KR20200044001A - 박형화 판상 부재의 제조 방법, 및 제조 장치 - Google Patents
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Abstract
박형화 판상 부재의 제조 방법은, 제 1 경질 지지체 (110) 의 지지면 (111) 에 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 의 제 1 접착면 (AT11) 을 첩부하고, 판상 부재 (WF) 의 제 1 표면 (WF1) 전체에 제 2 접착면 (AT12) 을 첩부하는 공정과, 상기 판상 부재 (WF) 의 내부에 경계층 (CR) 을 형성하는 공정과, 제 1 경질 지지체 (110) 를 사이에 두고 상기 판상 부재 (WF) 의 반대측에 제 1 유지 수단 (130) 이 위치하도록, 상기 제 1 유지 수단 (130) 과 제 1 경질 지지체 (110) 를 자유롭게 착탈할 수 있도록 고정시키는 공정과, 제 2 유지 수단 (160) 으로 상기 판상 부재 (WF) 를 제 2 표면 (WF2) 측으로부터 유지하는 공정과, 상기 경계층 (CR) 을 경계로 하여, 상기 판상 부재 (WF) 를, 제 1 표면 (WF1) 을 갖는 제 1 박형화 판상 부재, 및 제 2 표면 (WF2) 을 갖는 제 2 박형화 판상 부재로 분할하도록, 상기 제 1 유지 수단 (130) 과 상기 제 2 유지 수단 (160) 을 상대 이동시키는 공정을 구비하고 있다.
Description
본 발명은, 박형화 판상 부재의 제조 방법, 및 제조 장치에 관한 것이다.
종래, 피가공물을 가공하는 방법이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 의 방법은, 유지 수단으로 유지된 피가공물에 레이저광을 조사하여, 피가공물의 내부에 개질면을 형성한다. 그리고, 이 개질면을 경계로 하여, 피가공물의 일부를 박리한다.
이 특허문헌 1 에는, 피가공물로서의 웨이퍼를, 일반적인 두께로부터 얇게 가공할 수 있는 것도 개시되어 있다. 이 경우, 웨이퍼의 제 1 표면을 척 테이블의 상면에서 직접 흡착 유지하고, 제 2 표면에 흡인 패드의 흡착면을 접촉시킨다. 그리고, 흡인 패드에 웨이퍼를 흡인시킴으로써, 개질면을 경계로 하여, 웨이퍼를 제 1 표면을 갖는 제 1 박형화 웨이퍼와 제 2 표면을 갖는 제 2 박형화 웨이퍼로 분할할 수 있을 것으로 생각된다.
그러나, 특허문헌 1 의 방법에 있어서, 흡인 패드의 흡인만으로 웨이퍼를 분할할 수 없는 경우, 구동 기기로 흡인 패드를 상승시키는 것을 생각할 수 있지만, 이하와 같은 문제가 발생할 우려가 있다.
척 테이블의 상면은, 일반적으로 포러스상으로 형성되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼의 제 1 표면에는, 척 테이블에서 흡착되어 있는 부분 (이하, 「흡착 부분」이라고 한다) 과, 흡착되어 있지 않은 부분 (이하, 「비흡착 부분」이라고 한다) 이 존재하게 된다.
흡인 패드가 상승하면, 흡착 부분에는 흡착 패드의 상승에 수반하는 상방향의 힘, 및 척 테이블의 흡착에 의한 하방향으로의 힘이 작용하지만, 비흡착 부분에는 하방향으로의 힘이 작용하지 않는다. 또, 대기압 분위기 중에서는, 흡착력에 한계가 있다. 또한, 웨이퍼는 얇게 변형되기 쉬운 점에서, 비흡착 부분이 상방향으로 휘어 버려, 웨이퍼가 분할되지 않고 파손되어 버릴 우려가 있다.
본 발명의 목적은, 박형화 판상 부재를 적절히 제조할 수 있는 박형화 판상 부재의 제조 방법 및 제조 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 박형화 판상 부재의 제조 방법은, 제 1 경질 지지체의 지지면에 제 1 양면 접착 시트의 제 1 접착면을 첩부하고, 판상 부재의 제 1 표면 전체에 상기 제 1 양면 접착 시트의 제 2 접착면을 첩부하는 공정과, 상기 판상 부재의 내부에 상기 제 1 표면과 평행한 경계층을 형성하는 공정과, 상기 제 1 경질 지지체를 사이에 두고 상기 판상 부재의 반대측에 제 1 유지 수단이 위치하도록, 상기 제 1 유지 수단과 상기 제 1 경질 지지체를 자유롭게 착탈할 수 있도록 고정시키는 공정과, 제 2 유지 수단으로 상기 판상 부재를 당해 판상 부재의 제 2 표면측으로부터 유지하는 공정과, 상기 경계층을 경계로 하여, 상기 판상 부재를, 상기 제 1 표면을 갖는 제 1 박형화 판상 부재, 및 상기 제 2 표면을 갖는 제 2 박형화 판상 부재로 분할하도록, 상기 제 1 유지 수단과 상기 제 2 유지 수단을 상대 이동시키는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 제 2 유지 수단으로 상기 판상 부재를 상기 제 2 표면측으로부터 유지하는 공정은, 제 2 경질 지지체의 지지면에 제 2 양면 접착 시트의 제 1 접착면을 첩부하고, 상기 판상 부재의 제 2 표면 전체에 상기 제 2 양면 접착 시트의 제 2 접착면을 첩부하고, 상기 제 2 경질 지지체를 사이에 두고 상기 판상 부재의 반대측에 제 2 유지 수단이 위치하도록, 상기 제 2 유지 수단과 상기 제 2 경질 지지체를 자유롭게 착탈할 수 있도록 고정시키는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 박형화 판상 부재의 제조 방법에 있어서, 상기 판상 부재는, 웨이퍼인 것이 바람직하다.
