JP2832184B2 - シリコン半導体デスクリート用ウエハの製造方法 - Google Patents
シリコン半導体デスクリート用ウエハの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスター、
ダイオード、サイリスター等のデスクリート（個別素
子）に用いられる、不純物拡散層と不純物未拡散層の２
層構造よりなるシリコン半導体デスクリート用ウエハの
製造方法に関する。
ダイオード、サイリスター等のデスクリート（個別素
子）に用いられる、不純物拡散層と不純物未拡散層の２
層構造よりなるシリコン半導体デスクリート用ウエハの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より実施されているデスクリート用
ウエハの製造方法は、所要の厚さのウエハ両面に不純物
による拡散層を所要の高温度、所要の雰囲気内で形成し
た後、ウエハの片面側より研削加工して一方の拡散層を
研削除去し、中央の未拡散層の露出面を最終仕上げ鏡面
研磨加工してなるものであり、また別法としては、最近
では原材料の使用量の低減を目的として、一連の加工工
程を考慮して従来の約２倍の厚さのウエハの両面に拡散
層を形成した後、ウエハの厚さの中央より切断し、切断
両側を研削加工し、最終仕上げ鏡面研磨加工してなるも
のもある。切断加工は内周刃式切断装置により、ウエハ
を１枚づつ供給・切断・回収する枚葉式、または多数枚
ウエハを重ねて接着した積層体から順次切断し、あるい
はワイヤーソウ等で積層体を多数枚同時に切断する方法
がある。また最終仕上げ鏡面研磨加工は、まずウエハお
よびガラスプレートを洗浄し、次いで真空で加熱、加圧
してワックスによりウエハをガラスプレートに貼り付け
た後、超微粒子研磨剤を用い研磨布に加圧し研磨し、次
いでウエハをガラスプレートより剥がし、ウエハ上に残
存するワックスを溶剤洗浄で除去することにより行われ
る。
ウエハの製造方法は、所要の厚さのウエハ両面に不純物
による拡散層を所要の高温度、所要の雰囲気内で形成し
た後、ウエハの片面側より研削加工して一方の拡散層を
研削除去し、中央の未拡散層の露出面を最終仕上げ鏡面
研磨加工してなるものであり、また別法としては、最近
では原材料の使用量の低減を目的として、一連の加工工
程を考慮して従来の約２倍の厚さのウエハの両面に拡散
層を形成した後、ウエハの厚さの中央より切断し、切断
両側を研削加工し、最終仕上げ鏡面研磨加工してなるも
のもある。切断加工は内周刃式切断装置により、ウエハ
を１枚づつ供給・切断・回収する枚葉式、または多数枚
ウエハを重ねて接着した積層体から順次切断し、あるい
はワイヤーソウ等で積層体を多数枚同時に切断する方法
がある。また最終仕上げ鏡面研磨加工は、まずウエハお
よびガラスプレートを洗浄し、次いで真空で加熱、加圧
してワックスによりウエハをガラスプレートに貼り付け
た後、超微粒子研磨剤を用い研磨布に加圧し研磨し、次
いでウエハをガラスプレートより剥がし、ウエハ上に残
存するワックスを溶剤洗浄で除去することにより行われ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】シリコン半導体ウエハ
の使用先を用途別に分けるとＩＣ用とデスクリート用に
大別できる。この時にウエハに求められる絶対厚さ及び
その精度について述べると、ＩＣ用ウエハはその作動域
がウエハの極表面に限られるため、その面の清浄度、平
坦度、面粗さ等は高集積化にともない益々重要である
が、ウエハの厚さ自体は本来強度を増す目的だけもので
直接特性に関与していないのに対し、デスクリート用ウ
エハは素子となった時にその特性はウエハ内部構造全体
より決定づけられ、特に不純物の未拡散層の厚さは素子
の基本特性を決定ずけるものであり、片側の不純物の拡
散層厚さが一定とすると不純物の未拡散層の厚さはウエ
ハの全厚さの問題であり、その全厚さが素子となったと
きの特性を決定づけるものであり、その点に関しＩＣ用
とは明らかに相違している。従って、素子となった時の
特性の均一化のためデスクリート用ウエハについては厚
さ精度の向上（目標とする厚さよりのズレ、ウエハ面内
のテーパ）がますます厳しく要求されており、この点に
ついては上記の従来のデスクリート用ウエハの製造方法
では十分対応できなくなっている。
の使用先を用途別に分けるとＩＣ用とデスクリート用に
大別できる。この時にウエハに求められる絶対厚さ及び
その精度について述べると、ＩＣ用ウエハはその作動域
がウエハの極表面に限られるため、その面の清浄度、平
坦度、面粗さ等は高集積化にともない益々重要である
が、ウエハの厚さ自体は本来強度を増す目的だけもので
直接特性に関与していないのに対し、デスクリート用ウ
エハは素子となった時にその特性はウエハ内部構造全体
より決定づけられ、特に不純物の未拡散層の厚さは素子
の基本特性を決定ずけるものであり、片側の不純物の拡
散層厚さが一定とすると不純物の未拡散層の厚さはウエ
ハの全厚さの問題であり、その全厚さが素子となったと
きの特性を決定づけるものであり、その点に関しＩＣ用
とは明らかに相違している。従って、素子となった時の
特性の均一化のためデスクリート用ウエハについては厚
さ精度の向上（目標とする厚さよりのズレ、ウエハ面内
のテーパ）がますます厳しく要求されており、この点に
ついては上記の従来のデスクリート用ウエハの製造方法
では十分対応できなくなっている。
【０００４】その最大の理由は、最終仕上げ鏡面研磨加
工では、加工がウエハの片面のみに実施され、ウエハを
ガラスプレートにワックスで張り付けて行うが、デスク
リート用ウエハの仕上げ厚さは極端に薄く（ＩＣ用ウエ
ハの約半分の厚さ）、そのためウエハとガラスプレート
間のワックスの介在が、ウエハの厚さ、うねり又は異物
介在による凹み等品質に直接影響し、現状平面研削盤に
よる研削で非常に高精度に仕上げられた厚さ精度が最終
仕上げ鏡面研磨加工によりかえって低下してしまう。ま
た最終仕上げ鏡面研磨加工に関わる一連のプロセスは、
加工に長時間を要し製造コスト低減に関しても大きな障
壁となっている。本発明の目的はデスクリート用ウエハ
の厚さ精度の厳しい要求にも十分に対応できる仕上がり
精度を有し、コスト的にも有利なデスクリート用ウエハ
の製造方法を提供することにある。
工では、加工がウエハの片面のみに実施され、ウエハを
ガラスプレートにワックスで張り付けて行うが、デスク
リート用ウエハの仕上げ厚さは極端に薄く（ＩＣ用ウエ
ハの約半分の厚さ）、そのためウエハとガラスプレート
間のワックスの介在が、ウエハの厚さ、うねり又は異物
介在による凹み等品質に直接影響し、現状平面研削盤に
よる研削で非常に高精度に仕上げられた厚さ精度が最終
仕上げ鏡面研磨加工によりかえって低下してしまう。ま
た最終仕上げ鏡面研磨加工に関わる一連のプロセスは、
加工に長時間を要し製造コスト低減に関しても大きな障
壁となっている。本発明の目的はデスクリート用ウエハ
の厚さ精度の厳しい要求にも十分に対応できる仕上がり
精度を有し、コスト的にも有利なデスクリート用ウエハ
の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウエハの研削
加工後に従来のワックスを用いる仕上げ鏡面研磨加工に
代えて、研削加工後の良好なウエハの厚さ精度をそのま
ま維持できて生産性の良好なウエットエッチング加工を
導入し、上記の問題を解決したものである。即ち、本発
明の第１の発明はシリコン半導体ウエハの片側に不純物
拡散層を有し相対する反対側に不純物未拡散層を有する
２層構造よりなるシリコン半導体デスクリート用ウエハ
の製造方法において、シリコン半導体ウエハの両面に拡
散層を形成した拡散ウエハまたは拡散層上に酸化膜を形
成した拡散ウエハを、内周刃式切断装置でウエハの厚さ
の中央より２分割に切断し、切断両側を平面研削盤で所
要の厚さまで研削加工し、研削加工面を番手＃2000以上
＃6000以下の砥粒にて片面ラッピング加工し、その加工
面をウエットエッチング加工して仕上げることを要旨と
するものであり、また第２の発明はシリコン半導体ウエ
ハの片側に不純物の拡散層を有し相対する反対側に不純
物の未拡散層を有する２層構造よりなるシリコン半導体
デスクリート用ウエハの製造方法において、シリコン半
導体ウエハの両面に不純物の拡散層を形成した拡散ウエ
ハまたは拡散層表面に酸化膜を形成した拡散ウエハを、
内周刃式切断装置で枚葉式にウエハの厚さの中央より２
分割に切断し、切断両側を番手＃2000以上＃6000以下の
研削砥石にて研削加工し、研削加工面をウエットエッチ
ング加工して仕上げることを要旨とするものである。
