CN114072899A - 分离装置和分离方法 - Google Patents

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Abstract

一种分离装置，将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体，所述分离装置具有：第一保持部，其保持所述第一分离体；第二保持部，其保持所述第二分离体；移动部，其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动；以及转动部，其至少使所述第一分离体或所述第二分离体转动，以使所述第一分离体的分离面朝向上方且所述第二分离体的分离面朝向上方。

Description

分离装置和分离方法
技术领域
本公开涉及一种分离装置和分离方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种在第二晶圆上层叠有第一晶圆的层叠晶圆的加工方法。在该加工方法中，一边将激光束的聚光点定位在第一晶圆的内部并向该聚光点照射该激光束，一边使该第一晶圆相对于该聚光点沿水平方向相对地移动，来在该第一晶圆的内部形成改性面，之后以该改性面为边界来将该第一晶圆的一部分从该层叠晶圆分离。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-32690号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术将处理对象体适当地分离为第一分离体和第二分离体。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式是将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体的分离装置，所述分离装置具有：第一保持部，其保持所述第一分离体；第二保持部，其保持所述第二分离体；移动部，其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动；以及转动部，其至少使所述第一分离体或所述第二分离体转动，以使所述第一分离体的分离面朝向上方且所述第二分离体的分离面朝向上方。
发明的效果
根据本公开，能够将处理对象体适当地分离为第一分离体和第二分离体。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构的概要的俯视图。
图2是示意性地表示本实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构的概要的侧视图。
图3是表示重合晶圆的结构的概要的侧视图。
图4是表示重合晶圆的一部分的结构的概要的侧视图。
图5是表示分离装置的结构的概要的俯视图。
图6是表示第一实施方式所涉及的分离处理部的结构的概要的俯视图。
图7是表示第一实施方式所涉及的分离处理部的结构的概要的侧视图。
图8是表示第一实施方式所涉及的分离处理部和搬送部的结构的概要的侧视图。
图9是表示晶圆处理的主要工序的流程图。
图10是晶圆处理的主要工序的说明图。
图11是表示将处理晶圆的器件层的外周部进行改性的情形的说明图。
图12是表示在处理晶圆形成周缘改性层的情形的说明图。
图13是表示在处理晶圆形成了周缘改性层的情形的说明图。
图14是表示在处理晶圆形成内部面改性层的情形的说明图。
图15是表示在处理晶圆形成内部面改性层的情形的说明图。
图16是第一实施方式所涉及的分离处理的主要工序的说明图。
图17是表示第二保持部保持处理晶圆的情形的说明图。
图18是第一实施方式所涉及的第二分离晶圆的搬出处理的主要工序的说明图。
图19是表示搬送部的搬送垫与晶圆搬送装置的搬送臂的位置关系的说明图。
图20是第一实施方式所涉及的第一分离晶圆的搬出处理的主要工序的说明图。
图21是表示第二实施方式所涉及的分离处理部的结构的概要的俯视图。
图22是表示第二实施方式所涉及的分离处理部的结构的概要的侧视图。
图23是第二实施方式所涉及的分离处理的主要工序的说明图。
图24是表示第三实施方式所涉及的分离处理部的结构的概要的俯视图。
图25是表示第三实施方式所涉及的分离处理部的结构的侧视图。
图26是第三实施方式所涉及的分离处理的主要工序的说明图。
图27是第四实施方式所涉及的分离处理的主要工序的说明图。
具体实施方式
在半导体器件的制造工序中，针对在表面形成有多个器件的半导体晶圆(以下称作晶圆)进行使该晶圆薄化的处理。存在各种晶圆的薄化方法，例如有对晶圆的背面进行磨削加工的方法、如专利文献1所公开的那样向晶圆的内部照射激光束(激光)来形成改性面(改性层)并以该改性层为基点来分离晶圆的方法等。
在此，在如上述那样以改性层为基点来将晶圆分离的情况下，有时粉尘、碎片等附着于该晶圆的分离面。当在像这样附着了粉尘、碎片的状态下将晶圆搬送至下一工序的处理装置时，可能会发生搬送路径中的装置内的污染、搬送晶圆的搬送机构的污染、下一工序的处理装置内的污染等。然而，在专利文献1中，没有公开如何处理分离后的晶圆，也没有给出任何启示。因而，以往的晶圆的分离处理存在改进的余地。