본 발명의 박형화 판상 부재의 제조 장치는, 지지면에 제 1 양면 접착 시트의 제 1 접착면이 첩부되는 제 1 경질 지지체와, 제 1 표면 전체가 상기 제 1 양면 접착 시트의 제 2 접착면에 첩부된 판상 부재의 내부에, 상기 제 1 표면과 평행한 경계층을 형성하는 경계층 형성 수단과, 제 1 유지 수단과, 상기 제 1 경질 지지체를 사이에 두고 상기 판상 부재의 반대측에 상기 제 1 유지 수단이 위치하도록, 상기 제 1 유지 수단과 상기 제 1 경질 지지체를 자유롭게 착탈할 수 있도록 고정시키는 제 1 고정 수단과, 상기 판상 부재를 제 2 표면측으로부터 유지하는 제 2 유지 수단과, 상기 경계층을 경계로 하여, 상기 판상 부재를, 상기 제 1 표면을 갖는 제 1 박형화 판상 부재, 및 상기 제 2 표면을 갖는 제 2 박형화 판상 부재로 분할하도록, 상기 제 1 유지 수단과 상기 제 2 유지 수단을 상대 이동시키는 상대 이동 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 박형화 판상 부재의 제조 장치에 있어서, 지지면에 제 2 양면 접착 시트의 제 1 접착면이 첩부되는 제 2 경질 지지체와, 상기 제 2 경질 지지체를 사이에 두고 상기 판상 부재의 반대측에 상기 제 2 유지 수단이 위치하도록, 상기 제 2 유지 수단과 상기 제 2 경질 지지체를 자유롭게 착탈할 수 있도록 고정시키는 제 2 고정 수단을 구비하고, 상기 제 2 양면 접착 시트의 제 2 접착면은, 상기 판상 부재의 상기 제 2 표면 전체가 첩부 가능한 크기로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 박형화 판상 부재를 적절히 제조할 수 있는 박형화 판상 부재의 제조 방법 및 제조 장치를 제공할 수 있다.
도 1A 는, 본 발명의 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이다.
도 1B 는, 상기 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이며, 도 1A 에 계속되는 상태를 나타낸다.
도 1C 는, 상기 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이며, 도 1B 에 계속되는 상태를 나타낸다.
도 2A 는, 상기 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이며, 도 1C 에 계속되는 상태를 나타낸다.
도 2B 는, 상기 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이며, 도 2A 에 계속되는 상태를 나타낸다.
도 3 은, 본 발명의 실시형태의 변형으로 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 종단면 개략도이다.
도 4 는, 상기 변형으로 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 횡단면 개략도이다.
도 5 는, 본 발명의 실시형태의 다른 변형으로 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 종단면 개략도이다.
도 6 은, 상기 다른 변형으로 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 횡단면 개략도이다.
도 1B 는, 상기 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이며, 도 1A 에 계속되는 상태를 나타낸다.
도 1C 는, 상기 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이며, 도 1B 에 계속되는 상태를 나타낸다.
도 2A 는, 상기 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이며, 도 1C 에 계속되는 상태를 나타낸다.
도 2B 는, 상기 실시형태에 관련된 박형화 웨이퍼의 제조 장치의 동작 설명도이며, 도 2A 에 계속되는 상태를 나타낸다.
도 3 은, 본 발명의 실시형태의 변형으로 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 종단면 개략도이다.
도 4 는, 상기 변형으로 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 횡단면 개략도이다.
도 5 는, 본 발명의 실시형태의 다른 변형으로 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 종단면 개략도이다.
도 6 은, 상기 다른 변형으로 복수의 개질부를 형성한 후의 웨이퍼의 횡단면 개략도이다.
[실시형태]
이하, 본 발명의 일 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 X 축, Y 축, Z 축은, 각각이 직교하는 관계에 있고, X 축 및 Y 축은, 소정 평면 내의 축으로 하고, Z 축은, 상기 소정 평면과 직교하는 축으로 한다. 또한, 본 실시형태에서는, 방향을 나타낸 경우, 「상」이 Z 축의 화살표 방향이고 「하」가 그 역방향, 「좌」가 X 축의 화살표 방향이고 「우」가 그 역방향, 「전」이 Y 축의 화살표 방향이고 「후」가 그 역방향으로 한다.
도 1A ∼ C, 및 도 2A, B 에 있어서, 박형화 판상 부재로서의 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (100) 는, 지지면 (111) 에 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 의 제 1 접착면 (AT11) 이 첩부되는 제 1 경질 지지체 (110) 와, 제 1 표면 (WF1) 전체가 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 의 제 2 접착면 (AT12) 에 첩부된 판상 부재로서의 웨이퍼 (WF) 의 내부에, 제 1 표면 (WF1) 과 평행한 경계층으로서의 크랙층 (CR) 을 형성하는 경계층 형성 수단 (120) 과, 제 1 유지 수단으로서의 하측 테이블 (130) 과, 제 1 경질 지지체 (110) 를 사이에 두고 웨이퍼 (WF) 의 반대측에 하측 테이블 (130) 이 위치하도록, 하측 테이블 (130) 과 제 1 경질 지지체 (110) 를 자유롭게 착탈할 수 있도록 고정시키는 제 1 고정 수단 (140) 과, 지지면 (151) 에 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 의 제 1 접착면 (AT21) 이 첩부되는 제 2 경질 지지체 (150) 와, 웨이퍼 (WF) 를 제 1 표면 (WF1) 과 반대측의 제 2 표면 (WF2) 측으로부터 유지하는 제 2 유지 수단으로서의 상측 테이블 (160) 과, 제 2 경질 지지체 (150) 를 사이에 두고 웨이퍼 (WF) 의 반대측에 상측 테이블 (160) 이 위치하도록, 상측 테이블 (160) 과 제 2 경질 지지체 (150) 를 자유롭게 착탈할 수 있도록 고정시키는 제 2 고정 수단 (170) 과, 크랙층 (CR) 을 경계로 하여, 웨이퍼 (WF) 를, 제 1 표면 (WF1) 을 갖는 제 1 박형화 판상 부재로서의 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 표면 (WF2) 을 갖는 제 2 박형화 판상 부재로서의 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 로 분할하도록, 하측 테이블 (130) 과 상측 테이블 (160) 을 상대 이동시키는 상대 이동 수단 (180) 을 구비하고 있다.
