WO2019044530A1 - 薄型化板状部材の製造方法、及び製造装置 - Google Patents

薄型化板状部材の製造方法、及び製造装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2019044530A1
WO2019044530A1 PCT/JP2018/030458 JP2018030458W WO2019044530A1 WO 2019044530 A1 WO2019044530 A1 WO 2019044530A1 JP 2018030458 W JP2018030458 W JP 2018030458W WO 2019044530 A1 WO2019044530 A1 WO 2019044530A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
plate
wafer
hard support
holding means
double
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/030458
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
直史 泉
茂之 山下
Original Assignee
リンテック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by リンテック株式会社 filed Critical リンテック株式会社
Priority to CN201880057314.1A priority Critical patent/CN111052316A/zh
Priority to KR1020207005303A priority patent/KR102565070B1/ko
Priority to JP2019539358A priority patent/JP7231548B2/ja
Publication of WO2019044530A1 publication Critical patent/WO2019044530A1/ja

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes

Abstract

薄型化板状部材の製造方法は、第1硬質支持体(110)の支持面(111)に第1両面接着シート(AT1)の第1接着面(AT11)を貼付し、板状部材(WF)の第1表面(WF1)全体に第2接着面(AT12)を貼付する工程と、前記板状部材(WF)の内部に境界層(CR)を形成する工程と、第1硬質支持体(110)を挟んで前記板状部材(WF)の反対側に第1保持手段(130)が位置するように、前記第1保持手段(130)と第1硬質支持体(110)とを着脱自在に固定する工程と、第2保持手段(160)で前記板状部材(WF)を第2表面(WF2)側から保持する工程と、前記境界層(CR)を境にして、前記板状部材(WF)を、第1表面(WF1)を有する第1薄型化板状部材、及び第2表面(WF2)を有する第2薄型化板状部材に分割するように、前記第1保持手段(130)と前記第2保持手段(160)とを相対移動させる工程とを備えている。

Description

薄型化板状部材の製造方法、及び製造装置
 本発明は、薄型化板状部材の製造方法、及び製造装置に関する。
 従来、被加工物を加工する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
 特許文献1の方法は、保持手段で保持された被加工物にレーザ光を照射して、被加工物の内部に改質面を形成する。そして、この改質面を境界にして、被加工物の一部を剥離する。
 この特許文献1には、被加工物としてのウエハを、一般的な厚みから薄く加工できることも開示されている。この場合、ウエハの第1表面をチャックテーブルの上面で直接吸着保持し、第2表面に吸引パッドの吸着面を接触させる。そして、吸引パッドにウエハを吸引させることで、改質面を境界にして、ウエハを第1表面を有する第1薄型化ウエハと第2表面を有する第2薄型化ウエハとに分割できると考えられる。
特開2015-30005号公報
 しかしながら、特許文献1の方法において、吸引パッドの吸引のみでウエハを分割できない場合、駆動機器で吸引パッドを上昇させることが考えられるが、以下のような不具合が発生するおそれがある。
 チャックテーブルの上面は、一般的にポーラス状に形成されている。このため、ウエハの第1表面には、チャックテーブルで吸着されている部分(以下、「吸着部分」という)と、吸着されていない部分(以下、「非吸着部分」という)とが存在することになる。
 吸引パッドが上昇すると、吸着部分には吸着パッドの上昇に伴う上方向の力、及びチャックテーブルの吸着による下方向への力が作用するが、非吸着部分には下方向への力が作用しない。また、大気圧雰囲気中では、吸着力に限界がある。さらに、ウエハは薄く変形しやすいことから、非吸着部分が上方向へ撓んでしまい、ウエハが分割されずに破損してしまうおそれがある。
 本発明の目的は、薄型化板状部材を適切に製造できる薄型化板状部材の製造方法および製造装置を提供することにある。
 本発明の薄型化板状部材の製造方法は、第1硬質支持体の支持面に第1両面接着シートの第1接着面を貼付し、板状部材の第1表面全体に前記第1両面接着シートの第2接着面を貼付する工程と、前記板状部材の内部に前記第1表面に平行な境界層を形成する工程と、前記第1硬質支持体を挟んで前記板状部材の反対側に第1保持手段が位置するように、前記第1保持手段と前記第1硬質支持体とを着脱自在に固定する工程と、第2保持手段で前記板状部材を当該板状部材の第2表面側から保持する工程と、前記境界層を境にして、前記板状部材を、前記第1表面を有する第1薄型化板状部材、及び前記第2表面を有する第2薄型化板状部材に分割するように、前記第1保持手段と前記第2保持手段とを相対移動させる工程とを備えていることを特徴とする。
