TW201729275A - 碳化矽（ＳｉＣ）基板的分離方法 - Google Patents

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Abstract

提供可以在不破損之情況下將碳化矽基板分離為至少2片的碳化矽基板的分離方法。碳化矽基板的分離方法，係將碳化矽基板分離為至少2片者，該碳化矽基板具有第1面及該第1面之相反側的第2面，其特徵為具備：將透明的黏著帶貼附於該第1面的黏著帶貼附步驟；將保持構件貼附於該第2面的保持構件貼附步驟；針對碳化矽基板及該黏著帶使具有透過性之波長的雷射束之聚光點的位置由該黏著帶側定位於碳化矽基板之內部之同時，一邊使該聚光點與碳化矽基板相對移動一邊將雷射束照射至該黏著帶，於該第1面形成平行的改質層及裂痕而設為分離起點的分離起點形成步驟；在實施該分離起點形成步驟之後，賦予外力而由該分離起點將該黏著帶連同具有該第1面的碳化矽基板從具有該第2面的碳化矽基板分離的分離步驟。

Description

碳化矽(SiC)基板的分離方法
本發明關於將碳化矽(SiC)基板分離為至少2片之碳化矽基板的分離方法。
IC、LSI等之各種元件係在以矽等為素材的晶圓之表面積層機能層，於該機能層形成藉由多數分割預定線劃分的區域。藉由切削裝置、雷射加工裝置等之加工裝置對晶圓之分割預定線實施加工，將晶圓分割為各個元件晶片，分割的元件晶片被廣泛利用於行動電話、個人電腦等之各種電子機器。
又，電力元件或LED、LD等之光元件，係在以SiC、GaN等之六方晶單晶作為素材的晶圓之表面積層機能層，於該積層的機能層藉由形成為格子狀的多數分割預定線劃分而形成。
形成有元件的晶圓通藉由鋼絲鋸進行晶錠之切片而生成，對切片的晶圓的表背面實施研磨加工成為鏡面(例如參照特開2000-94221號公報)。
該鋼絲鋸係將直徑約100~300μm的鋼琴絲線 等之一條鋼絲卷繞在通常設於二~四個間隔補助輥上的多數溝，以一定間距互相平行配置使鋼絲朝一定方向或雙向行走，而將晶錠切片成為多數晶圓。
但是，以鋼絲鋸切斷晶錠，研磨表背面而生成晶圓時，晶錠之70~80%被捨去，不具有經濟效益的問題存在。特別是，SiC、GaN等之六方晶單晶晶錠之莫氏硬度(Mohs hardness)高，鋼絲鋸之切斷困難，需要相當時間而導致生產性惡化，對於有效地生成晶圓存在需要克服的課題。
為解決彼等問題，特開2013-49461號公報揭示使對於SiC具有透過性之波長的雷射束之聚光點聚焦位置於碳化矽基板或SiC晶錠之內部而進行照射，在切斷預定面形成改質層及裂痕，賦予外力使晶圓沿著形成有改質層及裂痕的切斷預定面割斷，由碳化矽基板分離晶圓的技術。
該公開公報記載的技術中，係以脈衝雷射束的第1照射點及與該第1照射點最接近的第2照射點成為特定位置的方式，使脈衝雷射束之聚光點沿著切斷預定面以螺旋狀方式照射，或以直線狀照射，而將極高密度的改質層及裂痕形成於碳化矽基板之切斷預定面。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]特開2000-94221號公報
[專利文獻2]特開2013-49461號公報
但是，專利文獻2記載之碳化矽基板或SiC晶錠的切斷方法中，雷射束之照射方法對基板或晶錠係螺旋狀或直線狀，直線狀之情況下對雷射束之掃描方向未有任何規定。
專利文獻2記載的碳化矽基板或SiC晶錠的切斷方法中，雷射束的第1照射點與和該第1照射點最接近的第2照射點之間之間距設為1μm~10μm。該間距係改質層產生的龜裂沿著c面延伸的間距。