웨이퍼 (WF) 는, 레이저 조사에 의해 개질되는 재질로 이루어지는 웨이퍼이면 특별히 한정되지 않는다. 레이저는, 스텔스 다이싱법에 있어서 조사하는 레이저인 것이 바람직하다. 웨이퍼 (WF) 의 재질은, 예를 들어, 실리콘, 질화규소, 질화갈륨, 갈륨비소, SiC (실리콘 카바이드), 사파이어, 및 유리로 이루어지는 군에서 선택되는 것이 바람직하다. 웨이퍼 (WF) 의 재질은, 실리콘인 것이 보다 바람직하고, 단결정 실리콘인 것이 더욱 바람직하다. 또, 웨이퍼 (WF) 는, 결정 방위를 갖는 재질로 형성되어 있는 것도 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 제조 방법에 의하면, 잉곳과 같이 두께가 큰 처리 대상물이 아니고, 두께가 작은 판상 부재 (웨이퍼) 를 더욱 박형화할 수 있다. 웨이퍼 (WF) 의 두께는, 3 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. 웨이퍼 (WF) 를 분할하여 형성되는 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 두께 중 적어도 어느 것이, 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 30 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다.
제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 는, 판상인 것이 바람직하고, 그 재료나 형상은 기계적 강도를 고려하여 적절히 결정하면 된다. 재료로는, 예를 들어, SUS 등의 금속 재료 ; 유리, 실리콘 웨이퍼 등의 비금속 무기 재료 ; 폴리이미드, 폴리아미드이미드 등의 수지 재료 ; 유리 에폭시 수지 등의 복합 재료 등을 들 수 있고, 이것들 중에서도, SUS, 유리, 실리콘 웨이퍼 등이 바람직하다.
제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 의 두께는, 기계적 강도, 취급성 등을 고려하여 적절히 결정하면 되고, 예를 들어, 100 ㎛ 이상 50 ㎜ 이하인 것이 바람직하다.
제 1 경질 지지체 (110) 는, 후술하는 바와 같이, 상측 테이블 (160) 의 회전에 의해 웨이퍼 (WF) 에 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 로부터 멀어지는 방향으로의 힘이 작용했을 때에, 변형되지 않는 것이면 되고, 예를 들어 굽힘 강도가 50 ㎫ 이상인 것이 바람직하다.
또, 제 2 경질 지지체 (150) 의 경도는, 후술하는 바와 같이, 상측 테이블 (160) 의 회전에 의해 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 에 웨이퍼 (WF) 로부터 멀어지는 방향으로의 힘이 작용했을 때에, 변형되지 않는 것이면 되고, 예를 들어 굽힘 강도가 50 ㎫ 이상인 것이 바람직하다.
경계층 형성 수단 (120) 은, 레이저 조사기 (121) 를 구비하고 있다.
제 1 고정 수단 (140) 은, 감압 펌프나 진공 이젝터 등에 의해 구성된 하측 감압 수단 (141) 을 구비하고, 배관 (142) 을 통하여 접속된 하측 테이블 (130) 의 내부 공간을 감압함으로써, 하측 테이블 (130) 의 유지면 (131) 과, 제 1 경질 지지체 (110) 를 흡착 유지 가능하게 구성되어 있다.
제 2 고정 수단 (170) 은, 하측 감압 수단 (141) 과 동일하게 구성된 상측 감압 수단 (171) 을 구비하고, 배관 (172) 을 통하여 접속된 상측 테이블 (160) 의 내부 공간을 감압함으로써, 상측 테이블 (160) 의 유지면 (161) 에서, 제 2 경질 지지체 (150) 를 흡착 유지 가능하게 구성되어 있다.
상대 이동 수단 (180) 은, 하측 테이블 (130) 의 측방에 배치된 구동 기기로서의 회동 모터 (181) 를 구비하고 있다. 회동 모터 (181) 의 출력축 (182) 은, 상측 테이블 (160) 의 단부로부터 하방으로 연장되는 연장부 (162) 에 접속되어 있다.
이상의 박형화 웨이퍼의 제조 장치 (100) 에 있어서, 웨이퍼 (WF) 로부터 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 제조하는 순서를 설명한다.
먼저, 도 1A 에 나타내는 바와 같이, 지지면 (111) 에 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 의 제 1 접착면 (AT11) 이 첩부된 제 1 경질 지지체 (110) 를 준비하고, 동 도면 중 이점쇄선으로 나타내는 웨이퍼 (WF) 의 제 1 표면 (WF1) 전체를, 실선으로 나타내는 바와 같이 제 2 접착면 (AT12) 에 첩부한다. 이 때, 기포가 형성되지 않도록 제 1 표면 (WF1) 을 제 2 접착면 (AT12) 에 첩부한다. 또한, 제 1 접착면 (AT11) 에 있어서의 제 1 표면 (WF1) 에 대응하는 영역 전체도, 기포가 형성되지 않도록, 제 1 경질 지지체 (110) 에 첩부되는 것이 바람직하다. 또, 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 를 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 1 표면 (WF1) 에 첩부하는 방법이나 순서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 를 웨이퍼 (WF) 에 첩부한 후, 제 1 경질 지지체 (110) 에 첩부해도 된다.
다음으로, 도 1B 에 나타내는 바와 같이, 작업자 또는 다관절 로봇이나 벨트 컨베이어 등의 도시되지 않은 반송 수단이, 웨이퍼 (WF), 및 제 1 경질 지지체 (110) 를 경계층 형성 수단 (120) 의 하방으로 이동시키고, 경계층 형성 수단 (120) 이 레이저 조사기 (121) 를 구동시키고, 도시되지 않은 상대 이동 기구가 레이저 조사기 (121), 및 제 1 경질 지지체 (110) 를 상대적으로 수평 방향으로 이동시킨다. 레이저 조사기 (121) 의 레이저광 (LB) 은, 웨이퍼 (WF) 의 내부에 그 초점이 맞게 되어 있으므로, 레이저 조사기 (121), 및 제 1 경질 지지체 (110) 의 상대 이동에 의해, 도 1C 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (WF) 의 내부 전체에 X-Y 평면을 따른 크랙층 (CR) 이 형성된다. 웨이퍼 (WF) 의 내부 전체에 크랙층 (CR) 이 형성되면, 경계층 형성 수단 (120) 이 레이저 조사기 (121) 의 구동을 정지시킨다.