加工後に従来のワックスを用いる仕上げ鏡面研磨加工に
代えて、研削加工後の良好なウエハの厚さ精度をそのま
ま維持できて生産性の良好なウエットエッチング加工を
導入し、上記の問題を解決したものである。即ち、本発
明の第１の発明はシリコン半導体ウエハの片側に不純物
拡散層を有し相対する反対側に不純物未拡散層を有する
２層構造よりなるシリコン半導体デスクリート用ウエハ
の製造方法において、シリコン半導体ウエハの両面に拡
散層を形成した拡散ウエハまたは拡散層上に酸化膜を形
成した拡散ウエハを、内周刃式切断装置でウエハの厚さ
の中央より２分割に切断し、切断両側を平面研削盤で所
要の厚さまで研削加工し、研削加工面を番手＃2000以上
＃6000以下の砥粒にて片面ラッピング加工し、その加工
面をウエットエッチング加工して仕上げることを要旨と
するものであり、また第２の発明はシリコン半導体ウエ
ハの片側に不純物の拡散層を有し相対する反対側に不純
物の未拡散層を有する２層構造よりなるシリコン半導体
デスクリート用ウエハの製造方法において、シリコン半
導体ウエハの両面に不純物の拡散層を形成した拡散ウエ
ハまたは拡散層表面に酸化膜を形成した拡散ウエハを、
内周刃式切断装置で枚葉式にウエハの厚さの中央より２
分割に切断し、切断両側を番手＃2000以上＃6000以下の
研削砥石にて研削加工し、研削加工面をウエットエッチ
ング加工して仕上げることを要旨とするものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の第１の発明は、拡散後ウ
エハを厚さの中央より２分割に切断する事を想定した所
要厚さのウエハの両面に拡散層を形成した拡散ウエハ
を、又はその拡散層上に更に酸化膜を形成しいわばウエ
ハ表面を酸化膜で被覆した状態の拡散ウエハを、ウエハ
の厚さの中央より内周刃式切断装置で２分割に切断し、
その切断両側を平面研削盤で所要の厚みまで研削加工し
その後、番手＃2000以上＃6000以下の砥粒にてラッピン
グ加工し前の研削工程での研削条痕及び研削時の加工歪
みを除去し、そのラッピング加工面をウエットエッチン
グ加工をして仕上げるものである。
エハを厚さの中央より２分割に切断する事を想定した所
要厚さのウエハの両面に拡散層を形成した拡散ウエハ
を、又はその拡散層上に更に酸化膜を形成しいわばウエ
ハ表面を酸化膜で被覆した状態の拡散ウエハを、ウエハ
の厚さの中央より内周刃式切断装置で２分割に切断し、
その切断両側を平面研削盤で所要の厚みまで研削加工し
その後、番手＃2000以上＃6000以下の砥粒にてラッピン
グ加工し前の研削工程での研削条痕及び研削時の加工歪
みを除去し、そのラッピング加工面をウエットエッチン
グ加工をして仕上げるものである。
【０００７】エッチング加工はエッチング液が直接ウエ
ハに接触する生産性の極めて良好なウエットエッチング
方式（以下単にエッチングと略記）である。尚、ここで
始発素材としてのウエハに酸化膜を形成しウエハ全体を
酸化膜で被覆した状態の拡散ウエハがあるが、本発明の
対象としているエッチング加工は本来片面（未拡散層
側）のみのエッチングが望ましくこの酸化膜をエッチン
グ作用に対する完全な保護膜面として利用するためのも
のである。当然このウエハはウエハの厚さの中央より２
分割に切断されるものの拡散層側の酸化膜により依然被
覆されており、このウエハを対象にエッチング液中でエ
ッチング加工する時には酸化膜の形成されていないラッ
ピング加工面のみエッチングされて酸化膜の形成された
拡散層面はエッチング加工されないので目的を達成する
ことができる。従って、酸化膜形成工程は必要になるも
ののウエハ片面のみエッチング加工できるためより厳し
い厚さ公差のデスクリート用ウエハの製造が可能であ
る。
ハに接触する生産性の極めて良好なウエットエッチング
方式（以下単にエッチングと略記）である。尚、ここで
始発素材としてのウエハに酸化膜を形成しウエハ全体を
酸化膜で被覆した状態の拡散ウエハがあるが、本発明の
対象としているエッチング加工は本来片面（未拡散層
側）のみのエッチングが望ましくこの酸化膜をエッチン
グ作用に対する完全な保護膜面として利用するためのも
のである。当然このウエハはウエハの厚さの中央より２
分割に切断されるものの拡散層側の酸化膜により依然被
覆されており、このウエハを対象にエッチング液中でエ
ッチング加工する時には酸化膜の形成されていないラッ
ピング加工面のみエッチングされて酸化膜の形成された
拡散層面はエッチング加工されないので目的を達成する
ことができる。従って、酸化膜形成工程は必要になるも
ののウエハ片面のみエッチング加工できるためより厳し
い厚さ公差のデスクリート用ウエハの製造が可能であ
る。
【０００８】ウエハの厚さの中央より内周刃式切断装置
で２分割の切断は、例えばウエハを積層体で切断する場
合は、一例としてウエハ100 枚を片面にワックスを塗布
し樋状浴槽に垂直に装置し高温加熱下でウエハ両端より
精度良く直角度を保ちながら加圧接着し、冷却後インゴ
ット状積層体を形成し（切断加工精度と切断時の切断抵
抗力による脱落回避の関係上、例えばウエハ100 枚を対
象にする）、インゴットよりウエハを切断する従来の内
周刃切断装置を用いて、先端の１枚より順次ウエハの厚
さの中央より切断して全ウエハを回収し、接着に用いた
ワックスを除去してウエハを作製する。
で２分割の切断は、例えばウエハを積層体で切断する場
合は、一例としてウエハ100 枚を片面にワックスを塗布
し樋状浴槽に垂直に装置し高温加熱下でウエハ両端より
精度良く直角度を保ちながら加圧接着し、冷却後インゴ
ット状積層体を形成し（切断加工精度と切断時の切断抵
抗力による脱落回避の関係上、例えばウエハ100 枚を対
象にする）、インゴットよりウエハを切断する従来の内
周刃切断装置を用いて、先端の１枚より順次ウエハの厚
さの中央より切断して全ウエハを回収し、接着に用いた
ワックスを除去してウエハを作製する。
【０００９】砥粒は番手＃2000以上＃6000以下とするこ
とが必要で、＃2000未満だとエッチング加工後良好な面
が得にくく、＃6000を超えるとエッチング加工面は良好
になっていくも研削に時間を要し生産性が急激に悪化す
る問題がある。ここで番手とは表示番手であり、実質粒
径は下記（１）式により略算が求められる。 実質粒径（mm）＝（25.4×0.58）／表示番手…（１） したがって本発明における番手＃2000以上＃6000以下の
ものの実質粒径は2.5〜7.4 ×10-3mmとなる。
とが必要で、＃2000未満だとエッチング加工後良好な面
が得にくく、＃6000を超えるとエッチング加工面は良好
になっていくも研削に時間を要し生産性が急激に悪化す
る問題がある。ここで番手とは表示番手であり、実質粒
径は下記（１）式により略算が求められる。 実質粒径（mm）＝（25.4×0.58）／表示番手…（１） したがって本発明における番手＃2000以上＃6000以下の
ものの実質粒径は2.5〜7.4 ×10-3mmとなる。
【００１０】図１に示す装置は本発明で用られるラッピ
ング加工装置の一例を示したものである。図中５は90度
毎に回転するポジショニングテーブルで、Ａポジション
は吸着盤２がウエハ１を複数枚吸着盤２に吸着保持する
ポジションで、ウエハ１はカセット収納部６よりローデ
ングアーム10によりウエハ待機ホルダー８に裁置された
後、吸着盤２が下降しウエハ１を保持して待機してい
る。Ｂ及びＣポジションはラッピングポジションで、ウ
エハ１は孔明けした金属盤のウエハ吸着盤２でウエハ片
面を真空吸着されイの方向に回転し、同方向のロの方向
に回転するするセラミックスプレート３を貼り付けた定
盤４に押しつけられ、セラミックスプレート３の上面に
供給される研磨剤スラリーによりラッピングされる。Ｂ
ポジショとＣポジションで同一の、番手＃2000以上＃60
00以下の砥粒を使用しスループットを向上させても、ま
たＢポジショで＃2000以上＃6000以下の内粒度の比較的
粗い砥粒を用いＣポジションでは比較的細かい砥粒によ
る２段ラッピング加工を行ってもよい。Ｄポジションは
ウエハ１の吸着保持を解放し例えばウエハカセットに収
納するポジションでウエハ１は吸着盤２より回収ホルダ
ー９に一旦保持し直された後にアンローデングアーム11
によりカセット収納部７のカセットに収納される。
ング加工装置の一例を示したものである。図中５は90度
毎に回転するポジショニングテーブルで、Ａポジション
は吸着盤２がウエハ１を複数枚吸着盤２に吸着保持する
ポジションで、ウエハ１はカセット収納部６よりローデ
ングアーム10によりウエハ待機ホルダー８に裁置された
後、吸着盤２が下降しウエハ１を保持して待機してい
る。Ｂ及びＣポジションはラッピングポジションで、ウ