如此般照射雷射束時之間距非常小，因此不論雷射束之照射方法為螺旋狀或直線狀，都必須以非常小的間距間隔照射雷射束，而有無法充分提升生產性之問題。
另外，由形成於碳化矽基板內部的改質層及裂痕所形成的分離起點分離晶圓時，晶圓比較薄因此會有晶圓破損之問題。
本發明有鑑於該問題點，目的在於提供不會引起碳化矽基板之破損，可以分離為至少2片的碳化矽基板的分離方法。
依據請求項1記載之發明提供之碳化矽基板的分離方法，係將碳化矽基板分離為至少2片者，該碳化矽基板係具有第1面及該第1面之相反側的第2面者，其特徵為具備：將透明的黏著帶貼附於該第1面的黏著帶貼附步驟；將保持構件貼附於該第2面的保持構件貼附步驟；在實施該黏著帶貼附步驟及該保持構件貼附步驟之後，針對碳化矽基板及該黏著帶使具有透過性之波長的雷射束之聚光點的位置由該黏著帶側定位於碳化矽基板之內部之同時，一邊使該聚光點與碳化矽基板相對移動一邊將雷射束照射至該黏著帶，於該第1面形成平行的改質層及裂痕而設為分離起點的分離起點形成步驟；在實施該分離起點形成步驟之後，賦予外力而由該分離起點將該黏著帶連同具有該第1面的碳化矽基板從具有該第2面的碳化矽基板分離的分離步驟。
較好是，碳化矽基板的分離方法另具備：針對具有第1面的碳化矽基板之成為分離起點的面及具有第2面的碳化矽基板之成為分離起點的面，藉由研削磨石進行研削而實施平坦化的平坦化步驟。
依據請求項4記載之發明提供之碳化矽基板的分離方法，係將碳化矽基板分離為至少2片者，該碳化矽基板具有：第1面、該第1面之相反側的第2面、由該第1面到達該第2面的c軸、及與該c軸正交的c面，其特徵為具備：將透明的黏著帶貼附於該第1面的黏著帶貼附步驟；將保持構件貼附於該第2面的保持構件貼附步 驟；在實施該黏著帶貼附步驟及該保持構件貼附步驟之後，針對碳化矽基板及該黏著帶使具有透過性之波長的雷射束之聚光點的位置由該黏著帶側定位於碳化矽基板之內部之同時，一邊使該聚光點與碳化矽基板相對移動一邊將雷射束照射至該黏著帶，於該第1面形成平行的改質層及裂痕而設為分離起點的分離起點形成步驟；及在實施該分離起點形成步驟之後，賦予外力而由該分離起點將該黏著帶連同具有該第1面的碳化矽基板從具有該第2面的碳化矽基板分離的分離步驟；該分離起點形成步驟包含：使該c軸相對於該第1面之垂線傾斜傾斜角(off角)分，使雷射束之聚光點在該第1面與該c面之間沿著與形成傾斜角的方向呈正交的方向相對移動而形成直線狀之改質層的改質層形成步驟；及使該聚光點沿著形成該傾斜角的方向相對移動而設定特定量分度(index)的分度設定步驟。
依據請求項1記載之碳化矽基板的分離方法，碳化矽基板之第1面經由黏著帶進行補強，因此可以在不破損情況下將具有第1面的碳化矽基板由具有第2面的碳化矽基板分離。
又，在碳化矽基板之第1面所貼附的黏著帶之折射率較空氣大、較碳化矽基板小，因此藉由透過黏著帶可以抑制雷射束之反射，有效率地將雷射束導入碳化矽基板之內部。
依據請求項4記載之碳化矽基板的分離方法，裂痕在改質層之兩側沿著c面傳導，因此1個改質層和鄰接的改質層係藉由裂痕連結，可以由分離起點有效率地分離碳化矽基板。
請求項4記載之發明中，碳化矽基板之第1面經由黏著帶進行補強，因此可以在不破損情況下將具有第1面的碳化矽基板由具有第2面的碳化矽基板分離。
2‧‧‧雷射加工裝置
11‧‧‧SiC晶錠
13、37‧‧‧第1定向平面
15、39‧‧‧第2定向平面
19‧‧‧c軸
21‧‧‧c面
30‧‧‧雷射束照射單元
31‧‧‧碳化矽基板
36‧‧‧聚光器(雷射頭)
41‧‧‧黏著帶
43‧‧‧保持構件
