JP3880102B2 - 研磨装置および研磨方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の試料を研磨する研磨装置および研磨方法、特に半導体素子製造工程においてクリーンな環境を汚染することなく使用することができる研磨装置および研磨方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば絶縁膜の平坦化工程や金属配線の形成工程などの一部の半導体素子製造工程において、ウエハの表面を研磨する処理が施されるようになってきている。
【0003】
このウエハの表面の研磨は、研磨パッドとウエハとの間に研磨スラリを供給しつつ、研磨パッドにウエハを押し当て、研磨パッドとウエハのいずれか一方または両方を回転させることにより行われる。
【0004】
このウエハの表面の研磨に用いられる研磨装置は、他の半導体製造装置とともにクリーンルーム等に配設される。そのため、装置内を流れる研磨スラリに含まれるカリウム(K)などの微粒子等が装置の外部に漏れ出し汚染物質となってクリーンルーム等の環境を汚染することのないように、装置が比較的密閉された構造となっており、しかも装置内の雰囲気が装置外部に漏れ出さないように設計されている。
【0005】
図6は、従来の研磨装置の模式的縦断面図である。装置は、前面に通気孔46を有する以外、壁18により密閉されている。装置の上部には装置内17の雰囲気を強制排気するための排気口43が設けられ、装置の前室13の上部には空気供給口39および清浄空気供給装置42が設けられいる。前室13は装置の外部19とビニール製のカーテン16で仕切られている。
【0006】
この装置では、清浄空気供給装置42により空気供給口39から前室13に清浄な空気を供給しつつ、排気口43から装置内17の雰囲気を強制排気することにより、装置の外部19につながる前室13から装置内17への空気の流れを形成する。この空気の流れにより、装置内17の雰囲気が装置の外部19に漏れ出さないようになっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従来の研磨装置では、装置内の雰囲気を強制排気して、装置内を装置の外部に対して負圧にすることで、装置内の雰囲気が装置の外部に漏れ出さないようにしている。
【0008】
しかしながら、この研磨装置には次のような問題があった。
【0009】
装置内が減圧されるので、装置内の研磨スラリの水分が気化しやすい。そのため、研磨スラリ中の粒子が凝集しやすくなってしまう。研磨スラリはシリカ(SiO2)などの微小な粒子(砥粒)を水酸化カリウム(KOH)などの水溶液に懸濁させたものである。懸濁状態では粒子径が0.1μm以下であるが、乾燥してくるとこれらの砥粒が凝集し、1μm以上の大きさの粉末になる。そのため、砥粒が凝集すると、凝集物が研磨パッド上に付着し、研磨の際にウエハの表面にスクラッチ(ひっかき疵)を生じさせるおそれが大きくなる。
【0010】
また、砥粒の凝集を防止するには、装置内の雰囲気を高湿度に管理することが好ましいが、装置内を排気しているため、高湿度に管理することが難しい。
【0011】
また、清浄な空気であっても装置内へ空気を引き込むとき、その空気が装置の壁面や周囲に付着あるいは堆積している塵をまき上げて装置内へ引き入れてしまうおそれがあった。この塵が研磨パッド上に付着すると、砥粒の凝集物と同様、ウエハの表面にスクラッチを生じさせる。
【0012】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、クリーンな環境で使用してもその環境を汚染することなく、研磨スラリの乾燥により凝集した砥粒および外部から装置内へ引き込まれる塵に起因する試料表面のスクラッチの発生が少ない研磨装置および研磨方法を提供することを目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の研磨装置は、通気孔を有し、研磨室を囲む第1壁と、該第1壁の外側に配置してあり該第1壁との間に分離室を形成し、該分離室により前記研磨室と装置外部とを分離するための、前記第1壁を包囲する第2壁と、前記研磨室に開口した空気供給口と、前記分離室に開口した排気口とを有することを特徴とする。
た、本発明の研磨装置は、前記空気供給口を通じて研磨室の内部に空気供給を行う空気供給装置を有することを特徴とする。
また、本発明は、前期空気供給装置はフィルタで浄化した空気を供給するようにしてあることを特徴とする。
さらに、本発明は、前記分離室と装置外部とを連通する外部通気孔を前記第2壁に設けてあることを特徴とする。
【0014】
