なう。ポリッ
シング加工時の好ましい加工圧力は１００〜５００ｇ／
ｃｍ2程度、好ましい定盤回転数は１００〜１０００ｒ
ｐｍ程度である。
【００１６】
【実施例】以下、実施例をあげて本発明になるウェーハ
加工装置用いた加工方法を具体的に説明する。 実施例 ポリッシングパッドとして、ロデール・ニッタ社製のシ
ートＳＵＢＡ４００の１．２７ｍｍ厚みのものを用い、
これを上下定盤面とポリッシングローラーの溝表面に貼
付した。加工液としてコロイダルシリカを主成分とした
弱アルカリスラリーを用いて以下の条件で３００ｍｍΦ
サイズのエッチング後のウェーハの加工を行なった。そ
の結果表面およびエッジ面取り部分は全域において良好
な仕上げ状態が得られ、未加工で残った部分や斑、異常
傷等の欠点は見られなかった。
加工装置用いた加工方法を具体的に説明する。 実施例 ポリッシングパッドとして、ロデール・ニッタ社製のシ
ートＳＵＢＡ４００の１．２７ｍｍ厚みのものを用い、
これを上下定盤面とポリッシングローラーの溝表面に貼
付した。加工液としてコロイダルシリカを主成分とした
弱アルカリスラリーを用いて以下の条件で３００ｍｍΦ
サイズのエッチング後のウェーハの加工を行なった。そ
の結果表面およびエッジ面取り部分は全域において良好
な仕上げ状態が得られ、未加工で残った部分や斑、異常
傷等の欠点は見られなかった。
【００１７】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明になる枚葉式装
置によれば、より大型化が進み、かつより精密化が進行
するシリコンウェーハ等半導体素材の加工において、ポ
リッシングとエッジポリッシングの両工程が同一の装置
の中において、連続的に行なうことが可能となり工程省
略が可能となったのみならず、この装置により、大口径
ウェーハの加工におけるハンドリングの煩雑さを解消す
ることができ更に加えて装置の軽量化、コンパクト化も
達成できた。また、この装置を使用すれば、他の工程の
装置との連続化、ライン化も従来のバッチ式の装置に比
較して容易でありその及ぼす効果は極めて大である。
置によれば、より大型化が進み、かつより精密化が進行
するシリコンウェーハ等半導体素材の加工において、ポ
リッシングとエッジポリッシングの両工程が同一の装置
の中において、連続的に行なうことが可能となり工程省
略が可能となったのみならず、この装置により、大口径
ウェーハの加工におけるハンドリングの煩雑さを解消す
ることができ更に加えて装置の軽量化、コンパクト化も
達成できた。また、この装置を使用すれば、他の工程の
装置との連続化、ライン化も従来のバッチ式の装置に比
較して容易でありその及ぼす効果は極めて大である。
【図１】 本発明になるウェーハ加工装置の側面図であ
る。
る。
【図２】 本発明になるウェーハ加工装置の平面図であ
る。
る。
【図３】 本発明になるウェーハ加工装置の他の例を示
す側面図である。
す側面図である。
１ ウェーハ ２ 上定盤 ３ 下定盤 ４ ポリッシングパッド ５、５’ ガイドローラ
ー ６ ポリッシングローラー ６’ ポリッシングロ
ーラー溝 ７ 加工液供給孔（上定盤側） ８ 加工液供給孔
（下定盤側） ９ 液槽
ー ６ ポリッシングローラー ６’ ポリッシングロ
ーラー溝 ７ 加工液供給孔（上定盤側） ８ 加工液供給孔
（下定盤側） ９ 液槽
Claims (6)
- 【請求項１】表面にポリッシング用パッドあるいは研磨
用砥石を貼付した定盤を、ウエ−ハ両面に配置してウェ
ーハを挟持すると共に、前記定盤及び前記ウェーハの少
なくとも何れか一方を回転させながらウェ−ハ表面を加
工するウェーハ加工装置において、前記定盤の径は前記
ウェーハの半径よりも大きく且つその直径よりも小さ
く、かつ前記ウェーハはその外周縁部に当接する少なく
とも３個のガイドローラーに把持されていることを特徴
とするウェーハ加工装置。 - 【請求項２】ガイドローラーのうち少なくとも一つがポ
リッシング用のローラーであることを特徴とする請求項
第１項記載のウェーハ加工装置。 - 【請求項３】ポリッシング用のローラーが駆動ローラー
であることを特徴とする請求項第２項記載のウェーハ加
工装置。 - 【請求項４】ポリッシング用パッドが合成樹脂発泡体、
不織布、不織布の樹脂加工品、合成皮革あるいはこれ等
の複合品のうち少なくとも一つからなるものであること
を特徴とする請求項第１項ないし第３項記載のウェーハ
加工装置。 - 【請求項５】研磨用砥石がコロイダルシリカを砥粒成分
として固形化した合成砥石であることを特徴とする請求
項第１項ないし第５項記載のウェーハ加工装置。 - 【請求項６】両面をラッピング加工し、更に外周縁部の
べべリング加工を施した後エッチングを行なったウェー
ハを請求項第１項ないし第５項記載の加工装置にセット
し、相対する定盤をウェーハ表面に圧接し回転を行ない
つつ、ポリッシングローラーの溝部分の周速度をウェー
ハの外周の周速度より速くなるような回転数で駆動させ
てウェーハのエッジポリッシングを行なった後、該ポリ
ッシングローラーの駆動を止めフリー回転とし、然る
後、前記定盤の回転数を上げてウェーハ表面のポリッシ
ング加工を行なうことを特徴とするウェーハ加工方法。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP5340898A JP3925580B2 (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | ウェーハ加工装置および加工方法 |
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| EP99102780A EP0940219A3 (en) | 1998-03-05 | 1999-02-23 | A wafer processing machine and a processing method thereby |
| SG1999001264A SG71914A1 (en) | 1998-03-05 | 1999-02-26 | A wafer processing machine and a processing method thereby |
| US09/262,039 US6093087A (en) | 1998-03-05 | 1999-03-04 | Wafer processing machine and a processing method thereby |
| KR1019990007400A KR19990077648A (ko) | 1998-03-05 | 1999-03-05 | 웨이퍼가공기및그가공방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11254309A true JPH11254309A (ja) | 1999-09-21 |
| JP3925580B2 JP3925580B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=12942008
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030055847A (ko) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 홀더 |