45‧‧‧改質層
47‧‧‧裂痕
49‧‧‧分離面
66‧‧‧研削輪
72‧‧‧研削磨石
[圖1]適用於實施本發明之碳化矽基板的分離方法之雷射加工裝置之斜視圖。
[圖2]雷射束產生單元之方塊圖。
[圖3]圖3(A)係SiC晶錠之斜視圖，圖3(B)係其正面圖。
[圖4]表示在碳化矽基板貼附黏著帶及保持構件的模樣之斜視圖。
[圖5]圖5(A)係表示將碳化矽基板透過貼附於第2面(下面)的保持構件載置於夾具平台上的狀態的斜視圖，圖5(B)係夾具平台所吸附保持的碳化矽基板之斜視圖。
[圖6]分離起點形成步驟之說明用斜視圖。
[圖7]在第1面(上面)貼附有黏著帶的碳化矽基板之平面圖。
[圖8]改質層形成步驟之說明用的模式的斷面圖。
[圖9]改質層形成步驟之說明用的模式的平面圖。
[圖10]分度量設定步驟之說明用的模式的平面圖。
[圖11]圖11(A)係雷射束直接射入碳化矽基板時之菲涅耳(Fresnel)反射強度之說明用的側面圖，圖11(B)係雷射束透過碳化矽基板之第1面所貼附的黏著帶射入時之菲涅耳反射強度之說明用的側面圖。
[圖12]分離步驟之說明用的斜視圖(其1)。
[圖13]分離步驟之說明用的斜視圖(其2)。
[圖14]平坦化步驟的斜視圖。
[圖15]平坦化步驟實施後之第2面具有貼附之保持構件的碳化矽基板之斜視圖。
以下，參照圖面說明本發明實施形態之詳細。參照圖1，表示適用於實施本發明之碳化矽基板的分離方法之雷射加工裝置2之斜視圖。雷射加工裝置2包含搭載於静止基台4上可於X軸方向移動的第1滑塊6。
第1滑塊6係藉由由滾珠螺桿8及脈衝馬達10構成的加工進給機構12沿著一對導軌14而在加工進給方向、亦即X軸方向移動。
第2滑塊16搭載於第1滑塊6上，可於Y軸方向移動。亦即，第2滑塊16藉由由滾珠螺桿18及脈衝馬達20構成的分度(index)進給機構22沿著一對導軌 24而在分度進給方向、亦即Y軸方向移動。
第2滑塊16上搭載有具有吸附保持部26a的夾具平台26。夾具平台26藉由加工進給機構12及分度進給機構22可於X軸方向及Y軸方向移動，而且藉由收容於第2滑塊16中的馬達旋轉。
在静止基台4立設有柱28，於該柱28安裝有雷射束照射機構(雷射束照射手段)30。雷射束照射機構30係由收容於殼體32中的圖2所示雷射束產生單元34；及安裝於殼體32之前端，可於Z軸方向移動的聚光器(雷射頭)36構成。殼體32之前端安裝有聚光器36及並列於X軸方向具有顯微鏡及攝影機的攝像單元38。
如圖2所示，雷射束產生單元34包含：震盪產生YAG雷射或YVO4雷射的雷射振盪器40；重複頻率設定手段42；脈寬調整手段44；及電力調整手段46。雖未特別圖示，雷射振盪器40具有布魯斯特窗(brewster window)，雷射振盪器40射出的雷射束係直線偏光之雷射束。
經由雷射束產生單元34之電力調整手段46調整為特定電力的脈衝雷射束，係被聚光器36之鏡部48反射，進一步藉由聚光透鏡50將聚光點之位置定位於夾具平台26所保持的被加工物亦即SiC晶圓31之內部而進行照射。
參照圖3(A)，表示SiC晶錠(以下，單純略稱為晶錠)11之斜視圖。圖3(B)係圖3(A)所示 SiC晶錠11之正面圖。
晶錠11具有第1面(上面)11a及第1面11a的相反側之第2面(下面)11b。晶錠11之上面11a成為雷射束之照射面，因此實施鏡面研磨。
晶錠11具有第1定向平面13及與第1定向平面13正交的第2定向平面15。第1定向平面13之長度形成為長於第2定向平面15之長度。