本発明は、前記分離室の内部に研磨後の試料を保管する載置台を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記研磨室を加湿するように、蒸気発生器、霧発生器、又は純水を霧状に噴射するノズルのいずれか1つを有することを特徴とする。
さらに、本発明は、研磨室に設けたプールと、該プールに純水を供給する純水供給管と、前記プールの純水を排出する排出管とを有することを特徴とする。
さらに、また、本発明は、前記純水供給管は、前記第1壁の研磨室側の壁面をつたわせて前記プールに純水を供給するようにしてあることを特徴とする。
【0015】
本発明の研磨方法は、前記研磨装置を用いた研磨方法であって、研磨室に空気を供給しつつ分離室を強制排気して、分離室内を研磨室及び第2壁の外側より負圧にした状態で、研磨室において試料を研磨することを特徴とする。
また、本発明の研磨方法は、前記研磨装置を用いた研磨方法であって、前記空気供給装置で研磨室に空気を供給しつつ分離室の排気口から強制排気を行って、分離室内を研磨室及び第2壁の外側より負圧にした状態で、研磨室において試料を研磨することを特徴とする。
さらに、本発明の研磨方法は、前記研磨装置を用いた研磨方法であって、研磨室への空気の供給及び前記外部通気孔を通じて装置外部から分離室への空気の供給を行いながら分離室を強制排気して、分離室内を研磨室及び第2壁の外側より負圧にした状態で、研磨室において試料を研磨することを特徴とする。
さらに、また、本発明の研磨方法は、前記研磨装置は、請求項乃至請求項のいずれか1つに記載の研磨装置であり、加湿して研磨室内の研磨スラリの乾燥を防いだ状態で試料を研磨することを特徴とする。
【0016】
なお、研磨室には清浄な空気を供給することが好ましく、この清浄な空気とは、フィルタを通して微粒子(パーティクル)が十分に取り除かれた空気のことをいう。
【0017】
本発明の研磨装置は、研磨室を囲む第1壁およびその外側の第2壁との間に分離室を備えており、試料を研磨する際には、清浄な空気を研磨室に供給しつつ、分離室を強制排気する。したがって、研磨室を減圧しなくても、装置内(分離室)を装置外部(第2壁の外側)に対して負圧に保持することができる。その結果、従来の装置内の研磨部の乾燥の問題を抑制し、試料にスクラッチを生じさせるおそれを低減できる。また、研磨室を減圧しなくても良いので、研磨室を加湿して高い湿度に保持することができる。
【0018】
また、空気供給装置を設けると共に分離室の排気口より強制排気することにより、研磨室から分離室への空気の流れと装置の外部から分離室へ空気の流れを形成し、装置の外部から研磨室への空気の流れをなくすことができる。その結果、装置内へ空気を引き込むときに塵を巻き込み、この塵が研磨パッドに付着し、試料にスクラッチを生じさせるおそれも低減することができる。
【0019】
第2壁にも分離室と装置外部とを連通する(外部)通気孔を設けることにより、装置の外部から分離室へ空気の流れを定常的につくり出すことができる。
【0020】
さらに、例えば水蒸気発生器や霧発生器のような研磨室を加湿する手段を備えることにより、研磨室を高湿度に保持することにより、乾燥による研磨スラリの砥粒の凝集を抑え、スクラッチの発生をより低減することができる。なお、湿度は100%に近い状態が好ましい。
【0021】
また、本発明の研磨装置は、第1壁を仕切りにして第2壁により形成した研磨室及び分離室を備えて、分離室内を他の箇所より負圧にするので、上記装置と同様に、試料にスクラッチを生じさせるおそれを低減でき、さらに研磨室を加湿する手段を備えることで、一段とスクラッチの発生を低減できる。
【0022】
本発明の研磨方法によれば、上述したように、乾燥による研磨スラリの砥粒の凝集の発生を抑制し、また外部から研磨室へ引き込まれる塵を低減できるので、試料表面にスクラッチを生じさせることなく、試料を研磨することができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
本発明の研磨装置および研磨方法について図面に基づき説明する。
【0024】
図1は、本発明の研磨装置の第1の例を示す模式図であって、(a)は装置内の模式的配置図であって、(b)は装置の模式的縦断面図である。
【0025】
この装置は、シリコンウエハS(以下ウエハSと呼ぶ)に研磨を施す研磨室11を囲む第1壁14とその外側に第2壁15を備えている。第1壁14と第2壁15の間に分離室12が設けられており、この分離室12により、研磨室11と装置外部19とが分離される。なお、研磨処理が施されるウエハSが挿入されたカセット61が置かれる前室13は、装置外部19からカーテン16のみで仕切られた領域であり、装置外部19と同じ雰囲気であるため、前室13は装置外部19に含めるものとする。
【0026】
研磨室11には、研磨パッド31、研磨スラリ供給管32、スラリ排出溝33、ウエハ吸着部35を有するウエハ保持ロボット34、上下に可動なウエハ載置台27、28などが設けられている。
