JP2014212282A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】梨地面を有する保持テープ越しにウェーハの所定の位置にレーザー光線を集光して改質層を形成する。
【解決手段】保持テープＴ１が表面又は裏面に貼着されたウェーハＷ１の保持テープＴ１側から保持テープＴ１及びウェーハＷを透過する波長のレーザー光線を照射して分割の起点となる改質層６を形成する場合において、保持テープＴ１の露出面Ｔ１ａ側に透明液体１００を供給し両面が平坦面で形成されレーザー光線３１ａを透過するカバーガラス１１０で透明液体１００を保持テープＴ１との間に挟みこみ保持テープＴ１の露出面Ｔ１ａ全面に液体膜１００を形成し、その後、カバーガラス１１０側からカバーガラス１１０、液体膜１００、保持テープＴ１及びウェーハＷを透過する波長のレーザー光線をウェーハＷの内部に集光点を位置づけて照射することで、保持テープＴ１への樹脂の塗布を不要とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、ウェーハ内部にレーザー光線を照射し個々のデバイスに分割するための改質層を形成するウェーハの加工方法に関する。

半導体ウェーハを個々のデバイスに分割する技術として、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに照射してウェーハ内部に改質層を形成し、その後、外力を付与して改質層を起点としてウェーハを個々のデバイスに分割する技術が提案され、実用に供されている（例えば、特許文献１参照）。

分割予定ラインに沿ってウェーハに外力を与えるためにウェーハに貼着された保持テープをウェーハの面方向に拡張するテープ拡張工程などを円滑に行う観点から、保持テープの基材フィルム側表面（粘着面と反対側の面）は、摩擦係数を下げるために梨地に形成されている場合がある。しかし、空気と保持テープとではレーザー光線に対する屈折率が大きく異なり、保持テープ側からウェーハにレーザー光線を集光しようとすると、保持テープの梨地に形成された基材フィルム側表面では、レーザー光線の進行方向の屈折位置が一定とはならないため、ウェーハ内の所定の位置にレーザー光線を十分に集光できず、所望の深さに改質層を形成できないという問題があった。そこで、テープ露出面に液状樹脂を塗布することにより凹凸を平坦化し、レーザー光線の進行方向の屈折位置がばらつかないようにする技術が提案されている（特許文献２）。特許文献２に記載されたワークの分割方法では、（１）分割予定ラインの幅の狭いウェーハに対して改質層を形成するために回路が形成されていない裏面側からレーザービームを照射する必要がある場合があること、（２）改質層を形成した割れやすい状態のウェーハをハンドリングすることは難しく、改質層形成後にテープの貼替え工程を行うことを避けたいこと、（３）分割した半導体チップをピックアップする工程においてはチップの回路が形成されている表面側が露出している必要があること、に鑑み、ウェーハの裏面に貼着された保持テープ越しにレーザービームを照射してワークの内部に改質層を形成することとしている。

特許３４０８８０５号公報 特開２０１２−８４６１８号公報

しかし、保持テープの露出面に液状樹脂を塗布する場合には、レーザー加工装置とは別の樹脂塗布装置又はレーザー加工装置と一体となった樹脂塗布装置が必要となり、いずれの場合も装置の設置スペースが増大する。また、樹脂を塗布した後は、レーザー照射後に樹脂を洗浄する必要が生じるが、内部に改質層が形成されたウェーハを洗浄する過程ではウェーハが割れやすいため、ウェーハのハンドリングも困難となる。

本発明は、このような事情にかんがみなされたもので、その目的は、梨地面を有する保持テープ越しでも簡易な方法で所定の位置にレーザー光線を集光でき、樹脂の被覆も不要でハンドリングも容易なウェーハの加工方法を提供することである。

