JP2001157959A - 平面加工装置 - Google Patents

平面加工装置

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JP2001157959A
JP2001157959A JP33935699A JP33935699A JP2001157959A JP 2001157959 A JP2001157959 A JP 2001157959A JP 33935699 A JP33935699 A JP 33935699A JP 33935699 A JP33935699 A JP 33935699A JP 2001157959 A JP2001157959 A JP 2001157959A
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stage
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Katsuo Honda
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ウェーハを破損させることなくスループットを
向上させることができるウェーハの平面加工装置を提供
する。 【解決手段】本発明の平面加工装置10によれば、粗研
削ステージ18、精研削ステージ20が設置された本体
12に、エッチングステージ22が設置され、ウェーハ
28の粗研削、精研削、及びエッチングを同一の平面加
工装置10内で実施する。また、ウェーハ28を保持す
るチャック40は、ウェーハ28を保持したまま、粗研
削ステージ18、精研削ステージ20、及びエッチング
ステージ22に順次移動される。チャック40がエッチ
ングステージ22に位置されると、チャック40がエッ
チング槽25に向けて上昇され、チャック40に保持さ
れたウェーハ28がエッチング槽25に収容される。こ
の状態でウェーハ28にノズル94からエッチング液9
2を供給し、ウェーハ28をエッチングする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は平面加工装置に係
り、特に半導体ウェーハの製造工程で、チップが形成さ
れていない半導体ウェーハの裏面を研削加工する平面加
工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェーハの裏面(一方面)を研削
する平面加工装置は、ウェーハを吸着保持するチャッ
ク、粗研削用砥石、精研削用砥石、及び裏面洗浄装置等
を備えている。斯かる平面加工装置によれば、ウェーハ
は前記チャックでその表面(他方面)が吸着保持された
後、その裏面に前記粗研削用砥石が押し付けられるとと
もに、チャック及びその砥石を回転させることによって
裏面が粗研削される。そして、粗研削終了したウェーハ
は、チャックから取り外された後、精研削用のチャック
に保持され、ここで前記精研削用砥石によって精研削さ
れる。精研削終了したウェーハは、裏面洗浄装置に搬送
されてその裏面が洗浄される。以上で、前記平面加工装
置による1枚のウェーハの裏面研削加工が終了する。
【0003】ところで、裏面研削加工が終了したウェー
ハは、次の工程であるエッチング工程に移行させるた
め、平面加工装置からエッチング装置に搬送され、ここ
でエッチング処理されて、その裏面に生じている加工変
質層が除去される。
【0004】しかしながら、平面加工装置において、ウ
ェーハを規格品に近い極薄状のウェーハに研削すると、
平面加工装置からエッチング装置にウェーハを搬送する
際に、ウェーハが極薄で強度的に弱いこと、及び裏面に
生じている加工変質層に起因して破損(割れ欠け)する
という不具合が生じる。
【0005】そこで、従来の平面加工装置では、前記不
具合を防止するために、搬送中にウェーハが破損しない
厚みにウェーハを研削している。ここで、ウェーハの厚
みについて説明すると、インゴットから切り出された、
例えば725μmの厚みのウェーハは、平面加工装置の
粗研削で250μmの厚みに粗研削され、そして、精研
削で200μmの厚みに研削される。そして、最終のエ