【0027】
分離室12には、ウエハ搬送ロボット23、24、研磨後のウエハSを水中で保管するための水槽29と複数のウエハが載置可能で上下に可動なウエハ載置台30などが設けられている。
【0028】
前室13には、上下に可動なカセット載置台20が設けられている。
【0029】
第2壁15には、分離室12へのウエハの搬入および搬出口となるゲート21、22が設けられている。第1壁14には、研磨室11へのウエハの搬入および搬出口となるゲート25、26が設けられている。
【0030】
研磨室11の上部には空気供給口39および清浄空気供給装置41が設けられ、また分離室12の上部には雰囲気を強制排気するための排気口43が設けられている。また、前室13には、処理前のウエハ上に微粒子(パーティクル)が付着することを防ぐため、空気供給口40および清浄空気供給装置42が設けられている。第1壁14の側壁には複数の通気孔45が、第2壁15の側壁には同じく複数の通気孔46が設けられている。なお、清浄空気供給装置41、42は、例えばヘパフィルタやウルトラフィルタにより、空気を清浄化するものである。
【0031】
次に、この研磨装置を用いた研磨方法の1例について説明する。
【0032】
(1)装置内に清浄な空気の流れを形成する。
【0033】
清浄空気供給装置41により空気供給口39から研磨室11に、清浄空気供給装置42により空気供給口40から前室13に清浄な空気を供給し、分離室12から空気を強制排気して、研磨室11、前室13および装置外部19に対して分離室12を負圧に保持する。
【0034】
こうすることにより、空気供給口39から研磨室11を経て分離室12から排気される清浄な空気の流れと、前室13または装置外部19から分離室12に入り排気口43から排気される清浄な空気の流れを形成する。
【0035】
(2)ウエハSに研磨を施す。
【0036】
▲1▼カーテン16を持ち上げ、ウエハSが挿入されたカセット61をカセット載置台20に載置する。
【0037】
▲2▼ゲート21が開き、ウエハ搬送ロボット23によりウエハSが分離室12内に搬送される。
【0038】
▲3▼ゲート21が閉じ、ゲート25が開き、ウエハ搬送ロボット23によりウエハSが研磨室11内のウエハ載置台27上に載置される。
【0039】
▲4▼ウエハ保持ロボット34により、その吸着部35にウエハSが吸着され、研磨スラリが供給されつつ回転する研磨パッド31にウエハSが押し当てられ、ウエハSの表面が研磨される。
【0040】
▲5▼ウエハ保持ロボット34により、研磨されたウエハSがウエハ載置台28上に載置される。
【0041】
▲6▼ゲート26が開き、ウエハ搬送ロボット24によりウエハSが分離室12内の水槽29内のウエハ載置台30に搬送され、純水中で保管される。
【0042】
▲7▼カセット61内の複数枚のウエハSに対して上記▲2▼から▲6▼の処理を繰り返す。
【0043】
▲8▼ウエハSが所定枚数処理されると、ゲート22が開き、水槽29内のウエハ載置台30に保持されていた複数枚のウエハSが、ゲート22から洗浄装置(図示せず)に搬送され、ウエハSに洗浄処理が施される。
【0044】
このとき、研磨室11を減圧せずに、前室13および装置外部19から装置内(分離室12)への空気の流れを形成するので、研磨室11の減圧に起因する乾燥を抑制でき、研磨スラリの砥粒が凝集することを抑制できる。
【0045】
また、装置の外部19から研磨室11への空気の流れをほとんどなくすことができるので、装置内へ空気を引き込むときに巻き込まれる塵が研磨室11まで入る割合を低減することができる。
【0046】
すなわち、この研磨方法によれば、研磨スラリの乾燥による砥粒の凝集の発生を抑制し、また外部から研磨室へ引き込まれる塵を低減できるので、ウエハ表面にスクラッチを生じさせることなく、ウエハSを研磨することができる。
【0047】
また、研磨室11を直接排気しないので、清浄空気供給装置41から供給する空気を管理することにより研磨室11の湿度に容易に管理することができる。
【0048】
なお、研磨室11と装置外部19の圧力に関しては、その大小関係は問わないが、研磨室11の雰囲気の外部への漏洩を考えると研磨室11の圧力が装置外部19の圧力に比べて低くなるようにした方が好ましい。
【0049】
また、研磨パッド交換などのメンテナンスの際には、清浄空気供給装置41を止め、排気口43から強制排気しつつ、研磨室11の側面にあって第1壁14および第2壁15にそれぞれ設けられた扉(図示せず)を開き、作業すれば良い。こうすることにより、メンテナンスの際に研磨室11の雰囲気が装置外部19へ漏出することを防ぐことができる。
【0050】
図2は、本発明の研磨装置の第2の例を示す模式的縦断面図である。
