CN107030392B - SiC基板的分离方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够将SiC基板分离成至少2张而不会使其破损的SiC基板分离方法。其特征在于，该分离方法具备：粘合带贴合步骤，在该第1面上贴合透明的粘合带；保持部件贴合步骤，在该第2面上贴合保持部件；分离起点形成步骤，将对于SiC基板和该粘合带具有透过性的波长的激光束的聚光点从该粘合带侧定位于SiC基板的内部，同时一边使该聚光点和SiC基板相对移动，一边将激光束照射至该粘合带上，形成与该第1面平行的改质层和裂纹，形成分离起点；和分离步骤，实施该分离起点形成步骤后，施加外力，从该分离起点将具有该第1面的SiC基板与该粘合带一起从具有该第2面的SiC基板分离。

Description

SiC基板的分离方法
技术领域
本发明涉及一种将SiC基板分离成至少2张的SiC基板的分离方法。
背景技术
在以硅等作为材料的晶片表面层积功能层，在该功能层上由两个以上的分割预定线划分出区域，IC、LSI等各种器件形成在该区域。并且，利用切削装置、激光加工装置等加工装置对晶片的分割预定线实施加工，将晶片分割为各个器件芯片，分割得到的器件芯片广泛用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。
此外，对于功率器件或LED、LD等光器件来说，在以SiC、GaN等六方晶单晶作为材料的晶片表面层积功能层，在层积的功能层上由呈格子状形成的两个以上的分割预定线分画而形成功率器件或LED、LD等光器件。
形成器件的晶片通常用线锯(Wiresaw)将坯料(ingot)切片而生成，对切片得到的晶片的正面和背面进行研磨，精加工为镜面(参照例如日本特开2000-94221号公报)。
在该线锯中，通常将直径约100～300μm的钢琴线等一条线卷绕在设置于二～四个间隔辅助辊上的多个槽上，以一定间距彼此平行配置，使线在一定方向或双向上移动，将坯料切片为两个以上的晶片。
但是，在用线锯将坯料切断，并对正面和背面进行研磨来生成晶片时，坯料的70～80％将被舍弃，由此存在不经济的问题。特别是SiC、GaN等六方晶单晶坯料的莫氏硬度高，难以用线锯切断，花费相当长的时间，生产率差，在有效生成晶片的方面存在问题。
为了解决这些问题，日本特开2013-49461号公报中记载了下述技术，将对于SiC具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于SiC基板或SiC坯料的内部并进行照射，在切断预定面上形成改质层和裂纹，施加外力，沿着形成有改质层和裂纹的切断预定面将晶片割断，从而从SiC基板分离出晶片。
在该公开公报记载的技术中，按照脉冲激光束的第1照射点和最靠近该第1照射点的第2照射点成为规定位置的方式，沿着切断预定面呈螺旋状照射脉冲激光束的聚光点或呈直线状照射脉冲激光束的聚光点，在SiC基板的切断预定面上形成非常高密度的改质层和裂纹。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-94221号公报
专利文献2：日本特开2013-49461号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在专利文献2记载的SiC基板或SiC坯料的切断方法中，激光束相对于基板或坯料为螺旋状或直线状照射，直线状的情况下，对于激光束的扫描方向没有任何规定。
在专利文献2记载的SiC基板或SiC坯料的切断方法中，将激光束的第1照射点与最靠近该第1照射点的第2照射点之间的间距设定为1μm～10μm。该间距是从改质层生成的裂纹沿着c面延伸的间距。
如此，照射激光束时的间距非常小，因此激光束的照射无论为螺旋状还是为直线状，均需要以非常小的间距间隔照射激光束，存在无法实现生产率提高的问题。
进一步，从由形成在SiC基板内部的改质层和裂纹构成的分离起点分离晶片时，晶片较薄，因此存在晶片破损的问题。