エハ１は孔明けした金属盤のウエハ吸着盤２でウエハ片
面を真空吸着されイの方向に回転し、同方向のロの方向
に回転するするセラミックスプレート３を貼り付けた定
盤４に押しつけられ、セラミックスプレート３の上面に
供給される研磨剤スラリーによりラッピングされる。Ｂ
ポジショとＣポジションで同一の、番手＃2000以上＃60
00以下の砥粒を使用しスループットを向上させても、ま
たＢポジショで＃2000以上＃6000以下の内粒度の比較的
粗い砥粒を用いＣポジションでは比較的細かい砥粒によ
る２段ラッピング加工を行ってもよい。Ｄポジションは
ウエハ１の吸着保持を解放し例えばウエハカセットに収
納するポジションでウエハ１は吸着盤２より回収ホルダ
ー９に一旦保持し直された後にアンローデングアーム11
によりカセット収納部７のカセットに収納される。
【００１１】ウエットエッチング加工方法は、例えばウ
エハをドラム内に一定間隔で多数枚セットし、公知のエ
ッチング液（例えばフツ酸、硝酸、酢酸の混合液）に侵
漬し、回転させれば、酸化層のない拡散層厚さ及び未拡
散層の各面でエッチングされ、それぞれ所定の厚さのデ
スクリート用ウエハが得られる。
エハをドラム内に一定間隔で多数枚セットし、公知のエ
ッチング液（例えばフツ酸、硝酸、酢酸の混合液）に侵
漬し、回転させれば、酸化層のない拡散層厚さ及び未拡
散層の各面でエッチングされ、それぞれ所定の厚さのデ
スクリート用ウエハが得られる。
【００１２】本発明の作用は、第１に加工厚さ精度に関
して、本発明によりその前の工程の研削時の加工歪み及
び砥石の研削時の条痕跡を完全に除去することができ、
この時のラッピング加工代は次のエッチング加工代と合
わせても極めて浅く、このことは前の平面研削加工で厚
さ精度が極めて良好に仕上がっているウエハの精度を崩
さずにそのまま維持できるように作用し、従来の仕上げ
鏡面研磨加工に不可欠であったワックスによる貼り付け
を省略できるので貼り付け誤差及び異物介在による不良
を完全に回避でき厚さ精度の良好なデスクリート用基板
を製造することができる。また、酸化膜形成に関して、
片面エッチング阻止の目的に限って言えば、別な方法と
しては保護すべき片面へのワックス、レジストコート等
又は片面のエッチング装置の使用も可能であるが、前者
はその後のウエハのクリーン化が容易ではなく、又後者
はエッチング液の背面への回り込みと言う問題がある
が、本発明の酸化膜形成の手段は、通常のエッチング液
に対してシリコン半導体の溶解（反応）速度に比し極端
に小さく完全な保護膜として働くのみならず本発明の各
種加工工程での不純物に対する防護壁としての作用もあ
り、かつデスクリート用ウエハとなっての次の工程、例
えば高温での未拡散層側の新たな不純物拡散層の形成に
際し、形成済みの拡散層側よりの不純物の外方拡散を防
止し、目的としている拡散不純物に影響を与える作用
（オートドープ）を排除することができる。第２はデス
クリート用ウエハ製造に関しての大幅な生産性の向上で
ある。仕上げ加工における本発明と従来法の仕込バッチ
枚数を考慮したウエハ１枚当たりの生産性の比較を125
mmφウエハについて表１に示す。
して、本発明によりその前の工程の研削時の加工歪み及
び砥石の研削時の条痕跡を完全に除去することができ、
この時のラッピング加工代は次のエッチング加工代と合
わせても極めて浅く、このことは前の平面研削加工で厚
さ精度が極めて良好に仕上がっているウエハの精度を崩
さずにそのまま維持できるように作用し、従来の仕上げ
鏡面研磨加工に不可欠であったワックスによる貼り付け
を省略できるので貼り付け誤差及び異物介在による不良
を完全に回避でき厚さ精度の良好なデスクリート用基板
を製造することができる。また、酸化膜形成に関して、
片面エッチング阻止の目的に限って言えば、別な方法と
しては保護すべき片面へのワックス、レジストコート等
又は片面のエッチング装置の使用も可能であるが、前者
はその後のウエハのクリーン化が容易ではなく、又後者
はエッチング液の背面への回り込みと言う問題がある
が、本発明の酸化膜形成の手段は、通常のエッチング液
に対してシリコン半導体の溶解（反応）速度に比し極端
に小さく完全な保護膜として働くのみならず本発明の各
種加工工程での不純物に対する防護壁としての作用もあ
り、かつデスクリート用ウエハとなっての次の工程、例
えば高温での未拡散層側の新たな不純物拡散層の形成に
際し、形成済みの拡散層側よりの不純物の外方拡散を防
止し、目的としている拡散不純物に影響を与える作用
（オートドープ）を排除することができる。第２はデス
クリート用ウエハ製造に関しての大幅な生産性の向上で
ある。仕上げ加工における本発明と従来法の仕込バッチ
枚数を考慮したウエハ１枚当たりの生産性の比較を125
mmφウエハについて表１に示す。
【００１３】
【表１】 表１の１枚あたりの所要時間より従来法と本発明の生産
性を比較すると、 従来法：本発明＝１／0.8 ：１／0.102 ＝１：7.8 の上式で示す結果が得られ、仕上げ加工においては本発
明の生産性は従来法の7.8 倍に向上することがわかる。
性を比較すると、 従来法：本発明＝１／0.8 ：１／0.102 ＝１：7.8 の上式で示す結果が得られ、仕上げ加工においては本発
明の生産性は従来法の7.8 倍に向上することがわかる。
【００１４】次に本発明の第２の発明について説明す
る。ウエハ両面に不純物拡散された拡散ウエハを、ウエ
ハの厚さの中央より２分割に切断する方法には、内周
刃式切断装置によりウエハを１枚毎に切断し、回収する
枚葉式切断方法、内周刃式切断装置によりウエハ積層
体のウエハを順次切断しまとめて回収する方法、および
ウエハ積層体をワイヤーソウで積層体ウエハ全枚数を
対象に同時に切断する方法がある。それぞれの切断方式
について切断加工精度の観点から見ると、の方法は生
産性に関してはベストであるものの多数枚ウエハの各々
厚さ中央にワイヤ中心を各々一致させる手段が完全には
確立されておらず、切断加工精度に関しては十分でな
く、の方法は従来の切断装置をそのまま利用でき、簡
便さはあるが積層体の製作時のバラツキが切断加工精度
に影響するという問題があるのに対して、の方法の内
周刃切断装置で枚葉式に切断する方法は基準保持面にウ
エハを保持しその基準面に対し常に一定の工具位置で切
断できるため切断加工精度は３方法のなかで最も良い。
一例としての方法との方法について経験的に求めた
切断加工精度を厚さ（ウエハの中心１点及び周辺５点で
測定）バラツキを３σ（σは標準偏差）で示すと、加工
後枚数200 枚で、の方法（枚葉式）３σ≒25μm 、
の方法（積層体）３σ≒85μm となる。
る。ウエハ両面に不純物拡散された拡散ウエハを、ウエ
ハの厚さの中央より２分割に切断する方法には、内周
刃式切断装置によりウエハを１枚毎に切断し、回収する
枚葉式切断方法、内周刃式切断装置によりウエハ積層
体のウエハを順次切断しまとめて回収する方法、および
ウエハ積層体をワイヤーソウで積層体ウエハ全枚数を
対象に同時に切断する方法がある。それぞれの切断方式
について切断加工精度の観点から見ると、の方法は生
産性に関してはベストであるものの多数枚ウエハの各々
厚さ中央にワイヤ中心を各々一致させる手段が完全には
確立されておらず、切断加工精度に関しては十分でな
く、の方法は従来の切断装置をそのまま利用でき、簡
便さはあるが積層体の製作時のバラツキが切断加工精度
に影響するという問題があるのに対して、の方法の内
周刃切断装置で枚葉式に切断する方法は基準保持面にウ
エハを保持しその基準面に対し常に一定の工具位置で切
断できるため切断加工精度は３方法のなかで最も良い。
一例としての方法との方法について経験的に求めた
切断加工精度を厚さ（ウエハの中心１点及び周辺５点で
測定）バラツキを３σ（σは標準偏差）で示すと、加工
後枚数200 枚で、の方法（枚葉式）３σ≒25μm 、
の方法（積層体）３σ≒85μm となる。
【００１５】従ってウエハの切断を内周刃切断装置で枚
葉式に行い厚みバラツキを小さくすることにより、次工
程の研削加工の研削代設定を小さくでき、研削速度のよ
り低下する高番手砥石＃2000以上＃6000以下による研削
加工を可能にし、研削時の加工歪のより少ない、研削時
の研削条痕も極めて弱い、良好な加工面を得ることがで
き、次のエッチング加工においてエッチング加工代を増
大させるだけで加工歪や条痕を完全に消滅させることが
できる。またこの方法ではラッピング加工工程の省略に
より大幅なコスト低減を計ることができる。したがって
これはデスクリートの用途目的によっては有用な加工方
法である。研削砥石は番手＃2000以上＃6000以下のもの