晶錠11具有相對於上面11a之垂線17在第2定向平面15方向傾斜傾斜角(off角)α的c軸19，及與c軸19正交的c面21。c面21相對於晶錠11之上面11a傾斜傾斜角α。通常，SiC晶錠11等之六方晶單晶晶錠中，與較短的第2定向平面15之伸長方向正交的方向成為c軸之傾斜方向。
晶錠11中以晶錠11之分子級(molecular level)設定無數個c面21。本實施形態中，傾斜角α設為4°。但是，傾斜角α不限定於4°，例如可於1°~6°之範圍自由設定而製造晶錠11。
再度參照圖1，静止基台4之左側固定有柱52，於該柱52經由形成於柱52的開口53可於上下方向移動地搭載按壓機構54。
參照圖4，表示在碳化矽基板31之第1面(上面)31a貼附有黏著帶41，在第2面(下面)31b貼附有保持構件43的模樣的斜視圖。黏著帶41係透明，例如由在強腰部之聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等之基 材配設黏著層而構成。
保持構件43不必要透明，例如由玻璃、矽晶圓等形成，藉由接著劑貼附於碳化矽基板31之下面31b。可以黏著帶作為保持構件43之替代使用。碳化矽基板31係藉由鋼絲鋸等切片圖3所示SiC晶錠11而成者，具有約700μm之厚度。
碳化矽基板31具有第1定向平面37；及與第1定向平面37正交的第2定向平面39。第1定向平面37之長度形成為長於第2定向平面39之長度。
於此，碳化矽基板31係藉由鋼絲鋸切片圖3所示SiC晶錠11而成者，因此第1定向平面37係與晶錠11之第1定向平面13對應，第2定向平面39係與晶錠11之第2定向平面15對應者。
碳化矽基板31具有：相對於上面31a之垂線在第2定向平面39方向傾斜傾斜角α的c軸19；及與c軸19正交的c面21(參照圖3)。
c面21相對於碳化矽基板31之上面31a傾斜傾斜角α。該碳化矽基板31中，與較短的第2定向平面39之伸長方向正交的方向為c軸19之傾斜方向。
在碳化矽基板31貼附黏著帶41及保持構件43之後，如圖5(A)所示，以保持構件43側朝下將碳化矽基板31載置於夾具平台26上，對夾具平台26之吸附保持部26a施加負壓，如圖5(B)所示，使碳化矽基板31透過保持構件43被夾具平台26吸附保持，使黏著帶 41露出。
如圖6及圖7所示，以碳化矽基板31之第2定向平面39完整排列於X軸方向的方式使保持有碳化矽基板31的夾具平台26旋轉。
亦即，如圖7所示，以和形成傾斜角α之方向Y1、換言之以和碳化矽基板31之上面31a之垂線17與c軸19之上面31a之交叉點19a所存在的方向呈正交之方向，亦即，以和第2定向平面39平行的箭頭A方向完整排列於X軸方向的方式使夾具平台26旋轉。
據此，使雷射束沿著和形成傾斜角α的方向呈正交的方向A掃描。換言之，和形成傾斜角α的方向Y1呈正交的A方向係成為夾具平台26之加工進給方向。
本發明之碳化矽基板的分離方法中，係將聚光器36射出的雷射束之掃描方向，設為和晶圓31之形成傾斜角α的方向Y1呈正交的箭頭A方向，此為重要者。
亦即，本發明之碳化矽基板的分離方法中，特徵點在於發現，藉由將雷射束之掃描方向設為上述之方向，而使由形成於碳化矽基板31內部的改質層所傳導之裂痕沿著c面21非常長地延伸。
本實施形態之碳化矽基板的分離方法中，首先，實施以下步驟：針對夾具平台26所保持的碳化矽基板31及黏著帶41，使具有透過性之波長(例如1064nm之波長)之雷射束之聚光點的位置定位於碳化矽基板31之內部之同時，邊使聚光點與碳化矽基板31相對移動邊 將雷射束照射至黏著帶41，形成和碳化矽基板31之第1面(上面)31a平行的改質層45及由改質層45沿著c面21傳導的裂痕47並設為分離起點的分離起點形成步驟。