本発明は、保持テープが表面又は裏面に貼着されたウェーハの保持テープ側から保持テープ及びウェーハを透過する波長のレーザー光線を照射して分割の起点となる改質層を形成するウェーハの加工方法に関し、保持テープの露出面側に透明液体を供給し両面が平坦面で形成されレーザー光線を透過するカバーガラスで透明液体を保持テープとの間に挟みこみ保持テープの露出面全面に液体膜を形成する液体膜形成工程と、液体膜形成工程の後に、カバーガラス側からカバーガラス、液体膜、保持テープ及びウェーハを透過する波長のレーザー光線を、ウェーハの内部に集光点を位置付けて照射し、ウェーハの内部に改質層を形成する改質層形成工程とを含む。

ウェーハの表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され、表面に保持テープが貼着される場合は、改質層形成工程においては、カバーガラス側からカバーガラス、液体膜、保持テープ及びウェーハを透過する波長のレーザー光線を、ウェーハの内部に集光点を位置づけて分割予定ラインに沿って照射してウェーハの内部に改質層を形成し、改質層形成工程の後に、ウェーハの保持テープ側を保持テーブルに保持し、ウェーハの露出している裏面を研削手段により研削し仕上げ厚さへと薄化するとともに研削動作により改質層を起点としてウェーハを分割予定ラインに沿って分割する分割工程が遂行される。

ウェーハの表面には、複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され、ウェーハの裏面には保持テープが貼着され保持テープの外周部に環状フレームが貼着されており、
液体膜形成工程においては、保持テープの露出面側の少なくともウェーハが貼着されている領域に透明液体を供給し、両面が平坦面で形成されレーザー光線を透過するカバーガラスで透明液体を保持テープとの間に挟みこみ保持テープの露出面の少なくともウェーハが貼着されている領域全面に液体膜を形成し、
改質層形成工程においては、カバーガラス側からカバーガラス、液体膜、保持テープ及びウェーハを透過する波長のレーザー光線を、ウェーハの内部に集光点を位置づけて分割予定ラインに沿って照射してウェーハの内部に改質層を形成し、
改質層形成工程の後に、ウェーハに外力を加えることによってウェーハの内部に形成された改質層を起点としてウェーハを分割する分割工程が遂行されることを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。

本発明では、保持テープの露出面とカバーガラスとの間に液体膜を形成し、カバーガラス側からカバーガラス、液体膜及び保持テープを介してウェーハＷの内部にレーザー光線を集光するため、保持テープに樹脂を塗布せずに、ウェーハ内部の所望の深さにレーザー光線を集光することができる。したがって、レーザー加工装置とは別の樹脂塗布装置又はレーザー加工装置と一体となった樹脂塗布装置が不要となり、装置の設置スペースを縮小することができる。また、樹脂を塗布しないことにより、レーザー照射後に樹脂を洗浄する必要もなくなるため、洗浄時にウェーハが割れるなどの不都合も生じない。

レーザー加工装置の例を示す斜視図。 保持テープが貼着され透明液体が滴下されたウェーハ及びカバーガラスを示す斜視図。 改質層形成工程を示す正面視断面図。 ウェーハに改質層が形成された状態を示す正面視断面図。 液体膜除去工程を示す正面視断面図。 分割工程を示す正面視断面図。 分割工程によりウェーハが分割された状態を示す正面視断面図。 裏面が保持テープに貼着され環状フレームに支持されたウェーハを示す斜視図。 改質層形成工程の別の例を示す正面視断面図。 ウェーハに改質層が形成された状態の別の例を示す正面視断面図。 分割工程実施前の状態を示す正面視断面図。 分割工程実施前の状態を示す正面視断面図。

１ レーザー加工装置の構成
図１に示すレーザー加工装置１は、保持手段２に保持された被加工物（ウェーハ）Ｗ１に対してレーザー照射手段３からレーザー光線を照射してウェーハＷに加工を施す装置である。

保持手段２は、ウェーハＷ１を吸引保持する吸引部２０を備えている。また、吸引部２０の周囲には、ウェーハＷ１の上に載置されるカバーガラス１１０を固定するための固定部２１が配設されている。固定部２１は、カバーガラス１１０を上方から押圧する押さえ部２１０を備えている。

保持手段２は、加工送り手段４によって加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動可能に支持されているとともに、割り出し送り手段５によってＸ軸方向に対して水平方向に直交する割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に移動可能に支持されている。