とすることが必要で、＃2000未満だと加工歪み及び面粗
さが大きくエッチング加工後に目的としている良好な面
を得ることができないという問題があり、＃6000を超え
るとエッチング加工後の面は良好になっていくも高番手
砥石になるほど研削材粒径がより微細化し研削加工その
ものに時間を要し生産性が急激に低下するという問題が
ある。なおここで番手とは表示番手であり、実質粒径は
前記（１）式により略算求められる。
葉式に行い厚みバラツキを小さくすることにより、次工
程の研削加工の研削代設定を小さくでき、研削速度のよ
り低下する高番手砥石＃2000以上＃6000以下による研削
加工を可能にし、研削時の加工歪のより少ない、研削時
の研削条痕も極めて弱い、良好な加工面を得ることがで
き、次のエッチング加工においてエッチング加工代を増
大させるだけで加工歪や条痕を完全に消滅させることが
できる。またこの方法ではラッピング加工工程の省略に
より大幅なコスト低減を計ることができる。したがって
これはデスクリートの用途目的によっては有用な加工方
法である。研削砥石は番手＃2000以上＃6000以下のもの
とすることが必要で、＃2000未満だと加工歪み及び面粗
さが大きくエッチング加工後に目的としている良好な面
を得ることができないという問題があり、＃6000を超え
るとエッチング加工後の面は良好になっていくも高番手
砥石になるほど研削材粒径がより微細化し研削加工その
ものに時間を要し生産性が急激に低下するという問題が
ある。なおここで番手とは表示番手であり、実質粒径は
前記（１）式により略算求められる。
【００１６】本発明の第３の発明においては、砥石がよ
り高番手に成れば成る程、研削砥粒が小さくなって砥粒
の結合材（母材）よりの研削砥粒の突出高さが減少し研
削加工時の砥石の目詰まり及び砥粒の突出部の摩滅が甚
だしく、より頻繁なドレッシング即ち、目詰まりの除去
及び砥粒の突出高さの確保（目立て）が必要とされる。
本発明は研削作業中に断続若しくは連続的に研削砥石刃
面に研削水（重量比にして0.01〜0.05％程度のシリコン
半導体切り粉含む）に意識的に空気を混合し、水滴流と
して研削砥石刃面に噴射しドレッシングを行う手段より
成る。尚、研削水流量及び空気の混合量等の条件は砥石
の時間当たりの摩耗量が既知でありそれに見合う時間当
たりの砥石刃面からの除去量を得るように設定する。
又、研削水を回収して使用するのは中に含まれる微細な
シリコン粉は有用なものとして活用でき、かつ経済的で
ある。
り高番手に成れば成る程、研削砥粒が小さくなって砥粒
の結合材（母材）よりの研削砥粒の突出高さが減少し研
削加工時の砥石の目詰まり及び砥粒の突出部の摩滅が甚
だしく、より頻繁なドレッシング即ち、目詰まりの除去
及び砥粒の突出高さの確保（目立て）が必要とされる。
本発明は研削作業中に断続若しくは連続的に研削砥石刃
面に研削水（重量比にして0.01〜0.05％程度のシリコン
半導体切り粉含む）に意識的に空気を混合し、水滴流と
して研削砥石刃面に噴射しドレッシングを行う手段より
成る。尚、研削水流量及び空気の混合量等の条件は砥石
の時間当たりの摩耗量が既知でありそれに見合う時間当
たりの砥石刃面からの除去量を得るように設定する。
又、研削水を回収して使用するのは中に含まれる微細な
シリコン粉は有用なものとして活用でき、かつ経済的で
ある。
【００１７】ドレッシング用装置を備えた平面研削盤の
一例を図２に示す。図において、研削加工されるウエハ
１は真空チャック12により真空保持され回転するワーク
テーブル13内に自転できる機構を備えて組み込まれてい
る。ウエハ１は回転軸16により高速で回転する回転砥石
15の砥石刃面14で研削加工される。17は研削水を回収す
る為の排水口で、回収された研削水は大きなシリコンか
けら等を沈降分離しポンプ吐出圧が例えば17kg/cm2によ
りシリコン粉を含んだまま導入管20を通して、砥石刃面
14に砥石半径方向厚さをカバーできるように扇形に噴射
できる噴射孔を有する先端噴射金具18を通して噴射す
る。この時導入管20の噴射孔金具18の手前には隘路部
（通過断面積が噴射孔面積より小さい部分）が存在し、
研削水が流動する限りポンプ圧に左右されず常に大気圧
以下に保たれるのでフィルター21から空気導入管19及び
空気流量調節バルブを通じて容易に空気を巻き込み、噴
射される水流を微細な水滴群の流れにして噴射すること
ができる。又このようにする事により本来微細水滴にす
るのに必要な一定以上の距離（噴射孔と砥石刃面の距離
Ｈ）を小さくして狙い箇所を正確に定められる。
一例を図２に示す。図において、研削加工されるウエハ
１は真空チャック12により真空保持され回転するワーク
テーブル13内に自転できる機構を備えて組み込まれてい
る。ウエハ１は回転軸16により高速で回転する回転砥石
15の砥石刃面14で研削加工される。17は研削水を回収す
る為の排水口で、回収された研削水は大きなシリコンか
けら等を沈降分離しポンプ吐出圧が例えば17kg/cm2によ
りシリコン粉を含んだまま導入管20を通して、砥石刃面
14に砥石半径方向厚さをカバーできるように扇形に噴射
できる噴射孔を有する先端噴射金具18を通して噴射す
る。この時導入管20の噴射孔金具18の手前には隘路部
（通過断面積が噴射孔面積より小さい部分）が存在し、
研削水が流動する限りポンプ圧に左右されず常に大気圧
以下に保たれるのでフィルター21から空気導入管19及び
空気流量調節バルブを通じて容易に空気を巻き込み、噴
射される水流を微細な水滴群の流れにして噴射すること
ができる。又このようにする事により本来微細水滴にす
るのに必要な一定以上の距離（噴射孔と砥石刃面の距離
Ｈ）を小さくして狙い箇所を正確に定められる。
【００１８】本発明の第２発明に関わる作用は２分割の
切断方式として実証的に最も加工精度の良い枚葉式切断
方法を採用し次の研削工程の研削代を最小化し、一般的
により高番手規格の砥石（より細かい研削砥粒使用の砥
石）に成る程その研削速度は急激に減少し加工時間は増
大するところを前記の研削代の最小化により相殺する、
即ち生産性を無視することなくより高番手の砥石（研削
砥粒＃2000以上＃6000以下）の使用を可能にし、その結
果それら砥石による研削面状態は、研削加工歪みは少な
く（例えば＜１μm ）又研削時の砥石回転による条痕
（箇定砥粒の研削跡）は極めて軽く、良好な加工面を得
ることができる。よって、エッチング加工で、その加工
代を増加させるのみで加工歪みと研削時条痕を除去する
ことができ、加工面の面粗さを（うねりを含む）重要視
しないデスクリート用ウエハ即ちデスクリートには第１
発明におけるラッピング加工を省略でき、生産性を大幅
に向上させることができる。
切断方式として実証的に最も加工精度の良い枚葉式切断
方法を採用し次の研削工程の研削代を最小化し、一般的
により高番手規格の砥石（より細かい研削砥粒使用の砥
石）に成る程その研削速度は急激に減少し加工時間は増
大するところを前記の研削代の最小化により相殺する、
即ち生産性を無視することなくより高番手の砥石（研削
砥粒＃2000以上＃6000以下）の使用を可能にし、その結
果それら砥石による研削面状態は、研削加工歪みは少な
く（例えば＜１μm ）又研削時の砥石回転による条痕
（箇定砥粒の研削跡）は極めて軽く、良好な加工面を得
ることができる。よって、エッチング加工で、その加工
代を増加させるのみで加工歪みと研削時条痕を除去する
ことができ、加工面の面粗さを（うねりを含む）重要視
しないデスクリート用ウエハ即ちデスクリートには第１
発明におけるラッピング加工を省略でき、生産性を大幅
に向上させることができる。
【００１９】また第３発明は、第２発明が使用の対象と
している高番手の砥石は研削砥粒の突出高がより少ない
ため目詰まりが甚だしく、手作業で運転を休止してのド
レッシングの頻度が増加し使用し難いという現状に鑑み
なされた新規のドレッシング方法である。その方法は研
削時に使用される研削水を回収し（回収水はシリコンの
研削時の極めて微細な切り粉を含むが）、その研削水を
ノズルより研削砥石の刃面に噴射してドレッシングする
ものであるがその時にノズル先端近くに設けられた空気
取り入れ口より空気を取り入れその導入された空気と研
削水を混合し、研削水の噴流を細かな水滴群の噴流とし
回転している砥石刃面に噴射する。空気の取り入れはノ
ズル先端手前に設けた隘路部に空気導入管をつなぎこの
隘路部では水圧の如何を問わずに常に大気圧以下になる
様に作用するので空気の導入が容易である。又、上記回
収水中シリコン粉は含まれているが重量的に極めて少量
でシリコン粉による効果は薄くむしろ回収水再利用によ
るコスト面の配慮である。この時砥石刃面に加えられる