該分離起點形成步驟，係如圖7所示，包含：在和c軸19相對於碳化矽基板31之第1面(上面)31a傾斜傾斜角α分的方向、換言之，在和c面21及第1面(上面)31a上形成傾斜角α的方向(亦即圖7之箭頭Y1方向)呈正交的方向、亦即A方向使雷射束之聚光點相對移動，如圖8所示，在碳化矽基板31之內部形成改質層45及由改質層45沿著c面21傳導的裂痕47之改質層形成步驟；及如圖9所示，在形成傾斜角的方向、即Y軸方向使聚光點相對移動而設定特定量分度進給的分度量設定步驟。
如圖8及圖9所示，使改質層45沿著X軸方向形成為直線狀，則裂痕47由改質層45之兩側沿著c面21傳導而形成。本實施形態之碳化矽基板的分離方法中包含，針對由直線狀之改質層45沿著c面21方向傳導而形成的裂痕47之寬度進行計測，而設定聚光點之分度量的分度量設定步驟。
分度量設定步驟中，如圖8所示，將由直線狀之改質層45沿著c面方向傳導而形成於改質層45之單側的裂痕47之寬度設為W1時，應分度的特定量W2被設為W1以上2W1以下。
於此，較佳實施形態之分離起點形成步驟之 雷射加工條件設為以下。
光源：Nd：YAG脈衝雷射
波長：1064nm
重複頻率：80kHz
平均輸出：3.2W
脈寬：4ns
光點直徑：10μm
聚光透鏡之開口數(NA)：0.45
分度量：400μm
上述雷射加工條件中，圖8中，由改質層45沿著c面21傳導的裂痕47之寬度W1設為大略250μm，分度量W2設為400μm。
但是，雷射束之平均輸出不限定於3.2W，本實施形態之加工方法中，平均輸出設為2W~4.5W而獲得良好結果。平均輸出2W之情況下，裂痕25之寬度W1成為大略100μm，平均輸出4.5W之情況下，裂痕25之寬度W1成為大略350μm。
平均輸出小於2W之情況下及大於4.5W之情況下，無法於碳化矽基板31之內部形成良好的改質層45，因此照射的雷射束之平均輸出設為2W~4.5W之範圍內為較佳，本實施形態中將平均輸出3.2W之雷射束照射至晶圓31。
參照圖10，表示雷射束之掃描方向之說明用 的模式圖。分離起點形成步驟沿著往路X1及復路X2實施，在往路X1中在碳化矽基板31形成改質層45後的雷射束之聚光點，係被設定特定量分度之後，在復路X2中在碳化矽基板31形成改質層45。
接著，針對如圖11(A)所示，將雷射束LB直接照射至碳化矽基板31的情況，及如圖11(B)所示，將雷射束LB照射至貼附於碳化矽基板31的黏著帶41的情況，針對菲涅耳反射強度進行考察。
假設雷射束LB由物體A射入物體B，物體A之折射率為n1，物體B之折射率為n2，射入光之強度為I0，反射光之強度為I，菲涅耳反射強度I表示為I=I0{(n2-n1)/(n2+n1)}2。
於此，在圖11(A)之情況下，物體A為空氣，因此n1=1，物體2為碳化矽基板31，因此n2=2.6。因此，反射光R1之強度I1成為I1=100{(2.6-1)/(2.6+1)}2=19.8%。亦即，透過碳化矽基板31的雷射束LB之強度成為100-19.8=80.2%。
另一方面，圖11(B)所示本發明實施形態之構成中，碳化矽基板31之上面貼附有透明的黏著帶41。該情況下，物體1為空氣，因此n1=1，物體2為黏著帶41，因此n2=1.5，物體3為碳化矽基板31，因此n3=2.6。
首先，計算黏著帶41之上面之反射光R2之菲涅耳反射強度I2。成為I2=I0{(n2-n1)/(n2+n1)}2=100 {(1.5-1)/(1.5+1)}2=4%。因此，透過黏著帶41的雷射束之強度成為射入雷射束LB之96%。