本公开所涉及的技术适当地分离处理对象体。下面，参照附图来说明具备本实施方式所涉及的分离装置的晶圆处理系统和晶圆处理方法。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。
首先，说明本实施方式所涉及的晶圆处理系统的结构。图1是示意性地表示晶圆处理系统1的结构的概要的俯视图。图2是示意性地表示晶圆处理系统1的结构的概要的侧视图。
在晶圆处理系统1中，对如图3和图4所示那样将作为处理对象体的处理晶圆W与支承晶圆S接合而成的重合晶圆T进行处理。而且，在晶圆处理系统1中，去除处理晶圆W的周缘部We，并使该处理晶圆W薄化。下面，将处理晶圆W中的与支承晶圆S接合的面称作表面Wa，将与表面Wa相反一侧的面称作背面Wb。同样地，将支承晶圆S中的与处理晶圆W接合的面称作表面Sa，将与表面Sa相反一侧的面称作背面Sb。
处理晶圆W例如为硅基板等半导体晶圆，在表面Wa形成有包括多个器件的器件层D。另外，在器件层D还形成有氧化Fw、例如SiO2膜(TEOS膜)。此外，处理晶圆W的周缘部We被进行了倒角加工，周缘部We的截面的厚度随着去向周缘部We的前端而变小。另外，周缘部We为在边缘修剪中被去除的部分，例如为自处理晶圆W的外端部起的径向上的1mm～5mm的范围。边缘修剪为用于防止在如后述那样将处理晶圆W分离之后处理晶圆W的周缘部We成为尖锐的形状(所谓的刀刃形状)的处理。
此外，在本实施方式的晶圆处理系统1中，将重合晶圆T中的处理晶圆W分离。在以下的说明中，将分离后的表面Wa侧的处理晶圆W称作作为第一分离体的第一分离晶圆W1，将分离后的背面Wb侧的处理晶圆W称作作为第二分离体的第二分离晶圆W2。第一分离晶圆W1具有器件层D并被产品化。第二分离晶圆W2被再利用。在以下的说明中，有时第一分离晶圆W1表示被支承于支承晶圆S的状态的处理晶圆W，并且包括支承晶圆S在内地称作第一分离晶圆W1。另外，将第一分离晶圆W1中的被分离的表面称作分离面W1a，将第二分离晶圆W2中的被分离的表面称作分离面W2a。
支承晶圆S为支承处理晶圆W的晶圆，例如为硅晶圆。在支承晶圆S的表面Sa形成有氧化膜Fs、例如SiO2膜(TEOS膜)。此外，在支承晶圆S的表面Sa形成有多个器件的情况下，与处理晶圆W同样地在表面Sa形成器件层(未图示)。
此外，在图3中，为了避免图示的复杂，省略了器件层D和氧化膜Fw、Fs的图示。另外，在以下的说明中使用的其它附图中也同样有时省略这些器件层D和氧化膜Fw、Fs的图示。
如图1所示，晶圆处理系统1具有将搬入搬出站2和处理站3连接为一体所得到的结构。搬入搬出站2和处理站3配置为从X轴负方向侧向正方向侧地排列。搬入搬出站2例如与外部之间进行盒Ct、Cw1、Cw2的搬入和搬出，盒Ct、Cw1、Cw2分别能够收容多个重合晶圆T、多个第一分离晶圆W1、多个第二分离晶圆W2。处理站3具备对重合晶圆T、分离晶圆W1、W2实施期望的处理的各种处理装置。
此外，在本实施方式中，分别设置有盒Ct和盒Cw1，但可以设为同一个盒。即，可以共享地使用用于收容处理前的重合晶圆T的盒和用于收容处理后的第一分离晶圆W1的盒。
在搬入搬出站2设置有盒载置台10。在图示的例子中，在盒载置台10上，多个例如三个盒Ct、Cw1、Cw2沿Y轴方向自由地载置成一列。此外，载置于盒载置台10的盒Ct、Cw1、Cw2的个数不限定为本实施方式，能够任意地决定。
在搬入搬出站2且盒载置台10的X轴正方向侧，与该盒载置台10邻接地设置有晶圆搬送区域20。在晶圆搬送区域20设置有在沿Y轴方向延伸的搬送路径21上移动自如的晶圆搬送装置22。晶圆搬送装置22具有保持并搬送重合晶圆T、分离晶圆W1、W2的两个搬送臂23、23。各搬送臂23构成为沿水平方向和铅垂方向移动自如并且绕水平轴和铅垂轴移动自如。此外，搬送臂23的结构不限定于本实施方式，能够采用任意的结构。而且，晶圆搬送装置22构成为能够向盒载置台10的盒Ct、Cw1、Cw2以及后述的传送装置30搬送重合晶圆T、分离晶圆W1、W2。
在搬入搬出站2且晶圆搬送区域20的X轴正方向侧，与该晶圆搬送区域20邻接地设置有用于交接重合晶圆T、分离晶圆W1、W2的传送装置30。
在处理站3设置有例如三个处理块G1～G3。第一处理块G1、第二处理块G2以及第三处理块G3从X轴负方向侧(搬入搬出站2侧)向正方向侧地按照所记载的顺序排列配置。
在第一处理块G1设置有蚀刻装置40、清洗装置41以及晶圆搬送装置50。蚀刻装置40以在X轴方向上有两列且在铅垂方向上有三层的方式设置于第一处理块G1的靠搬入搬出站2侧。即，在本实施方式中，设置有六个蚀刻装置40。清洗装置41以沿铅垂方向层叠有三层的方式设置在蚀刻装置40的X轴正方向侧。晶圆搬送装置50配置于蚀刻装置40和清洗装置41的Y轴正方向侧。此外，蚀刻装置40、清洗装置41以及晶圆搬送装置50的数量、配置不限定于此。
蚀刻装置40对第一分离晶圆W1的分离面W1a或第二分离晶圆W2的分离面W2a进行蚀刻。例如，对分离面W1a或分离面W2a供给蚀刻(药液)，来对该分离面W1a或分离面W2a湿蚀刻。蚀刻液例如使用HF、HNO3、H3PO4、TMAH、Choline、KOH等。
清洗装置41对第一分离晶圆W1的分离面W1a或第二分离晶圆W2的分离面W2a进行清洗。例如，使刷子抵接于分离面W1a或分离面W2a来对该分离面W1a或分离面W2a进行刷洗。此外，也可以使用被加压后的清洗液来进行分离面W1a或分离面W2a的清洗。另外，在清洗分离面W1a或分离面W2a时，还可以对相反一侧的背面Sb或背面Wb进行清洗。
