JPS59182027A - 精密研磨加工方法 - Google Patents
精密研磨加工方法Info
- Publication number
- JPS59182027A JPS59182027A JP58053742A JP5374283A JPS59182027A JP S59182027 A JPS59182027 A JP S59182027A JP 58053742 A JP58053742 A JP 58053742A JP 5374283 A JP5374283 A JP 5374283A JP S59182027 A JPS59182027 A JP S59182027A
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- JP
- Japan
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- polishing
- polished
- polished material
- voltage
- aluminum
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気ディスク、光ディスクなどに利用する側
斜の平坦な面を形成する技術に関し、詳しくは」二記８
料の湿式研磨加工方法に関するものである。
斜の平坦な面を形成する技術に関し、詳しくは」二記８
料の湿式研磨加工方法に関するものである。
ところで、アルミニウムおよびアルミニウム合金等の被
研磨面の平滑性の必要な理由としては、たとえば磁気デ
ィスクにおいては表面の磁気媒体の厚さの１／１０〜Ｖ
２０の面粗さ以下でないと均一な磁気記録面として不適
当なためである。また、光ディスクにおいても反射面の
均一性が１μｍψオーダーのスポットを利用するような
場合、当然反射面として必要な特性である。さらに磁気
ディスクにおいては高記憶密度化が進み、この場合磁性
媒体の厚みは０，２〜０．７μｍ程度が目標とされ被研
磨面の平滑度は益々高度なものが要求されるに至ってい
る。
研磨面の平滑性の必要な理由としては、たとえば磁気デ
ィスクにおいては表面の磁気媒体の厚さの１／１０〜Ｖ
２０の面粗さ以下でないと均一な磁気記録面として不適
当なためである。また、光ディスクにおいても反射面の
均一性が１μｍψオーダーのスポットを利用するような
場合、当然反射面として必要な特性である。さらに磁気
ディスクにおいては高記憶密度化が進み、この場合磁性
媒体の厚みは０，２〜０．７μｍ程度が目標とされ被研
磨面の平滑度は益々高度なものが要求されるに至ってい
る。
このような要求に対応するため、特公昭５６−３９６９
９号では、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｍｎ等の不純物が金属間化合物
や非金属介在物を作りＮ密研磨加工時におけるビット状
欠陥の原因となることを避けるため、これら不純吻合Ｙ
ｉｌｌを極力低くした合金及びその製造法を提案してい
るが、本願は上記不純物があってもビット状欠陥をほと
んと生じないアルミニウム等の精密研磨加工方法を提案
するものである。
９号では、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｍｎ等の不純物が金属間化合物
や非金属介在物を作りＮ密研磨加工時におけるビット状
欠陥の原因となることを避けるため、これら不純吻合Ｙ
ｉｌｌを極力低くした合金及びその製造法を提案してい
るが、本願は上記不純物があってもビット状欠陥をほと
んと生じないアルミニウム等の精密研磨加工方法を提案
するものである。
湿式研磨加工法においては、アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金は硬度が低いことと、砥粒を含む水溶液が通
常アルカリ性であって、これが研磨面に化学的な腐食作
用を起し、小さな腐食孔を形成する。ちなみにボリシン
グにアルミナ微細粉子を使用する場合には製造時にＮａ
、Ｏα３〜０．５ｗｔ、％程度の混入は避けられないた
めへこれを含む懸溺敲はアルカリ性となる。この状態に
おいて砥粒によって機械的に削られたアルミニウムまた
はアルミニウム合金の処女面は活性化しており、容易に
腐食される。もちろん、後述の実施例に示す如く酸性と
した場合も同様である。
ニウム合金は硬度が低いことと、砥粒を含む水溶液が通
常アルカリ性であって、これが研磨面に化学的な腐食作
用を起し、小さな腐食孔を形成する。ちなみにボリシン
グにアルミナ微細粉子を使用する場合には製造時にＮａ