本发明是鉴于这样的点而完成的，其目的在于提供一种SiC基板的分离方法，其能够将SiC基板分离为至少2张而不会使其破损。
用于解决课题的手段
根据技术方案1记载的发明，提供一种SiC基板的分离方法，其为将具有第1面和该第1面相反侧的第2面的SiC基板分离为至少2张的SiC基板的分离方法，其特征在于，其具备：粘合带贴合步骤，在该第1面上贴合透明的粘合带；保持部件贴合步骤，在该第2面上贴合保持部件；分离起点形成步骤，实施该粘合带贴合步骤和该保持部件贴合步骤后，将对于SiC基板和该粘合带具有透过性的波长的激光束的聚光点从该粘合带侧定位于SiC基板的内部，并且，一边使该聚光点与SiC基板相对移动，一边将激光束照射至该粘合带上，形成与该第1面平行的改质层和裂纹，形成分离起点；和分离步骤，实施该分离起点形成步骤后，施加外力，从该分离起点将具有该第1面的SiC基板与该粘合带一起从具有该第2面的SiC基板分离。
优选SiC基板的分离方法进一步具备平坦化步骤，利用磨削磨具对成为具有第1面的SiC基板的分离起点的面和成为具有第2面的SiC基板的分离起点的面进行磨削来使其平坦化。
根据技术方案4记载的发明，提供一种SiC基板的分离方法，其为将具有第1面、该第1面相反侧的第2面、从该第1面至该第2面的c轴和与该c轴正交的c面的SiC基板分离为至少2张的SiC基板的分离方法，其特征在于，该分离方法具备：粘合带贴合步骤，在该第1面上贴合透明的粘合带；保持部件贴合步骤，在该第2面上贴合保持部件；分离起点形成步骤，实施该粘合带贴合步骤和该保持部件贴合步骤后，将对于SiC基板和该粘合带具有透过性的波长的激光束的聚光点从该粘合带侧定位在SiC基板内部，并且，一边使该聚光点和SiC基板相对移动，一边将激光束照射至该粘合带上，形成与该第1面平行的改质层和裂纹，形成分离起点；和分离步骤，实施该分离起点形成步骤后，施加外力，从该分离起点将具有该第1面的SiC基板与该粘合带一起从具有该第2面的SiC基板分离，该分离起点形成步骤包括：改质层形成步骤，该c轴相对于该第1面的垂线倾斜偏角量，使激光束的聚光点在与该第1面和该c面之间形成偏角的方向正交的方向上相对移动，形成直线状的改质层；和转位步骤，使该聚光点在形成该偏角的方向上相对移动，进行规定量的转位。
发明效果
根据技术方案1记载的SiC基板的分离方法，SiC基板的第1面利用粘合带加固，因此能够将具有第1面的SiC基板从具有第2面的SiC基板分离而不会使其破损。
此外，贴合在SiC基板第1面的粘合带的折射率大于空气、小于SiC基板，因此通过经由粘合带，能够抑制激光束的反射，能够将激光束有效地导入SiC基板内部。
根据技术方案4记载的SiC基板的分离方法，裂纹在改质层的两侧沿着c面传播，由此1个改质层与相邻的改质层通过裂纹连接，能够有效地从分离起点分离SiC基板。
在技术方案4记载的发明中，SiC基板的第1面也利用粘合带加固，因此能够将具有第1面的SiC基板从具有第2面的SiC基板分离而不会使其破损。
附图说明
图1为适合实施本发明的SiC基板的分离方法的激光加工装置的立体图。
图2为激光束产生单元的框图。
图3中图3的(A)为SiC坯料的立体图，图3的(B)为其主视图。
图4为示出在SiC基板上贴合粘合带和保持部件的情况的立体图。
图5中图5的(A)为示出夹着贴合在第2面(下表面)的保持部件将SiC基板载置于卡盘工作台上的状态的立体图，图5的(B)为吸引保持在卡盘工作台上的SiC基板的立体图。
图6为对分离起点形成步骤进行说明的立体图。
图7为在第1面(上表面)上贴合有粘合带的SiC基板的俯视图。
图8为对改质层形成步骤进行说明的示意性截面图。
图9为对改质层形成步骤进行说明的示意性俯视图。
图10为对转位步骤进行说明的示意性俯视图。
图11中图11的(A)为对向SiC基板直接入射激光束时的菲涅尔反射强度进行说明的侧视图，图11的(B)为对激光束隔着贴合在SiC基板第1面的粘合带入射时的菲涅尔反射强度进行说明的侧视图。
图12为对分离步骤进行说明的立体图(其1)。