ッチング工程で規格の50μmの厚みに加工される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
平面加工装置では、搬送中におけるウェーハの破損を防
止するため、ウェーハを規格の厚み近くまで加工するこ
とができない。これによって、エッチング工程における
加工取代(上記例では150μmの取代)が大きくなる
ので、エッチングに長時間かかり、スループットを向上
させることができないという欠点があった。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、ワークを破損させることなくスループットを
向上させることができる平面加工装置を提供することを
目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、ワークを保持する保持手段と、該保持手
段で保持されたワークを研削する砥石を有し該砥石でワ
ークの一方面を研削加工する研削手段とを備えた平面加
工装置において、前記平面加工装置に、ワークの一方面
をエッチングするエッチング手段が設けられていること
を特徴としている。
【0009】ワークの保持手段としては、ワークを吸引
して吸着保持する手段、ワークを氷膜を介して冷凍保持
する手段、ワークを静電気で保持する手段、ワークを粘
着テープを介して保持する手段、ワークを摩擦力で保持
する手段、又はワークを単に載置する手段等が用いられ
る。
【0010】請求項1に記載の発明によれば、ワークの
研削手段が搭載された平面加工装置に、エッチング手段
を搭載したので、ワークの研削、及びエッチングを同一
の装置内で実施することができる。したがって、本発明
では、平面加工装置からエッチング装置にワークを搬送
する必要がなくなるので、研削手段でワークを規格に近
い厚みにまで研削することができる。よって、スループ
ットを向上させることができる。
【0011】請求項2に記載の発明によれば、ワークは
保持手段に保持された状態で研削手段によって研削さ
れ、その後、保持手段が移動手段によってエッチング位
置に移動された後、エッチング手段によって前記ワーク
がエッチングされる。即ち、本発明は、ワークを保持手
段で保持したままの状態で研削、及びエッチングするの
で、ワークを破損させることなく精度良く加工すること
ができる。これに対して、ワークを研削手段専用の保持
手段から、エッチング専用の保持手段に移し変えて加工
する装置は、ワークを移し変える時に、ワークが外力等
によって破損する場合がある。本発明は、この点を解消
することができる。
【0012】請求項3に記載の発明によれば、前記エッ
チング手段は、研削手段で研削されたワークの一方面の
加工変質層をエッチングするか、又は該加工変質層をエ
ッチングするとともにワークの厚さのバラツキの分をエ
ッチングする。これにより、精度の高いワークを得るこ
とができる。
【0013】また、保持手段を複数設け、これらの保持
手段を移動手段によって研削位置からエッチング位置に
順次移動させることにより、研削とエッチングとを同時
に実施可能としたので、1台の保持手段でワークを研削
しエッチングするよりも稼働率が上がる。
【0014】また、保持手段をスピンドルに着脱自在に
連結し、保持手段を移動させる毎に保持手段をスピンド
ルから切り離し、保持手段のみを移動手段で移動させる
ようにしたので、移動手段にかかる負荷を小さくするこ
とができるとともに、それぞれの加工に応じたスピンド
ルを有すればよく、装置の製造コストを低く抑えること
ができる。
【0015】また、粗研削手段、及び精研削手段を備え
た平面加工装置に、ワークのエッチング手段を設けたの
で、粗研削からエッチングまでのワークの一連の加工を
1台の平面加工装置で実施できる。また、ワークの保持
手段を粗研削位置、精研削位置、及びエッチング位置に
移動させる移動手段を設けたので、それぞれ単数又は複
数の粗研削手段、精研削手段、及びエッチング手段を組
み合わせて配置した構成であっても、それぞれの加工手
段の稼働率を落とすことなく、有効稼働させることがで
きる。
【0016】また、ワークを保持手段で保持したまま、
保持手段を移送手段によってエッチング槽に向けて移送