加工送り手段４は、平板状の基台５３上に配設され、Ｘ軸方向の軸心を有するボールネジ４０と、ボールネジ４０と平行に配設された一対のガイドレール４１と、ボールネジ４０の一端に連結されたモータ４２と、図示しない内部のナットがボールネジ４０に螺合すると共に下部がガイドレール４１に摺接するスライド部４３とから構成されている。この加工送り手段４は、モータ４２に駆動されてボールネジ４０が回動するのに伴い、スライド部４３がガイドレール４１上をＸ軸方向に摺動して保持手段２をＸ軸方向に移動させる構成となっている。

保持手段２及び加工送り手段４は、割り出し送り手段５によってＹ軸方向に移動可能に支持されている。割り出し送り手段５は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ５０と、ボールネジ５０に平行に配設された一対のガイドレール５１と、ボールネジ５０の一端に連結されたモータ５２と、図示しない内部のナットがボールネジ５０に螺合すると共に下部がガイドレール５１に摺接する基台５３とから構成されている。この割り出し送り手段５は、モータ５２に駆動されてボールネジ５０が回動するのに伴い、基台５３がガイドレール５１上をＹ軸方向に摺動して保持手段２及び加工送り手段４をＸ軸方向に移動させる構成となっている。

レーザー照射手段３は、壁部１０に固定された基台３０と、基台３０の先端部に固定された照射ヘッド３１とを備えている。照射ヘッド３１は、鉛直方向の光軸を有するレーザー光線を照射する機能を有している。

なお、図１に示したレーザー加工装置１では、加工送り手段４及び割り出し送り手段５が保持手段２をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させ、レーザー照射手段３が移動しない構成としているが、保持手段２とレーザー照射手段３とが相対的にＸ軸方向に加工送りされＹ軸方向に割り出し送りされる構成であれば、図１の例には限定されない、例えば、保持手段２がＸ軸方向に移動し、レーザー照射手段３がＹ軸方向に移動する構成としてもよいし、保持手段２が移動せず、レーザー照射手段３がＸ軸方向及びＹ軸方向に移動する構成としてもよい。

以下では、このように構成されるレーザー加工装置１を用いてウェーハＷ１の内部にレーザー光線を集光して改質層を形成し、その改質層が起点としてウェーハＷを分割する場合について説明する。

２ ウェーハの加工方法（第１例）
図１及び図２に示すウェーハＷ１は、裏面Ｗｂの研削により薄化される前のウェーハであり、表面Ｗａに、格子状に形成された分割予定ラインＬによって区画されてデバイスＤが形成されている。そして、この表面Ｗａには、保持テープＴ１が貼着される。保持テープＴ１は、レーザー光線を透過させるものであればよく、例えばリンテック社製のＤ８２１−ＨＳが用いられる。保持テープＴ１の上面（露出面）は、梨地面に形成されている。

（１）液体膜形成工程
表面Ｗａに保持テープＴ１が貼着されたウェーハＷ１は、裏面Ｗｂ側が保持手段２を構成する吸引部２０の上に載置され吸引保持される。そして、図２に示すように、保持テープＴ１の上には、純水、アルコールなどの透明液体１００が滴下される。

滴下された透明液体１００上にはカバーガラス１１０が載置され、図３に示すように、カバーガラス１１０によって透明液体１００が保持テープＴ１の露出面Ｔ１ａとの間に挟みこまれ、一面に押し広げられる。このカバーガラス１１０の外周部には枠体１１１を備えており、図３に示すように、枠体１１１は、保持手段２を構成する固定部２１によって押さえつけられて固定される。このようにしてカバーガラス１１０が固定されることにより、保持テープＴ１の露出面Ｔ１ａの全面とカバーガラス１１０の下面１１０ｂとの間に透明液体が介在して液体膜１００が形成される。カバーガラス１１０の厚さは、例えば１００μｍである。また、カバーガラス１１０は、両面が平坦に形成されている。カバーガラス１１０は、ウェーハＷに照射するレーザー光線の波長に対して透過性のあるものであれば、特に材質は問われず、例えばサファイアであってもよい。液体膜１００の厚みは、例えば数μｍ〜数百μｍであり、カバーガラス１１０と保持テープＴ１との間の全面に行き渡る程度の量の透明液体が使用される。