이 후, 도 2A 에 나타내는 바와 같이, 제 1 경질 지지체 (110) 를 사이에 두고 웨이퍼 (WF) 의 반대측에 하측 테이블 (130) 이 위치하고, 제 2 경질 지지체 (150) 에 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 의 제 1 접착면 (AT21) 이 첩부되고, 웨이퍼 (WF) 의 제 2 표면 (WF2) 전체에 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 의 제 2 접착면 (AT22) 이 첩부되고, 제 2 경질 지지체 (150) 를 사이에 두고 웨이퍼 (WF) 의 반대측에 상측 테이블 (160) 이 위치하는 상태로 한다. 이 때, 기포가 형성되지 않도록, 제 2 표면 (WF2) 을 제 2 접착면 (AT22) 에 첩부한다. 또한, 제 1 접착면 (AT21) 에 있어서의 제 2 표면 (WF2) 에 대응하는 영역 전체도, 기포가 형성되지 않도록, 제 2 경질 지지체 (150) 에 첩부되는 것이 바람직하다.
그리고, 제 1 고정 수단 (140), 및 제 2 고정 수단 (170) 이 각각 하측 감압 수단 (141), 및 상측 감압 수단 (171) 을 구동시켜, 제 1 경질 지지체 (110) 를 하측 테이블 (130) 의 유지면 (131) 에서, 제 2 경질 지지체 (150) 를 상측 테이블 (160) 의 유지면 (161) 에서 각각 흡착 유지한다. 또한, 제 1 경질 지지체 (110) 를 하측 테이블 (130) 상에 위치시키거나, 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 를 제 2 경질 지지체 (150), 및 제 2 표면 (WF2) 에 첩부하거나, 제 2 경질 지지체 (150) 를 상측 테이블 (160) 의 하방에 위치시키거나 하는 방법이나 순서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 를 제 2 경질 지지체 (150) 에 첩부한 후에 제 2 표면 (WF2) 에 첩부해도 되고, 그 반대의 첩부 순서여도 된다.
그 후, 도 2B 에 나타내는 바와 같이, 상대 이동 수단 (180) 이 회동 모터 (181) 를 구동시키고, 상측 테이블 (160) 을 시계 회전 방향으로 회전시켜, 크랙층 (CR) 을 경계로 하여 웨이퍼 (WF) 를 분할함으로써, 박형화된 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 형성한다.
이 때, 웨이퍼 (WF) 의 제 1 표면 (WF1) 전체에 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 의 제 2 접착면 (AT12) 이 첩부되고, 제 1 경질 지지체 (110) 에 제 1 접착면 (AT11) 이 접착되어 있기 때문에, 상측 테이블 (160) 의 회전에 의해 웨이퍼 (WF) 에 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 로부터 멀어지는 방향으로의 힘이 작용했을 때에, 제 1 경질 지지체 (110) 에 의해 웨이퍼 (WF) 전체의 휨이 억제된 채로, 상측 테이블 (160) 이 회전한다. 따라서, 웨이퍼 (WF) 를 파손시키지 않고 분할할 수 있어, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1) 를 적절히 제조할 수 있다.
또, 웨이퍼 (WF) 의 제 2 표면 (WF2) 전체에 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 의 제 2 접착면 (AT22) 이 첩부되고, 제 2 경질 지지체 (150) 에 제 1 접착면 (AT21) 이 접착되어 있기 때문에, 상측 테이블 (160) 의 회전에 의해 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 에 웨이퍼 (WF) 로부터 멀어지는 방향으로의 힘이 작용했을 때에, 제 2 경질 지지체 (150) 에 의해 웨이퍼 (WF) 전체의 휨이 억제된 채로, 상측 테이블 (160) 이 회전한다. 따라서, 웨이퍼 (WF) 를 파손시키지 않고 분할할 수 있어, 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 적절히 제조할 수 있다.
또한, 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 로 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 지지하고 있기 때문에, 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 를 유지하는 것에 의해, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 반송이 용이해진다.
다음으로, 작업자 또는 도시되지 않은 반송 수단이 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 유지하면, 제 1 고정 수단 (140), 및 제 2 고정 수단 (170) 이 각각 하측 감압 수단 (141), 및 상측 감압 수단 (171) 의 구동을 정지시키고, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 지지하고 있는 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 의 흡착 유지를 해제한다.
본 실시형태에서는, 제 1 고정 수단 (140), 및 제 2 고정 수단 (170) 으로서, 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 를 흡착 유지에 의해 고정시키는 구성을 적용하고 있기 때문에, 예를 들어, 점착제로 고정시키는 경우와 같이, 흡착 유지 해제 후에 하측 테이블 (130) 의 유지면 (131), 및 상측 테이블 (160) 의 유지면 (161) 의 각각에 부착된 점착 성분을 제거할 필요가 없어, 작업성의 저하를 억제할 수 있다.
그 후, 도시되지 않은 반송 수단이 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 다음 공정으로 반송하면, 각 수단이 각각의 구동 기기를 구동시키고, 각 부재를 초기 위치로 복귀시켜, 이후 상기 동일한 동작이 반복된다.
이상과 같은 실시형태에 의하면, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 적절히 제조할 수 있다.
[실시형태의 변형]
이상과 같이, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 구성, 방법 등은, 상기 기재에서 개시되어 있지만, 본 발명은, 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명은, 주로 특정한 실시형태에 관해서 특별히 도시되고, 또한 설명되어 있지만, 본 발명의 기술적 사상 및 목적하는 범위로부터 일탈하지 않고, 이상 서술한 실시형태에 대해, 형상, 재질, 수량, 그 밖의 상세한 구성에 있어서, 당업자가 여러 가지 변형을 가할 수 있는 것이다. 또, 상기에 개시한 형상, 재질 등을 한정한 기재는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서 예시적으로 기재한 것이지, 본 발명을 한정하는 것은 아니기 때문에, 그들 형상, 재질 등의 한정의 일부 혹은 전부의 한정을 제외한 부재의 명칭에서의 기재는, 본 발명에 포함된다.
예를 들어, 제 1 경질 지지체 (110) 를 적용하고 있으면, 제 2 경질 지지체 (150) 를 적용하지 않고, 웨이퍼 (WF) 를 직접 혹은 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 를 개재하여 상측 테이블 (160) 의 유지면 (161) 에서 흡착 유지시켜도 된다.
제 2 경질 지지체 (150) 를 적용하고 있으면, 제 1 경질 지지체 (110) 를 적용하지 않고, 웨이퍼 (WF) 를 직접 혹은 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 를 개재하여 하측 테이블 (130) 의 유지면 (131) 과 흡착 유지시켜도 되고, 이 경우, 제 2 경질 지지체 (150), 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 가, 각각 본 발명의 제 1 경질 지지체, 제 1 양면 접착 시트에 해당하게 된다.