晶圆搬送装置50具有保持并搬送重合晶圆T、分离晶圆W1、W2的两个搬送臂51、51。各搬送臂51构成为能够沿水平方向和铅垂方向移动自如并且绕水平轴和铅垂轴移动自如。此外，搬送臂51的结构不限定于本实施方式，能够采用任意的结构。晶圆搬送装置50在沿X轴方向延伸的搬送路径52上移动自如。而且，晶圆搬送装置50构成为能够向传送装置30、第一处理块G1以及第二处理块G2的各处理装置搬送重合晶圆T、分离晶圆W1、W2。
在第二处理块G2设置有对准装置60、分离装置61以及晶圆搬送装置70。对准装置60和分离装置61以从铅垂上方向下方层叠的方式设置。晶圆搬送装置70配置于对准装置60和分离装置61的Y轴负方向侧。此外，对准装置60、分离装置61以及晶圆搬送装置70的数量、配置不限定于此。
对准装置60调节激光处理前的处理晶圆W的水平方向上的朝向和中心位置。例如，一边使被保持于旋转吸盘(未图示)的处理晶圆W旋转，一边通过检测部(未图示)来检测处理晶圆W的切口部的位置，由此调节该切口部的位置来调节处理晶圆W的水平方向上的朝向和中心位置。
分离装置61以通过后述的内部改性装置81形成的周缘改性层和内部面改性层为基点来将处理晶圆W分离为第一分离晶圆W1和第二分离晶圆W2。在后文中叙述分离装置61的具体结构。
晶圆搬送装置70具有保持并搬送重合晶圆T、分离晶圆W1、W2的两个搬送臂71、71。各搬送臂71构成为沿水平方向和铅垂方向移动自如并且绕水平轴和铅垂轴移动自如。此外，搬送臂71的结构不限定于本实施方式，能够采用任意的结构。另外，晶圆搬送装置70中的搬送臂71的数量也不限定于本实施方式，能够设置任意数量的搬送臂71，例如可以为一个。而且，构成为能够对第一处理块G1～第三处理块G3的各处理装置搬送重合晶圆T、分离晶圆W1、W2。
在第三处理块G3设置有表面改性装置80和内部改性装置81。表面改性装置80和内部改性装置81以从铅垂上方向下方地层叠的方式设置。此外，表面改性装置80和内部改性装置81的数量、配置不限定于此。
表面改性装置80对处理晶圆W的器件层D的外周部照射激光，来将该外周部改性。作为激光，使用针对处理晶圆W具有透过性的波长的激光(CO2激光)。
内部改性装置81向处理晶圆W的内部照射激光，来形成周缘改性层和内部面改性层。作为激光，使用针对处理晶圆W具有透过性的波长的激光(YAG激光)。此外，周缘改性层和内部面改性层成为将处理晶圆W分离为第一分离晶圆W1的分离面W1a和第二分离晶圆W2时的基点。
在以上的晶圆处理系统1设置有控制装置90。控制装置90例如为具备CPU、存储器等的计算机，所述控制装置90具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有用于控制晶圆处理系统1中的重合晶圆T、分离晶圆W1、W2的处理的程序。另外，在程序保存部中还保存有用于控制上述的各种处理装置、搬送装置等驱动系统的动作来实现晶圆处理系统1中的后述的晶圆处理的程序。此外，上述程序可以记录在计算机可读存储介质H中，并从该存储介质H安装至控制装置90。
接着，说明上述的第一实施方式所涉及的分离装置61。图5是表示第一实施方式所涉及的分离装置61的结构的概要的俯视图。
分离装置61具有能够将内部密闭的处理容器100。在处理容器100的侧面形成有重合晶圆T、分离晶圆W1、W2的搬入搬出口(未图示)，在搬入搬出口设置有开闭挡板(未图示)。
在分离装置61的内部设置有分离处理部110、垫清洗部111以及搬送部112。在分离处理部110中，将处理晶圆W分离为第一分离晶圆W1和第二分离晶圆W2。在垫清洗部111中，对搬送部112的后述的搬送垫192进行清洗。搬送部112在分离处理部110与晶圆搬送装置70之间交接第二分离晶圆W2。
图6是表示第一实施方式所涉及的分离处理部110的结构的概要的俯视图。图7是表示第一实施方式所涉及的分离处理部110的结构的概要的侧视图。图8是表示第一实施方式所涉及的分离处理部110和搬送部112的结构的概要的侧视图。
分离处理部110具有第一保持部120、第二保持部121、负荷传感器130、载置台140、作为第一支承构件的第一支承销150、刀具160、分离面清洗部170以及交接部180。
第一保持部120设置于第二保持部121的下方。第一保持部120和第二保持部121将被分离处理晶圆W之前的重合晶圆T以该处理晶圆W朝向上方的状态保持。即，第一保持部120对进行第一分离晶圆W1(支承晶圆S)吸附保持，第二保持部121对第二分离晶圆W2进行吸附保持。
第一保持部120为大致圆板形状的吸盘，例如与真空泵等吸引装置(未图示)连通。第一保持部120具有比第一分离晶圆W1大的直径，通过其整个上表面来吸附并保持第一分离晶圆W1。
第二保持部121为大致圆板形状的吸盘，例如与真空泵等吸引装置(未图示)连通。第二保持部121具有比第二分离晶圆W2小的直径，具体地说，如后述那样具有比形成于处理晶圆W的周缘改性层小的直径。而且，第二保持部121通过其下表面来对第二分离晶圆W2的比周缘改性层靠内侧的位置进行吸附保持。