| JP2016127051A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法 |
| CN112775757A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种半导体机台及研磨方法 |
| CN113714889A (zh) * | 2021-11-03 | 2021-11-30 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3334609B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2002-10-15 | 信越半導体株式会社 | 薄板縁部の加工方法および加工機 |
| US6620257B1 (en) * | 1999-06-30 | 2003-09-16 | Hoya Corporation | Scrub cleaning method for substrate and manufacturing method for information recording medium |
| US6267649B1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-07-31 | Industrial Technology Research Institute | Edge and bevel CMP of copper wafer |
| JP2001157959A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置 |
| US6340326B1 (en) | 2000-01-28 | 2002-01-22 | Lam Research Corporation | System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers |
| US6705930B2 (en) | 2000-01-28 | 2004-03-16 | Lam Research Corporation | System and method for polishing and planarizing semiconductor wafers using reduced surface area polishing pads and variable partial pad-wafer overlapping techniques |
| DE10004578C1 (de) * | 2000-02-03 | 2001-07-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit polierter Kante |
| US6722964B2 (en) * | 2000-04-04 | 2004-04-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and method |
| US6640155B2 (en) | 2000-08-22 | 2003-10-28 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical polishing apparatus and methods with central control of polishing pressure applied by polishing head |
| US7481695B2 (en) | 2000-08-22 | 2009-01-27 | Lam Research Corporation | Polishing apparatus and methods having high processing workload for controlling polishing pressure applied by polishing head |
| US6585572B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-07-01 | Lam Research Corporation | Subaperture chemical mechanical polishing system |
| US6652357B1 (en) | 2000-09-22 | 2003-11-25 | Lam Research Corporation | Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing |
| US6471566B1 (en) | 2000-09-18 | 2002-10-29 | Lam Research Corporation | Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same |
| US6443815B1 (en) | 2000-09-22 | 2002-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for controlling pad conditioning head tilt for chemical mechanical polishing |
| US20020058466A1 (en) * | 2000-11-13 | 2002-05-16 | Curran David M. | Method and system for reducing thickness of spin-on glass on semiconductor wafers |
| JP3453356B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2003-10-06 | 株式会社石井表記 | 半導体ウエハーの研磨装置及びその方法 |
| US6672943B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
| US6748961B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-06-15 | Lam Research Corporation | Angular spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same |
| US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
| US7121919B2 (en) * | 2001-08-30 | 2006-10-17 | Micron Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing system and process |
| JP3976581B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2007-09-19 | Ｎｓｋワーナー株式会社 | ロックアップクラッチ摩擦面の形成方法 |