경계층 형성 수단 (120) 은, 분할되기 전의 웨이퍼 (WF) 에 레이저광 (LB) 을 조사하는 것이면 되고, 예를 들어, 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 를 첩부하기 전의 웨이퍼 (WF) 에 레이저광 (LB) 을 조사해도 된다.
경계층 형성 수단 (120) 은, 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 가 첩부된 웨이퍼 (WF) 에 대해 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 측으로부터 레이저광 (LB) 을 조사해도 되고, 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 가 첩부된 웨이퍼 (WF) 에 대해 제 1 양면 접착 시트 (AT1) 측 또는 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 측으로부터 레이저광 (LB) 을 조사해도 되고, 웨이퍼 (WF) 의 외주면측으로부터 레이저광 (LB) 을 조사해도 되고, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1) 측, 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 측, 및 외주면측 중 2 개 또는 전부의 방향으로부터 레이저광 (LB) 을 조사해도 된다.
경계층 형성 수단 (120) 은, 제 1 경질 지지체 (110), 및 제 2 경질 지지체 (150) 의 적어도 일방이 레이저광 (LB) 을 투과하는 재료로 형성되어 있는 경우, 당해 레이저광 (LB) 을 투과하는 재료로 형성된 지지체측으로부터 레이저광 (LB) 을 조사해도 된다.
경계층 형성 수단 (120) 은, 하측 테이블 (130) 또는 상측 테이블 (160) 에서 흡착 유지된 웨이퍼 (WF) 에 대해 레이저광 (LB) 을 조사해도 된다.
경계층 형성 수단 (120) 은, 초점이 선상인 레이저광 (선상 레이저광) 이나 초점이 면상인 레이저광 (면상 레이저광) 을 조사 가능한 레이저 조사기를 채용해도 되고, 복수의 레이저 조사기를 채용해도 된다.
경계층 형성 수단 (120) 은, 초점의 위치를 임의로 결정할 수 있고, 형성되는 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1) 와 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 두께의 비는, 50 대 50 이어도 되고, 1 대 99 여도 되고, 1000 대 1 이어도 되며, 희망하는 박형화 웨이퍼의 두께에 맞추어 그 초점을 결정할 수 있다.
경계층 형성 수단 (120) 은, X 선이나 자외선 등의 에너지선이나 진동이나 맥동 등을 부여하여 웨이퍼 (WF) 의 두께 방향 중간부에 크랙층 (CR) 을 형성해도 된다.
경계층 형성 수단 (120) 은, 크랙층 이외에, 개질층이나 공극 등을 형성해도 된다. 또한, 크랙층이란, 화학적 또는 물리적으로 웨이퍼 (WF) 에 금이 간 상태나 갈라짐을 발생시킨 층을 말하고, 개질층이란, 화학적 또는 물리적으로 웨이퍼 (WF) 의 성질이나 강도를 변경하여 취약화 또는 연화시킨 층을 말하며, 공극이란, 아무것도 없는 공간 또는, 실질적으로 아무것도 없지만 당해 공극을 사이에 둔 양자가 접촉하고 있는 상태를 포함한다.
경계층 형성 수단 (120) 은, 웨이퍼 (WF) 의 내부에 부분적으로 X-Y 평면을 따른 경계부를 형성해도 된다.
경계층 형성 수단 (120) 은, 크랙층 (CR) 대신에, 도 3, 및 도 4 에 나타내는 바와 같은 복수의 개질부 (RP) 로 구성되는 경계층을 형성해도 된다. 또한, 도 3, 도 4, 및 후술하는 도 5, 도 6 에 있어서, 도면의 시인성의 관점에서 해치는 생략되어 있다.
경계층 형성 수단 (120) 은, 반도체 웨이퍼를 개질할 수 있는 레이저광 (LB) 을 조사하는 수단이면 특별히 한정되지 않는다. 경계층 형성 수단 (120) 으로는, 예를 들어, 스텔스 다이싱법으로 채용되는 장치를 사용할 수도 있다.
경계층을 형성하는 레이저 조사 공정에 있어서는, 웨이퍼 (WF) 의 제 2 표면 (WF2) 측으로부터 레이저광 (LB) 을 조사해도 된다. 이 레이저광 (LB) 의 조사에 의해, 복수의 개질부 (RP) 를, 웨이퍼 (WF) 의 내부의 분할면 (DP) 을 따라 형성한다. 즉, 복수의 개질부 (RP) 가 존재하고 있는 웨이퍼 내부의 면상의 영역이 분할면 (DP) 에 상당한다. 개질부 (RP) 를 기점으로 하여 웨이퍼 (WF) 가 분할된다.
웨이퍼 (WF) 가 결정 방위를 갖는 재질로 형성되어 있는 경우, 분할면 (DP) 과 결정 방위가 일치하고 있는 것이 바람직하다. 분할면 (DP) 과 결정 방위가 일치하고 있으면, 웨이퍼 (WF) 의 분할에 의해 나타나는 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 의 표면 (분할면 (DP) 과 대응하는 면) 을, 보다 매끄럽게 할 수 있다.
레이저 조사기 (121) 는, 웨이퍼 (WF) 의 내부에, 개질부 (RP) 를 형성할 수 있도록 레이저 조사 조건이 설정되어 있다. 레이저 조사 조건으로는, 예를 들어, 레이저 출력, 레이저 주파수, 레이저 조사 위치, 및 레이저 파장 등을 들 수 있고, 이것들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 개질부는, 웨이퍼 (WF) 의 성질이나 강도를 변화시켜 취약화 또는 연화된 부위이다. 본 명세서에 있어서, 개질부는, 웨이퍼의 내부의 레이저가 조사된 레이저 조사점과, 이 레이저 조사점을 중심부로 하고, 이 중심부의 주변에 형성된 주변부를 포함한 영역을 말한다. 웨이퍼의 내부에 있어서의 개질 강도는, 레이저 조사점에 있어서 최대이다. 주변부의 개질 강도는, 레이저 조사점으로부터 멀어질수록 저감된다.
도 3 및 도 4 에는, 단면이 원형인 개질부 (RP) 가 나타나 있지만, 본 명세서에 있어서의 개질부의 형상이나 크기는, 도 3 및 도 4 에 나타낸 바와 같은 형상에 한정되지 않는다.