第一保持部120的下表面经由作为荷重测定部的负荷传感器130被支承于载置台140。负荷传感器130检测作用于第一保持部120的力(负荷)。负荷传感器130在第一保持部120的外周部且该第一保持部120的同心圆上等间隔地设置有例如三个。此外，负荷传感器130的数量、配置不限定于此。例如，负荷传感器130也可以设置于第一保持部120的中心部。
此外，如后述那样，负荷传感器130在将处理晶圆W分离时测定荷重，但也可以在安装分离装置61时使用。例如，在第一保持部120和第二保持部121未保持重合晶圆T(处理晶圆W、支承晶圆S)的状态下使第一保持部120与第二保持部121抵接，将通过负荷传感器130测定了荷重的位置设为基准位置(零点位置)。
载置台140被支承于支承构件141。载置台140(第一保持部120)构成为通过升降机构143沿着沿铅垂方向延伸的导轨142升降自如。升降机构143例如具有马达(未图示)、滚珠丝杠(未图示)、引导件(未图示)等。此外，在本实施方式中，导轨142和升降机构143相当于本公开的移动部。
在分离处理部110的底面设置有沿铅垂方向延伸的第一支承销150。第一支承销150以穿过第一保持部120的贯通孔120a和载置台140的贯通孔140a的方式设置有例如三个。而且，在载置台140上升了的状态下，第一支承销150的前端部从第一保持部120的上表面向上方突出，第一分离晶圆W1(支承晶圆S)被该第一支承销150支承。另外，在载置台140下降了的状态下，第一支承销150的前端部位于比第一保持部120的上表面更靠下方的位置。
此外，在本实施方式中，通过载置台140进行升降来将第一分离晶圆W1交接至第一支承销150，但也可以是第一支承销150进行升降。另外，也可以使用对第一分离晶圆W1进行吸附保持的垫(未图示)来代替第一支承销150。
在第一保持部120与第二保持部121之间设置有向重合晶圆T(详细地说，如后述那样为处理晶圆W与支承晶圆S之间的界面)插入的、作为插入部的刀具160。刀具160在第二保持部121的侧方且该第二保持部121的同心圆上等间隔地设置有多个、例如三个。另外，刀具160构成为通过移动机构(未图示)沿水平方向和铅垂方向移动，从而在被保持于第一保持部120和第二保持部121的重合晶圆T的外侧面进退自如。此外，刀具160的数量、配置不限定于此。另外，刀具160的移动方法也是任意的。并且，例如在不用插入刀具160就能够将第一分离晶圆W1与第二分离晶圆W2分离的情况下，也可以省略刀具160。
在第一保持部120与第二保持部121之间设置有用于对第一分离晶圆W1的分离面W1a和第二分离晶圆W2的分离面W2a进行清洗的分离面清洗部170。分离面清洗部170具有清洗喷嘴171和吸引喷嘴172。清洗喷嘴171例如供给空气来作为清洗流体。吸引喷嘴172吸引从清洗喷嘴171供给的空气。清洗喷嘴171和吸引喷嘴172分别构成为通过移动机构(未图示)沿水平方向和铅垂方向移动，从而相对于第一保持部120和第二保持部121之间的空间进退自如。
此外，在本实施方式中，使用了空气来作为清洗流体，但不限定于此，例如也可以使用纯水等清洗液、双流体。另外，在使用清洗液对分离面W1a、W2a进行清洗的情况下，可以使第一保持部120和第二保持部121旋转来甩掉在进行清洗后残留的清洗液，从而进行干燥。
在第一保持部120与第二保持部121之间设置有用于从第二保持部121向搬送部112交接第二分离晶圆W2的交接部180。在交接部180的上端形成有在侧视观察时直径随着从上端去向下方而锥状地变小的锥形部180a。在交接部180的下端形成有向径向内侧突出的台阶部180b。锥形部180a的上端的内径比第二分离晶圆W2的直径大，锥形部180a的下端的内径与第二分离晶圆W2的直径几乎相同。并且，台阶部180b的内径比第二分离晶圆W2的直径小。而且，第二分离晶圆W2从第二保持部121下落，被锥形部180a引导而被载置于台阶部180b。通过这样，第二分离晶圆W2一边被交接部180调节中心位置(定心)一边被保持于该交接部180。此外，交接部180构成为通过移动机构(未图示)沿水平方向和铅垂方向移动，从而相对于第一保持部120与第二保持部121之间的空间进退自如。
搬送部112为具备多个例如两个臂190、191的多关节型的机器人。在两个臂190、191中的前端的第一臂190安装有对第二分离晶圆W2的中央部进行吸附保持的搬送垫192。另外，基端的第二臂191安装于移动机构193。通过移动机构193，臂190、191和搬送垫192构成为沿水平方向和铅垂方向移动自如，搬送垫192构成为绕臂190、191转动自如。此外，在本实施方式中，在第一臂190设置有一个搬送垫192，但也可以在第一臂190的两个面设置两个搬送垫192。另外，在本实施方式中，交接部180和搬送部112相当于本公开的转动部。并且，在本实施方式中，搬送部112为多关节型的机器人，但不限定于此，能够采用任意的结构。
垫清洗部111对搬送部112的搬送垫192进行清洗。垫清洗部111例如具有石清洗器具(未图示)、刷清洗器具(未图示)等清洗器具。而且，使清洗器具抵接于搬送垫192的吸附面来对搬送垫192进行清洗。此外，垫清洗部111对搬送垫192的清洗方法不限定于此。例如，也可以向搬送垫192的吸附面供给空气、清洗液、双流体等来对搬送垫192进行清洗。