| KR100506814B1 (ko) * | 2003-01-15 | 2005-08-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 연마 장치 |
| KR100987706B1 (ko) * | 2003-07-21 | 2010-10-13 | 삼성전자주식회사 | 액정표시 패널의 제조방법 |
| US7399217B1 (en) * | 2007-02-05 | 2008-07-15 | P.R. Hoffman Machine Products | Lapping machine |
| JP2009302338A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Sumco Corp | ウェーハの研磨方法および該方法により製造されるウェーハ |
| JP2009302409A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
| DE102008063228A1 (de) | 2008-12-22 | 2010-06-24 | Peter Wolters Gmbh | Vorrichtung zur beidseitigen schleifenden Bearbeitung flacher Werkstücke |
| US9102038B2 (en) * | 2011-08-24 | 2015-08-11 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. | Beveling grindstone |
| CN109333230B (zh) * | 2018-12-06 | 2021-05-07 | 湖南省九嶷山丰利农业开发有限公司 | 一种环保型竹筐生产用去毛刺装置 |
| CN115415883A (zh) * | 2022-11-02 | 2022-12-02 | 江苏浩纳光电股份有限公司 | 一种用于镜片加工的打磨装置 |
| CN116276405A (zh) * | 2023-05-18 | 2023-06-23 | 扬州韩思半导体科技有限公司 | 一种晶圆片加工用抛光装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4344260A (en) * | 1979-07-13 | 1982-08-17 | Nagano Electronics Industrial Co., Ltd. | Method for precision shaping of wafer materials |
| US4393628A (en) * | 1981-05-04 | 1983-07-19 | International Business Machines Corporation | Fixed abrasive polishing method and apparatus |
| JPS59182027A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Nippon Light Metal Co Ltd | 精密研磨加工方法 |
| JPS6133851A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-17 | Canon Inc | 多面同時加工装置 |
| JP2745725B2 (ja) * | 1989-10-04 | 1998-04-28 | 旭硝子株式会社 | 電解研摩・研削方法及びその装置 |
| US5486134A (en) * | 1992-02-27 | 1996-01-23 | Oliver Design, Inc. | System and method for texturing magnetic data storage disks |
| US5289661A (en) * | 1992-12-23 | 1994-03-01 | Texas Instruments Incorporated | Notch beveling on semiconductor wafer edges |
| US5755613A (en) * | 1994-08-31 | 1998-05-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Two grinder opposed grinding apparatus and a method of grinding with the apparatus |
| JP3620679B2 (ja) * | 1996-08-27 | 2005-02-16 | 信越半導体株式会社 | 遊離砥粒によるウエーハの面取装置及び面取方法 |
| US5868857A (en) * | 1996-12-30 | 1999-02-09 | Intel Corporation | Rotating belt wafer edge cleaning apparatus |
| US5725414A (en) * | 1996-12-30 | 1998-03-10 | Intel Corporation | Apparatus for cleaning the side-edge and top-edge of a semiconductor wafer |
-
1998
- 1998-03-05 JP JP5340898A patent/JP3925580B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-20 TW TW088102461A patent/TW393369B/zh not_active IP Right Cessation
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- 1999-03-05 KR KR1019990007400A patent/KR19990077648A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030055847A (ko) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 홀더 |
| JP2016127051A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法 |
| CN112775757A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-11 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种半导体机台及研磨方法 |
| CN113714889A (zh) * | 2021-11-03 | 2021-11-30 | 天通控股股份有限公司 | 一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP0940219A3 (en) | 2001-07-11 |
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