개질부 (RP) 는, 분할면 (DP) 의 전체에 걸쳐 형성되어 있는 것도 바람직하다. 형성하는 개질부 (RP) 의 개수는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 웨이퍼 (WF) 의 재질 및 레이저에 의한 개질 강도에 따라, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 로 분할하기 쉽도록, 형성하는 개질부 (RP) 의 개수를 설정할 수도 있다. 또, 반도체 웨이퍼의 생산성도 고려하여, 형성하는 개질부 (RP) 의 개수를 설정할 수도 있다.
또, 예를 들어, 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 복수의 개질부 (RP) 는, 서로 중첩되어 있어도 된다.
이 때, 레이저광 (LB) 을 분할면 (DP) 을 따라 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 간격으로 조사하는 것이 바람직하다. 즉, 레이저광 (LB) 이 조사된 점 (레이저 조사점) 끼리의 간격 (D) 이, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하가 되도록, 레이저광 (LB) 을 조사하는 것이 바람직하다. 레이저 조사점의 간격 (D) 이 1 ㎛ 이상이면 생산성이 향상된다. 레이저 조사점의 간격이 350 ㎛ 이하이면, 웨이퍼 (WF) 의 두께 방향으로 균열이 생기기 쉬워진다는 문제를 억제할 수 있다. 레이저 조사점의 간격 (D) 은, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 범위 내이면, 모든 개질부 (RP) 에 있어서 동일해도 되고, 상이해도 된다.
또, 도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 복수의 개질부 (RP) 는, 서로 떨어져 있어도 된다.
이 때, 레이저광 (LB) 을 분할면 (DP) 을 따라 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 간격으로 조사하는 것이 바람직하다. 즉, 레이저광 (LB) 이 조사된 점 (레이저 조사점) 끼리의 간격 (D1) 이, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하가 되도록, 레이저광 (LB) 을 조사하는 것이 바람직하다. 레이저 조사점의 간격 (D1) 이 1 ㎛ 이상이면 생산성이 향상된다. 레이저 조사점의 간격이 350 ㎛ 이하이면, 웨이퍼 (WF) 의 두께 방향으로 균열이 생기기 쉬워진다는 문제를 억제할 수 있다. 레이저 조사점의 간격 (D1) 은, 1 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 범위 내이면, 모든 개질부 (RP) 에 있어서 동일해도 되고, 상이해도 된다.
이웃하는 개질부 (RP) 끼리의 간격 (일방의 개질부의 단 (端) 과 타방의 개질부의 단의 간격) 은, 웨이퍼 (WF) 의 면방향으로 분할할 수 있는 간격이면, 특별히 한정되지 않는다.
도 3, 도 4, 도 5 및 도 6 의 구성에 있어서, 레이저 조사점의 간격은, 예를 들어, 제 1 경질 지지체 (110) 를 유지하는 도시되지 않은 테이블 및 레이저 조사기 (32) 중 적어도 어느 것의 이동 속도를 변화시킴으로써, 소정의 거리로 조정할 수 있다.
그리고, 도 3, 도 4, 도 5 및 도 6 의 구성에 있어서, 복수의 개질부 (RP) 가 형성된 분할면 (DP) 을 경계로 하여 웨이퍼 (WF) 를 분할함으로써, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 를 형성한다.
도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 복수의 개질부 (RP) 를 서로 중첩되도록 형성하면, 분할면 (DP) 을 따른 개질부 (RP) 가 보다 많이 존재하고 있어, 웨이퍼 (WF) 를 분할하기 쉬워진다.
도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 복수의 개질부 (RP) 를 서로 중첩되지 않도록 형성하면, 레이저 조사점의 수를 줄일 수 있어, 박형화 판상 부재의 생산성이 향상된다.
또한, 개질부의 형상이나 크기는, 도 3, 도 4, 도 5 및 도 6 에 나타낸 바와 같은 형상에 한정되지 않는다. 개질부의 형상으로는, 예를 들어, 구상, 타원 구상, 원기둥상, 각기둥상, 원뿔상, 및 각뿔상 등을 들 수 있다. 개질부의 크기는, 판상 부재를 복수의 박형화 판상 부재로 분할할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 개질부는, 분할 전의 판상 부재의 두께를 고려한 크기인 것이 바람직하다. 개질부가 판상 부재의 두께 방향으로 지나치게 크면, 두께 방향으로 균열이 생길 우려가 있기 때문이다. 그 때문에, 개질부는, 분할면을 따른 면방향에서 분할할 수 있도록 형성되어 있으면 된다.
또, 판상 부재를 2 개의 박형화 판상 부재로 분할하는 양태를 예로 들어 설명했지만, 그 밖의 양태로는, 판상 부재를 3 개 이상의 박형화 판상 부재로 분할하는 양태를 들 수 있다. 예를 들어, 3 개의 박형화 판상 부재로 분할하는 경우에는, 판상 부재의 내부에 분할면을 설정할 때에, 2 개의 분할면 (제 1 분할면 및 제 2 분할면) 을 설정하고, 제 1 분할면을 따라 복수의 개질부 (RP) 를 형성하고, 제 2 분할면을 따라 복수의 개질부 (RP) 를 형성하면 된다. 또, 그 밖의 양태로는, 박형화 판상 부재를 사용하여 레이저 조사 및 분할을 실시하고, 추가로 박형화시킨 판상 부재를 형성하는 양태도 들 수 있다.
제 1 고정 수단 (140) 은, 메카 척이나 척 실린더 등의 척 수단, 쿨롱력, 접착제, 점착제, 자력, 베르누이 흡착, 구동 기기 등으로 제 1 경질 지지체 (110) 를 하측 테이블 (130) 에 고정시키는 구성으로 해도 되고, 제 2 고정 수단 (170) 도 동일하게 구성해도 된다.
상대 이동 수단 (180) 은, 웨이퍼 (WF) 를 분할할 때에, 하측 테이블 (130) 과 상측 테이블 (160) 을 상하 방향으로 상대 이동시켜, 웨이퍼 (WF) 의 두께 방향으로 당해 웨이퍼 (WF) 를 이간시켜도 되고, 하측 테이블 (130) 의 유지면 (131) 이나 상측 테이블 (160) 의 유지면 (161) 과 평행한 면방향으로 직선적으로 상대 이동시키거나, 유지면 (131), 유지면 (161) 과 평행한 면 내에서 원주 방향으로 상대 회전시키거나 해도 되고, 하측 테이블 (130) 및 상측 테이블 (160) 의 적어도 일방을 이동시키거나 회전시키거나 해도 된다.