图13为对分离步骤进行说明的立体图(其2)。
图14为示出平坦化步骤的立体图。
图15为平坦化步骤实施后具有贴合在第2面的保持部件的SiC基板的立体图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细的说明。参照图1，示出适合实施本发明的SiC基板的分离方法的激光加工装置2的立体图。激光加工装置2包括搭载在静止基台4上可在X轴方向上移动的第1滑块6。
第1滑块6利用由滚珠丝杠8和脉冲马达10构成的加工进给机构12沿着一对导轨14在加工进给方向移动，即在X轴方向移动。
在第1滑块6上搭载有可在Y轴方向上移动的第2滑块16。即，第2滑块16利用由滚珠丝杠18和脉冲马达20构成的分度进给机构22沿着一对导轨24在分度进给方向移动，即在Y轴方向移动。
第2滑块16上搭载有具有吸引保持部26a的卡盘工作台26。卡盘工作台26能够利用加工进给机构12和分度进给机构22在X轴方向和Y轴方向上移动，并且，在容纳在第2滑块16中的马达作用下旋转。
静止基台4上设立有柱28，在该柱28上安装激光束照射机构(激光束照射单元)30。激光束照射机构30由容纳在壳体32中的图2所示的激光束产生单元34和安装在壳体32前端的可在Z轴方向上移动的聚光器(激光头)36构成。在壳体32前端安装有聚光器36和具有显微镜和照相机的摄像单元38，该摄像单元38与聚光器36在X轴方向上排列。
如图2所示，激光束产生单元34包括振荡出YAG激光或YVO4激光的激光振荡器40、重复频率设定单元42、脉冲宽度调整单元44和功率调整单元46。虽然未特别图示，但激光振荡器40具有布鲁斯特窗，从激光振荡器40射出的激光束为直线偏光的激光束。
利用激光束产生单元34的功率调整单元46调整为规定功率的脉冲激光束由聚光器36的反射镜48反射，进一步利用聚光透镜50将聚光点定位在SiC晶片31内部进行照射。所述SiC晶片31作为被加工物保持在卡盘工作台26上。
参照图3的(A)，示出SiC坯料(以下有时简称为坯料)11的立体图。图3的(B)为图3的(A)所示的SiC坯料11的主视图。
坯料11具有第1面(上表面)11a和第1面11a相反侧的第2面(下表面)11b。坯料11的上表面11a成为激光束的照射面，因此研磨成镜面。
坯料11具有第1定向平面(orientation flat)13和与第1定向平面13正交的第2定向平面15。所形成的第1定向平面13的长度长于第2定向平面15的长度。
坯料11具有相对于上表面11a的垂线17在第2定向平面15方向上倾斜偏角α的c轴19和与c轴19正交的c面21。c面21相对于坯料11的上表面11a倾斜偏角α。通常在SiC坯料11等六方晶单晶坯料中，与短的第2定向平面15的伸长方向正交的方向为c轴的倾斜方向。
在坯料11中以坯料11的分子水平设定无数个c面21。在本实施方式中，偏角α设定为4°。但是，偏角α不限于设定为4°，可以在例如1°～6°的范围自由设定来制造坯料11。
再次参照图1，在静止基台4的左侧固定有柱52，在该柱52上经由形成在柱52的开口53搭载有可在上下方向上移动的按压机构54。
参照图4，示出表示在SiC基板31第1面(上表面)31a上贴合粘合带41，在第2面(下表面)31b上贴合保持部件43的情况的立体图。粘合带41是透明的，例如在韧性强的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等基材上配设粘合层来构成粘合带41。
保持部件43无需是透明的，由例如玻璃、硅晶片等形成，利用粘接剂贴合在SiC基板31的下表面31b上。可以使用粘合带代替保持部件43。SiC基板31是利用线锯等对图3所示的SiC坯料11进行切片而得到的，具有约700μm的厚度。
SiC基板31具有第1定向平面37和与第1定向平面37正交的第2定向平面39。所形成的第1定向平面37的长度长于第2定向平面39的长度。