接著，假設碳化矽基板31之上面所反射的反射光R3之菲涅耳反射強度設為I3，I3=I2{(n3-n2)/(n3+n2)}2=96{(2.6-1.5)/(2.6+1.5)}2=6.9%。因此，透過碳化矽基板31的雷射束之強度成為照射至黏著帶41的雷射束LB之89.1%。
由以上之考察可知，如圖11(B)所示，藉由在碳化矽基板31之上面貼附透明的黏著帶41，則和圖11(A)所示雷射束LB直接射入碳化矽基板31之情況比較，透過碳化矽基板31的雷射束之強度提升89.1-80.2=8.9%。
如上述說明，和雷射束直接由折射率大為不同的物體1射入物體2之情況比較，使雷射束透過具有物體1之折射率n1與物體3之折射率n3之間之折射率n2的物體2而射入物體3時，可以提升透過物體3的雷射束之強度。
實施以下步驟：一邊進行特定量分度進給，當多數改質層45及由改質層45沿著c面21延伸的裂痕47在碳化矽基板31之內部之形成終了後，賦予外力而由改質層45及裂痕47所形成的分離起點將碳化矽基板31分離成為2片的分離步驟。
該分離步驟，例如藉由圖1及圖12所示押壓機構54實施。押壓機構54包含：藉由內建於柱52內的 移動機構可於上下方向移動的按壓頭56；及相對於按壓頭56，如圖12(B)所示，在箭頭R方向旋轉的押壓構件58。
如圖12(A)所示，將押壓機構54定位於夾具平台26所保持的碳化矽基板31之上方，如圖12(B)所示，使按壓頭56下降直至押壓構件58壓接於碳化矽基板31之上面31a所貼附的黏著帶41。
在押壓構件58壓接於黏著帶41之狀態下，使押壓構件58朝箭頭R方向旋轉，於碳化矽基板31產生扭轉應力，由改質層45及裂痕47形成的分離起點使碳化矽基板31破斷，而可以將碳化矽基板31分離成為2片。
上述實施形態中，係使用押壓機構54將碳化矽基板31分離成為2片，在碳化矽基板31之第1面(上面)31a貼附有黏著帶41，在第2面(下面)31b貼附有保持構件43，在碳化矽基板31之全面形成由改質層45及裂痕47構成的分離起點，因此使黏著帶41及保持構件43互相朝相反方向拉伸，亦可以將碳化矽基板31分離成為2片。
實施分離步驟時，在夾具平台26所保持的碳化矽基板31A之分離面49會殘留改質層45及裂痕47之一部分，因此如圖13及圖14所示，在分離面49形成微細凹凸。因此，本發明之碳化矽基板的分離方法中，實施以下步驟：藉由研削磨石對成為碳化矽基板31之分離起點的面進行研削而成為平坦化的平坦化步驟。
該平坦化步驟中，如圖14所示，藉由研削裝置之夾具平台58透過保持構件43將碳化矽基板31A吸附保持而使分離面49露出。研削裝置之研削單元60包含：藉由馬達旋轉驅動的心軸62；固定於心軸62之前端的輪座64；及在輪座64藉由多數螺栓68可以裝拆地被安裝之研削輪66。研削輪66，係由環狀之輪基台70，及固定於輪基台70之下端部外周的多數研削磨石72構成。
平坦化步驟中，使夾具平台58沿著箭頭a所示方向例如以300rpm旋轉，並且使研削輪66沿著箭頭b所示方向例如以6000rpm旋轉之同時，驅動研削單元進給機構使研削輪66之研削磨石72接觸碳化矽基板31A之分離面49。
使研削輪66以特定之研削進給速度(例如0.1μm/s)朝下方進行特定量研削進給之同時，對碳化矽基板31A之分離面49進行研削使平坦化。據此，如圖15所示，除去在碳化矽基板31A之第1面(上面)31a上殘存的改質層45及裂痕47而成為平坦面。