し、ワークをエッチング槽に収容させた後、ノズルから
ワークにエッチング液を供給してワークをエッチングす
るので、ワークを破損させることなく精度良く加工する
ことができる。
【0017】また、平面加工方法によれば、研削手段と
エッチング手段とを備えた平面加工装置を対象とし、エ
ッチング手段は、標準偏差の2倍で計算した、精研削加
工による加工変質層の除去に必要な量以上、標準偏差の
6倍で計算した、精研削加工時の厚さのバラツキと加工
変質層の除去に必要な量、又は20μmのうち大きい量
以内でワークをエッチングするので、装置の稼働率を落
とすことなく、所定の加工を施すことができる。
【0018】また、研削手段として粗研削手段と精研削
手段とを備えた平面加工装置を対象とし、精研削手段
は、標準偏差の2倍で計算した、粗研削加工による加工
変質層の除去に必要な量以上、標準偏差の6倍で計算し
た、粗研削加工時の厚さのバラツキと加工変質層の除去
に必要な量、又は150μmのうち大きい量以内でワー
クを精研削し、エッチング手段は、標準偏差の2倍で計
算した、精研削加工による加工変質層の除去に必要な量
以上、標準偏差の6倍で計算した、精研削加工時の厚さ
のバラツキと加工変質層の除去に必要な量、又は20μ
mのうち大きい量以内でワークをエッチングするので、
装置の稼働率を落とすことなく、所定の加工を施すこと
ができる。
【0019】更に、ワークの厚みを測定するセンサーを
有し、加工に先立って、又は加工中にワークの厚みを測
定し、測定値に基づいて研削加工量又はエッチング量を
管理するようにしたので、所望の厚みのウェーハに加工
することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る平面加工装置の好ましい実施の形態について詳説す
る。図1は、本発明が適用された半導体ウェーハの平面
加工装置の斜視図であり、図2は平面図である。
【0021】図1に示すように平面加工装置10の本体
12には、カセット収納ステージ14、アライメントス
テージ16、粗研削ステージ18、精研削ステージ2
0、エッチングステージ22、及びウェーハ洗浄ステー
ジ24等が設けられている。エッチングステージ22
は、箱型のエッチング槽25を有し、このエッチング槽
25によってエッチングステージ22は、粗研削ステー
ジ18及び精研削ステージ20から仕切られており、エ
ッチングステージ22で使用する化学エッチング液が隣
接する粗研削ステージ18及び精研削ステージ20に飛
散するのが防止されている。シリコンウェーハの表面処
理としてのエッチングに用いられる薬品としては、一般
的なものとして、フッ酸(HF)と硝酸(HNO3 )の
混酸が使用される。これに酢酸(CH3 COOH)や水
(H2 O)が緩和剤として混入される場合もある。
【0022】カセット収納ステージ14には、2台のカ
セット26、26が着脱自在にセットされ、これらのカ
セット26、26の複数の棚には裏面研削前のウェーハ
28が多数枚収納されている。このウェーハ28は、搬
送用ロボット(搬送手段に相当)30のハンド31によ
って1枚ずつ保持されて、次工程のアライメントステー
ジ16に順次搬送される。搬送用ロボット30は、本体
12に立設された図示しないビームに昇降装置を介して
吊り下げ支持してもよく、また、本体12の上面12A
に設置してもよい。搬送用ロボット30を吊り下げ支持
すると、カセット収納ステージ14とアライメントステ
ージ16との間隔を狭くすることができるので、平面加
工装置10の小型化を図ることができる。ロボット30
は、汎用の6軸関節ロボットであり、その構成は周知で
あるので、ここではその説明を省略する。
【0023】アライメントステージ16は、カセット2
6から搬送されたウェーハ28を所定の位置に位置合わ
せするステージである。このアライメントステージ16
で位置合わせされたウェーハ28は、搬送用ロボット3
0のハンド31に再度吸着保持された後、空のチャック
(保持手段に相当)32に向けて搬送され、このチャッ
ク32の吸着面に吸着保持される。
【0024】チャック32は、インデックステーブル3
4に設置され、また、同機能を備えたチャック36、3