웨이퍼 (WF) 는, 회로면을 갖는 것이어도 되고, 당해 회로면은, 제 1 표면 (WF1) 측이어도 되고, 제 2 표면 (WF2) 측이어도 되고, 그들 양방의 면측이어도 되고, 이후의 공정에서 회로면을 형성하는 경우에는, 제 1 박형화 웨이퍼 (WT1), 및 제 2 박형화 웨이퍼 (WT2) 로 분할된 분할면 (크랙층 (CR) 이 형성되어 있던 면) 이어도 된다.
그 밖에, 상기한 실시형태 및 실시형태의 변형에 있어서는, 이하의 점도 적용할 수 있다.
제 1 양면 접착 시트 (AT1), 제 2 양면 접착 시트 (AT2), 및 판상 부재의 재질, 종별, 형상 등은, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 1 양면 접착 시트 (AT1), 및 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 는, 원형, 타원형, 삼각형이나 사각형 등의 다각형, 및 그 밖의 형상이어도 되고, 감압 접착성, 및 감열 접착성 등의 접착 형태의 것이어도 되고, 감열 접착성의 제 1 양면 접착 시트 (AT1), 및 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 가 채용된 경우에는, 당해 제 1 양면 접착 시트 (AT1), 및 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 를 가열하는 적절한 코일 히터나 히트 파이프의 가열측 등의 가열 수단을 형성하는 것과 같은 적절한 방법으로 접착되면 된다. 또, 이와 같은 제 1 양면 접착 시트 (AT1), 및 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 는, 접착제층만의 단층 또는 복층의 중간층을 갖는 것이나, 중간층이 없는 단층 또는 복층의 것이어도 된다. 또, 판상 부재로는, 예를 들어, 식품, 수지 용기, 반도체 웨이퍼 (실리콘 반도체 웨이퍼 및 화합물 반도체 웨이퍼 등), 회로 기판, 정보 기록 기판 (광 디스크 등), 유리판, 강판, 도기, 목판, 및 수지판 등, 그리고 임의의 형태의 부재나 물품 등도 대상으로 할 수 있다. 또한, 제 1 양면 접착 시트 (AT1), 및 제 2 양면 접착 시트 (AT2) 를 기능적, 용도적인 읽기로 바꾸어, 예를 들어, 정보 기재용 라벨, 장식용 라벨, 보호 시트, 다이싱 테이프, 다이 어태치 필름, 다이 본딩 테이프, 및 기록층 형성 수지 시트 등의 임의의 형상의 임의의 시트, 필름, 테이프 등을 전술한 바와 같은 임의의 판상 부재에 첩부할 수 있다.
본 발명에 있어서의 수단 및 공정은, 그들 수단 및 공정에 대해 설명한 동작, 기능 또는 공정을 완수할 수 있는 한 전혀 한정되는 것은 아니고, 하물며, 상기 실시형태에서 나타낸 단순한 일 실시형태의 구성물이나 공정에 전혀 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 1 경질 지지체는, 지지면에 제 1 양면 접착 시트의 제 1 접착면을 첩부 가능한 것이면, 출원 당초의 기술 상식에 대조하여 그 기술 범위 내의 것이면 전혀 한정되는 것은 아니다 (다른 수단 및 공정에 대한 설명은 생략한다).
또, 상기 실시형태에 있어서의 구동 기기는, 회동 모터, 직동 모터, 리니어 모터, 단축 로봇, 다관절 로봇 등의 전동 기기, 에어 실린더, 유압 실린더, 로드리스 실린더 및 로터리 실린더 등의 액추에이터 등을 채용할 수 있는 데다가, 그것들을 직접적 또는 간접적으로 배합한 것을 채용할 수도 있다 (실시형태에서 예시한 것과 중복되는 것도 있다).
100 : 제조 장치
110 : 제 1 경질 지지체
111 : 지지면
120 : 경계층 형성 수단
130 : 하측 테이블 (제 1 유지 수단)
140 : 제 1 고정 수단
150 : 제 2 경질 지지체
160 : 상측 테이블 (제 2 유지 수단)
170 : 제 2 고정 수단
180 : 상대 이동 수단
AT1 : 제 1 양면 접착 시트
AT11 : 제 1 접착면
AT12 : 제 2 접착면
AT2 : 제 2 양면 접착 시트
AT21 : 제 1 접착면
AT22 : 제 2 접착면
CR : 크랙층 (경계층)
WF : 웨이퍼 (판상 부재)
WF1 : 제 1 표면
WF2 : 제 2 표면
WT1 : 제 1 박형화 웨이퍼
WT2 : 제 2 박형화 웨이퍼
110 : 제 1 경질 지지체
111 : 지지면
120 : 경계층 형성 수단
130 : 하측 테이블 (제 1 유지 수단)
140 : 제 1 고정 수단
150 : 제 2 경질 지지체
160 : 상측 테이블 (제 2 유지 수단)
170 : 제 2 고정 수단
180 : 상대 이동 수단
AT1 : 제 1 양면 접착 시트
AT11 : 제 1 접착면
AT12 : 제 2 접착면
AT2 : 제 2 양면 접착 시트
AT21 : 제 1 접착면
AT22 : 제 2 접착면
CR : 크랙층 (경계층)
WF : 웨이퍼 (판상 부재)
WF1 : 제 1 표면
WF2 : 제 2 표면
WT1 : 제 1 박형화 웨이퍼
WT2 : 제 2 박형화 웨이퍼
Claims (5)
- 제 1 경질 지지체의 지지면에 제 1 양면 접착 시트의 제 1 접착면을 첩부하고, 판상 부재의 제 1 표면 전체에 상기 제 1 양면 접착 시트의 제 2 접착면을 첩부하는 공정과,
상기 판상 부재의 내부에 상기 제 1 표면과 평행한 경계층을 형성하는 공정과,
상기 제 1 경질 지지체를 사이에 두고 상기 판상 부재의 반대측에 제 1 유지 수단이 위치하도록, 상기 제 1 유지 수단과 상기 제 1 경질 지지체를 자유롭게 착탈할 수 있도록 고정시키는 공정과,
제 2 유지 수단으로 상기 판상 부재를 당해 판상 부재의 제 2 표면측으로부터 유지하는 공정과,
상기 경계층을 경계로 하여, 상기 판상 부재를, 상기 제 1 표면을 갖는 제 1 박형화 판상 부재, 및 상기 제 2 표면을 갖는 제 2 박형화 판상 부재로 분할하도록, 상기 제 1 유지 수단과 상기 제 2 유지 수단을 상대 이동시키는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 박형화 판상 부재의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 유지 수단으로 상기 판상 부재를 상기 제 2 표면측으로부터 유지하는 공정은,
제 2 경질 지지체의 지지면에 제 2 양면 접착 시트의 제 1 접착면을 첩부하고, 상기 판상 부재의 제 2 표면 전체에 상기 제 2 양면 접착 시트의 제 2 접착면을 첩부하고, 상기 제 2 경질 지지체를 사이에 두고 상기 판상 부재의 반대측에 제 2 유지 수단이 위치하도록, 상기 제 2 유지 수단과 상기 제 2 경질 지지체를 자유롭게 착탈할 수 있도록 고정시키는 것을 특징으로 하는 박형화 판상 부재의 제조 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 판상 부재는, 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 박형화 판상 부재의 제조 방법. - 지지면에 제 1 양면 접착 시트의 제 1 접착면이 첩부되는 제 1 경질 지지체와,
제 1 표면 전체가 상기 제 1 양면 접착 시트의 제 2 접착면에 첩부된 판상 부재의 내부에, 상기 제 1 표면과 평행한 경계층을 형성하는 경계층 형성 수단과,
제 1 유지 수단과,
상기 제 1 경질 지지체를 사이에 두고 상기 판상 부재의 반대측에 상기 제 1 유지 수단이 위치하도록, 상기 제 1 유지 수단과 상기 제 1 경질 지지체를 자유롭게 착탈할 수 있도록 고정시키는 제 1 고정 수단과,
상기 판상 부재를 제 2 표면측으로부터 유지하는 제 2 유지 수단과,