外力は水滴群の水滴一粒毎による打撃力であり砥石が回
転していることと合わせて考慮すれば極めて短時間内で
も数多く繰り返される繰り返し荷重と言え、このことは
砥石刃面のシリコン粉の目詰まりの除去はもとより、設
定条件により研削砥粒の結合材（母材）を疲労破壊によ
り表面より破砕するようになる。従ってより微細な水滴
よりなる噴流とすることで効果的に、即ちより少ない噴
射量で（より小さい噴射圧で）研削砥粒の母材より突出
高さを一定に維持できるため従来の手作業によるドレッ
シング（目詰まり除去及び目立て）を代替できる。この
理由として、高速噴流を物体に噴射しその物体表面の除
去量（削られる量）を計測すると、噴流速度としてはノ
ズル先端直後で最高速で物体に与える作用力も最大であ
るはずであるが、実測値としては、先端近くではほとん
ど除去できず、先端より距離を増す毎に一定距離迄はそ
の除去量を直線的に増加させその後一定となった後減少
していくという現象があり、このことは高速噴流はノズ
ル先端より距離を増すほど空気との摩擦により一定距離
迄はより細分化（水滴化）され、水滴個々の打撃力は弱
まるものの応力振幅と疲労寿命の関係を示すS-N 曲線に
おいて物体が明確な疲労限度を示さない砥石母材のよう
な場合は繰り返し荷重の繰り返し数の増加により疲労破
壊がより進行すると考えられる。
している高番手の砥石は研削砥粒の突出高がより少ない
ため目詰まりが甚だしく、手作業で運転を休止してのド
レッシングの頻度が増加し使用し難いという現状に鑑み
なされた新規のドレッシング方法である。その方法は研
削時に使用される研削水を回収し（回収水はシリコンの
研削時の極めて微細な切り粉を含むが）、その研削水を
ノズルより研削砥石の刃面に噴射してドレッシングする
ものであるがその時にノズル先端近くに設けられた空気
取り入れ口より空気を取り入れその導入された空気と研
削水を混合し、研削水の噴流を細かな水滴群の噴流とし
回転している砥石刃面に噴射する。空気の取り入れはノ
ズル先端手前に設けた隘路部に空気導入管をつなぎこの
隘路部では水圧の如何を問わずに常に大気圧以下になる
様に作用するので空気の導入が容易である。又、上記回
収水中シリコン粉は含まれているが重量的に極めて少量
でシリコン粉による効果は薄くむしろ回収水再利用によ
るコスト面の配慮である。この時砥石刃面に加えられる
外力は水滴群の水滴一粒毎による打撃力であり砥石が回
転していることと合わせて考慮すれば極めて短時間内で
も数多く繰り返される繰り返し荷重と言え、このことは
砥石刃面のシリコン粉の目詰まりの除去はもとより、設
定条件により研削砥粒の結合材（母材）を疲労破壊によ
り表面より破砕するようになる。従ってより微細な水滴
よりなる噴流とすることで効果的に、即ちより少ない噴
射量で（より小さい噴射圧で）研削砥粒の母材より突出
高さを一定に維持できるため従来の手作業によるドレッ
シング（目詰まり除去及び目立て）を代替できる。この
理由として、高速噴流を物体に噴射しその物体表面の除
去量（削られる量）を計測すると、噴流速度としてはノ
ズル先端直後で最高速で物体に与える作用力も最大であ
るはずであるが、実測値としては、先端近くではほとん
ど除去できず、先端より距離を増す毎に一定距離迄はそ
の除去量を直線的に増加させその後一定となった後減少
していくという現象があり、このことは高速噴流はノズ
ル先端より距離を増すほど空気との摩擦により一定距離
迄はより細分化（水滴化）され、水滴個々の打撃力は弱
まるものの応力振幅と疲労寿命の関係を示すS-N 曲線に
おいて物体が明確な疲労限度を示さない砥石母材のよう
な場合は繰り返し荷重の繰り返し数の増加により疲労破
壊がより進行すると考えられる。
【００２０】
実施例１ 仕上がり製品が未拡散層100 μm と拡散層150 μm より
なる厚さ250 μm のデスクリート用ウエハを製造する場
合において、内周刃式切断装置でウエハの厚さの中央よ
り２分割に切断され、最終的に両表面より合わせて８μ
m エッチングされるデスクリート用ウエハを前提に考え
て、厚さ1100μm のウエハに両面より154 μm の拡散層
を形成し、このウエハ100 枚にワックスを塗布し樋状浴
槽に垂直に設置し高温加熱下でウエハ両端より精度良く
直角度を保ちながら加圧接着し、冷却してインゴット状
の積層体を形成した（切断加工精度と切断時の切断抵抗
力による脱落回避の関係上より本実施例はウエハ100 枚
を対象にする）。その後この積層体より内周刃切断装置
を用いて先端の１枚より順次ウエハの厚さの中央よりで
切断していきウエハを最終的に200 枚回収し、接着に利
用したワックスを溶剤により除去した。なお切断加工目
標厚さは刃厚さが330 μm のとき385 μm となる。次に
切断されたウエハの切断面側を２軸平面研削盤で第１軸
は番手＃400の砥石で研削し続いて第２軸で番手＃2000
の砥石で研削加工した。研削加工目標厚さは260 μm と
した。次に図１に示すラッピング加工装置によりウエハ
を１枚づつ真空吸着し＃3000の砥粒を介し、回転する定
盤に貼り付けられたセラミクスボードに加圧しラッピン
グ加工した。前の研削時の加工歪みは＜１μm 以内と推
測でき目標ラッピング代は２μm である。ラッピング加
工目標厚さを258 μm とした。次いでウエハをドラム内
に一定間隔で多数枚セットしエッチング液｛フツ酸（50
重量％）、硝酸（70重量％）、酢酸（99重量％）が体積
比で１：４：２液｝に侵漬し、回転し、拡散層厚さ及び
未拡散層の厚さはエッチング速度と同等とすると（拡散
層面側は通常不純物が高濃度にドープされており未拡散
層側とはエッチング速度が微妙に異なる）各々の面は４
μm づつエッチングされ不純物拡散層150 μm 非拡散層
100 μm で合わせて目標厚さ250 μm のデスクリート用
ウエハが得られた。実際に作製された200 枚のデスクリ
ート用ウエハの平均厚みは250.3 μm で、バラツキ３σ
は4.35であった。
なる厚さ250 μm のデスクリート用ウエハを製造する場
合において、内周刃式切断装置でウエハの厚さの中央よ
り２分割に切断され、最終的に両表面より合わせて８μ
m エッチングされるデスクリート用ウエハを前提に考え
て、厚さ1100μm のウエハに両面より154 μm の拡散層
を形成し、このウエハ100 枚にワックスを塗布し樋状浴
槽に垂直に設置し高温加熱下でウエハ両端より精度良く
直角度を保ちながら加圧接着し、冷却してインゴット状
の積層体を形成した（切断加工精度と切断時の切断抵抗
力による脱落回避の関係上より本実施例はウエハ100 枚
を対象にする）。その後この積層体より内周刃切断装置
を用いて先端の１枚より順次ウエハの厚さの中央よりで
切断していきウエハを最終的に200 枚回収し、接着に利
用したワックスを溶剤により除去した。なお切断加工目
標厚さは刃厚さが330 μm のとき385 μm となる。次に
切断されたウエハの切断面側を２軸平面研削盤で第１軸
は番手＃400の砥石で研削し続いて第２軸で番手＃2000
の砥石で研削加工した。研削加工目標厚さは260 μm と
した。次に図１に示すラッピング加工装置によりウエハ
を１枚づつ真空吸着し＃3000の砥粒を介し、回転する定
盤に貼り付けられたセラミクスボードに加圧しラッピン
グ加工した。前の研削時の加工歪みは＜１μm 以内と推
測でき目標ラッピング代は２μm である。ラッピング加
工目標厚さを258 μm とした。次いでウエハをドラム内
に一定間隔で多数枚セットしエッチング液｛フツ酸（50
重量％）、硝酸（70重量％）、酢酸（99重量％）が体積
比で１：４：２液｝に侵漬し、回転し、拡散層厚さ及び
未拡散層の厚さはエッチング速度と同等とすると（拡散
層面側は通常不純物が高濃度にドープされており未拡散
層側とはエッチング速度が微妙に異なる）各々の面は４
μm づつエッチングされ不純物拡散層150 μm 非拡散層
100 μm で合わせて目標厚さ250 μm のデスクリート用
ウエハが得られた。実際に作製された200 枚のデスクリ
ート用ウエハの平均厚みは250.3 μm で、バラツキ３σ
は4.35であった。
【００２１】比較例１ 仕上がり製品が未拡散層100 μm と拡散層150 μm より
なる厚さ250 μm のデスクリート基板を製造する場合に
おいて、厚さ445 μm のウエハに両面より150μm の拡
散層を形成し、片面より研削加工にて目標厚さは258 μ
m まで研削し、片面の拡散層を完全に除去したうえ、未
拡散層の一部を除去し、ついで最終仕上げ加工として常
法により、ウエハをワックスを用いガラスプレートに貼
りつけ研削面を目標厚さ250 μm まで、鏡面研磨加工を