、Ｏα３〜０．５ｗｔ、％程度の混入は避けられないた
めへこれを含む懸溺敲はアルカリ性となる。この状態に
おいて砥粒によって機械的に削られたアルミニウムまた
はアルミニウム合金の処女面は活性化しており、容易に
腐食される。もちろん、後述の実施例に示す如く酸性と
した場合も同様である。
また、アルミニウムおよびその合金（こは除去困難な不
純物としてＦｅ 、 Ｓｉ 、 Ｍｌｌその他を多く含
んで才６す、マトリックス中に金属間化合物および介在
物として存在する。これら金属間化合物や介在物の粒界
は前記効果と相まって、湿式研磨加工中に腐食を受は易
い部分となっている。この理由について、さきに発明者
らは、研磨工具と被研磨月間に、？ｌ１ｉＩ式研磨加工
法では従来考庁されなかった静電気が発生し、この静電
気により局部電流が生起して前記析出物を活性溶解し、
ピッ１−獣欠陥を形成することを見出し、研磨加工中、
静電気を接地して除くことによりビット駄欠陥の発生抑
止に成功した。本発明においては、研磨工具と被研磨第
２間に電圧を印加して静電気の発生を抑え、また局部的
腐食電流の発生を抑えることによって、溝式研磨加工の
際のピッ１〜状欠陥の発生を防止するものである。
純物としてＦｅ 、 Ｓｉ 、 Ｍｌｌその他を多く含
んで才６す、マトリックス中に金属間化合物および介在
物として存在する。これら金属間化合物や介在物の粒界
は前記効果と相まって、湿式研磨加工中に腐食を受は易
い部分となっている。この理由について、さきに発明者
らは、研磨工具と被研磨月間に、？ｌ１ｉＩ式研磨加工
法では従来考庁されなかった静電気が発生し、この静電
気により局部電流が生起して前記析出物を活性溶解し、
ピッ１−獣欠陥を形成することを見出し、研磨加工中、
静電気を接地して除くことによりビット駄欠陥の発生抑
止に成功した。本発明においては、研磨工具と被研磨第
２間に電圧を印加して静電気の発生を抑え、また局部的
腐食電流の発生を抑えることによって、溝式研磨加工の
際のピッ１〜状欠陥の発生を防止するものである。
本発明の要旨は、研磨工具および被研磨材別１間に研＠
梠を介在させた湿式研磨法において、電気的に被研磨拐
旧を陰極とし、工具側を陽極として研磨することを特徴
とする精密研磨加工方法に在る。
梠を介在させた湿式研磨法において、電気的に被研磨拐
旧を陰極とし、工具側を陽極として研磨することを特徴
とする精密研磨加工方法に在る。
即ち、本発明方法を、模式的湿式研磨装置例（精密機械
４３巻７号「磁気ディスク基板用加工装置運動解析Ｊ著
者 河西、中田、Ｊ）に適用した例を図面に基いて説明
すると、第１図において被研磨拐のアルミニウム板１は
保持板７に取付けられたポリシャー６により、砥粒をＶ
：濁させた研磨液供給下に回転しつつ湿式研磨される６
直流電源８のマイナス側はスイッチ３．抵抗４およびブ
ラシ２を介して被研磨羽１に接続している。直流電源８
のプラス側はブラシ２′を介してポリシャー６の保持板
７に接続され、被研唐材料を陰極とし工具側を陽極とし
た電気回路が形成される。図中、５は被研ｒｐｒ拐胆、
＜ディスク）支持用ゴムローラである。
４３巻７号「磁気ディスク基板用加工装置運動解析Ｊ著
者 河西、中田、Ｊ）に適用した例を図面に基いて説明
すると、第１図において被研磨拐のアルミニウム板１は
保持板７に取付けられたポリシャー６により、砥粒をＶ
：濁させた研磨液供給下に回転しつつ湿式研磨される６
直流電源８のマイナス側はスイッチ３．抵抗４およびブ
ラシ２を介して被研磨羽１に接続している。直流電源８
のプラス側はブラシ２′を介してポリシャー６の保持板
７に接続され、被研唐材料を陰極とし工具側を陽極とし
た電気回路が形成される。図中、５は被研ｒｐｒ拐胆、
＜ディスク）支持用ゴムローラである。
本発明方法は、上記例に限らず、直流宛０．直流に酸す
る電源を用いて、公知の方法による電気回路（・こより
、被研磨第２間を陰極、工具側を陽極とし、被研磨わ刺
の種類１寸法等に応じて適宜電圧、電流母を負荷するこ
とがてきる。従って電圧波形は被研磨第２間がプラスに
ならなければ、交直型費のほか、パルス波形を加えたも
のでもよい。
る電源を用いて、公知の方法による電気回路（・こより
、被研磨第２間を陰極、工具側を陽極とし、被研磨わ刺
の種類１寸法等に応じて適宜電圧、電流母を負荷するこ
とがてきる。従って電圧波形は被研磨第２間がプラスに
ならなければ、交直型費のほか、パルス波形を加えたも
のでもよい。
破研衣第２料と工具間に印加される電圧は、３０Ｖ〜５
Ｖの範囲が好ましく、３０Ｖ以上とすると、操作時に人