8、40が、インデックステーブル34の図2上破線で
示す回転軸35を中心とする円周上に90度の間隔をも
って設置されている。また、回転軸35には、図2上破
線で示すモータ(移動手段に相当)37のスピンドル
(不図示)が連結されている。前記チャック36は、粗
研削ステージ18に位置されており、吸着したウェーハ
28がここで粗研削される。また、前記チャック38
は、精研削ステージ20に位置され、吸着したウェーハ
28がここで仕上げ研削(精研削、スパークアウト)さ
れる。更に、前記チャック40は、エッチングステージ
22に位置され、吸着したウェーハ28がここでエッチ
ングされ、研削で生じた加工変質層及びウェーハ28の
厚みのバラツキ分が除去される。
【0025】チャック32、36、38、40は、図
3、図4に示すようにスピンドル42に連結部材44を
介して着脱自在に連結されている。連結部材44は、チ
ャック32、36、38、40をモータ37で移動させ
る毎にチャック32、36、38、40から切り離され
る。これにより、チャック32、36、38、40のみ
がモータ37(図2参照)で移動されるので、モータ3
7にかかる負荷を小さくすることができるとともに、粗
研削、精研削、及びエッチングの各加工に応じたスピン
ドルとモータとを設ければよく、装置の製造コストを低
減することができる。
【0026】図3において、チャック32、36、3
8、40は、インデックステーブル34に形成された開
口部46の段部48に載置されており、また、モータ5
0の下部には、シリンダ装置52のピストン54が連結
されている。このピストン54が図4の如く伸長される
と、連結部材44が前記開口部46を通過し、チャック
32、36、38、40の下部に形成された凹部56に
嵌入されて連結される。そして、チャック32、36、
38、40は、ピストン54の継続する伸長動作によっ
て、インデックステーブル34から上昇移動され、砥石
58、60による研削位置に位置される。
【0027】本実施の形態のチャック32、36、3
8、40は、その吸着面がセラミックス等の焼結体から
なるポーラス材41で形成されている。また、連結部材
44が凹部56に連結されると、同時に図示しない流体
継手が連結され、この流体継手に連結された図示しない
サクションポンプの吸引力がエア通路64を介してポー
ラス材41に作用し、これによってウェーハ28がポー
ラス材41の表面にしっかりと吸着保持される。また、
連結部材44が切り離された時は、図示しない逆止弁に
よって吸着力はそのまま保持される。
【0028】なお、本実施の形態では、ウェーハ28を
吸引吸着保持するチャック32、36、38、40につ
いて説明したが、これに限られるものではなく、これに
代えて図5に示す冷凍チャック装置64を適用してもよ
い。
【0029】冷凍チャック装置64は、チャックプレー
ト66、コントローラ68、及び冷却水供給装置70か
ら構成されており、コントローラ68でチャックプレー
ト66に電圧を印加し、これによって生じるペルチェ効
果を利用してウェーハ28をチャックプレート66に氷
膜を介して冷凍保持する。チャックプレート66は、2
種類の金属(例えばCuとBi)プレートを接続して閉
回路をつくり、その接合点に電流を流すことによって熱
電素子(Cuプレート)側でウェーハ28を冷凍保持す
る。また、冷却水供給装置70は、熱電素子の片側(B
iプレート)に冷却水を供給し、その片側で発生する熱
を冷却する。なお、冷凍チャック装置64に代えて、静
電気でウェーハを保持する静電チャック装置、粘着テー
プや摩擦板を介在した保持装置、更には単にウェーハを
載置するのみの載置手段を適用してもよい。
【0030】図2に示すウェーハ28のチャック位置に
位置されているチャック32は、ウェーハ28が搬送さ
れてくるまえに、その吸着面がクリーナ装置72によっ
て洗浄される。クリーナ装置72は、レール74にスラ
イド移動自在に設けられ、前記吸着面を洗浄する際に、
レール74に沿って移動されチャック32上に位置され
る。クリーナ装置72は除去部材76を有し、この除去
部材76がチャック32の吸着面に当接されて吸着面に
付着したスラッジ等のゴミを除去する。除去部材76