（２）改質層形成工程
図３に示すウェーハＷ１は、図１に示した加工送り手段４によってＸ軸方向に加工送りされるとともに、分割予定ラインＬに沿って照射ヘッド３１からレーザー光線３１ａの照射を受ける。レーザー光線３１ａは、カバーガラス１１０側から、カバーガラス１１０、液体膜１００、保持テープＴ１及びウェーハＷ１を透過する波長のレーザー光線であり、ウェーハＷ１の内部に集光点を位置づけることにより、分割予定ラインＬに沿って改質層６が形成される。また、割り出し送り手段５によって基台５３がＹ軸方向に割り出し送りされ、各分割予定ラインＬに沿って順次同様にレーザー照射が行われ、さらに、保持手段２を９０度回転させてから同様のレーザー照射を行うと、図４に示すように、すべての分割予定ラインＬに沿って改質層６が形成される。

レーザー光線３１ａの条件は、例えば以下のとおりとする。
波長：１３４２［ｎｍ］
繰り返し周波数：９０［ｋＨｚ］
出力：１．４［Ｗ］
なお、波長は、１０６４〜１３４２［ｎｍ］、繰り返し周波数は１０〜１００［ｋＨｚ］、出力は０．１〜４［Ｗ］の間で適宜選択することができる。レーザースポット径は、ウェーハＷの表面Ｗａから集光点までの深さの０．４倍程度である。したがって、集光点を浅くすることで、レーザースポット径を小さくすることができる。

空気とカバーガラス１１０とではレーザー光線に対する屈折率が異なるため、レーザー光線の照射時は、空気とカバーガラス１１０との界面においてレーザー光線が屈折する。一方、カバーガラス１１０と保持テープＴ１との間には液体膜１００が介在しており、その間に空気が存在せず、カバーガラス１１０と液体膜１００と保持テープＴ１とでは屈折率にあまり差がないため、保持テープＴ１の露出面Ｔ１ａが梨地に形成されていても、カバーガラス１１０から液体膜１００、保持テープＴ１にかけてレーザー光線の屈折を小さくすることができる。そして、カバーガラス１１０は両面が平坦であるため、ウェーハＷ内の所定の深さにレーザー光線を十分に集光し、所望の改質層を形成することができる。

（３）液体膜除去工程
改質層形成工程の終了後は、図５に示すように、カバーガラス１１０を保持テープＴ１の露出面Ｔ１ａから離反させる。そして、露出面Ｔ１ａに対して圧縮エアー噴出部７から圧縮エアー７ａを噴射することにより、残存している液体膜を露出面Ｔ１ａから除去する。従来使用していた樹脂と比較して液体膜１００は容易に除去することができるため、ウェーハＷ１のハンドリングも容易であり、ウェーハＷ１が割れにくい。なお、圧縮エアー噴出部７は、図１においては図示していないが、レーザー加工装置１における保持手段２のＸ軸方向の移動経路の上方に配設されている。

（４）分割工程
次に、固定部２１による枠体１１１の固定を解除するとともに、ウェーハＷの吸引部２０における吸引保持を解除する。そして、保持テープＴ１が貼着され改質層６が形成されたウェーハＷは、例えば図６に示す研削装置８に搬送される。

この研削装置８は、被研削物を保持して回転可能なチャックテーブル８０と、チャックテーブル８０に保持された被研削物に対して研削を施す研削手段８１とを備えており、研削手段８１は、回転軸８１０の下端部に研削ホイール８１１が装着されて構成されている。研削手段８１は、チャックテーブル８０に保持された被研削物に対して接近又は離反する方向に移動可能となっている。また、研削ホイール８１１の下部には、円環状に複数の研削砥石８１１ａが固着されている。

チャックテーブル８０には、保持テープＴ１の露出面Ｔ１ａが保持され、ウェーハＷ１の裏面Ｗｂが露出した状態となる。そして、研削ホイール８１１が回転しながら研削手段８１が降下することにより、回転する研削砥石８１１ａが裏面Ｗｂに接触して裏面Ｗｂが研削され、ウェーハＷが薄化される。そして、研削により各改質層６に対して研削負荷が作用し、図７に示すように、改質層６を起点として裏面Ｗｂから表面Ｗａに至るクラック６ａが生じ、分割予定ラインＬに沿って個々のデバイスに分割される。

このように、保持テープＴ１の露出面Ｔ１ａの上に液体膜１００を形成し、カバーガラス１１０、液体膜１００及び保持テープＴ１を介してウェーハＷの内部にレーザー光線を集光することにより、保持テープＴ１に樹脂を塗布する必要がなくなるため、レーザー加工装置とは別の樹脂塗布装置又はレーザー加工装置と一体となった樹脂塗布装置が不要となり、装置の設置スペースを縮小することができる。また、樹脂を塗布しないことにより、レーザー照射後に樹脂を洗浄する必要もなくなるため、洗浄時にウェーハが割れるなどの不都合も生じない。

ウェーハＷが不純物のドープ量が多いものである場合は、裏面Ｗｂ側からレーザー光線を照射すると、ウェーハＷの内部でレーザー光線が散乱するため、厚み方向の深い位置（表面Ｗａに近い側）に改質層を形成することができないという問題があるが、ウェーハＷの表面Ｗａに保持テープＴ１を貼着し、保持テープＴ１の露出面Ｔ１ａの上に液体膜１００を形成してウェーハＷの表面Ｗａ側からレーザー光線を照射するため、表面Ｗａに近い側に改質層を形成することができる。したがって、分割工程において研削による分割を円滑に行うことができる。

また、レーザー光線の集光点が浅くなる分、ウェーハＷの表面Ｗａにおけるレーザースポット径を小さくすることができるため、ウェーハＷの分割予定ラインＬの幅の範囲内にレーザースポット径を収めることができ、デバイスＤに悪影響を与えることがないとともに、分割予定ラインＬが細いウェーハにも対応して加工を行うことができる。

さらに、改質層形成工程ではウェーハＷの裏面Ｗｂ側にテープが貼着されていないため、改質層形成工程から液体膜除去工程及び分割工程にスムーズに移行することができる。

３ ウェーハの加工方法（第２例）
図８に示すウェーハＷ２は、裏面Ｗ２ｂが研削され薄化されたウェーハであり、表面Ｗ２ａに、格子状に形成された分割予定ラインＬによって区画されてデバイスＤが形成されている。裏面Ｗ２ｂには保持テープＴ２が貼着される。保持テープＴ２の外周部は、リング状に形成された環状フレームＦに貼着され、ウェーハＷ２が保持テープＴ２を介して環状フレームＦに支持されている。

（１）液体膜形成工程
保持テープＴ２を介して環状フレームＦに支持されたウェーハＷ２は、図９に示すように、ウェーハＷ２の表面Ｗ２ａが保持手段２の吸引部２０に吸引保持され、環状フレームＦが固定部２１によって固定される。そして、保持テープＴ２の露出面Ｔ２ｂの少なくともウェーハＷ２が貼着されている領域に透明液体が滴下され、その上にカバーガラス１１０が載置され、露出面Ｔ２ｂとカバーガラス１１０との間に液体膜１００が介在した状態となる。カバーガラス１１０の周囲の枠体１１１は、環状フレームＦとともに固定部２１の押さえ部２１０によって固定される。このようにしてカバーガラス１１０が固定されることにより、保持テープＴ２の露出面Ｔ２ｂの少なくともウェーハＷ２が貼着されている領域とカバーガラス１１０の下面１１０ｂとの間に透明液体が介在して液体膜１００が形成される。カバーガラス１１０の厚さは、例えば１００μｍである。また、カバーガラス１１０は、両面が平坦に形成されている。カバーガラス１１０は、ウェーハＷ２に照射するレーザー光線の波長に対して透過性のあるものであれば、特に材質は問われず、例えばサファイアであってもよい。液体膜１００の厚みは、例えば数μｍ〜数百μｍであり、カバーガラス１１０と保持テープＴ２の少なくともウェーハＷ２が貼着されている領域の間の全面に行き渡る程度の量の透明液体が使用される。