体に対する影響が大きくなり適当でなく、５Ｖ以下では
本願の目的とすると・ン１〜状欠陥の発／３−防止効果
が劣るからである。また、被研磨拐石と工具間に流れる
電気最は、被研＠月料とポリシャーの接触面積および研
磨液の液抵抗ζこよって異なるが、抵抗発熱を避けた低
電流が望ましくたとえば数ｍ Ａ ７ｃｍ ２−１００
ｍ Ａ ７ｃｍ ”程度でよい。
Ｖの範囲が好ましく、３０Ｖ以上とすると、操作時に人
体に対する影響が大きくなり適当でなく、５Ｖ以下では
本願の目的とすると・ン１〜状欠陥の発／３−防止効果
が劣るからである。また、被研磨拐石と工具間に流れる
電気最は、被研＠月料とポリシャーの接触面積および研
磨液の液抵抗ζこよって異なるが、抵抗発熱を避けた低
電流が望ましくたとえば数ｍ Ａ ７ｃｍ ２−１００
ｍ Ａ ７ｃｍ ”程度でよい。
砥粒としては、琢磨用の微細なケイソウ土、ドロマイ１
−等の天然研磨拐、アルミナ、酸化鉄、マグネシア等の
人工研ｈオＡが使用される。砥粒を懸溺させる媒体とし
ては、水でもよいが、分散を良くするため、あるいは研
削屑の排出を容易にするため界面活性剤等を添加しても
よい。
−等の天然研磨拐、アルミナ、酸化鉄、マグネシア等の
人工研ｈオＡが使用される。砥粒を懸溺させる媒体とし
ては、水でもよいが、分散を良くするため、あるいは研
削屑の排出を容易にするため界面活性剤等を添加しても
よい。
懸協液のｐＨは、酸性、アルカリ性、中性の何れでもよ
く、ｐＨ２，５〜１２，５の範囲が用いられ、研磨液の
電気抵抗を低下させる点および砥粒の沈降防止の点で酸
性またはアルカリ外回れの側でもよいが、高酸性、高ア
ルカリ性側では強い化学研磨効果をもたらすが、ビット
状欠陥防止効果は増加しない。従ってピッ１〜状欠陥の
発生を抑える点からｐＨ４〜１０とすることが好ましい
。
く、ｐＨ２，５〜１２，５の範囲が用いられ、研磨液の
電気抵抗を低下させる点および砥粒の沈降防止の点で酸
性またはアルカリ外回れの側でもよいが、高酸性、高ア
ルカリ性側では強い化学研磨効果をもたらすが、ビット
状欠陥防止効果は増加しない。従ってピッ１〜状欠陥の
発生を抑える点からｐＨ４〜１０とすることが好ましい
。
研＠液を中性とした液では、基本的にＡｔ、０３・３Ｈ
ユＯ化の反応が起り、Ａｌ１産は起らず、腐食孔は形成
されなくなる。しかし研磨液の中和のためには砥粒の酸
洗、洗浄等あるいは酸類の添加による中和なとコスト増
を免かれず、このような研磨材は現実に相当高価である
。しかも砥粒の懸溌液中での存在状態が酸性、アルカリ
性液中の場合に比較して、大幅に沈降速度が増加するの
で、懸’ｆｌＡ ｉＴ５の撹拌に大きなエネルギーを要
し、また輸送パイプや滴Ｔ部に目詰りを起し、研磨作業
に支瞳な来たすことが多くなる。従って一ヒ述の点が解
決されれは中性液を使用することが好ましいが、本願発
朋刀法によれば、後出実施例に示されるように酸外側、
アルカリタ１８側の何れの側においても電Ｌ］：を印加
しない場合と異なり、中性液のときとあまり異ならない
程度にビット状欠陥の発生を抑止することができるのて
、称めて好都合である。また（ｉｌｆ磨液濃液濃度ては
５〜２０％の範囲が用いられる。なお、パフ研磨機のポ
リシャーとしては、クロス、ボリウＩメタン、人工皮革
等通常使用されるものが用いられる。
ユＯ化の反応が起り、Ａｌ１産は起らず、腐食孔は形成
されなくなる。しかし研磨液の中和のためには砥粒の酸
洗、洗浄等あるいは酸類の添加による中和なとコスト増
を免かれず、このような研磨材は現実に相当高価である
。しかも砥粒の懸溌液中での存在状態が酸性、アルカリ
性液中の場合に比較して、大幅に沈降速度が増加するの
で、懸’ｆｌＡ ｉＴ５の撹拌に大きなエネルギーを要
し、また輸送パイプや滴Ｔ部に目詰りを起し、研磨作業
に支瞳な来たすことが多くなる。従って一ヒ述の点が解
決されれは中性液を使用することが好ましいが、本願発
朋刀法によれば、後出実施例に示されるように酸外側、
アルカリタ１８側の何れの側においても電Ｌ］：を印加
しない場合と異なり、中性液のときとあまり異ならない
程度にビット状欠陥の発生を抑止することができるのて
、称めて好都合である。また（ｉｌｆ磨液濃液濃度ては
５〜２０％の範囲が用いられる。なお、パフ研磨機のポ
リシャーとしては、クロス、ボリウＩメタン、人工皮革
等通常使用されるものが用いられる。
被研暦４Ｊ’ ＮＳＩとしては、導体、半導体のものに
適用でき、導体としては金属層着のみに限定するもので
はないが、金属林料ではアルミニウム、アルミニウム、
合金、またはそれらの表面にＮ１−Ｐ 、 Ｃｏ−Ｎ１
−ＰＷの薄膜を形成したものが挙げられる。
適用でき、導体としては金属層着のみに限定するもので
はないが、金属林料ではアルミニウム、アルミニウム、
合金、またはそれらの表面にＮ１−Ｐ 、 Ｃｏ−Ｎ１
−ＰＷの薄膜を形成したものが挙げられる。
木兄１］１Ｊ力法によれば、１μｎ］〜１０μｍ程度ま
で切削加工１ノて平滑（こした平面１曲面を、さらにα
１μｎ］以下の粗さくＲ＋ｎａｘ）に破研磨面を静電気
の発生しない状態で湿式研磨し、被研磨Ａ’Ａ刺中の金
属間化合物や介在物によるビット状欠陥の発生を抑ＪＪ
：することができる。研磨時間は２０分程度またはそれ
以下で十分である。
で切削加工１ノて平滑（こした平面１曲面を、さらにα
１μｎ］以下の粗さくＲ＋ｎａｘ）に破研磨面を静電気
の発生しない状態で湿式研磨し、被研磨Ａ’Ａ刺中の金
属間化合物や介在物によるビット状欠陥の発生を抑ＪＪ
：することができる。研磨時間は２０分程度またはそれ
以下で十分である。
本発明方法によれは、被研磨基板中に金属間化合物や介
在物が存在しても、これらが湿式研磨加工中に溶解、脱
落してビット状欠陥を形成することが防止されるので、
例えばＦｅ 、 Ｓｉ 、 Ｍｌｌ等の不純物を含イゴ
するアルミニウム材、たとえばＡＡ５０８６に対しても
憂れた表面精度が得られ、磁気ディスク等のアルミニウ
ムまたはアルミニウム合金基板のコス１−を大きく低下
させることができる。
在物が存在しても、これらが湿式研磨加工中に溶解、脱
落してビット状欠陥を形成することが防止されるので、
例えばＦｅ 、 Ｓｉ 、 Ｍｌｌ等の不純物を含イゴ
するアルミニウム材、たとえばＡＡ５０８６に対しても
憂れた表面精度が得られ、磁気ディスク等のアルミニウ
ムまたはアルミニウム合金基板のコス１−を大きく低下
させることができる。
また研磨液としても広い範囲のｐＩ−１のものを用いる
ことができ、懸濁砥粒の沈降が防止され、湿式研磨作業
にとっても極めて好都合であり、信頼性の高い磁気ディ
スクや光ディスク等の基板を得ることができる。
ことができ、懸濁砥粒の沈降が防止され、湿式研磨作業
にとっても極めて好都合であり、信頼性の高い磁気ディ
スクや光ディスク等の基板を得ることができる。
以下、本発明方法を実施例により、さらに具体的（こ説
明する。
明する。
実ｙｔｉイ列
同−ロットのＡＩ＝Ｍｇ合金板Ａ Ａ ５０８６ Ｐか
ら厚さ２ｍｍ、径３６０ ｍ ＋ｎの円板を切り出し、
機械切削加工を施し、試別原板とした。
ら厚さ２ｍｍ、径３６０ ｍ ＋ｎの円板を切り出し、
機械切削加工を施し、試別原板とした。
研磨用砥粒としてアルミナ１〜３μＩ１１径（フジミ研
Ｐｉ（株）製Ｗ Ａ ８０００ ）を用い、濃度１０％
の水性懸濁液を調製した。研磨液のｐｌ−１を、ｚ５〜
ＩＺ５の範囲（こ種々調整した。調整法としてはアルカ
リ側はカセイソーダを、酸性側は酢酸を使用した。
Ｐｉ（株）製Ｗ Ａ ８０００ ）を用い、濃度１０％
の水性懸濁液を調製した。研磨液のｐｌ−１を、ｚ５〜
ＩＺ５の範囲（こ種々調整した。調整法としてはアルカ
リ側はカセイソーダを、酸性側は酢酸を使用した。
また砥粒を５０％工招ｌ液で酸洗後、水洗洗浄して１）
Ｈ６，５の中性研磨液を調製した 試料円板を、エメリー研磨紙＋２４０．＃３６０゜＋
６００ 、 ＋ １０００を逐次使用して０．２−α３
ｍｍの厚みを研磨後、第１図の研磨装置を用い、被研磨
円板の電位を一５Ｖ、−２０Ｖ、−３０Ｖに調整した。
Ｈ６，５の中性研磨液を調製した 試料円板を、エメリー研磨紙＋２４０．＃３６０゜＋
６００ 、 ＋ １０００を逐次使用して０．２−α３
ｍｍの厚みを研磨後、第１図の研磨装置を用い、被研磨
円板の電位を一５Ｖ、−２０Ｖ、−３０Ｖに調整した。
その際、各種ｐＨの研磨液を用いて、それぞれ１０分間
個式研磨加工を行なった。
個式研磨加工を行なった。
判定方法として、微分干渉顕微鏡を用い、倍率２００倍
で、それぞれ位置を変えて６０個所を検査した。腐食孔
径２〜３μｍ以−Ｈの腐食孔数を数えその総数を、それ
ぞれのｐ■Ｊ研磨蔽における腐食孔数とした。結果を第
２図に示す。
で、それぞれ位置を変えて６０個所を検査した。腐食孔
径２〜３μｍ以−Ｈの腐食孔数を数えその総数を、それ
ぞれのｐ■Ｊ研磨蔽における腐食孔数とした。結果を第
２図に示す。
腐食孔数は、研磨液の中性位置をほぼ最低にして酸性、
アルカリ性側で、ゆるやか（こ増加している。
アルカリ性側で、ゆるやか（こ増加している。
比較例
実施例と同一条件下で、電圧を印加せずに湿式研磨加工
を行なった。結果を第３図に示す。
を行なった。結果を第３図に示す。
第２図と比較して判るように中性における腐食孔数も増