は、チャック32の吸着面がセラミックス等の焼結体か
らなるポーラス材の場合には、そのポーラス材が用いら
れている。
【0031】チャック32に吸着保持されたウェーハ2
8は、図6に示す一対の測定ゲージ78、80によって
その厚みが測定される。これらの測定ゲージ78、80
は、それぞれ接触子82、84を有し、接触後82はウ
ェーハ28の上面(裏面)に、接触子84はチャック3
2の上面に接触される。これらの測定ゲージ78、80
は、チャック32の上面を基準点としてウェーハ28の
厚みをインプロセスゲージ読取値の差として検出するこ
とができる。
【0032】厚みが測定されたウェーハ28は、インデ
ックステーブル34の図1、図2上矢印A方向の90度
の回動で粗研削ステージ18に位置され、粗研削ステー
ジ18のカップ型砥石58によってウェーハ28の裏面
が粗研削される。このカップ型砥石58は図1に示すよ
うに、モータ86の図示しない出力軸に連結され、ま
た、モータ86のサポート用ケーシング88を介して砥
石送り装置90に取り付けられている。砥石送り装置9
0は、カップ型砥石58をモータ86とともに昇降移動
させるもので、この下降移動によりカップ型砥石58が
ウェーハ28の裏面に押し付けられる。これにより、ウ
ェーハ28の裏面粗研削が行われる。カップ型砥石58
の下降移動量は、即ち、カップ型砥石58による研削量
は、予め登録されているカップ型砥石58の基準位置
と、前記測定ゲージ78、80(図6参照)で検出され
たウェーハ28の厚みとに基づいて設定される。
【0033】粗研削ステージ18で裏面が粗研削された
ウェーハ28は、ウェーハ28からカップ型砥石58が
退避移動した後、図6に示した同一構造の厚み測定ゲー
ジによってその厚みが測定される。厚みが測定されたウ
ェーハ28は、インデックステーブル34の同方向の9
0度の回動で精研削ステージ20に位置され、精研削ス
テージ20のカップ型砥石60によって精研削、スパー
クアウトされる。この精研削ステージ20の構造は、粗
研削ステージ18の構造と同一なので、ここではその説
明を省略する。なお、本実施の形態では、研削ステージ
を2か所設けたが、研削ステージは1か所でもよい。ま
た、前記測定ゲージによる厚み測定は、インラインで実
施してもよい。
【0034】精研削ステージ20で裏面が精研削された
ウェーハ28は、ウェーハ28からカップ型砥石60が
退避移動した後、図6に示した同一構造の厚み測定ゲー
ジによってその厚みが測定される。厚みが測定されたウ
ェーハ28は、インデックステーブル34の同方向の9
0度の回動でエッチングステージ22に位置されてエッ
チングされ、その裏面に生じている加工変質層が除去さ
れる。なお、前記測定ゲージによる厚み測定は、インラ
インで実施してもよい。
【0035】平面加工装置10におけるウェーハの厚み
の管理について、図7を参照して説明すると、まず、粗
研削前に初期ウェーハの厚みを測定し(S100)、こ
の厚みに基づいて粗研削での加工量を設定し、粗研削ス
テージ18にて粗研削する(S110)。次に、粗研削
終了したウェーハの厚みを測定し(S120)、この厚
みに基づいて精研削での加工量を設定し、精研削ステー
ジ20にて精研削(仕上げ研削)する(S130)。次
いで、精研削終了したウェーハの厚みを測定し、この厚
み、エッチング条件、及び最終厚みに基づいてエッチン
グ時間を設定し(S140)、エッチングステージ22
にてエッチングする(S150)。以上が平面加工装置
10におけるウェーハ28の厚み管理の流れである。
【0036】このようなウェーハの厚み管理において、
精研削ステージ20での加工量は、標準偏差の2倍で計
算した、粗研削加工による加工変質層の除去に必要な量
以上、標準偏差の6倍で計算した、粗研削加工時の厚さ
のバラツキと加工変質層の除去に必要な量、又は150
μmのうち大きい量以内に設定することが好ましい。こ
の量で精研削すると、稼働率を落とすことなく、粗研削
加工で生じた加工変質層を除去できることが判明した。
【0037】粗研削加工による加工変質層の除去に必要
な量を、標準偏差の2倍未満の値で計算した量に設定す