【0051】
この研磨装置には、蒸気発生器47が設けられており、研磨室11に純水の蒸気を供給できる構成になっている。こうすることにより、研磨室11内を高湿度に保ち、研磨室11内の研磨スラリの乾燥を防ぐことができる。なお、研磨室11の高湿度の雰囲気は、分離室12において排気口43から強制排気されるため、装置外部19には漏れ出さない。
【0052】
なお、蒸気発生器の代わりに霧発生器を用いても、同様の効果が得られる。
【0053】
図3は、本発明の研磨装置の第3の例を示す模式的縦断面図である。
【0054】
この研磨装置には、研磨室11内に純水を霧状に噴射するノズル48が設けられている。常時もしくは間欠的に霧状の純水を研磨室11内に噴射することにより、図2に示す研磨装置と同じく、研磨室11内を高湿度に保ち、研磨室11内の研磨スラリの乾燥を防ぐことができる。
【0055】
図4は、本発明の研磨装置の第4の例を示す模式図であって、(a)は装置内の模式的配置図であって、(b)は装置の模式的縦断面図である。
【0056】
この研磨装置には、研磨室11に純水のプール50が設けられている。純水供給管49から供給された水は純水のプール50を流れ、排出管51から排出される。排出管51から排出される水量と純水供給管49から供給される水量を調整し、プール50の水面位置を一定に保持するようになっている。
【0057】
このプール50に純水を常時または間欠的に供給することにより、研磨室11内の湿度を高めに保つことができる。また、研磨室11内で発生した塵や砥粒の凝集物をこのプール50で受けて排出することにより、これらが研磨室11内に堆積し、それが再び塵となって研磨パッドに付着することをさらに低減することができる。
【0058】
なお、このプール50は研磨室11のみならず分離室12に設けても良い。
【0059】
また、このプール50への純水の供給は第1壁14の内壁をつたわせて供給しても良く、この場合はさらに第1壁14への塵や砥粒の凝集物の付着を抑えることができる。
【0060】
図5は、本発明の研磨装置の第5の例を示す模式図であって、(a)は装置内の模式的配置図であって、(b)は装置の模式的縦断面図である。
【0061】
この研磨装置は、研磨室11へのウエハSの搬出入を行う側にのみ第1壁14によって仕切られた分離室12が設けられている。第2壁15のうち研磨室11と装置の外部19が直接対面している部分は気密に構成されている。
【0062】
研磨パッド交換などのメンテナンスの際には、清浄空気供給装置41を止め、開閉バルブ53を開き、排気口52から研磨室11の雰囲気を強制排気しつつ、研磨室11の側面の第2壁15に設けられた扉(図示せず)を開き、作業すれば良い。こうすることにより、メンテナンスの際に研磨室11の雰囲気が装置外部19へ漏出することを防ぐことができる。
【0063】
【発明の効果】
本発明の研磨装置および研磨方法によれば、クリーンな環境で使用してもその環境を汚染することなく、また研磨スラリの乾燥により凝集した砥粒および外部から装置内へ引き込まれる塵に起因する試料表面のスクラッチの発生を低減させることができる。即ち、分離室を研磨室よりも負圧に保持することで、研磨室を経て分離室から排気される空気の流れを形成でき、分離室を装置外部より負圧に保持することで、装置外部から分離室に入り排気口から排気される空気の流れを形成でき、研磨室内の乾燥も抑制できる。
さらに、研磨室から分離室へ空気を流すことで、研磨室の減圧を不要にでき研磨室の湿度を維持して研磨スラリの砥粒が凝集することを抑制でき、(外部)通気孔から分離室への空気の流れも形成することで、さらに上記効果を高めることができる。
さらに、また、研磨室を装置外部より負圧にすることで、研磨室の雰囲気が外部へ漏洩することの抑制を図ることに対して好適な状態を形成できる。
また、研磨室を加湿することで、研磨室内の乾燥を一段と抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の研磨装置の第1の例を示す模式図であって、(a)は装置内の模式的配置図であって、(b)は装置の模式的縦断面図である。
【図2】本発明の研磨装置の第2の例を示す模式的縦断面図である。
【図3】本発明の研磨装置の第3の例を示す模式的縦断面図である。
【図4】本発明の研磨装置の第4の例を示す模式図であって、(a)は装置内の模式的配置図であって、(b)は装置の模式的縦断面図である。
【図5】本発明の研磨装置の第5の例を示す模式図であって、(a)は装置内の模式的配置図であって、(b)は装置の模式的縦断面図である。
【図6】従来の研磨装置を示す模式的縦断面図である。
【符号の説明】
S ウエハ
11 研磨室
12 分離室
13 前室(外部)
14 第1壁
15 第2壁
16 カーテン
17 装置内
