JP4808278B2 - 平面加工装置及び方法 - Google Patents
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更に、請求項8又は16記載の発明によれば、前記研削及び、又は研磨手段は、前加工で研削された半導体ウェーハの加工変質層を加工するか、又は該加工変質層を加工するとともに半導体ウェーハの厚さのバラツキの分を加工する。これにより、厚さ50μm以下の精度の高い極薄半導体ウェーハを得ることができる。
12 本体
14 カセット収納ステージ
16 アライメントステージ
18 粗研削ステージ
20 精研削ステージ
22 研磨ステージ
23 研磨布洗浄ステージ
24 ウェーハ洗浄ステージ
28 ウェーハ
32,36,38,40 チャック
150,190 エッチング装置
Claims (16)
- ウェーハを研削し、研削後の該ウェーハを続いて研磨する平面加工装置において、
ウェーハを保持する複数の隣接したウェーハ保持手段と、
ウェーハを研削する砥石を用いて研削加工液を供給しながらウェーハを研削加工する研削手段と、
ウェーハを研磨する研磨布を用いて、化学研磨剤を含む研磨加工液を供給しながらウェーハを研磨する研磨手段と、
該研削手段による研削位置と該研磨手段による研磨位置との間で、該ウェーハ保持手段を一体的に移動させる移動手段と、
隣接する前記ウェーハ保持手段との間を仕切る仕切板と、
前記研磨手段を覆うケーシングと、
前記仕切板が通過する、前記ケーシングの側面にあって、前記ウェーハ保持手段が加工位置に位置したときに、前記仕切板の側面に接触する隔離部材と、を有し、
前記ウェーハ保持手段が加工位置に位置すると、前記ケーシング、前記仕切板、前記接触する隔離部材によって、前記研磨手段が液密状態に保持されることで、前記研削手段の前記研削加工液が前記研磨手段に侵入すること、又は前記研磨手段の前記研磨加工液が前記研磨手段から飛散することを防止することができ、また
前記研磨手段は、該研削手段により研削されたウェーハを研磨して、前研削加工による加工変質層を取り除くことを特徴とする平面加工装置。 - 前記接触する隔離部材は、ブラシであることを特徴とする請求項1記載の平面加工装置。
- 前記ウェーハ保持手段は4台からなり90度間隔で同一円周上に配されており、
該ウェーハ保持手段を一体的に移動させる円盤状のインデックステーブルからなる移動手段と、
を有することを特徴とする請求項1又は2記載の平面加工装置。 - 前記ウェーハ保持手段が、前記ウェーハ保持手段を回転させるスピンドルに着脱自在に連結され、前記ウェーハ保持手段が移動する際にその連結部が切り離され、前記ウェーハ保持手段のみが移動することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の平面加工装置。
- ウエーハの厚みを測定する厚み測定手段が備えられており、研削加工前及び研削加工後のウエーハの厚みを測定し、その測定結果に基づいて前記研削手段及び前記研磨手段で各加工時間が略等しくなるように研削及び研磨されるようになっていることを特徴とする請求項1に記載の平面加工装置。
- 前記研磨手段の研磨ヘッドに取り付けられた研磨布を洗浄する洗浄手段、又は該研磨布の表面をドレスするドレッシング手段、或いは該洗浄手段と該ドレッシング手段とを更に備えていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の平面加工装置。
- 研磨前のウエーハの洗浄又は研磨後のチップ表面の有害な不純物、重金属、点欠陥等を除去するためのエッチング手段を更に備えていて、研磨前のウエーハ、又は研磨後のウエーハ、或いは研磨前及び研磨後のウエーハをエッチング処理することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の平面加工装置。
- 前記研磨手段が、前記厚み測定手段による測定結果に基づいた研磨量に従って、研削加工されたウエーハの加工変質層を加工するか、又は前記研削加工されたウエーハの厚さのバラツキ分を加工するとともに該加工変質層を加工し、厚さ50μm以下の極薄半導体ウエーハを製造することを特徴とする請求項5に記載の平面加工装置。
- ウェーハを研削し、研削後の該ウェーハを続いて研磨する平面加工方法において、
ウェーハを保持する複数の隣接したウェーハ保持手段と、
ウェーハを研削する砥石を用いて研削加工液を供給しながらウェーハを研削加工する研削手段と、
ウェーハを研磨する研磨布を用いて、化学研磨剤を含む研磨加工液を供給しながらウェーハを研磨加工する研磨手段と、
該研削手段による研削位置と該研磨手段による研磨位置との間で、該ウェーハ保持手段を一体的に移動させる移動手段と、
隣接する前記ウェーハ保持手段を仕切る仕切板と、
前記研磨手段を覆うケーシングと、
前記仕切板が通過する、前記ケーシングの側面にあって、前記ウェーハ保持手段が加工位置に位置したときに、前記仕切板の側面に接触する隔離部材と、を有し、
前記ケーシング、前記仕切板および前記接触する隔離部材によって、前記研磨手段が液密状態に保持されることで、前記研削手段の前記研削加工液が前記研磨手段に侵入すること、又は前記研磨手段の前記研磨加工液が前記研磨手段から飛散することを防止することができ、また
前記研削手段において研削加工したウェーハを、前記研磨手段に移動し液密状態に保持された前記研磨手段において、前記研削手段により研削されたウェーハを研磨し、前研削加工による加工変質層を取り除くことを特徴とする平面加工方法。 - 前記接触する隔離部材は、ブラシであることを特徴とする請求項9記載の平面加工方法。
- 前記ウェーハ保持手段は4台からなり90度間隔で同一円周上に配されており、
該ウェーハ保持手段を一体的に移動させる円盤状のインデックステーブルからなる移動手段と、
を有することを特徴とする請求項8又は9記載の平面加工方法。 - 前記ウェーハ保持手段が、前記ウェーハ保持手段を回転させるスピンドルに着脱自在に連結され、前記ウェーハ保持手段が移動する際にその連結部が切り離され、前記ウェーハ保持手段のみが移動することを特徴とする請求項9〜11のいずれか一項に記載の平面加工方法。
- ウエーハの厚みを測定する厚み測定手段が備えられており、研削加工前及び研削加工後のウエーハの厚みを測定し、その測定結果に基づいて前記研削手段及び前記研磨手段で各加工時間が略等しくなるように研削及び研磨されるようになっていることを特徴とする請求項9に記載の平面加工方法。
- 前記研磨手段の研磨ヘッドに取り付けられた研磨布を洗浄する洗浄手段、又は該研磨布の表面をドレスするドレッシング手段、或いは該洗浄手段と該ドレッシング手段とを更に備えていることを特徴とする請求項9〜13のいずれか一項に記載の平面加工方法。
- 研磨前のウエーハの洗浄又は研磨後のチップ表面の有害な不純物、重金属、点欠陥等を除去するためのエッチング手段を更に備えていて、研磨前のウエーハ、又は研磨後のウエーハ、或いは研磨前及び研磨後のウエーハをエッチング処理することを特徴とする請求項9〜14のいずれか一項に記載の平面加工方法。
- 前記研磨手段が、前記厚み測定手段による測定結果に基づいた研磨量に従って、研削加工されたウエーハの加工変質層を加工するか、又は前記研削加工されたウエーハの厚さのバラツキ分を加工するとともに該加工変質層を加工し、厚さ50μm以下の極薄半導体ウエーハを製造することを特徴とする請求項13に記載の平面加工方法。
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