此处，SiC基板31是利用线锯对图3所示的SiC坯料11进行切片而得到的，因此第1定向平面37与坯料11的第1定向平面13对应，第2定向平面39与坯料11的第2定向平面15对应。
并且，SiC基板31具有相对于上表面31a的垂线在第2定向平面39方向上倾斜偏角α的c轴19和与c轴19正交的c面21(参照图3)。
c面21相对于SiC基板31的上表面31a倾斜偏角α。在该SiC基板31中，与短的第2定向平面39的伸长方向正交的方向为c轴19的倾斜方向。
在SiC基板31上贴合粘合带41和保持部件43后，如图5的(A)所示，将保持部件43侧朝下，将SiC基板31载置于卡盘工作台26上，在卡盘工作台26的吸引保持部26a上作用负压，如图5的(B)所示，使粘合带41露出，夹着保持部件43，利用卡盘工作台26吸引保持SiC基板31。
并且，旋转保持有SiC基板31的卡盘工作台26，如图6和图7所示，使SiC基板31的第2定向平面39对准X轴方向。
即，旋转卡盘工作台26，如图7所示，使与形成偏角α的方向Y1(换言之，c轴19与上表面31a的交点19a相对于SiC基板31的上表面31a的垂线17所存在的方向)正交的方向对准X轴方向，即使与第2定向平面39平行的箭头A方向对准X轴方向。
由此，沿着与形成偏角α的方向正交的方向A扫描激光束。换言之，与形成偏角α的方向Y1正交的A方向成为卡盘工作台26的加工进给方向。
在本发明的SiC基板的分离方法中，重要的是将从聚光器36射出的激光束的扫描方向设为与晶片31的形成偏角α的方向Y1正交的箭头A方向。
即，本发明的SiC基板的分离方法的特征在于，通过将激光束的扫描方向设定为上述那样的方向，发现从形成在SiC基板31内部的改质层传播的裂纹沿着c面21伸长的非常长。
在本实施方式的SiC基板的分离方法中，首先，实施分离起点形成步骤，将对于保持在卡盘工作台26的SiC基板31和粘合带41具有透过性的波长(例如1064nm的波长)的激光束的聚光点定位于SiC基板31内部，并且，一边使聚光点和SiC基板31相对移动，一边将激光束照射至粘合带41上，形成与SiC基板31的第1面(上表面)31a平行的改质层45和从改质层45沿着c面21传播的裂纹47，形成分离起点。
该分离起点形成步骤包括：改质层形成步骤，如图7所示，c轴19相对于SiC基板31的第1面(上表面)31a倾斜偏角α量，使激光束的聚光点在与偏角α在c面21和第1面(上表面)31a的形成方向(即图7的箭头Y1方向)正交的方向相对移动，即使激光束的聚光点在A方向上相对移动，如图8所示，在SiC基板31内部形成改质层45和从改质层45沿着c面21传播的裂纹47；和转位步骤，如图9所示，使聚光点在形成偏角的方向相对移动，即使聚光点在Y轴方向相对移动，进行规定量的转位进给。
如图8和图9所示，在X轴方向上呈直线状形成改质层45时，从改质层45的两侧形成沿着c面21传播的裂纹47。在本实施方式的SiC基板的分离方法中，包括转位量设定步骤，对从直线状的改质层45起在c面21方向传播而形成的裂纹47的宽度进行测量，设定聚光点的转位量。
如图8所示，在转位量设定步骤中，将从直线状的改质层45起在c面方向上传播而形成在改质层45的单侧的裂纹47的宽度设为W1的情况下，将应转位的规定量W2设定为W1以上2W1以下。
此处，优选的实施方式的分离起点形成步骤的激光加工条件如下设定。
光源：Nd：YAG脉冲激光
波长：1064nm
重复频率：80kHz
平均功率：3.2W
脉冲宽度：4ns
光斑直径：10μm
聚光透镜的数值孔径(NA)：0.45
转位量：400μm
在上述激光加工条件中，在图8中，从改质层45沿着c面21传播的裂纹47的宽度W1大致设定为250μm，转位量W2设定为400μm。
但是，激光束的平均功率不限于3.2W，在本实施方式的加工方法中，将平均功率设定为2W～4.5W，能够得到良好的结果。平均功率为2W的情况下，裂纹25的宽度W1大致为100μm，平均功率为4.5W的情况下，裂纹25的宽度W1大致为350μm。
