JP5671510B2 - 半導体デバイス基板の研削方法 - Google Patents
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Description
平坦化加工装置を据え付ける部屋を前方部よりL字状の半導体基板のローディング/アンローディングステージ室、中間部の半導体基板の研磨加工ステージ室および奥部の半導体基板の研削加工ステージ室の3室に仕切り壁で区分けし、前記各ステージ室間の仕切り壁には隣接するステージ室に通じる基板を出し入れできる開口部が設けられ、前記ローディング/アンローディングステージ室の前方部壁室外には複数基のロードポートの基板収納カセットを設けた半導体基板の平坦化加工装置であって、
前記半導体基板のローディング/アンローディングステージ室内には、前記ロードポート背後の室内に第一の多関節型基板搬送ロボットを設け、その左側に基板洗浄機器を、その基板洗浄機器上方に第一の位置決め仮置台を設け、前記第一の位置決め仮置台の後方奥部に第二の移送式多関節型基板搬送ロボットを設けて在り、
前記研磨加工ステージ室内には、基板4枚を載置することが出来るサイズの円形状の仮置台4組を同一円周上にかつ等間隔に設けた仮置台定盤と、基板2枚を同時に研磨加工する平面円形状の第一、第二および第三の研磨定盤3組とから構成される4組の定盤の中心点が同一円周上に在り、かつ、等間隔に回転自在に設置した研磨手段と、前記3組の研磨定盤のそれぞれの傍らに研磨定盤の研磨布をドレッシングするドレッサー3組を設け、および、これら4組の定盤の上方には、1台のインデックス型ヘッドを設け、このインデックス型ヘッドの下方には基板の研磨される面を下方に向けて吸着する基板吸着チャックの一対を同時に独立して回動自在に主軸に支持してなる基板吸着チャック機構の4組を同心円上に設けた8枚の基板を吸着固定できる基板チャック手段を設けて各基板吸着チャックに吸着された半導体基板のそれぞれが前記定盤の4組のいずれかに対応して向き合うことを可能とした研磨加工ステージを設け、
前記半導体基板の研削加工ステージ室内には、第二の位置決め仮置台を前記第二の移送式多関節型基板搬送ロボットの背面側に設け、この第二の位置決め仮置台の右横側にハンドアーム表裏回転式の第三の多関節型搬送ロボットを設け、この第三の多関節型搬送ロボットの右横側に基板表裏面洗浄機器を設け、前記第三の多関節型搬送ロボットとこの基板表裏面洗浄機器の後ろ側に4組の基板チャックテーブルを1台のインデックス型ターンテーブルに同一円周上に等間隔に回転可能に設けた基板チャック定盤を設け、前記4組の基板チャックテーブルをローディング/アンローディングステージチャック、基板粗研削ステージチャック、基板エッジ研削ステージチャックおよび基板仕上げ研削チャック位置であると数値制御装置にインデックス記憶し、および、前記基板エッジ研削ステージチャックの傍らにエッジ研削砥石車を前後移動および上下昇降移動可能と為すエッジ研削装置を設けるとともに、前記基板粗研削ステージチャックの上方にカップホイール型粗研削砥石を上下昇降移動および回転可能に設け、かつ、前記前記基板仕上げ研削ステージチャックの上方にカップホイール型仕上げ研削砥石を上下昇降移動および回転可能に設け、前記第三の多関節型搬送ロボットに前記第二の位置決め仮置台上の半導体基板を前記ローディング/アンローディングステージチャック上へ移送、前記ローディング/アンローディングステージチャック上の半導体基板を前記基板表裏面洗浄機器上へ移送および前記基板表裏面洗浄機器上の半導体基板を前記研磨加工ステージ室内の前記仮置台定盤上へ移送する作業を行わせる研削加工ステージ室を設けた半導体基板の平坦化加工装置を提案した。
げ研削加工中に、前記高圧ジェット洗浄液を前記カップホイール型砥石の研削加工に供されていない部分の砥石刃に噴射し、この砥石刃に付着した金属配線屑や絶縁膜層屑を洗い流すことを試みたところ、砥石刃表面より金属配線屑や絶縁膜層屑を洗い流す効果があることを見出した。しかも、前記別の砥石ドレッサー使用によるカップホイール型砥石の砥石刃の更なる磨耗が生じる欠点がないので、カップホイール型砥石の砥石寿命も格段に延びると推量される。
砥番#325のダイヤモンドメタルボンドカップホイール型研削砥石を用いて直径200mmのバンプ付きウエーハのデバイス面が粗研削加工された半導体デバイス基板(ワーク)wを仕上げ研削加工の試料とした。
また、得られた仕上げ研削加工された半導体デバイス基板のエッジ部の直径約1.5μmの銅プラグの表面粗さは、Ra 0.017μm、Ry 0.093μm、Rz 0.072μmであり、樹脂膜の表面粗さは、Ra 0.058μm、Ry 0.339μm、Rz 0.210μmであった。
実施例1において、バンプ付きウエーハの代わりに、デバイス面に樹脂絶縁層が施された半導体デバイス基板を用いる外は同様にして、仕上げ研削加工を行った。得られた仕上げ研削加工された半導体デバイス基板の中心部の樹脂層の表面粗さは、Ra 0.083μm、Ry 0.791μm、Rz 0.592μmであり、エッジ部の樹脂膜の表面粗さは、Ra 0.063μm、Ry 0.556μm、Rz 0.304μmであった。
上記実施例1において、カップホイール型研削砥石3aの砥番を#2,000、#4,000または#8,000に変え、高圧水の圧力を2、5、10、15または17MPaと変更する外は同様にして半導体デバイス基板のデバイス面wdの仕上げ研削加工を行った。カップホイール型研削砥石3aの砥番に依存して、得られた仕上げ研削加工半導体デバイス基板の加工品質良好、砥石にCu付着量小、および砥石磨耗量少ないの3評価が非常に良い(◎)か良い(丸)の全てであったときの高圧洗浄水の圧力は、砥番#2,000の砥石では14〜17.5MPa、砥番#4,000の砥石では8.5〜16MPa、および、砥番#8,000の砥石では2〜11MPaのときであった。
1 半導体基板の平坦化加工用の研削装置
2 バキュームチャック機構
3 研削ヘッド
3a カップホイール型砥石
3b 砥石軸
4 洗浄液噴射装置
4a 洗浄液噴射ノズル
5 研削液供給ノズル
Claims (2)
- 半導体デバイス基板のデバイス面を上方に向けて半導体デバイス基板(ワーク)をバキュームチャック回転テーブル上に載置し、回転軸に軸承された砥番2,000〜8,000のダイヤモンド砥粒カップホイール型研削砥石カップホイール型砥石により前記デバイス面の厚みを2〜50μm減少させる研削加工を行うとともに、前記デバイス面の研削加工に供されていない部分の前記カップホイール型砥石の砥石刃にこの砥石刃までの距離5〜20mm位置にあるノズル噴出口より3〜17MPaに加圧された高圧洗浄水を砥石刃への噴射角度が3〜18度の扇形状となるよう噴射させて砥石刃に付着した屑を洗い落とす砥石刃洗浄を行うことを特徴とする、半導体デバイス基板の研削方法。
- 砥石刃への高圧洗浄水の噴射圧力が10〜15MPaであり、洗浄水の噴射は前記デバイス面の研削加工中、連続もしくは間歇的に行うことを特徴とする、請求項1記載の半導体デバイス基板の研削方法。
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