ると、加工変質層を確実に除去することができない場合
があり、一方、粗研削加工時の厚さのバラツキと加工変
質層の除去に必要な量を、標準偏差の6倍超で計算した
量、又は150μmのうちの大きい量を超えた値に設定
すると、加工時間が長くなり、稼働率が落ちることが判
明した。
【0038】また、エッチングステージ22での加工量
は、標準偏差の2倍で計算した、精研削加工による加工
変質層の除去に必要な量以上、標準偏差の6倍で計算し
た、精研削加工時の厚さのバラツキと加工変質層の除去
に必要な量、又は20μmのうち大きい量以内に設定す
ることが好ましい。この量でエッチングすると、稼働率
を落とすことなく、精研削加工で生じた加工変質層を除
去できることが判明した。
【0039】精研削加工による加工変質層の除去に必要
な量を、標準偏差の2倍未満の値で計算した量に設定す
ると、加工変質層を確実に除去することができない欠点
があり、一方、精研削加工時の厚さのバラツキと加工変
質層の除去に必要な量を、標準偏差の6倍超で計算した
量、又は20μmのうちの大きい量を超えた値に設定す
ると、加工時間が長くなり、稼働率が落ちるからであ
る。
【0040】一例をあげて説明すると、φ200mmで
初期厚みが725μmのウェーハを50μmの厚みに加
工する場合、この時の粗研削速度を図8の如く、225
(μm/sec)に設定し、精研削速度を65(μm/
sec)に設定し、エッチング速度を6(μm/se
c)に設定し、粗研削加工量510μm、精研削加工量
150μm、エッチング加工量14.9μmに設定すれ
ば、各加工時間(2.27〜2.48)が略等しくなる
ので、稼働率を落とすことなくウェーハ28を725μ
mから50μmの厚みに加工できる。この場合の例えば
エッチングの加工量は、精研削時の厚さのバラツキが標
準偏差で2.25μm、標準偏差の6倍で計算すると1
3.5μmであり、精研削時の加工変質層の深さは平均
値で0.7μm、それの標準偏差は0.11μmであっ
たので、6倍で計算すると0.66μmとなり、加工変
質層の最大値は1.36μmである。したがって、精研
削加工時の厚さのバラツキと加工変質層の除去に必要な
量は14.9μmとして設定できる。
【0041】しかしながら、上記のような計算で得られ
た加工時間では、厚さのバラツキと加工変質層を確実に
除去することができない場合がある。
【0042】そこで、本実施の形態では、精研削におけ
る加工量150μmと、前述した標準偏差の6倍で計算
した、粗研削加工時の厚さのバラツキと加工変質層の除
去に必要な量とを比較し、前者が大きい場合にはその加
工量150μmに設定し、後者が大きい場合には、後者
の量に加工量を設定する。これにより、精研削時におい
て、厚さのバラツキと加工変質層を確実に除去すること
ができる。
【0043】また、エッチングにおける加工量と、前述
した標準偏差の6倍で計算した、精研削加工時の厚さの
バラツキと加工変質層の除去に必要な量とを比較し、前
者が大きい場合には加工量を20μmに設定し、後者が
20μmよりも大きい場合には、後者の量に加工量を設
定する。これにより、エッチング時において、厚さのバ
ラツキと加工変質層を確実に除去することができる。
【0044】図1、図2に示すエッチングステージ22
のエッチング装置は、スピンナー式エッチング装置であ
り、その構成は図9の如く、エッチング槽25、及びエ
ッチング液92を供給するノズル94等から構成され
る。エッチング槽25は、インデックステーブル34の
上方に所定量離間して設けられ、エッチング槽25の所
定の位置にノズル94が取り付けられている。
【0045】エッチングステージ22に位置されたチャ
ック40は、インデックステーブル34に形成された開
口部46の段部48に載置され、また、モータ50の下
部には、シリンダ装置52のピストン54が連結されて
いる。ピストン54の収縮時には、ピストン54はチャ
ック40から退避した位置にあり、このピストン54が
伸長されると、スピンドル42が開口部46を通過し、
スピンドル52の上部に設けられた連結部材44がチャ
ック40の下部に形成された凹部56(図3参照)に嵌
入されて連結される。そして、チャック40は、ピスト