平均功率小于2W的情况下和大于4.5W的情况下，无法在SiC基板31内部形成良好的改质层45，因此照射的激光束的平均功率优选在2W～4.5W的范围内，在本实施方式中，将平均功率为3.2W的激光束照射在晶片31上。
参照图10，示出对激光束的扫描方向进行说明的示意图。分离起点形成步骤在去路X1和回路X2中实施，经去路X1在SiC基板31上形成改质层45的激光束的聚光点进行规定量转位后，经回路X2在SiC基板31形成改质层45。
接着，对于将激光束LB直接照射在SiC基板31上的情况(如图11的(A)所示)和将激光束LB照射在贴合于SiC基板31的粘合带41上的情况(如图11的(B)所示)下的菲涅尔反射强度进行考察。
作为激光束LB从物体A入射至物体B的情况，将物体A的折射率设为n1、物体B的折射率设为n2、入射光的强度设为I0、反射光的强度设为I时，菲涅尔反射强度I以I＝I0{(n2-n1)/(n2+n1)}2表示。
此处，图11的(A)的情况下，物体A为空气，因此n1＝1，物体2为SiC基板31，因此n2＝2.6。因此，反射光R1的强度I1为I1＝100{(2.6-1)/(2.6+1)}2＝19.8％。即，透过SiC基板31的激光束LB的强度为100-19.8＝80.2％。
另一方面，在图11的(B)所示的本发明实施方式的构成中，在SiC基板31的上表面贴合有透明的粘合带41。该情况下，物体1为空气，因此n1＝1，物体2为粘合带41，因此n2＝1.5，物体3为SiC基板31，因此n3＝2.6。
首先，求出在粘合带41的上表面的反射光R2的菲涅尔反射强度I2。I2＝I0{(n2-n1)/(n2+n1)}2＝100{(1.5-1)/(1.5+1)}2＝4％。因此，透过粘合带41的激光束的强度为入射激光束LB的96％。
接着，将由SiC基板31的上表面反射的反射光R3的菲涅尔反射强度设为I3时，I3＝I2{(n3-n2)/(n3+n2)}2＝96{(2.6-1.5)/(2.6+1.5)}2＝6.9％。因此，透过SiC基板31的激光束的强度为照射在粘合带41上的激光束LB的89.1％。
根据以上的考察，与图11的(A)所示的在SiC基板31上直接入射激光束LB的情况相比，如图11的(B)所示，在SiC基板31的上表面贴合透明的粘合带41时，透过SiC基板31的激光束的强度提高89.1-80.2＝8.9％。
如此，与将激光束从折射率大不相同的物体1直接入射至物体2的情况相比，激光束经由具有物体1的折射率n1与物体3的折射率n3之间的折射率n2的物体2入射至物体3上时，透过物体3的激光束的强度提高。
进行规定量的转位进给下，完成在SiC基板31内部形成两个以上的改质层45和从改质层45沿着c面21伸长的裂纹47，然后实施分离步骤，施加外力，从由改质层45和裂纹47构成的分离起点将SiC基板31分离为2个。
该分离步骤利用例如图1和图12所示那样的按压机构54实施。按压机构54包括头部56，利用内置于柱52内的移动机构在上下方向移动；和按压部件58，如图12的(B)所示，该按压部件58相对于头部56在箭头R方向上旋转。
如图12的(A)所示，将按压机构54定位在保持于卡盘工作台26上的SiC基板31的上方，如图12的(B)所示，将头部56下降至将按压部件58压接在贴合于SiC基板31的上表面31a的粘合带41上为止。
在将按压部件58压接于粘合带41的状态下，使按压部件58在箭头R方向上旋转时，SiC基板31上产生扭转应力，SiC基板31从形成有改质层45和裂纹47的分离起点断裂，从而能够将SiC基板31分离为2个。
在上述实施方式中，使用按压机构54将SiC基板31分离为2个，但由于在SiC基板31的第1面(上表面)31a上贴合有粘合带41，在第2面(下表面)31b上贴合有保持部件43，在SiC基板31的整个面上形成有由改质层45和裂纹47构成的分离起点，因此通过将粘合带41和保持部件43彼此反向拉伸，也能够将SiC基板31分离为2个。