 本発明の薄型化板状部材の製造方法において、前記第2保持手段で前記板状部材を前記第2表面側から保持する工程は、第2硬質支持体の支持面に第2両面接着シートの第1接着面を貼付し、前記板状部材の第2表面全体に前記第2両面接着シートの第2接着面を貼付し、前記第2硬質支持体を挟んで前記板状部材の反対側に第2保持手段が位置するように、前記第2保持手段と前記第2硬質支持体とを着脱自在に固定することが好ましい。
 また、本発明の薄型化板状部材の製造方法において、前記板状部材は、ウエハであることが好ましい。
 本発明の薄型化板状部材の製造装置は、支持面に第1両面接着シートの第1接着面が貼付される第1硬質支持体と、第1表面全体が前記第1両面接着シートの第2接着面に貼付された板状部材の内部に、前記第1表面に平行な境界層を形成する境界層形成手段と、第1保持手段と、前記第1硬質支持体を挟んで前記板状部材の反対側に前記第1保持手段が位置するように、前記第1保持手段と前記第1硬質支持体とを着脱自在に固定する第1固定手段と、前記板状部材を第2表面側から保持する第2保持手段と、前記境界層を境にして、前記板状部材を、前記第1表面を有する第1薄型化板状部材、及び前記第2表面を有する第2薄型化板状部材に分割するように、前記第1保持手段と前記第2保持手段とを相対移動させる相対移動手段とを備えていることを特徴とする。
 本発明の薄型化板状部材の製造装置において、支持面に第2両面接着シートの第1接着面が貼付される第2硬質支持体と、前記第2硬質支持体を挟んで前記板状部材の反対側に前記第2保持手段が位置するように、前記第2保持手段と前記第2硬質支持体とを着脱自在に固定する第2固定手段とを備え、前記第2両面接着シートの第2接着面は、前記板状部材の前記第2表面全体が貼付可能な大きさに形成されていることが好ましい。
 本発明によれば、薄型化板状部材を適切に製造できる薄型化板状部材の製造方法および製造装置を提供できる。
本発明の実施形態に係る薄型化ウエハの製造装置の動作説明図。 前記実施形態に係る薄型化ウエハの製造装置の動作説明図であり、図1Aに続く状態を示す。 前記実施形態に係る薄型化ウエハの製造装置の動作説明図であり、図1Bに続く状態を示す。 前記実施形態に係る薄型化ウエハの製造装置の動作説明図であり、図1Cに続く状態を示す。 前記実施形態に係る薄型化ウエハの製造装置の動作説明図であり、図2Aに続く状態を示す。 本発明の実施形態の変形にて複数の改質部を形成した後のウエハの縦断面概略図。 前記変形にて複数の改質部を形成した後のウエハの横断面概略図。 本発明の実施形態の他の変形にて複数の改質部を形成した後のウエハの縦断面概略図。 前記他の変形にて複数の改質部を形成した後のウエハの横断面概略図。
[実施形態]
 以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
 なお、本実施形態におけるX軸、Y軸、Z軸は、それぞれが直交する関係にあり、X軸およびY軸は、所定平面内の軸とし、Z軸は、前記所定平面に直交する軸とする。さらに、本実施形態では、方向を示した場合、「上」がZ軸の矢印方向で「下」がその逆方向、「左」がX軸の矢印方向で「右」がその逆方向、「前」がY軸の矢印方向で「後」がその逆方向とする。
 図1A~C、及び図2A、Bにおいて、薄型化板状部材としての薄型化ウエハの製造装置100は、支持面111に第1両面接着シートAT1の第1接着面AT11が貼付される第1硬質支持体110と、第1表面WF1全体が第1両面接着シートAT1の第2接着面AT12に貼付された板状部材としてのウエハWFの内部に、第1表面WF1に平行な境界層としてのクラック層CRを形成する境界層形成手段120と、第1保持手段としての下テーブル130と、第1硬質支持体110を挟んでウエハWFの反対側に下テーブル130が位置するように、下テーブル130と第1硬質支持体110とを着脱自在に固定する第1固定手段140と、支持面151に第2両面接着シートAT2の第1接着面AT21が貼付される第2硬質支持体150と、ウエハWFを第1表面WF1と反対側の第2表面WF2側から保持する第2保持手段としての上テーブル160と、第2硬質支持体150を挟んでウエハWFの反対側に上テーブル160が位置するように、上テーブル160と第2硬質支持体150とを着脱自在に固定する第2固定手段170と、クラック層CRを境にして、ウエハWFを、第1表面WF1を有する第1薄型化板状部材としての第1薄型化ウエハWT1、及び第2表面WF2を有する第2薄型化板状部材としての第2薄型化ウエハWT2に分割するように、下テーブル130と上テーブル160とを相対移動させる相対移動手段180とを備えている。
 ウエハWFは、レーザ照射によって改質される材質からなるウエハであれば特に限定されない。レーザは、ステルスダイシング法において照射するレーザであることが好ましい。ウエハWFの材質は、例えば、シリコン、窒化ケイ素、窒化ガリウム、ガリウム砒素、SiC(シリコンカーバイド)、サファイア、及びガラスからなる群から選択されることが好ましい。ウエハWFの材質は、シリコンであることがより好ましく、単結晶シリコンであることがさらに好ましい。また、ウエハWFは、結晶方位を有する材質で形成されていることも好ましい。
 本実施形態に係るウエハの製造方法によれば、インゴットのように厚みの大きい処理対象物ではなく、厚みが小さい板状部材(ウエハ)をさらに薄型化できる。ウエハWFの厚みは、3mm以下であることが好ましい。ウエハWFを分割して形成される第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2の厚みの少なくともいずれかが、10μm以上であることが好ましく、30μm以上であることがより好ましい。
 第1硬質支持体110、及び第2硬質支持体150は、板状であることが好ましく、その材料や形状は機械的強度を考慮して適宜決定すればよい。材料としては、例えば、SUS等の金属材料;ガラス、シリコンウエハ等の非金属無機材料;ポリイミド、ポリアミドイミド等の樹脂材料;ガラスエポキシ樹脂等の複合材料等が挙げられ、これらの中でも、SUS、ガラス、シリコンウエハ等が好ましい。