（２）改質層形成工程
次に、図１に示した加工送り手段４によってＸ軸方向に加工送りされるとともに、分割予定ラインＬに沿って照射ヘッド３１からレーザー光線３１ａの照射を受ける。レーザー光線３１ａは、カバーガラス１１０側から、カバーガラス１１０、液体膜１００、保持テープＴ２及びウェーハＷ２を透過する波長のレーザー光線であり、ウェーハＷ２の内部にレーザー光線を集光することにより、分割予定ラインＬに沿って改質層６０が形成される。また、割り出し送り手段５によって基台５３がＹ軸方向に割り出し送りされ、各分割予定ラインＬに沿って順次同様にレーザー照射が行われ、さらに、保持手段２を９０度回転させてから同様のレーザー照射を行うと、図１０に示すように、すべての分割予定ラインＬに沿って改質層６が形成される。

レーザー光線３１ａの条件は、例えば以下のとおりとする。
波長：１３４２［ｎｍ］
繰り返し周波数：９０［ｋＨｚ］
出力：１．４［Ｗ］
なお、波長は、１０６４〜１３４２［ｎｍ］、繰り返し周波数は１０〜１００［ｋＨｚ］、出力は０．１〜４［Ｗ］の間で適宜選択することができる。

空気とカバーガラス１１０とではレーザー光線に対する屈折率が異なるため、レーザー光線の照射時は、空気とカバーガラス１１０との界面においてレーザー光線が屈折する。一方、カバーガラス１１０と保持テープＴ２との間には液体膜１００が介在しており、その間に空気が存在せず、カバーガラス１１０と液体膜１００と保持テープＴ２とでは屈折率にあまり差がないため、保持テープＴ２の露出面Ｔ２ａが梨地に形成されていても、カバーガラス１１０から液体膜１００、保持テープＴ２にかけてレーザー光線の屈折を小さくすることができる。したがって、ウェーハＷ２内の所定の深さにレーザー光線を十分に集光し、所望の改質層を形成することができる。

（３）液体膜除去工程
図５と同様に、カバーガラス１００を保持テープＴ２の露出面Ｔ２ｂから離反させる。そして、露出面Ｔ２ｂに対して圧縮エアー噴出部７から圧縮エアー７ａを噴射することにより、残存している液体膜を露出面Ｔ１ａから除去する。従来使用していた樹脂と比較して液体膜１００は容易に除去することができるため、ウェーハＷ２のハンドリングも容易であり、ウェーハＷ２が割れにくい。

（４）分割工程
液体膜除去工程の後に、図１１に示すように、テープ拡張装置９の保持テーブル９０に保持テープＴ２側を載置し、環状フレームＦをフレーム保持部９１において保持する。フレーム保持部９１は、シリンダ９２によって駆動されるピストン９３に固定されており、ピストン９３とともに昇降する構成となっている。分割工程では、フレーム保持部９１が保持テーブル９０との関係で相対的に下降するようにフレーム保持部９１と保持テーブル９０とを上下方向に相対移動させる。そうすると、下降する環状フレームＦによってテープＴが伸張されて拡張し、これによって改質層６０に対して水平方向の外力がはたらくため、改質層６０を起点として分割予定ラインＬに沿ってウェーハＷ２が破断され、個々のデバイスＤごとに分割される。保持テープＴ２の露出面Ｔ２ｂは梨地面に形成されているため、保持テーブル９０との間に働く摩擦力を小さくして円滑に分割を行うことができる。

このように、保持テープＴ２の露出面Ｔ２ｂの上に液体膜１００を形成し、液体膜１００及び保持テープＴ２を介してウェーハＷ２の内部にレーザー光線を集光することにより、保持テープＴ２に樹脂を塗布する必要がなくなるため、レーザー加工装置とは別の樹脂塗布装置又はレーザー加工装置と一体となった樹脂塗布装置が不要となり、装置の設置スペースを縮小することができる。また、樹脂を塗布しないことにより、レーザー照射後に樹脂を洗浄する必要もなくなるため、洗浄時にウェーハが割れるなどの不都合も生じない。