接着，对使用如以上那样构成的晶圆处理系统1进行的晶圆处理进行说明。图9是表示晶圆处理的主要工序的流程图。图10是晶圆处理的主要工序的说明图。此外，在本实施方式中，在晶圆处理系统1的外部的接合装置(未图示)中，预先将处理晶圆W和支承晶圆S接合来形成重合晶圆T。
首先，将收纳有多个图10的(a)所示的重合晶圆T的盒Ct载置于搬入搬出站2的盒载置台10。
接着，通过晶圆搬送装置22将盒Ct内的重合晶圆T取出并搬送至传送装置30。接下来，通过晶圆搬送装置50将传送装置30的重合晶圆T取出并搬送至对准装置60。在对准装置60中，调节重合晶圆T中的处理晶圆W的水平方向上的朝向和中心位置(图9的步骤A1)。
接着，通过晶圆搬送装置70将重合晶圆T搬送至表面改性装置80。在表面改性装置80中，如图11所示那样从激光头(未图示)向器件层D的外周部De照射激光L1，来将该外周部De进行改性(图9的步骤A2)。更详细地说，将处理晶圆W与器件层D之间的界面进行改性。此外，在本实施方式中将外周部De中的与处理晶圆W之间的界面侧进行改性，但也可以将器件层D的外周部De整体进行改性，或者可以将直至氧化膜Fw为止进行改性。
当在步骤A2中将外周部De进行改性时，接合强度下降，从而在处理晶圆W与器件层D之间的界面形成氧化膜Fw与氧化膜Fs接合在一起的接合区域Aa、以及接合区域Aa的径向外侧的区域即未接合区域Ab。在后述的处理晶圆W的分离工序中，作为边缘修剪，从第一分离晶圆W1去除周缘部We，通过像这样存在未接合区域Ab，能够适当地去除该周缘部We。此外，优选的是，接合区域Aa的外侧端部位于比要去除的周缘部We的内侧端部略靠径向外侧的位置。
接着，通晶圆搬送装置70将重合晶圆T搬送至内部改性装置81。在内部改性装置81中，如图10的(b)所示那样在处理晶圆W的内部形成周缘改性层M1(图9的步骤A3)，并且如图10的(c)所示那样形成内部面改性层M2(图9的步骤A4)。周缘改性层M1成为在边缘修剪中去除周缘部We时的基点。内部面改性层M2成为用于分离处理晶圆W并使之薄化的基点。
在内部改性装置81中，首先，如图12和图13所示那样从激光头(未图示)照射激光L2(周缘用激光L2)来在处理晶圆W的周缘部We与中央部Wc的边界形成周缘改性层M1(图9的步骤A3)。具体地说，例如一边使处理晶圆W旋转一边照射激光L2，由此形成环状的周缘改性层M1。此外，在处理晶圆W的内部，从周缘改性层M1起的裂纹C1仅延展至表面Wa，不到达背面Wb。
接着，如图14和图15所示那样从激光头(未图示)照射激光L3(内部面用激光L3)来沿面方向形成内部面改性层M2(图9的步骤A4)。具体地说，例如以一边使处理晶圆W旋转一边照射激光L3的方式，一边使处理晶圆W旋转一周(360度)一边照射激光L3，来形成环状的内部面改性层M2，之后使激光头向处理晶圆W的径向内侧移动。重复进行环状的内部面改性层M2的形成和激光头朝向径向内侧的移动，来在面方向上形成内部面改性层M2。此外，在处理晶圆W的内部，裂纹C2从内部面改性层M2沿面方向延展。裂纹C2仅向周缘改性层M1的内侧延展。
此外，在本实施方式中，在通过步骤A2将器件层D的外周部De进行改性之后，通过步骤A3、A4形成了周缘改性层M1和内部面改性层M2，但该顺序也可以反过来。即，也可以在形成周缘改性层M1和内部面改性层M2之后将外周部De进行改性。
接着，通过晶圆搬送装置70将重合晶圆T搬送至分离装置61。在分离装置61中，如图10的(d)所示那样以周缘改性层M1和内部面改性层M2为基点将处理晶圆W分离为第一分离晶圆W1和第二分离晶圆W2(图9的步骤A5)。此时，还从第一分离晶圆W1去除周缘部We。
在分离装置61中，首先，从晶圆搬送装置70的搬送臂71向第一支承销150交接重合晶圆T。接下来，经由载置台140使第一保持部120上升来使重合晶圆T被从第一支承销150交接至第一保持部120，并被第一保持部120吸附保持。然后，如图16的(a)所示那样使第一保持部120上升来通过第一保持部120对重合晶圆T中的支承晶圆S(第二分离晶圆W2侧)进行吸附保持，并且通过第二保持部121对处理晶圆W(第一分离晶圆W1侧)吸附保持。
此时，如图17所示，第二保持部121对处理晶圆W的比形成于处理晶圆W的周缘改性层M1更靠内侧的位置进行吸附保持。在本实施方式中，第二保持部121的外端部维持在周缘改性层M1的内侧的位置。即，第二保持部121的直径比周缘改性层M1的直径小。在此，有时被照射了激光L2、L3的处理晶圆W的周缘部We发生翘曲。在该情况下，第二保持部121难以对处理晶圆W的整面进行吸附保持。另外，还可能会由于通过第二保持部121吸附处理晶圆W时的荷重而对处理晶圆W带来损伤。特别地，在本实施方式中，由于周缘改性层M1和内部面改性层M2而在第二分离晶圆W2形成有台阶，因此还可能会对该台阶部分带来损伤。关于这一点，如本实施方式那样，第二保持部121对发生翘曲的周缘改性层M1的内侧(周缘部We的内侧)进行吸附保持，因此能够适当地保持处理晶圆W，还能够抑制针对处理晶圆W的损伤。此外，第二保持部121的外端部、即第二保持部121的相对于第二保持部121所保持的处理晶圆W的外端部也可以与周缘改性层M1一致。