 第1硬質支持体110、及び第2硬質支持体150の厚さは、機械的強度、取り扱い性等を考慮して適宜決定すればよく、例えば、100μm以上50mm以下であることが好ましい。
 第1硬質支持体110は、後述するように、上テーブル160の回転によってウエハWFに第1両面接着シートAT1から離れる方向への力が作用したときに、変形しないものであればよく、例えば曲げ強さが50MPa以上であることが好ましい。
 また、第2硬質支持体150の硬度は、後述するように、上テーブル160の回転によって第2両面接着シートAT2にウエハWFから離れる方向への力が作用したときに、変形しないものであればよく、例えば曲げ強さが50MPa以上であることが好ましい。
 境界層形成手段120は、レーザ照射器121を備えている。
 第1固定手段140は、減圧ポンプや真空エジェクタ等によって構成された下側減圧手段141を備え、配管142を介して接続された下テーブル130の内部空間を減圧することによって、下テーブル130の保持面131で、第1硬質支持体110を吸着保持可能に構成されている。
 第2固定手段170は、下側減圧手段141と同様に構成された上側減圧手段171を備え、配管172を介して接続された上テーブル160の内部空間を減圧することによって、上テーブル160の保持面161で、第2硬質支持体150を吸着保持可能に構成されている。
 相対移動手段180は、下テーブル130の側方に配置された駆動機器としての回動モータ181を備えている。回動モータ181の出力軸182は、上テーブル160の端部から下方に延びる延出部162に接続されている。
 以上の薄型化ウエハの製造装置100において、ウエハWFから第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2を製造する手順を説明する。
 先ず、図1Aに示すように、支持面111に第1両面接着シートAT1の第1接着面AT11が貼付された第1硬質支持体110を準備し、同図中二点鎖線で示すウエハWFの第1表面WF1全体を、実線で示すように第2接着面AT12に貼付する。このとき、気泡が形成されないように第1表面WF1を第2接着面AT12に貼付する。なお、第1接着面AT11における第1表面WF1に対応する領域全体も、気泡が形成されないように、第1硬質支持体110に貼付されることが好ましい。また、第1両面接着シートAT1を第1硬質支持体110、及び第1表面WF1に貼付する方法や順序は特に限定されず、例えば、第1両面接着シートAT1をウエハWFに貼付した後、第1硬質支持体110に貼付してもよい。
 次に、図1Bに示すように、作業者または多関節ロボットやベルトコンベア等の図示しない搬送手段が、ウエハWF、及び第1硬質支持体110を境界層形成手段120の下方に移動させ、境界層形成手段120がレーザ照射器121を駆動し、図示しない相対移動機構がレーザ照射器121、及び第1硬質支持体110を相対的に水平方向に移動させる。レーザ照射器121のレーザ光LBは、ウエハWFの内部にその焦点が合うようになっているので、レーザ照射器121、及び第1硬質支持体110の相対移動により、図1Cに示すように、ウエハWFの内部全体にX-Y平面に沿うクラック層CRが形成される。ウエハWFの内部全体にクラック層CRが形成されると、境界層形成手段120がレーザ照射器121の駆動を停止する。
 この後、図2Aに示すように、第1硬質支持体110を挟んでウエハWFの反対側に下テーブル130が位置し、第2硬質支持体150に第2両面接着シートAT2の第1接着面AT21が貼付され、ウエハWFの第2表面WF2全体に第2両面接着シートAT2の第2接着面AT22が貼付され、第2硬質支持体150を挟んでウエハWFの反対側に上テーブル160が位置する状態にする。このとき、気泡が形成されないように、第2表面WF2を第2接着面AT22に貼付する。なお、第1接着面AT21における第2表面WF2に対応する領域全体も、気泡が形成されないように、第2硬質支持体150に貼付されることが好ましい。
 そして、第1固定手段140、及び第2固定手段170がそれぞれ下側減圧手段141、及び上側減圧手段171を駆動し、第1硬質支持体110を下テーブル130の保持面131で、第2硬質支持体150を上テーブル160の保持面161でそれぞれ吸着保持する。なお、第1硬質支持体110を下テーブル130上に位置させたり、第2両面接着シートAT2を第2硬質支持体150、及び第2表面WF2に貼付したり、第2硬質支持体150を上テーブル160の下方に位置させたりする方法や順序は特に限定されず、例えば、第2両面接着シートAT2を第2硬質支持体150に貼付した後に第2表面WF2に貼付してもよいし、その逆の貼付順序でもよい。
 その後、図2Bに示すように、相対移動手段180が回動モータ181を駆動し、上テーブル160を時計回転方向に回転させ、クラック層CRを境にしてウエハWFを分割することで、薄型化された第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2を形成する。
 このとき、ウエハWFの第1表面WF1全体に第1両面接着シートAT1の第2接着面AT12が貼付され、第1硬質支持体110に第1接着面AT11が接着されているため、上テーブル160の回転によってウエハWFに第1両面接着シートAT1から離れる方向への力が作用したときに、第1硬質支持体110によってウエハWF全体の撓みが抑制されたまま、上テーブル160が回転する。したがって、ウエハWFを破損させることなく分割でき、第1薄型化ウエハWT1を適切に製造できる。
 また、ウエハWFの第2表面WF2全体に第2両面接着シートAT2の第2接着面AT22が貼付され、第2硬質支持体150に第1接着面AT21が接着されているため、上テーブル160の回転によって第2両面接着シートAT2にウエハWFから離れる方向への力が作用したときに、第2硬質支持体150によってウエハWF全体の撓みが抑制されたまま、上テーブル160が回転する。したがって、ウエハWFを破損させることなく分割でき、第2薄型化ウエハWT2を適切に製造できる。
 さらに、第1硬質支持体110、及び第2硬質支持体150で第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2を支持しているため、第1硬質支持体110、及び第2硬質支持体150を保持することによって、第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2の搬送が容易になる。
 次に、作業者または図示しない搬送手段が第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2を保持すると、第1固定手段140、及び第2固定手段170がそれぞれ下側減圧手段141、及び上側減圧手段171の駆動を停止し、第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2を支持している第1硬質支持体110、及び第2硬質支持体150の吸着保持を解除する。
 本実施形態では、第1固定手段140、及び第2固定手段170として、第1硬質支持体110、及び第2硬質支持体150を吸着保持で固定する構成を適用しているため、例えば、粘着剤で固定する場合のように、吸着保持解除後に下テーブル130の保持面131、及び上テーブル160の保持面161のそれぞれに付着した粘着成分を除去する必要がなく、作業性の低下を抑制できる。
 その後、図示しない搬送手段が第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2を次工程に搬送すると、各手段がそれぞれの駆動機器を駆動し、各部材を初期位置に復帰させ、以降上記同様の動作が繰り返される。
 以上のような実施形態によれば、第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2を適切に製造できる。
[実施形態の変形]
 以上のように、本発明を実施するための最良の構成、方法等は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。また、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部もしくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれる。
 例えば、第1硬質支持体110を適用していれば、第2硬質支持体150を適用せずに、ウエハWFを直接あるいは第2両面接着シートAT2を介して上テーブル160の保持面161で吸着保持させてもよい。
 第2硬質支持体150を適用していれば、第1硬質支持体110を適用せずに、ウエハWFを直接あるいは第1両面接着シートAT1を介して下テーブル130の保持面131で吸着保持させてもよく、この場合、第2硬質支持体150、第2両面接着シートAT2が、それぞれ本発明の第1硬質支持体、第1両面接着シートに該当することになる。
 境界層形成手段120は、分割される前のウエハWFにレーザ光LBを照射するものであればよく、例えば、第1両面接着シートAT1を貼付する前のウエハWFにレーザ光LBを照射してもよい。
 境界層形成手段120は、第1両面接着シートAT1が貼付されたウエハWFに対して第1両面接着シートAT1側からレーザ光LBを照射してもよいし、第2両面接着シートAT2が貼付されたウエハWFに対して第1両面接着シートAT1側または第2両面接着シートAT2側からレーザ光LBを照射してもよいし、ウエハWFの外周面側からレーザ光LBを照射してもよいし、第1薄型化ウエハWT1側、第2薄型化ウエハWT2側、及び外周面側のうち2つまたは全部の方向からレーザ光LBを照射してもよい。
 境界層形成手段120は、第1硬質支持体110、及び第2硬質支持体150の少なくとも一方がレーザ光LBを透過する材料で形成されている場合、当該レーザ光LBを透過する材料で形成された支持体側からレーザ光LBを照射してもよい。
 境界層形成手段120は、下テーブル130または上テーブル160で吸着保持されたウエハWFに対してレーザ光LBを照射してもよい。
 境界層形成手段120は、焦点が線状のレーザ光(線状レーザ光)や焦点が面状のレーザ光(面状レーザ光)を照射可能なレーザ照射器を採用してもよいし、複数のレーザ照射器を採用してもよい。
 境界層形成手段120は、焦点の位置を任意に決定することができ、形成される第1薄型化ウエハWT1と第2薄型化ウエハWT2との厚みの比は、50対50でもよいし、1対99でもよいし、1000対1でもよく、希望する薄型化ウエハの厚みに合わせてその焦点を決定することができる。
 境界層形成手段120は、X線や紫外線等のエネルギー線や振動や脈動等を付与してウエハWFの厚み方向中間部にクラック層CRを形成してもよい。
 境界層形成手段120は、クラック層以外に、改質層や空隙等を形成してもよい。なお、クラック層とは、化学的または物理的にウエハWFにひび割れや割れを生じさせた層のことであり、改質層とは、化学的または物理的にウエハWFの性質や強度を変更して脆弱化または軟化した層のことであり、空隙とは、何もない空間または、実質的に何もないが当該空隙を挟んだ両者が接触している状態を含む。
 境界層形成手段120は、ウエハWFの内部に部分的にX-Y平面に沿う境界部を形成してもよい。
 境界層形成手段120は、クラック層CRの代わりに、図3、及び図4に示すような複数の改質部RPから構成される境界層を形成してもよい。なお、図3、図4、及び後述する図5、図6において、図の視認性の観点からハッチは省略してある。
 境界層形成手段120は、半導体ウエハを改質できるレーザ光LBを照射する手段であれば特に限定されない。境界層形成手段120としては、例えば、ステルスダイシング法に採用される装置を用いることもできる。