ン54の継続する伸長動作によって、インデックステー
ブル34から上昇移動され、エッチング槽25の底面9
6に形成された貫通孔98を通過して、エッチング槽2
5に収容される。
【0046】エッチングステージ22において、ウェー
ハ28はチャック40のポーラス材41に吸着された状
態で、モータ50によって所定の回転数で回転されなが
ら、ノズル94からその上面中央部にエッチング液92
が供給され、放射状に拡散されるエッチング液92によ
ってエッチングされる。ノズル94には、ポンプ100
を介してエッチング液タンク102が連結され、ポンプ
100が駆動されると、エッチング液タンク102に溜
められたエッチング液92がノズル94から供給され
る。
【0047】エッチング槽25の底面96は、ウェーハ
28から飛散したエッチング液92が貫通孔98から漏
れないように、外周部に向かうに従って下方に傾斜した
形状に形成されている。また、底面96の外周部には、
ドレンパイプ104が連結され、このドレンパイプ10
4からエッチング液が排出される。
【0048】なお、図9のエッチング装置は、エッチン
グ槽25に対してチャック40を非接触で回転させる装
置であるが、これに限定されるものではない。例えば、
図10に示すように、エッチング槽25の貫通孔98の
周縁部にシール部材106を取り付け、このシール部材
106のリップ部108をチャック40の外周面に接触
させたシール構造でチャック40を回転させてもよい。
これにより、貫通孔98からのエッチング液の漏れを確
実に防止できる。また、エッチング槽25の上部開口を
不図示の天板で閉塞しておくことが、エッチング液92
の飛散防止の点で好ましい。
【0049】ウェーハ28のエッチングが終了すると、
ピストン54が収縮動作され、これによってウェーハ2
8はチャック40に保持されたまま、チャック40がイ
ンデックステーブル34の段部48に載置された元の位
置に戻される。この後、インデックステーブル34の9
0度の回動によって、図2に示したチャック32の位置
にウェーハ28がチャック40に載置されたまま位置さ
れる。そして、ウェーハ28は、ロボット110のハン
ド112に吸着保持されて、ウェーハ表面(保護テー
プ)洗浄ステージ24に搬送される。
【0050】ウェーハ表面(保護テープ)洗浄ステージ
24は、ウェーハ28の表面の保護テープ面を洗浄する
回転ブラシ114を有している。この回転ブラシ114
で洗浄されたウェーハ28は、ロボット110のハンド
112に吸着保持されてスピン洗浄乾燥装置116に搬
送され、ここでスピン洗浄乾燥される。乾燥されたウェ
ーハ28は、ロボット110のハンド112に再度保持
されてカセット26の所定の棚に収納される。以上が本
実施の形態の平面加工装置10によるウェーハ28の加
工の流れである。
【0051】したがって、本実施の形態の平面加工装置
10によれば、ウェーハ28の粗研削ステージ18、及
び精研削ステージ20が搭載された平面加工装置本体1
2に、エッチングステージ22を搭載したので、ウェー
ハ28の研削、及びエッチングを同一の装置内で実施す
ることができる。よって、平面加工装置からエッチング
装置に、研削後のウェーハ28を搬送する必要がなくな
るので、粗研削ステージ18及び精研削ステージ20で
ウェーハ28を規格に近い厚みにまで研削することがで
きる。よって、スループットを向上させることができ
る。
【0052】また、平面加工装置10によれば、ウェー
ハ28をチャックで保持したままの状態で研削、及びエ
ッチングするので、ウェーハ28を破損させることなく
精度良く加工することができる。
【0053】更に、エッチングステージ22では、精研
削ステージ20で研削されたウェーハ28の裏面の加工
変質層をエッチングするので、精度の高いウェーハ28
を得ることができる。
【0054】また、チャック32、36、38、40を
4台設け、これらのチャック32、36、38、40を
粗研削位置→精研削位置→エッチング位置に順次移動さ
せることにより、粗研削、精研削、及びエッチングを同
時に実施可能としたので、1台のチャックでウェーハ2
8を粗研削、精研削、及びエッチングするよりも稼働率
が上がる。