상기 경계층을 경계로 하여, 상기 판상 부재를, 상기 제 1 표면을 갖는 제 1 박형화 판상 부재, 및 상기 제 2 표면을 갖는 제 2 박형화 판상 부재로 분할하도록, 상기 제 1 유지 수단과 상기 제 2 유지 수단을 상대 이동시키는 상대 이동 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 박형화 판상 부재의 제조 장치. - 제 4 항에 있어서,
지지면에 제 2 양면 접착 시트의 제 1 접착면이 첩부되는 제 2 경질 지지체와,
상기 제 2 경질 지지체를 사이에 두고 상기 판상 부재의 반대측에 상기 제 2 유지 수단이 위치하도록, 상기 제 2 유지 수단과 상기 제 2 경질 지지체를 자유롭게 착탈할 수 있도록 고정시키는 제 2 고정 수단을 구비하고,
상기 제 2 양면 접착 시트의 제 2 접착면은, 상기 판상 부재의 상기 제 2 표면 전체가 첩부 가능한 크기로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박형화 판상 부재의 제조 장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017169776 | 2017-09-04 | ||
| JPJP-P-2017-169776 | 2017-09-04 | ||
| PCT/JP2018/030458 WO2019044530A1 (ja) | 2017-09-04 | 2018-08-17 | 薄型化板状部材の製造方法、及び製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200044001A true KR20200044001A (ko) | 2020-04-28 |
| KR102565070B1 KR102565070B1 (ko) | 2023-08-08 |
Family
ID=65527307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207005303A KR102565070B1 (ko) | 2017-09-04 | 2018-08-17 | 박형화 판상 부재의 제조 방법, 및 제조 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7231548B2 (ko) |
| KR (1) | KR102565070B1 (ko) |
| CN (1) | CN111052316A (ko) |
| TW (1) | TWI783029B (ko) |
| WO (1) | WO2019044530A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220270895A1 (en) * | 2019-07-10 | 2022-08-25 | Tokyo Electron Limited | Separating apparatus and separating method |
| WO2021193060A1 (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | リンテック株式会社 | 薄化ウエハの製造方法および薄化ウエハの製造装置 |
| TWI820938B (zh) * | 2022-09-29 | 2023-11-01 | 強茂股份有限公司 | 晶粒吸取輔助裝置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2012108052A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | 信越ポリマー株式会社 | 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材 |
| JP2015030005A (ja) | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| JP2016035965A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | リンテック株式会社 | 板状部材の分割装置および板状部材の分割方法 |
| JP2017092314A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | 株式会社ディスコ | ＳｉＣ基板の分離方法 |
| JP2017101139A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | 積水化学工業株式会社 | 半導体加工用両面粘着テープ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004055860A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015119076A (ja) | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 信越ポリマー株式会社 | 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法 |
| JP6506520B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2019-04-24 | 株式会社ディスコ | ＳｉＣのスライス方法 |
| CN105436710B (zh) * | 2015-12-30 | 2019-03-05 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种硅晶圆的激光剥离方法 |
| TW201727814A (zh) * | 2016-01-25 | 2017-08-01 | Lintec Corp | 板狀構件之分割裝置及板狀構件之分割方法 |
-
2018
- 2018-08-17 CN CN201880057314.1A patent/CN111052316A/zh active Pending
- 2018-08-17 WO PCT/JP2018/030458 patent/WO2019044530A1/ja active Application Filing
- 2018-08-17 KR KR1020207005303A patent/KR102565070B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-17 JP JP2019539358A patent/JP7231548B2/ja active Active
- 2018-08-24 TW TW107129545A patent/TWI783029B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2015030005A (ja) | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| JP2016035965A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | リンテック株式会社 | 板状部材の分割装置および板状部材の分割方法 |
| JP2017092314A (ja) * | 2015-11-12 | 2017-05-25 | 株式会社ディスコ | ＳｉＣ基板の分離方法 |
| JP2017101139A (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | 積水化学工業株式会社 | 半導体加工用両面粘着テープ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7231548B2 (ja) | 2023-03-01 |
| JPWO2019044530A1 (ja) | 2020-10-22 |
| TW201921551A (zh) | 2019-06-01 |
| CN111052316A (zh) | 2020-04-21 |
| KR102565070B1 (ko) | 2023-08-08 |
| WO2019044530A1 (ja) | 2019-03-07 |
| TWI783029B (zh) | 2022-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |