JP7080555B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
光源 :YAGパルスレーザー又はYVO4パルスレーザー
波長 :1064nm
平均出力 :0.4W
繰り返し周波数 :90kHz
加工送り速度 :350mm/s
11 シリコンウエーハ
13 分割予定ライン
15 デバイス
17 フレームユニット
19 改質層
21 デバイスチップ
24 チャックテーブル
38 集光器
48 屈折率変化層
52 集光レンズ
56 エキスパンド装置
60 突き上げドラム
Claims (1)
- 交差する複数の分割予定ラインにより区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハに対して透過性波長のレーザービームを照射して、ウエーハを該分割予定ラインに沿ってチップに分割するウエーハの加工方法であって、
該ウエーハの表面側の該分割予定ラインに対応する領域のみに、空気より大きくウエーハより小さい屈折率を有する材料で、レーザービームの屈折率を変化させる屈折率変化層を形成する屈折率変化層形成ステップと、
該屈折率変化層形成ステップで形成した該屈折率変化層を介してウエーハの表面側からレーザービームを照射し、該屈折率変化層を通過しウエーハの内部に集光させた集光点と該ウエーハとを該分割予定ラインに沿って相対移動させて、ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施した後、該ウエーハに外力を付与して、該改質層形成ステップで形成した該改質層を分割起点にウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。
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JP2018049518A JP7080555B2 (ja) | 2018-03-16 | 2018-03-16 | ウエーハの加工方法 |
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- 2018-03-16 JP JP2018049518A patent/JP7080555B2/ja active Active
Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
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JP2007136481A (ja) | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | レーザ加工装置 |
JP2007136482A (ja) | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | 半導体基板の分断装置 |
JP2011192934A (ja) | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Disco Corp | ワークの分割方法 |
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