【0055】なお、本実施の形態では、ワークとしてウ
ェーハを例示したが、これに限られるものではなく、平
面研削後、エッチングを行うことを要するワークであれ
ば、本発明の平面加工装置を適用することができる。
【0056】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る平面加
工装置によれば、ワークの研削手段が搭載された平面加
工装置にエッチング手段を搭載し、ワークの研削、及び
エッチングを同一の装置内で実施するようにしたので、
ワークを破損させることなくスループットを向上させる
ことができる。
【0057】また、本発明によれば、ワークを同一の保
持手段で保持したままの状態で研削、及びエッチングす
るので、ワークを損傷させることなくワークを精度良く
加工することができる。
【0058】更に、本発明によれば、研削手段で研削さ
れたワークの一方面の加工変質層をエッチング手段によ
ってエッチングするようにしたので、精度の高いウェー
ハを得ることができる。
【0059】また、本発明の平面加工方法によれば、精
研削手段は、標準偏差の2倍で計算した、粗研削加工に
よる加工変質層の除去に必要な量以上、標準偏差の6倍
で計算した、粗研削加工時の厚さのバラツキと加工変質
層の除去に必要な量、又は150μmのうち大きい量以
内でワークを精研削するので、稼働率を落とすことな
く、粗研削加工で生じた加工変質層を除去できる。ま
た、エッチング手段は、標準偏差の2倍で計算した、精
研削加工による加工変質層の除去に必要な量以上、標準
偏差の6倍で計算した、精研削加工時の厚さのバラツキ
と加工変質層の除去に必要な量、又は20μmのうち大
きい量以内でワークをエッチングするので、稼働率を落
とすことなく、精研削加工で生じた加工変質層を除去で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの平
面加工装置の全体斜視図
【図2】図1に示した平面加工装置の平面図
【図3】チャックとスピンドルとが連結部材によって分
離された説明図
【図4】チャックとスピンドルとが連結部材を介して連
結された説明図
【図5】冷凍チャック装置の構成図
【図6】ウェーハ厚み測定ケージの側面図
【図7】平面加工装置におけるウェーハの厚み管理を示
すフローチャート
【図8】粗研削、精研削、及びエッチングの加工速度、
加工量、及び加工時間を示した図
【図9】第1の実施の形態のエッチングステージの構造
を示す断面図
【図10】第2の実施の形態のエッチングステージの構
造を示す断面図
【符号の説明】
10…平面加工装置、12…本体、14…カセット収納
ステージ、16…アライメントステージ、18…粗研削
ステージ、20…精研削ステージ、22…エッチングス
テージ、25…エッチング槽、28…ウェーハ、92…
エッチング液、94…ノズル

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ワークを保持する保持手段と、該保持手
    段で保持されたワークを研削する砥石を有し該砥石でワ
    ークの一方面を研削加工する研削手段とを備えた平面加
    工装置において、 前記平面加工装置に、ワークをエッチングするエッチン
    グ手段が設けられていることを特徴とする平面加工装
    置。
  2. 【請求項2】 前記平面加工装置には、前記保持手段
    を、前記研削手段による研削位置と前記エッチング手段
    によるエッチング位置との間で移動させる移動手段が設
    けられ、前記保持手段で保持されたワークは、保持され
    たままの状態で研削、及びエッチングされることを特徴
    とする請求項1に記載の平面加工装置。
  3. 【請求項3】 前記エッチング手段は、前記研削手段で
    研削された前記ワークの一方面の加工変質層をエッチン
    グするか、又は加工変質層をエッチングするとともに前
    記ワークの厚さのバラツキの分をエッチングすることを
    特徴とする請求項1、又は2に記載の平面加工装置。
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