 境界層を形成するレーザ照射工程においては、ウエハWFの第2表面WF2側からレーザ光LBを照射してもよい。このレーザ光LBの照射によって、複数の改質部RPを、ウエハWFの内部の分割面DPに沿って形成する。すなわち、複数の改質部RPが存在しているウエハ内部の面状の領域が分割面DPに相当する。改質部RPを起点として、ウエハWFが分割される。
 ウエハWFが結晶方位を有する材質で形成されている場合、分割面DPと結晶方位とが一致していることが好ましい。分割面DPと結晶方位とが一致していれば、ウエハWFの分割によって現れる第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2の表面(分割面DPと対応する面)を、より滑らかにすることができる。
 レーザ照射器121は、ウエハWFの内部に、改質部RPを形成できるようにレーザ照射条件が設定されている。レーザ照射条件としては、例えば、レーザ出力、レーザ周波数、レーザ照射位置、及びレーザ波長などが挙げられるが、これらに限定されない。
 本明細書において、改質部は、ウエハWFの性質や強度を変化させて脆弱化または軟化した部位である。本明細書において、改質部は、ウエハの内部のレーザが照射されたレーザ照射点と、このレーザ照射点を中心部とし、この中心部の周辺に形成された周辺部と、を含んだ領域をいう。ウエハの内部における改質強度は、レーザ照射点において最大である。周辺部の改質強度は、レーザ照射点から離れるほど低減する。
 図3及び図4には、断面が円形である改質部RPが示されているが、本明細書における改質部の形状や大きさは、図3及び図4に示されたような形状に限定されない。
 改質部RPは、分割面DPの全体に亘って形成されていることも好ましい。形成する改質部RPの個数は、特に限定されない。例えば、ウエハWFの材質及びレーザによる改質強度に応じて、第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2に分割し易いように、形成する改質部RPの個数を設定することもできる。また、半導体ウエハの生産性も考慮して、形成する改質部RPの個数を設定することもできる。
 また、例えば、図3及び図4に示すように、複数の改質部RPは、互いに重なっていてもよい。
 この際、レーザ光LBを分割面DPに沿って1μm以上350μm以下の間隔で照射することが好ましい。すなわち、レーザ光LBが照射された点(レーザ照射点)同士の間隔Dが、1μm以上350μm以下となるように、レーザ光LBを照射することが好ましい。レーザ照射点の間隔Dが1μm以上であれば生産性が向上する。レーザ照射点の間隔が350μm以下であれば、ウエハWFの厚み方向に亀裂が入り易くなるという不具合を抑制できる。レーザ照射点の間隔Dは、1μm以上350μm以下の範囲内であれば、全ての改質部RPにおいて同一であっても、異なっていてもよい。
 また、図5及び図6に示すように、複数の改質部RPは、互いに離れていてもよい。
 この際、レーザ光LBを分割面DPに沿って1μm以上350μm以下の間隔で照射することが好ましい。すなわち、レーザ光LBが照射された点(レーザ照射点)同士の間隔D1が、1μm以上350μm以下となるように、レーザ光LBを照射することが好ましい。レーザ照射点の間隔D1が1μm以上であれば生産性が向上する。レーザ照射点の間隔が350μm以下であれば、ウエハWFの厚み方向に亀裂が入り易くなるという不具合を抑制できる。レーザ照射点の間隔D1は、1μm以上350μm以下の範囲内であれば、全ての改質部RPにおいて同一であっても、異なっていてもよい。
 隣り合う改質部RP同士の間隔(一方の改質部の端と他方の改質部との端との間隔)は、ウエハWFの面方向に分割できる間隔であれば、特に限定されない。
 図3、図4、図5及び図6の構成において、レーザ照射点の間隔は、例えば、第1硬質支持体110を保持する図示しないテーブル及びレーザ照射器32の少なくともいずれかの移動速度を変化させることで、所定の距離に調整することができる。
 そして、図3、図4、図5及び図6の構成において、複数の改質部RPが形成された分割面DPを境界にしてウエハWFを分割することで、第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2を形成する。
 図3及び図4に示すように、複数の改質部RPを互いに重ねるように形成すれば、分割面DPに沿った改質部RPがより多く存在しており、ウエハWFを分割し易くなる。
 図5及び図6に示すように、複数の改質部RPを互いに重ならないように形成すれば、レーザ照射点の数を少なくすることができ、薄型化板状部材の生産性が向上する。
 なお、改質部の形状や大きさは、図3、図4、図5及び図6に示されたような形状に限定されない。改質部の形状としては、例えば、球状、楕円球状、円柱状、角柱状、円錐状、及び角錐状などが挙げられる。改質部の大きさは、板状部材を複数の薄型化板状部材に分割できるものであれば特に限定されない。改質部は、分割前の板状部材の厚みを考慮した大きさであることが好ましい。改質部が板状部材の厚み方向に大き過ぎると、厚み方向に亀裂が生じるおそれがあるためである。そのため、改質部は、分割面に沿った面方向で分割できるように形成されていればよい。
 また、板状部材を2つの薄型化板状部材に分割する態様を例に挙げて説明したが、その他の態様としては、板状部材を3つ以上の薄型化板状部材に分割する態様が挙げられる。例えば、3つの薄型化板状部材に分割する場合には、板状部材の内部に分割面を設定する際に、2つの分割面(第1分割面及び第2分割面)を設定し、第1分割面に沿って複数の改質部RPを形成し、第2分割面に沿って複数の改質部RPを形成すればよい。また、その他の態様としては、薄型化板状部材を用いてレーザ照射及び分割を実施して、さらに薄型化させた板状部材を形成する態様も挙げられる。