另外，在像这样通过第一保持部120和第二保持部121对重合晶圆T进行吸附保持时，重合晶圆T被挤压而作用有荷重。在本实施方式中，使用负荷传感器130来测定并监视施加于第一保持部120和第二保持部121的荷重。于是，能够使施加于重合晶圆T的荷重收敛于容许范围，从而能够抑制重合晶圆T受到损伤。另外，由于设置有多个负荷传感器130，因此能够测定晶圆面内的荷重分布，从而能够确认处理晶圆W是否在面内被均匀地按压了。此外，如上述那样在安装时决定了第一保持部120的基准位置(零点位置)，并且控制了使第一保持部120上升时的高度，但也可以使用负荷传感器130的荷重测定结果来控制第一保持部120的高度。
并且，通过分别设置于第一保持部120和第二保持部121的压力传感器(未图示)来测定并监视压力。于是，能够确认是否通过第一保持部120和第二保持部121分别适当地对重合晶圆T进行了吸附保持。
接着，如图16的(b)所示那样将刀具160插入处理晶圆W与支承晶圆S之间的界面，以周缘改性层M1和内部面改性层M2为基点将第一分离晶圆W1与第二分离晶圆W2切离。
接着，如图16的(c)所示那样使第一保持部120下降，来将被保持于第一保持部120的第一分离晶圆W1与被保持于第二保持部121的第二分离晶圆W2分离。
在像这样将处理晶圆W时分离，使用负荷传感器130来测定并监视施加于第一保持部120和第二保持部121的荷重。于是，能够使施加于处理晶圆W的荷重收敛于容许范围，从而能够抑制处理晶圆W受到损伤。另外，由于设置有多个负荷传感器130，因此能够测定晶圆面内的荷重分布，从而能够确认处理晶圆W是否在面内均匀地进行了分离。
并且，通过分别设置于第一保持部120和第二保持部121的压力传感器(未图示)来测定并监视压力。于是，能够分别探测第一保持部120和第二保持部121上有无第一分离晶圆W1和第二分离晶圆W2，来确认第一分离晶圆W1和第二分离晶圆W2是否分离了。
接着，如图16的(d)所示那样将清洗喷嘴171和吸引喷嘴172配置成在第一保持部120与第二保持部121之间移动。接着，从清洗喷嘴171供给空气，并且从吸引喷嘴172吸引空气。于是，在第一分离晶圆W1与第二分离晶圆W2之间形成从清洗喷嘴171朝向吸引喷嘴172的空气的流动。通过该空气来去除附着于分离面W1a、W2a的粉尘、碎片(微粒)，从而对该分离面W1a、W2a进行清洗(图9的步骤A6)。
此外，当在步骤A6中对分离面W1a、W2a进行清洗时，优选的是尽可能使分离面W1a、W2a之间的空间是微小的。在该情况下，能够使在该空间中流动的空气的流速加快，还能够使该空间充满空气。因而，能够更高效地对分离面W1a、W2a进行清洗。
接着，将被分离后的第一分离晶圆W1和第二分离晶圆W2从分离装置61搬出。如上述那样在步骤A6中对分离面W1a、W2a进行清洗，在本实施方式中，以不保持分离面W1a、W2a的方式搬送第一分离晶圆W1和第二分离晶圆W2，以更可靠地避免装置内的污染。
图18是表示将第二分离晶圆W2从分离装置61搬出的工序的说明图。首先，如图18的(a)所示那样使交接部180在第一保持部120与第二保持部121之间移动并配置于第二分离晶圆W2的下方。接下来，停止第二保持部121对第二分离晶圆W2的吸附保持，将第二分离晶圆W2从第二保持部121交接至交接部180(图9的步骤A7)。
接着，在如图18的(b)所示那样使保持着第二分离晶圆W2的交接部180下降之后，使搬送部112的搬送垫192在第二保持部121与交接部180之间移动。而且，通过搬送垫192对第二分离晶圆W2的背面Wb的中央部进行吸附保持。之后，如图18的(c)所示那样使搬送垫192从第二保持部121的下方退避，并且如图18的(d)所示那样通过搬送垫192将第二分离晶圆W2的表面和背面翻转(图9的步骤A8)。即，使第二分离晶圆W2的分离面W2a朝向上方。
接着，如图18的(d)所示那样使晶圆搬送装置70的搬送臂71移动至搬送垫192的下方。之后，如图18的(e)所示那样使搬送臂71上升，来从搬送垫192向搬送臂71交接第二分离晶圆W2(图9的步骤A9)。此外，此时也可以使搬送垫192下降，来从搬送垫192向搬送臂71交接第二分离晶圆W2。通过这样，通过晶圆搬送装置70从分离装置61搬出第二分离晶圆W2。
在此，如图19所示，搬送臂71具有从基端部71a分支出两个前端部72b、72b的叉形状。在基端部71a和前端部72b、72b分别设置有对第二分离晶圆W2进行吸附保持的吸附垫72。而且，在本实施方式中，在俯视观察时，搬送垫192和第一臂190收入两个前端部72b、72b之间。因此，当在步骤A9中交接第二分离晶圆W2时，搬送臂71不会干扰搬送部112。
此外，在本实施方式中，在步骤A9中直接从搬送垫192向搬送臂71交接第二分离晶圆W2，但例如也可以在暂时将第二分离晶圆W2从搬送垫192放置于待机部(未图示)之后通过搬送臂71接受该第二分离晶圆W2。但是，直接从搬送垫192向搬送臂71交接第二分离晶圆W2能够抑制该第二分离晶圆W2的偏移。
图20是表示将第一分离晶圆W1从分离装置61搬出的工序的说明图。首先，如图20的(a)所示那样使第一保持部120下降，来从第一保持部120向第一支承销150交接第一分离晶圆W1(图9的步骤A10)。