18 壁
19 外部
20 カセット載置台
21 ゲート
22 ゲート
23 ウエハ搬送ロボット
24 ウエハ搬送ロボット
25 ゲート
26 ゲート
27 ウエハ載置台
28 ウエハ載置台
29 水槽
30 ウエハ載置台
31 研磨パッド
32 研磨スラリ供給管
33 研磨スラリ排出溝
34 ウエハ保持ロボット
35 ウエハ吸着部
39 空気供給口
40 空気供給口
41 清浄空気供給装置
42 清浄空気供給装置
43 排気口
44 排気口
45 通気孔
46 通気孔
47 蒸気発生器
48 ノズル
49 純水供給管
50 プール
51 排出管
52 排気口
53 開閉バルブ

Claims (12)

  1. 通気孔を有し、研磨室を囲む第1壁と、
    該第1壁の外側に配置してあり該第1壁との間に分離室を形成し、該分離室により前記研磨室と装置外部とを分離するための、前記第1壁を包囲する第2壁と、
    前記研磨室に開口した空気供給口と、
    前記分離室に開口した排気口とを有することを特徴とする研磨装置。
  2. 前記空気供給口を通じて研磨室の内部に空気供給を行う空気供給装置を有することを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
  3. 前記空気供給装置はフィルタで浄化した空気を供給するようにしてあることを特徴とする請求項に記載の研磨装置。
  4. 前記分離室と装置外部とを連通する外部通気孔を前記第2壁に設けてある請求項1乃至請求項のいずれか1つに記載の研磨装置。
  5. 前記分離室の内部に研磨後の試料を保管する載置台を有することを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれか1つに記載の研磨装置。
  6. 前記研磨室を加湿するように、蒸気発生器、霧発生器、又は純水を霧状に噴射するノズルのいずれか1つを有することを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれか1つに記載の研磨装置。
  7. 研磨室に設けたプールと、
    該プールに純水を供給する純水供給管と、
    前記プールの純水を排出する排出管とを有することを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれか1つに記載の研磨装置。
  8. 前記純水供給管は、前記第1壁の研磨室側の壁面をつたわせて前記プールに純水を供給するようにしてあることを特徴とする請求項に記載の研磨装置。
  9. 前記請求項1乃至請求項のいずれか1つに記載の研磨装置を用いた研磨方法であって、
    研磨室に空気を供給しつつ分離室を強制排気して、分離室内を研磨室及び第2壁の外側より負圧にした状態で、研磨室において試料を研磨することを特徴とする研磨方法。
  10. 前記請求項乃至請求項のいずれか1つに記載の研磨装置を用いた研磨方法であって、
    前記空気供給装置で研磨室に空気を供給しつつ分離室の排気口から強制排気を行って、分離室内を研磨室及び第2壁の外側より負圧にした状態で、研磨室において試料を研磨することを特徴とする研磨方法。
  11. 前記請求項乃至請求項のいずれか1つに記載の研磨装置を用いた研磨方法であって、
    研磨室への空気の供給及び前記外部通気孔を通じて装置外部から分離室への空気の供給を行いながら分離室を強制排気して、分離室内を研磨室及び第2壁の外側より負圧にした状態で、研磨室において試料を研磨することを特徴とする研磨方法。
  12. 前記研磨装置は、請求項乃至請求項のいずれか1つに記載の研磨装置であり、
    加湿して研磨室内の研磨スラリの乾燥を防いだ状態で試料を研磨することを特徴とする請求項乃至請求項11のいずれか1つに記載の研磨方法。
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RU2610991C2 (ru) * 2011-03-21 2017-02-17 ЛОРЕНС ЛИВЕРМОР НЭШНЛ СЕКЬЮРИТИ, ЭлЭлСи Способ и система конвергентного полирования
JP6308929B2 (ja) * 2014-11-25 2018-04-11 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 原子力発電所の換気空調設備
KR20200130545A (ko) * 2019-05-08 2020-11-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

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