实施分离步骤时，保持在卡盘工作台26上的SiC基板31A的分离面49上残留改质层45和裂纹47的一部分，如图13和图14所示，分离面49上形成有微细的凹凸。因此，在本发明的SiC基板的分离方法中，实施平坦化步骤，利用磨削磨具对成为SiC基板31的分离起点的面进行磨削来使其平坦化。
如图14所示，在该平坦化步骤中，利用磨削装置的卡盘工作台58夹着保持部件43吸引保持SiC基板31A，使分离面49露出。磨削装置的磨削单元60包括利用马达进行旋转驱动的主轴62、固定在主轴62前端的轮座64和利用两个以上的螺栓68可装拆地安装在轮座64的磨轮66。磨轮66由环状的轮基座70和固定在轮基座70的下端部外周的两个以上的磨削磨具72构成。
在平坦化步骤中，将卡盘工作台58在以箭头a所示的方向上以例如300rpm进行旋转，并且将磨轮66在以箭头b所示的方向上以例如6000rpm进行旋转，同时驱动磨削单元进给机构，使磨轮66的磨削磨具72与SiC基板31A的分离面49接触。
并且，以规定的磨削进给速度(例如0.1μm/s)将磨轮66朝下方磨削进给规定量，同时对SiC基板31A的分离面49进行磨削来使其平坦化。由此，如图15所示，除去了残留的改质层45和裂纹47，SiC基板31A的第1面(上表面)31a成为平坦面。
对分离的SiC基板31A的上表面31a进行磨削来使其平坦化的情况下，将SiC基板31A的上表面31a磨削1～5μm的程度即可，可以将磨削磨具72的磨耗量抑制在4～25μm的程度。
如图13所示，对于从SiC基板31A分离的SiC基板31B也利用磨削装置的卡盘工作台58吸引保持粘合带41侧，同时利用磨轮66对SiC基板31B的分离面进行磨削，由此能够除去残留在分离面的改质层45和裂纹47，使分离面成为平坦面。
在上述实施方式中，针对将由改质层45和裂纹47构成的分离起点沿着c面形成的实施方式对本发明的SiC基板的分离方法进行了说明，但在本发明的SiC基板的分离方法中，形成有由改质层45和裂纹47构成的分离起点的SiC基板31利用粘合带41和保持部件43从两侧进行加固，因此也同样能够应用于未沿着c面形成有由改质层45和裂纹47构成的分离起点的专利文献2公开那样的方法。
符号说明
2 激光加工装置
11 SiC坯料
13，37 第1定向平面
15，39 第2定向平面
19 c轴
21 c面
30 激光束照射单元
31 SiC基板
36 聚光器(激光头)
41 粘合带
43 保持部件
45 改质层
47 裂纹
49 分离面
66 磨轮
72 磨削磨具

Claims (3)

1.一种SiC基板的分离方法，其为将具有第1面、该第1面相反侧的第2面、从该第1面至该第2面的c轴和与该c轴正交的c面的SiC基板分离成至少2张的SiC基板的分离方法，其特征在于，该分离方法具备：
粘合带贴合步骤，在该第1面上贴合透明的粘合带；
保持部件贴合步骤，在该第2面上贴合保持部件；
分离起点形成步骤，实施该粘合带贴合步骤和该保持部件贴合步骤后，将对于SiC基板和该粘合带具有透过性的波长的激光束的聚光点从该粘合带侧定位于SiC基板内部，并且，一边使该聚光点和SiC基板相对移动，一边将激光束照射至该粘合带上，形成与该第1面平行的改质层和裂纹，形成分离起点；和
分离步骤，实施该分离起点形成步骤后，施加外力，从该分离起点将具有该第1面的SiC基板与该粘合带一起从具有该第2面的SiC基板分离，
该分离起点形成步骤包括：改质层形成步骤，该c轴相对于该第1面的垂线倾斜偏角量，使激光束的聚光点在与该第1面和该c面之间形成偏角的方向正交的方向上相对移动，形成直线状的改质层；和
转位步骤，在形成该偏角的方向上使该聚光点相对移动，进行规定量的转位。
2.如权利要求1所述的SiC基板的分离方法，其中，该粘合带的折射率大于空气、小于该SiC基板。
3.如权利要求1所述的SiC基板的分离方法，其中，进一步具备平坦化步骤，利用磨削磨具对成为具有该第1面的SiC基板的该分离起点的面和成为具有该第2面的SiC基板的该分离起点的面进行磨削来使其平坦化。
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