加し、酸性、アルカリ性側で急激（こ腐食孔数が増加し
ている曲線となっている。
加し、酸性、アルカリ性側で急激（こ腐食孔数が増加し
ている曲線となっている。
第１図は本発明方法を適用した研磨装置の模式的説明図
で、第２図および第３図は、それぞれ電圧印加の場合、
電圧無印加の場合の研磨液ｐＨと腐食孔数の関係を示す
図面である。 ＋ 、、、、被研磨材料、２．２’・・・・ブラシ。 ３・・・・スイッチ、 ４・・・抵折。 ５・・・・ゴムローラ、 ６．、、、ポリシャー
。 ７・・・・保持板、 ８・・・・直流’ＩＦ’；
、唾。 特許出順人 日本軽金属株式会社 代理人 弁理士 松永圭司 第 １ 図
で、第２図および第３図は、それぞれ電圧印加の場合、
電圧無印加の場合の研磨液ｐＨと腐食孔数の関係を示す
図面である。 ＋ 、、、、被研磨材料、２．２’・・・・ブラシ。 ３・・・・スイッチ、 ４・・・抵折。 ５・・・・ゴムローラ、 ６．、、、ポリシャー
。 ７・・・・保持板、 ８・・・・直流’ＩＦ’；
、唾。 特許出順人 日本軽金属株式会社 代理人 弁理士 松永圭司 第 １ 図
Claims (1)
- １、研磨工具および被研磨材料間に研磨側を介在させた
湿式研磨法において、電気的に被研磨材料を陰極とし、
工具側を陽極として研磨することを特徴とする精密研磨
加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053742A JPS59182027A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 精密研磨加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053742A JPS59182027A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 精密研磨加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182027A true JPS59182027A (ja) | 1984-10-16 |
Family
ID=12951264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58053742A Pending JPS59182027A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 精密研磨加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0940219A2 (en) * | 1998-03-05 | 1999-09-08 | Speedfam Co., Ltd. | A wafer processing machine and a processing method thereby |
| CN110802502A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-02-18 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种边缘研磨设备 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58053742A patent/JPS59182027A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0940219A2 (en) * | 1998-03-05 | 1999-09-08 | Speedfam Co., Ltd. | A wafer processing machine and a processing method thereby |
| EP0940219A3 (en) * | 1998-03-05 | 2001-07-11 | Speedfam Co., Ltd. | A wafer processing machine and a processing method thereby |
| CN110802502A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-02-18 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种边缘研磨设备 |
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