 第1固定手段140は、メカチャックやチャックシリンダ等のチャック手段、クーロン力、接着剤、粘着剤、磁力、ベルヌーイ吸着、駆動機器等で第1硬質支持体110を下テーブル130に固定する構成としてもよいし、第2固定手段170も同様に構成してもよい。
 相対移動手段180は、ウエハWFを分割する際に、下テーブル130と上テーブル160とを上下方向に相対移動させ、ウエハWFの厚み方向に当該ウエハWFを離間させてもよいし、下テーブル130の保持面131や上テーブル160の保持面161に平行な面方向に直線的に相対移動させたり、保持面131、保持面161に平行な面内で円周方向に相対回転させたりしてもよく、下テーブル130および上テーブル160の少なくとも一方を移動させたり回転させたりしてもよい。
 ウエハWFは、回路面を有するものであってもよく、当該回路面は、第1表面WF1側でもよいし、第2表面WF2側でもよいし、それら両方の面側でもよいし、後の工程で回路面を形成する場合は、第1薄型化ウエハWT1、及び第2薄型化ウエハWT2に分割された分割面(クラック層CRが形成されていた面)でもよい。
 その他、前記した実施形態及び実施形態の変形においては、以下の点も適用することができる。
 第1両面接着シートAT1、第2両面接着シートAT2、及び板状部材の材質、種別、形状等は、特に限定されることはない。例えば、第1両面接着シートAT1、及び第2両面接着シートAT2は、円形、楕円形、三角形や四角形等の多角形、及びその他の形状であってもよいし、感圧接着性、及び感熱接着性等の接着形態のものであってもよく、感熱接着性の第1両面接着シートAT1、及び第2両面接着シートAT2が採用された場合は、当該第1両面接着シートAT1、及び第2両面接着シートAT2を加熱する適宜なコイルヒータやヒートパイプの加熱側等の加熱手段を設けるといった適宜な方法で接着されればよい。また、このような第1両面接着シートAT1、及び第2両面接着シートAT2は、接着剤層だけの単層又は複層の中間層を有するものや、中間層のない単層又は複層のものであってよい。また、板状部材としては、例えば、食品、樹脂容器、半導体ウエハ(シリコン半導体ウエハ及び化合物半導体ウエハ等)、回路基板、情報記録基板(光ディスク等)、ガラス板、鋼板、陶器、木板、及び樹脂板等、並びに任意の形態の部材や物品なども対象とすることができる。なお、第1両面接着シートAT1、及び第2両面接着シートAT2を機能的、用途的な読み方に換え、例えば、情報記載用ラベル、装飾用ラベル、保護シート、ダイシングテープ、ダイアタッチフィルム、ダイボンディングテープ、及び記録層形成樹脂シート等の任意の形状の任意のシート、フィルム、テープ等を前述のような任意の板状部材に貼付することができる。
 本発明における手段および工程は、それら手段および工程について説明した動作、機能または工程を果たすことができる限りなんら限定されることはなく、まして、前記実施形態で示した単なる一実施形態の構成物や工程に全く限定されることはない。例えば、第1硬質支持体は、支持面に第1両面接着シートの第1接着面が貼付可能なものであれば、出願当初の技術常識に照らし合わせ、その技術範囲内のものであればなんら限定されることはない(他の手段および工程についての説明は省略する)。
 また、前記実施形態における駆動機器は、回動モータ、直動モータ、リニアモータ、単軸ロボット、多関節ロボット等の電動機器、エアシリンダ、油圧シリンダ、ロッドレスシリンダおよびロータリシリンダ等のアクチュエータ等を採用することができる上、それらを直接的又は間接的に組み合せたものを採用することもできる(実施形態で例示したものと重複するものもある)。
 100   製造装置
 110   第1硬質支持体
 111   支持面
 120   境界層形成手段
 130   下テーブル(第1保持手段)
 140   第1固定手段
 150   第2硬質支持体
 160   上テーブル(第2保持手段)
 170   第2固定手段
 180   相対移動手段
  AT1  第1両面接着シート
  AT11 第1接着面
  AT12 第2接着面
  AT2  第2両面接着シート
  AT21 第1接着面
  AT22 第2接着面
  CR   クラック層(境界層)
  WF   ウエハ(板状部材)
  WF1  第1表面
  WF2  第2表面
  WT1  第1薄型化ウエハ
  WT2  第2薄型化ウエハ

Claims (5)

  1.  第1硬質支持体の支持面に第1両面接着シートの第1接着面を貼付し、板状部材の第1表面全体に前記第1両面接着シートの第2接着面を貼付する工程と、
     前記板状部材の内部に前記第1表面に平行な境界層を形成する工程と、
     前記第1硬質支持体を挟んで前記板状部材の反対側に第1保持手段が位置するように、前記第1保持手段と前記第1硬質支持体とを着脱自在に固定する工程と、
     第2保持手段で前記板状部材を当該板状部材の第2表面側から保持する工程と、
     前記境界層を境にして、前記板状部材を、前記第1表面を有する第1薄型化板状部材、及び前記第2表面を有する第2薄型化板状部材に分割するように、前記第1保持手段と前記第2保持手段とを相対移動させる工程とを備えていることを特徴とする薄型化板状部材の製造方法。
  2.  請求項1に記載の薄型化板状部材の製造方法において、
     前記第2保持手段で前記板状部材を前記第2表面側から保持する工程は、
     第2硬質支持体の支持面に第2両面接着シートの第1接着面を貼付し、前記板状部材の第2表面全体に前記第2両面接着シートの第2接着面を貼付し、前記第2硬質支持体を挟んで前記板状部材の反対側に第2保持手段が位置するように、前記第2保持手段と前記第2硬質支持体とを着脱自在に固定することを特徴とする薄型化板状部材の製造方法。
  3.  請求項1または請求項2に記載の薄型化板状部材の製造方法において、
     前記板状部材は、ウエハであることを特徴とする薄型化板状部材の製造方法。
  4.  支持面に第1両面接着シートの第1接着面が貼付される第1硬質支持体と、