接着，如图20的(b)所示那样使晶圆搬送装置70的搬送臂71移动至第一分离晶圆W1的下方。之后，如图20的(c)所示那样使搬送臂71上升，来从第一支承销150向搬送臂71交接第一分离晶圆W1(图9的步骤A11)。通过这样，通过晶圆搬送装置70将第一分离晶圆W1从分离装置61搬出。
接着，对如以上那样从分离装置61搬出来的第二分离晶圆W2和第一分离晶圆W1进行后续的处理。
即，通过晶圆搬送装置70将第二分离晶圆W2搬送至清洗装置41。在清洗装置41中，如图10的(e)所示那样对第二分离晶圆W2的分离面W2a进行刷洗(图9的步骤A12)。
在步骤A12中，在通过旋转吸盘(未图示)将第二分离晶圆W2以旋转的方式保持的状态下，一边使例如刷子等刷洗清洗器具200从上方抵接于分离面W2a，一边从该刷洗清洗器具200供给例如纯水。然后，对分离面W2a进行清洗，从该分离面W2a去除微粒。之后，在使刷洗清洗器具200退避之后，使第二分离晶圆W2进一步旋转来使分离面W2a通过旋转而干燥。此外，在步骤A12中，还对第二分离晶圆W2的背面Wb进行清洗，由此能够使第二分离晶圆W2进一步清洁化。
接着，通过晶圆搬送装置50将第二分离晶圆W2搬送至蚀刻装置40。在蚀刻装置40中，如图10的(f)所示那样通过蚀刻液E对第二分离晶圆W2的分离面W2a进行湿蚀刻(图9的步骤A13)。
在步骤A13中，在通过旋转吸盘(未图示)将第二分离晶圆W2以旋转的方式保持的状态下，从被配置于第二分离晶圆W2的上方的喷嘴210向分离面W2a的中心部供给蚀刻液E。通过该蚀刻液E对分离面W2a进行蚀刻，来去除残留于该分离面W2a的周缘改性层M1和内部面改性层M2。另外，由于在步骤A5的刷洗中残留有周缘改性层M1和内部面改性层M2，因此若保持那样的状态则可能会再次产生微粒，但通过本步骤A13的蚀刻，还能够去除该微粒。
此外，当在步骤A13中像这样对分离面W2a进行蚀刻之后，停止从喷嘴210供给蚀刻液E，并且通过纯水来对分离面W2a进行清洗，之后使第二分离晶圆W2进一步旋转来使分离面W2a通过旋转而干燥。
之后，通过晶圆搬送装置50将被实施了全部处理的第二分离晶圆W2搬送至传送装置30，并且通过晶圆搬送装置22将该第二分离晶圆W2搬送至盒载置台10的盒Cw2。
另一方面，对第一分离晶圆W1也进行同样的处理。即，通过晶圆搬送装置70将第一分离晶圆W1搬送至清洗装置41。在清洗装置41中，如图10的(g)所示那样对第一分离晶圆W1的分离面W1a进行刷洗(图9的步骤A14)。在步骤A14中，也可以与步骤A12同样地在使刷洗器具200从上方抵接于分离面W1a的状态下供给纯水，来对该分离面W1a进行清洗。另外，还可以对与分离面W1a相反一侧的背面Sb进行清洗。
接着，通过晶圆搬送装置50将第一分离晶圆W1搬送至蚀刻装置40。在蚀刻装置40中，如图10的(h)所示那样通过蚀刻液E对第一分离晶圆W1的分离面W1a进行湿蚀刻(图9的步骤A15)。在步骤A15中，去除残留于分离面W1a的周缘改性层M1和内部面改性层M2。另外，在步骤A15中，对分离面W1a进行蚀刻来使第一分离晶圆W1薄化至期望的厚度。
之后，通过晶圆搬送装置50将被实施了全部处理的第一分离晶圆W1搬送至传送装置30，并且通过晶圆搬送装置22将该第一分离晶圆W1搬送至盒载置台10的盒Cw1。此时，在盒Ct空着的情况下，也可以将第一分离晶圆W1搬送至盒Ct。通过这样，晶圆处理系统1中的一系列的晶圆处理结束。
根据以上的第一实施方式，当在步骤A7～A9中将第二分离晶圆W2从分离装置61搬出时，搬送部112的搬送垫192不对分离面W2a进行吸附保持，能够使第二分离晶圆W2的表面和背面翻转。并且，能够以分离面W2a朝向上方的状态从搬送垫192向晶圆搬送装置70的搬送臂71进行交接。像这样，在搬出第二分离晶圆W2时，分离面W2a不会与搬送垫192及搬送臂71的吸附垫72接触。因此，能够抑制产生从分离装置61搬出来的第二分离晶圆W2的搬送路径中的装置内的污染、搬送第二分离晶圆W2的晶圆搬送装置22、50、70的污染、下一工序的处理装置40、41内的污染等的风险。其结果是，能够降低装置的维护频度。另外，还能够抑制微粒附着于其它重合晶圆(处理晶圆W)。
另外，在该第一实施方式中，当在步骤A10～A11中将第一分离晶圆W1从分离装置61搬出时也以不保持分离面W1a的方式将第一分离晶圆W1交接至搬送臂71。因此，能够抑制产生从分离装置61搬出来的第一分离晶圆W1的搬送路径中的装置内的污染、搬送第一分离晶圆W1的晶圆搬送装置22、50、70的污染、下一工序的处理装置40、41内的污染等风险。
此外，如以上那样在晶圆处理系统1中将处理晶圆W分离，但在晶圆处理系统1的外部，对被再利用的第二分离晶圆W2的分离面W2a侧进行磨削，并去除周缘部W2e。之后，对被磨削后的第二分离晶圆W2的分离面W2a进行清洗来去除微粒，之后进一步对分离面W2a进行蚀刻来去除磨痕。而且，在将第二分离晶圆W2例如作为产品晶圆进行再利用的情况下，进一步对分离面W2a进行研磨(CMP)。另一方面，在将第二分离晶圆W2例如作为用于支承产品晶圆的支承晶圆进行再利用的情况下，直接使用该第二分离晶圆W2。