行った。実際に作製された200 枚のデスクリート用ウエ
ハの平均厚みは250.8 μm でバラツキ３σは7.08であっ
た。
なる厚さ250 μm のデスクリート基板を製造する場合に
おいて、厚さ445 μm のウエハに両面より150μm の拡
散層を形成し、片面より研削加工にて目標厚さは258 μ
m まで研削し、片面の拡散層を完全に除去したうえ、未
拡散層の一部を除去し、ついで最終仕上げ加工として常
法により、ウエハをワックスを用いガラスプレートに貼
りつけ研削面を目標厚さ250 μm まで、鏡面研磨加工を
行った。実際に作製された200 枚のデスクリート用ウエ
ハの平均厚みは250.8 μm でバラツキ３σは7.08であっ
た。
【００２２】比較例２ 仕上がり製品が未拡散層100 μm と拡散層150 μm より
なる厚さ250 μm のデスクリート基板を製造する場合に
おいて、厚さ1100μm のウエハに両面より150μm の拡
散層を形成し、このウエハ100 枚にワックスを塗布し、
実施例１と同様に積層体を形成した。その後この積層体
より内周刃切断装置を用いて先端の１枚より順次ウエハ
の厚さの中央より切断していきウエハを最終的に200 枚
回収し、接着に利用したワックスを溶剤により除去し
た。なお切断加工目標厚さは刃厚さが330 μm のとき38
5 μm となる。次に切断されたウエハの切断面側を２軸
平面研削盤で第１軸は番手＃400 の砥石で研削し続いて
第２軸で番手＃2000の砥石で研削加工した。研削加工目
標厚さは258 μm とする。ついで最終仕上げ加工として
常法により、ウエハをワックスを用いガラスプレートに
貼りつけ鏡面研磨加工を行った。実際に作製された200
枚のデスクリート用ウエハの平均厚みは250.6 μm でバ
ラツキ３σは6.55であった。
なる厚さ250 μm のデスクリート基板を製造する場合に
おいて、厚さ1100μm のウエハに両面より150μm の拡
散層を形成し、このウエハ100 枚にワックスを塗布し、
実施例１と同様に積層体を形成した。その後この積層体
より内周刃切断装置を用いて先端の１枚より順次ウエハ
の厚さの中央より切断していきウエハを最終的に200 枚
回収し、接着に利用したワックスを溶剤により除去し
た。なお切断加工目標厚さは刃厚さが330 μm のとき38
5 μm となる。次に切断されたウエハの切断面側を２軸
平面研削盤で第１軸は番手＃400 の砥石で研削し続いて
第２軸で番手＃2000の砥石で研削加工した。研削加工目
標厚さは258 μm とする。ついで最終仕上げ加工として
常法により、ウエハをワックスを用いガラスプレートに
貼りつけ鏡面研磨加工を行った。実際に作製された200
枚のデスクリート用ウエハの平均厚みは250.6 μm でバ
ラツキ３σは6.55であった。
【００２３】実施例２ 厚み1100μm ウエハを始発素材として仕上がり製品が未
拡散層100 μm と拡散層150 μm よりなる厚さ250 μm
のデスクリート用ウエハを製造する場合、両面より150
μm の拡散層が形成され更にその表面に1.7 μm の酸化
膜が形成されている（以下酸化膜は無視して記載）始発
素材を用意し、始発素材のウエハ100 枚を実施例１と同
様に積層体とし、内周刃式スライサーで順次先端の一枚
より厚さの中央より、切断加工目標厚さ385 μm で200
枚切断し、ウエハを研削加工目標厚さ256 μm で実施例
１と同様に、研削加工し、ラッピング加工目標厚さ 25
4μm でラッピング加工し、エッチング加工した。但し
ラッピング加工上がりのウエハ厚さは254 μm であり、
このウエハをエッチング液中の回転するドラム内で目標
厚さ250 μm までエッチング加工したが、この時エッチ
ングは拡散層側の酸化膜を0.35μm ほどエッチングする
のみで拡散層までは至らず一方ラッピング加工面のみ４
μm エッチングが進行した。従って仕上がり厚さは150
μm の拡散層とその外側の1.35μm の酸化膜と100 μm
の未拡散層を有するデスクリート用ウエハが得られた。
尚、最終的に残存している1.35μm の酸化膜は次の工程
のオートドープ防止に十分な厚さである。実際に作製さ
れた200 枚のデスクリート用ウエハの平均厚さは250.7
μm で、バラツキ３σは3.73であった。
拡散層100 μm と拡散層150 μm よりなる厚さ250 μm
のデスクリート用ウエハを製造する場合、両面より150
μm の拡散層が形成され更にその表面に1.7 μm の酸化
膜が形成されている（以下酸化膜は無視して記載）始発
素材を用意し、始発素材のウエハ100 枚を実施例１と同
様に積層体とし、内周刃式スライサーで順次先端の一枚
より厚さの中央より、切断加工目標厚さ385 μm で200
枚切断し、ウエハを研削加工目標厚さ256 μm で実施例
１と同様に、研削加工し、ラッピング加工目標厚さ 25
4μm でラッピング加工し、エッチング加工した。但し
ラッピング加工上がりのウエハ厚さは254 μm であり、
このウエハをエッチング液中の回転するドラム内で目標
厚さ250 μm までエッチング加工したが、この時エッチ
ングは拡散層側の酸化膜を0.35μm ほどエッチングする
のみで拡散層までは至らず一方ラッピング加工面のみ４
μm エッチングが進行した。従って仕上がり厚さは150
μm の拡散層とその外側の1.35μm の酸化膜と100 μm
の未拡散層を有するデスクリート用ウエハが得られた。
尚、最終的に残存している1.35μm の酸化膜は次の工程
のオートドープ防止に十分な厚さである。実際に作製さ
れた200 枚のデスクリート用ウエハの平均厚さは250.7
μm で、バラツキ３σは3.73であった。
【００２４】実施例３ 厚さ980 μm のウエハを始発素材として仕上がり製品が
未拡散層100 μm と拡散層150 μm よりなる厚さ250 μ
m のデスクリート用ウエハを製造する場合、始発素材ウ
エハの両面に150 μm の拡散層を形成しさらにその上に
1.7 μm の酸化膜を形成した。このウエハを内周刃式切
断装置で枚葉式に１枚づつ厚さの中央より２分割に切断
し回収しこれをくり返し（目標厚さは酸化膜の厚さを除
き325 μm ）200 枚の切断ウエハを得、次に図２に示す
ドレッシング用装置を備えた平面研削盤で第１軸で＃80
0 の砥石で研削し、続いて第２軸で研削砥粒＃4000の砥
石で研削加工した（目標厚みは酸化膜厚さ除き265 μm
）。ついで、このウエハを実施例１と同様のエッチン
グ液でウエハ片面を15μm エッチングした。なおこのと
きウエハは未拡散層のみエッチングが15μm 進行し拡散
層側はエッチング加工が進行せず、1.7 μm の酸化膜厚
さが1.3 μm に減少するのみであった。従って150 μm
の拡散層上に1.3 μm の酸化膜を有して反対側の未拡散
層は100 μm で厚さが合計（酸化膜厚さを除き）250 μ
m のウエハを製造することができた。なおこの時エッチ
ング加工代が実施例１、２に比較して多少深めになるの
はエッチング前の研削加工は＃4000の砥石によるもので
研削加工歪みは極端に少ないが（＜0.5 μm ）、その研
削時の砥石による条痕が残存しており、それをエッチン
グ代の増大により完全に消滅させるためである。また平
面研削盤を使用の際、高番手の砥石を用いたにもかかわ
らず目詰りを起こさなかった。実際に作製された200 枚
のデスクリート用ウエハの平均厚さは250.3 μm で、バ
ラツキ３σは2.82であった。
未拡散層100 μm と拡散層150 μm よりなる厚さ250 μ
m のデスクリート用ウエハを製造する場合、始発素材ウ
エハの両面に150 μm の拡散層を形成しさらにその上に
1.7 μm の酸化膜を形成した。このウエハを内周刃式切
断装置で枚葉式に１枚づつ厚さの中央より２分割に切断
し回収しこれをくり返し（目標厚さは酸化膜の厚さを除
き325 μm ）200 枚の切断ウエハを得、次に図２に示す
ドレッシング用装置を備えた平面研削盤で第１軸で＃80
0 の砥石で研削し、続いて第２軸で研削砥粒＃4000の砥
石で研削加工した（目標厚みは酸化膜厚さ除き265 μm
）。ついで、このウエハを実施例１と同様のエッチン
グ液でウエハ片面を15μm エッチングした。なおこのと
きウエハは未拡散層のみエッチングが15μm 進行し拡散
層側はエッチング加工が進行せず、1.7 μm の酸化膜厚
さが1.3 μm に減少するのみであった。従って150 μm
の拡散層上に1.3 μm の酸化膜を有して反対側の未拡散
層は100 μm で厚さが合計（酸化膜厚さを除き）250 μ
m のウエハを製造することができた。なおこの時エッチ