     第1表面全体が前記第1両面接着シートの第2接着面に貼付された板状部材の内部に、前記第1表面に平行な境界層を形成する境界層形成手段と、
     第1保持手段と、
     前記第1硬質支持体を挟んで前記板状部材の反対側に前記第1保持手段が位置するように、前記第1保持手段と前記第1硬質支持体とを着脱自在に固定する第1固定手段と、
     前記板状部材を第2表面側から保持する第2保持手段と、
     前記境界層を境にして、前記板状部材を、前記第1表面を有する第1薄型化板状部材、及び前記第2表面を有する第2薄型化板状部材に分割するように、前記第1保持手段と前記第2保持手段とを相対移動させる相対移動手段とを備えていることを特徴とする薄型化板状部材の製造装置。
  5.  請求項4に記載の薄型化板状部材の製造装置において、
     支持面に第2両面接着シートの第1接着面が貼付される第2硬質支持体と、
     前記第2硬質支持体を挟んで前記板状部材の反対側に前記第2保持手段が位置するように、前記第2保持手段と前記第2硬質支持体とを着脱自在に固定する第2固定手段とを備え、
     前記第2両面接着シートの第2接着面は、前記板状部材の前記第2表面全体が貼付可能な大きさに形成されていることを特徴とする薄型化板状部材の製造装置。
PCT/JP2018/030458 2017-09-04 2018-08-17 薄型化板状部材の製造方法、及び製造装置 WO2019044530A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201880057314.1A CN111052316A (zh) 2017-09-04 2018-08-17 薄型化板状部件的制造方法以及制造装置
KR1020207005303A KR102565070B1 (ko) 2017-09-04 2018-08-17 박형화 판상 부재의 제조 방법, 및 제조 장치
JP2019539358A JP7231548B2 (ja) 2017-09-04 2018-08-17 薄型化板状部材の製造方法、及び製造装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017169776 2017-09-04
JP2017-169776 2017-09-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019044530A1 true WO2019044530A1 (ja) 2019-03-07

Family

ID=65527307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/030458 WO2019044530A1 (ja) 2017-09-04 2018-08-17 薄型化板状部材の製造方法、及び製造装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7231548B2 (ja)
KR (1) KR102565070B1 (ja)
CN (1) CN111052316A (ja)
TW (1) TWI783029B (ja)
WO (1) WO2019044530A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021006092A1 (ja) * 2019-07-10 2021-01-14 東京エレクトロン株式会社 分離装置及び分離方法
WO2021193060A1 (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 リンテック株式会社 薄化ウエハの製造方法および薄化ウエハの製造装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI820938B (zh) * 2022-09-29 2023-11-01 強茂股份有限公司 晶粒吸取輔助裝置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006142556A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Sharp Corp 基板製造装置および基板製造方法
WO2012108052A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 信越ポリマー株式会社 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
JP2015119076A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 信越ポリマー株式会社 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法
JP2016035965A (ja) * 2014-08-01 2016-03-17 リンテック株式会社 板状部材の分割装置および板状部材の分割方法
JP2016062949A (ja) * 2014-09-16 2016-04-25 株式会社ディスコ SiCのスライス方法
JP2017092314A (ja) * 2015-11-12 2017-05-25 株式会社ディスコ SiC基板の分離方法
JP2017101139A (ja) * 2015-12-01 2017-06-08 積水化学工業株式会社 半導体加工用両面粘着テープ
WO2017113844A1 (zh) * 2015-12-30 2017-07-06 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶圆的激光剥离方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055860A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP6341639B2 (ja) 2013-08-01 2018-06-13 株式会社ディスコ 加工装置