對分離之碳化矽基板31A之上面31a進行研削使平坦化時，對碳化矽基板31A之上面31a研削1~5μm左右即可，研削磨石72之摩耗量可以抑制於4~25μm左右。
如圖13所示，針對由碳化矽基板31A分離的碳化矽基板31B，亦藉由研削裝置之夾具平台58將黏著帶41側吸附保持之同時，藉由研削輪66對碳化矽基板 31B之分離面進行研削，據此可以除去在分離面殘存的改質層45及裂痕47而將分離面設為平坦面。
上述實施形態中，針對本發明之碳化矽基板的分離方法，說明使改質層45及裂痕47所形成的分離起點沿著c面形成之實施形態，但本發明之碳化矽基板的分離方法中，形成有由改質層45及裂痕47所形成的分離起點之碳化矽基板31，係藉由黏著帶41及保持構件43由兩側進行補強，因此亦同樣可以適用於改質層45及裂痕47所形成的分離起點未沿著c面形成的專利文獻2揭示之方法。
26‧‧‧夾具平台
31‧‧‧碳化矽基板
31a‧‧‧上面
31b‧‧‧下面
41‧‧‧黏著帶
43‧‧‧保持構件
45‧‧‧改質層
47‧‧‧裂痕
W1‧‧‧裂痕之寬度
W2‧‧‧分度量

Claims (4)

  1. 一種碳化矽基板的分離方法，係將碳化矽基板分離為至少2片者，該碳化矽基板具有第1面及該第1面之相反側的第2面，其特徵為具備：將透明的黏著帶貼附於該第1面的黏著帶貼附步驟；將保持構件貼附於該第2面的保持構件貼附步驟；在實施該黏著帶貼附步驟及該保持構件貼附步驟之後，針對碳化矽基板及該黏著帶使具有透過性之波長的雷射束之聚光點的位置由該黏著帶側定位於碳化矽基板之內部之同時，一邊使該聚光點與碳化矽基板相對移動一邊將雷射束照射至該黏著帶，於該第1面形成平行的改質層及裂痕而設為分離起點的分離起點形成步驟；在實施該分離起點形成步驟之後，賦予外力而由該分離起點將該黏著帶連同具有該第1面的碳化矽基板從具有該第2面的碳化矽基板分離的分離步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之碳化矽基板的分離方法，其中該黏著帶之折射率較空氣大、較該碳化矽基板小。
  3. 如申請專利範圍第1項之碳化矽基板的分離方法，其中另具備：針對具有該第1面的碳化矽基板之成為該分離起點的面及具有該第2面的碳化矽基板之成為該分離起點的面，藉由研削磨石進行研削而實施平坦化的平坦化步驟。
  4. 一種碳化矽基板的分離方法，係將碳化矽基板分離為至少2片者，該碳化矽基板具有：第1面、該第1面之相反側的第2面、由該第1面到達該第2面的c軸、及與該c軸正交的c面，其特徵為具備：將透明的黏著帶貼附於該第1面的黏著帶貼附步驟；將保持構件貼附於該第2面的保持構件貼附步驟；在實施該黏著帶貼附步驟及該保持構件貼附步驟之後，針對碳化矽基板及該黏著帶使具有透過性之波長的雷射束之聚光點的位置由該黏著帶側定位於碳化矽基板之內部之同時，一邊使該聚光點與碳化矽基板相對移動一邊將雷射束照射至該黏著帶，於該第1面形成平行的改質層及裂痕而設為分離起點的分離起點形成步驟；及在實施該分離起點形成步驟之後，賦予外力而由該分離起點將該黏著帶連同具有該第1面的碳化矽基板從具有該第2面的碳化矽基板分離的分離步驟；該分離起點形成步驟包含：使該c軸相對於該第1面之垂線傾斜傾斜角分，使雷射束之聚光點在該第1面與該c面之間沿著與形成傾斜角的方向呈正交的方向相對移動而形成直線狀之改質層的改質層形成步驟；及使該聚光點沿著形成該傾斜角的方向相對移動而進行特定量分度之設定的分度設定步驟。
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