ング加工代が実施例１、２に比較して多少深めになるの
はエッチング前の研削加工は＃4000の砥石によるもので
研削加工歪みは極端に少ないが（＜0.5 μm ）、その研
削時の砥石による条痕が残存しており、それをエッチン
グ代の増大により完全に消滅させるためである。また平
面研削盤を使用の際、高番手の砥石を用いたにもかかわ
らず目詰りを起こさなかった。実際に作製された200 枚
のデスクリート用ウエハの平均厚さは250.3 μm で、バ
ラツキ３σは2.82であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明の第１発明により仕上がり精度の
よいウエハが製造でき、かつ仕上げ研磨工程を生産性の
良いエッチング方式の採用によりコストが低減でき、ま
た第２発明によりエッチング加工前のラッピング加工を
省略でき大幅なコスト低減が図れ、第３発明のドレッシ
ング装置により研削装置の稼動率が上がり生産性を著し
く向上させることができた。
よいウエハが製造でき、かつ仕上げ研磨工程を生産性の
良いエッチング方式の採用によりコストが低減でき、ま
た第２発明によりエッチング加工前のラッピング加工を
省略でき大幅なコスト低減が図れ、第３発明のドレッシ
ング装置により研削装置の稼動率が上がり生産性を著し
く向上させることができた。
【図１】本発明で用られるラッピング加工装置の（ａ）
平面図、（ｂ）縦断面図の一例を示した図。
平面図、（ｂ）縦断面図の一例を示した図。
【図２】本発明で用いられるドレッシング用装置を備え
た平面研削盤の縦断面図を示した図。
た平面研削盤の縦断面図を示した図。
１…ウエハ ２…吸着盤 ３…セラミックスプレート ４…定盤 ５…ポジショニングテーブル ６、７…カセット収納部 ８…ウエハ待機ホルダー ９…回収ホルダー 10、11…ローデングアーム 12…真空チャック 13…ワークテーブル 14…砥石刃面 15…回転砥石 16…回転軸 17…排水口 18…先端噴射金具 19…空気導入管 20…回収水導入管 21…フィルター
Claims (3)
- 【請求項１】シリコン半導体ウエハの片側に不純物の拡
散層を有し相対する反対側に不純物の未拡散層を有する
２層構造よりなるシリコン半導体デスクリート用ウエハ
の製造方法において、シリコン半導体ウエハの両面に不
純物の拡散層を形成した拡散ウエハまたは拡散層表面に
酸化膜を形成した拡散ウエハを、内周刃式切断装置でウ
エハの厚さの中央より２分割に切断し、切断両側を平面
研削盤により所要の厚さまで研削加工し、研削加工面を
番手＃2000以上＃6000以下の砥粒にてラッピング加工
し、その加工面をウエットエッチング加工して仕上げる
ことを特徴とするシリコン半導体デスクリート用ウエハ
の製造方法。 - 【請求項２】シリコン半導体ウエハの片側に不純物の拡
散層を有し相対する反対側に不純物の未拡散層を有する
２層構造よりなるシリコン半導体デスクリート用ウエハ
の製造方法において、シリコン半導体ウエハの両面に不
純物の拡散層を形成した拡散ウエハまたは拡散層表面に
酸化膜を形成した拡散ウエハを、内周刃式切断装置で枚
葉式にウエハの厚さの中央より２分割に切断し、切断両
側を番手＃2000以上＃6000以下の研削砥石にて研削加工
し、研削加工面をウエットエッチング加工して仕上げる
ことを特徴とするシリコン半導体デスクリート用ウエハ
の製造方法。 - 【請求項３】番手＃2000以上＃6000以下の研削砥石によ
るシリコン半導体ウエハの研削加工において、シリコン
半導体切り粉を含む回収した研削水に空気を混合し、研
削中の砥石刃面に微細な水滴群として噴射して砥石刃面
のドレッシングを行う請求項２に記載のシリコン半導体
デスクリート用ウエハの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8209469A JP2832184B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | シリコン半導体デスクリート用ウエハの製造方法 |
| TW086107999A TW328149B (en) | 1996-08-08 | 1997-06-11 | Manufacturing method of wafer for silicon semiconductor discrete element |
| KR1019970027065A KR100246498B1 (ko) | 1996-08-08 | 1997-06-25 | 실리콘 반도체 디스크리드용 웨이퍼의 제조방법 |
| EP97112407A EP0823308B1 (en) | 1996-08-08 | 1997-07-19 | Method for fabricating silicon semiconductor discrete wafer |
| DE69707219T DE69707219T2 (de) | 1996-08-08 | 1997-07-19 | Verfahren zum Herstellen von Silizium-Halbleiter Einzelsubstrat |
| US08/898,550 US6066562A (en) | 1996-08-08 | 1997-07-22 | Method for fabricating silicon semiconductor discrete wafer |
| US09/442,462 US6332833B1 (en) | 1996-08-08 | 1999-11-18 | Method for fabricating silicon semiconductor discrete wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8209469A JP2832184B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | シリコン半導体デスクリート用ウエハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055988A JPH1055988A (ja) | 1998-02-24 |
| JP2832184B2 true JP2832184B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=16573386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8209469A Expired - Lifetime JP2832184B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | シリコン半導体デスクリート用ウエハの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6066562A (ja) |
| EP (1) | EP0823308B1 (ja) |
| JP (1) | JP2832184B2 (ja) |
| KR (1) | KR100246498B1 (ja) |
| DE (1) | DE69707219T2 (ja) |
| TW (1) | TW328149B (ja) |
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| JP2888294B1 (ja) * | 1998-03-26 | 1999-05-10 | 直江津電子工業株式会社 | デスクリート用基板の製造方法 |
| JP2000094307A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-04 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
| US6547651B1 (en) * | 1999-11-10 | 2003-04-15 | Strasbaugh | Subaperture chemical mechanical planarization with polishing pad conditioning |
| JP2001157959A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置 |
| US6676878B2 (en) | 2001-01-31 | 2004-01-13 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser segmented cutting |