TW201727814A (zh) * 2016-01-25 2017-08-01 Lintec Corp 板狀構件之分割裝置及板狀構件之分割方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006142556A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Sharp Corp 基板製造装置および基板製造方法
WO2012108052A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 信越ポリマー株式会社 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
JP2015119076A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 信越ポリマー株式会社 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法
JP2016035965A (ja) * 2014-08-01 2016-03-17 リンテック株式会社 板状部材の分割装置および板状部材の分割方法
JP2016062949A (ja) * 2014-09-16 2016-04-25 株式会社ディスコ SiCのスライス方法
JP2017092314A (ja) * 2015-11-12 2017-05-25 株式会社ディスコ SiC基板の分離方法
JP2017101139A (ja) * 2015-12-01 2017-06-08 積水化学工業株式会社 半導体加工用両面粘着テープ
WO2017113844A1 (zh) * 2015-12-30 2017-07-06 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶圆的激光剥离方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021006092A1 (ja) * 2019-07-10 2021-01-14 東京エレクトロン株式会社 分離装置及び分離方法
JPWO2021006092A1 (ja) * 2019-07-10 2021-01-14
JP7308265B2 (ja) 2019-07-10 2023-07-13 東京エレクトロン株式会社 分離装置及び分離方法
WO2021193060A1 (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 リンテック株式会社 薄化ウエハの製造方法および薄化ウエハの製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111052316A (zh) 2020-04-21
TWI783029B (zh) 2022-11-11
TW201921551A (zh) 2019-06-01
KR102565070B1 (ko) 2023-08-08
KR20200044001A (ko) 2020-04-28
JP7231548B2 (ja) 2023-03-01
JPWO2019044530A1 (ja) 2020-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7267923B2 (ja) 薄型化板状部材の製造方法、及び薄型化板状部材の製造装置
JP7231548B2 (ja) 薄型化板状部材の製造方法、及び製造装置
JP6473359B2 (ja) シート剥離装置
JP2007294748A (ja) ウェーハ搬送方法
JP5554023B2 (ja) 剥離装置および剥離方法
JP3196099U (ja) 離間装置
JP5767052B2 (ja) 転写装置および転写方法
JP6096017B2 (ja) シート貼付装置および貼付方法
JP6386866B2 (ja) 離間装置および離間方法
JP2013030715A (ja) 転写装置および転写方法
KR102396892B1 (ko) 이간 장치 및 이간 방법
TW202145322A (zh) 薄片剝離方法以及薄片剝離裝置
JP5973203B2 (ja) シート貼付装置および貼付方法
KR20180132510A (ko) 정렬 기구 및 전사 장치
JP2009004611A (ja) 剥離装置及び剥離方法
JP7022570B2 (ja) 基材除去方法および基材除去装置、並びに、転写方法および転写装置
JP2017130638A (ja) 加工装置および加工方法
JP7085919B2 (ja) 実装装置および実装方法
JP2017157777A (ja) 処理方法および処理装置
JP6884961B2 (ja) 離間装置および離間方法
JP2016042604A (ja) 分割装置および分割方法
JP3210744U (ja) 保持装置
JP2020021915A (ja) ピックアップ装置およびピックアップ方法
JP2021141096A (ja) シート剥離方法およびシート剥離装置
JP2022049272A (ja) シート剥離装置およびシート剥離方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18852153

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019539358

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18852153

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1