さらに、液体膜形成工程、改質層形成工程及び分割工程を通じて、ウェーハＷ２は常に保持テープＴ２を介して環状フレームＦに支持された状態であるため、その後に行われる個々のデバイスのピックアップまでにスムーズに移行することができる。

１：レーザー加工装置
２：保持テーブル ２０：吸引部 ２１：固定部 ２１０：押さえ部
３：レーザー照射手段 ３０：基台 ３１：照射ヘッド
４：加工送り手段
４０：ボールネジ ４１：ガイドレール ４２：モータ ４３：スライド部
５：割り出し送り手段
５０：ボールネジ ５１：ガイドレール ５２：モータ ５３：基台
６、６０：改質層 ６ａ：クラック
７：圧縮エアー噴出部 ７ａ：圧縮エアー
８：研削装置
８０：チャックテーブル
８１：研削手段 ８１０：回転軸 ８１１：研削ホイール ８１１ａ：研削砥石
１００：液体膜（透明液体）
１１０：カバーガラス １１１：枠体
Ｗ１、Ｗ２：ウェーハ
Ｗａ、Ｗ２ａ：表面 Ｗｂ、Ｗ２ｂ：裏面
Ｔ１、Ｔ２：保持テープ Ｔ１ａ、Ｔ２ｂ：露出面
Ｌ：分割予定ライン Ｄ：デバイス

Claims (3)

1. 保持テープが表面又は裏面に貼着されたウェーハの該保持テープ側から該保持テープ及び該ウェーハを透過する波長のレーザー光線を照射して分割の起点となる改質層を形成するウェーハの加工方法であって、
   該保持テープの露出面側に透明液体を供給し両面が平坦面で形成され該レーザー光線を透過するカバーガラスで該透明液体を該保持テープとの間に挟みこみ該保持テープの該露出面全面に液体膜を形成する液体膜形成工程と、
   該液体膜形成工程の後に、該カバーガラス側から該カバーガラス、該液体膜、該保持テープ及び該ウェーハを透過する波長のレーザー光線を、該ウェーハの内部に集光点を位置付けて照射し、該ウェーハの内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
   を含むウェーハの加工方法。
2. 前記ウェーハの表面には、複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され、該表面に保持テープが貼着されており、
   前記改質層形成工程においては、前記カバーガラス側から該カバーガラス、前記液体膜、該保持テープ及び該ウェーハを透過する波長のレーザー光線を、ウェーハの内部に集光点を位置づけて該分割予定ラインに沿って照射して該ウェーハの内部に改質層を形成し、
   該改質層形成工程の後に、該ウェーハの該保持テープ側を保持テーブルに保持し、該ウェーハの露出している裏面を研削手段により研削し仕上げ厚さへと薄化するとともに研削動作により該改質層を起点としてウェーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割工程が遂行されることを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。
3. 前記ウェーハの表面には、複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され、該ウェーハの裏面には保持テープが貼着され該保持テープの外周部に環状フレームが貼着されており、
   前記液体膜形成工程においては、該保持テープの露出面側の少なくともウェーハが貼着されている領域に透明液体を供給し、両面が平坦面で形成されレーザー光線を透過するカバーガラスで該透明液体を該保持テープとの間に挟みこみ該保持テープの該露出面の少なくともウェーハが貼着されている領域全面に液体膜を形成し、
   前記改質層形成工程においては、該カバーガラス側から該カバーガラス、該液体膜、該保持テープ及びウェーハを透過する波長の該レーザー光線を、ウェーハの内部に集光点を位置づけて該分割予定ラインに沿って照射してウェーハの内部に改質層を形成し、
   該改質層形成工程の後に、該ウェーハに外力を加えることによって該ウェーハの内部に形成された該改質層を起点としてウェーハを分割する分割工程が遂行されることを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。

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