| US20060091126A1 (en) * | 2001-01-31 | 2006-05-04 | Baird Brian W | Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors |
| US6878608B2 (en) * | 2001-05-31 | 2005-04-12 | International Business Machines Corporation | Method of manufacture of silicon based package |
| US7189595B2 (en) * | 2001-05-31 | 2007-03-13 | International Business Machines Corporation | Method of manufacture of silicon based package and devices manufactured thereby |
| JP2003197581A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-07-11 | Fujitsu Ltd | 板状物支持部材及びその使用方法 |
| US6994612B2 (en) * | 2002-02-13 | 2006-02-07 | Micron Technology, Inc. | Methods for conditioning surfaces of polishing pads after chemical-mechanical polishing |
| US7001827B2 (en) * | 2003-04-15 | 2006-02-21 | International Business Machines Corporation | Semiconductor wafer front side protection |
| US7364616B2 (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-29 | Mimasu Semiconductor Industry Co. Ltd | Wafer demounting method, wafer demounting device, and wafer demounting and transferring machine |
| US7163441B2 (en) * | 2004-02-05 | 2007-01-16 | Robert Gerber | Semiconductor wafer grinder |
| US7011567B2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-03-14 | Robert Gerber | Semiconductor wafer grinder |
| JP5068674B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2012-11-07 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 半導体加工のための一時的なウェハ結合法 |
| US20060219825A1 (en) * | 2005-04-05 | 2006-10-05 | United Materials International | High pressure fluid/particle jet mixtures utilizing metallic particles |
| DE102005019763B4 (de) * | 2005-04-28 | 2008-07-03 | Sma Technologie Ag | Wechselrichter mit elektrischem Wickelgut |
| US7494900B2 (en) * | 2006-05-25 | 2009-02-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Back side wafer dicing |
| US8894468B2 (en) * | 2012-05-16 | 2014-11-25 | Flow International Corporation | Fluid jet receptacle with rotatable inlet feed component and related fluid jet cutting system and method |
| US9266192B2 (en) | 2012-05-29 | 2016-02-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for processing workpieces |
| JP5671510B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2015-02-18 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 半導体デバイス基板の研削方法 |
| US9358668B2 (en) | 2012-07-19 | 2016-06-07 | Ascent Aerospace, Llc | Fluid jet receiving receptacles and related fluid jet cutting systems |
| JP6047456B2 (ja) * | 2013-07-16 | 2016-12-21 | 信越半導体株式会社 | 拡散ウェーハの製造方法 |
| JP5827277B2 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-12-02 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 半導体装置の製造方法 |
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| US10096460B2 (en) * | 2016-08-02 | 2018-10-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer and method of wafer thinning using grinding phase and separation phase |
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| JPS6274571A (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-06 | Sugino Mach:Kk | 砥石ドレツシング方法およびその装置 |
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| US5240882A (en) * | 1988-06-28 | 1993-08-31 | Naoetsu Electronics Co. | Process and apparatus for making discrete type substrates by re-slicing a wafer |
| JP2754660B2 (ja) * | 1989-02-07 | 1998-05-20 | 住友化学工業株式会社 | 非対称ジオキサジン化合物及びそれを用いて繊維材料を染色又は捺染する方法 |
| JP2839801B2 (ja) * | 1992-09-18 | 1998-12-16 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハの製造方法 |
| US5360509A (en) * | 1993-03-08 | 1994-11-01 | Gi Corporation | Low cost method of fabricating epitaxial semiconductor devices |
| EP0709878B1 (en) * | 1994-10-24 | 1998-04-01 | Naoetsu Electronics Company | Method for the preparation of discrete substrate plates of semiconductor silicon wafer |
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