另外，在晶圆处理系统1的外部，对被产品化的第一分离晶圆W1的分离面W1a进行研磨(CMP)。在本实施方式中，如上述那样在步骤A15中将第一分离晶圆W1蚀刻到了期望的厚度，因此仅对分离面W1a进行研磨即可。但是，在例如在步骤A15中第一分离晶圆W1未成为期望的厚度的情况下，在晶圆处理系统1的外部将分离面W1a磨削至期望的厚度。之后，对被磨削后的第一分离晶圆W1依次进行分离面W1a的清洗、分离面W1a的蚀刻、分离面W1a的研磨。
另外，也可以是，在以上的实施方式的晶圆处理系统1还设置有磨削装置(未图示)。磨削装置例如可以与第三处理块G3的表面改性装置80及内部改性装置81邻接地设置。在该情况下，例如在步骤A9与步骤A12之间，在磨削装置中对第二分离晶圆W2的分离面W2a进行磨削。另外，例如在步骤A11与步骤A14之间，在磨削装置中将第一分离晶圆W1的分离面W1a研磨至期望的厚度。之后，对被研磨后的第一分离晶圆W1依次进行步骤A14中的分离面W1a的清洗、步骤A15中的分离面W1a的蚀刻。
此外，在本实施方式的分离装置61中，第一保持部120进行了升降，但也可以是第二保持部121进行升降，或者也可以是第一保持部120和第二保持部121这两方进行升降。
接着，说明其它实施方式所涉及的分离装置61的结构以及该分离装置61中的处理晶圆W的分离方法。
在第二保持部121形成有供后述的第二支承销260通过的贯通孔121a。另外，经由支承构件250在第二保持部121设置有转动部251。关于转动部251，使第二保持部121一边以该转动部251为转动中心向铅垂上方移动一边沿X轴方向移动，来使该第二保持部121翻转180度。
在该情况下，如图23的(a)所示那样进行步骤A5、A6来将处理晶圆W分离，之后如图23的(b)所示那样通过转动部251使第二保持部121翻转。即，被保持于第二保持部121的第二分离晶圆W2的表面和背面翻转，使分离面W2a朝向上方。此时，第二保持部121配置于作为第二支承构件的第二支承销260的上方。第二支承销260设置有例如三个，以穿过第二保持部121的贯通孔121a的方式配置。
接着，如图23的(c)所示那样通过移动机构(未图示)使第二保持部121下降，来从第二保持部121向第二支承销260交接第二分离晶圆W2。之后，将第二分离晶圆W2从第二支承销260交接至搬送臂71，并从分离装置61搬出。
另外，如图23的(c)所示那样使第一保持部120下降，来从第一保持部120向第一支承销150交接第一分离晶圆W1。之后，将第一分离晶圆W1从第一支承销150交接至搬送臂71，并从分离装置61搬出。
在本实施方式中，也能够得到与上述实施方式相同的效果。即，在将分离晶圆W1、W2从分离装置61搬出时，不保持分离面W1a、W2a，因此能够抑制产生后续的装置内的污染。此外，在本实施方式中，可以共同使用第一支承销150和第二支承销260。
第三实施方式与第二实施方式同样地使第二保持部121翻转180度，但其翻转方法不同。
第二保持部121与作为第二支承构件的第二支承销270构成为一体。第二支承销270设置有例如三个，并且以穿过第二保持部121的穿过孔121a的方式设置。另外，第二支承销270被支承于支承板271。
经由支承构件280在第二保持部121设置有转动部281。转动部281使第二保持部121和第二支承销270以支承构件280为中心轴一体地翻转180度。
在该情况下，如图26的(a)所示那样进行步骤A5、A6来将处理晶圆W分离，之后如图26的(b)及(c)所示那样通过转动部281使第二保持部121翻转。即，将被保持于第二保持部121的第二分离晶圆W2的表面和背面翻转，使分离面W2a朝向上方。
接着，如图26的(d)所示那样通过移动机构(未图示)使第二支承销270上升，来从第二保持部121向第二支承销260交接第二分离晶圆W2。之后，将第二分离晶圆W2从第二支承销270交接至搬送臂71，并从分离装置61搬出。
另外，如图26的(d)所示那样使第一保持部120下降，来从第一保持部120向第一支承销150交接第一分离晶圆W1。之后，将第一分离晶圆W1从第一支承销150交接至搬送臂71，并从分离装置61搬出。
在本实施方式中，也能够得到与上述实施方式相同的效果。即，在将分离晶圆W1、W2从分离装置61搬出时，不保持分离面W1a、W2a，因此能够抑制产生后续的装置内的污染。
对第四实施方式所涉及的分离装置61和分离方法进行说明。
第四实施方式是第三实施方式的变形例。在第三实施方式中，在如图26的(a)所示那样进行步骤A5、A6来将处理晶圆W分离时，第一保持部120与第二保持部121在铅垂方向上相向地配置。与此相对地，在第四实施方式中，在如图27的(a)所示那样将处理晶圆W分离时，第一保持部120和第二保持部121在水平方向上相向地配置。
此外，在第四实施方式中，如图27的(a)，第一保持部120和第一支承销150构成为一体。第一保持部120和第一支承销150通过转动部(未图示)一体地转动90度。另外，第二保持部121和第二支承销260也构成为一体，通过转动部(未图示)一体地转动90度。
而且，如图27的(b)所示那样使第一保持部120转动90度。于是，被保持于第一保持部120的第一分离晶圆W1的分离面W1a朝向上方。同样地，第二保持部121也转动90度。于是，被保持于第二保持部121的第二分离晶圆W2的分离面W2a朝向上方。
接着，如图27的(c)所示那样使第一支承销150上升，来从第一保持部120向第一支承销150交接第一分离晶圆W1。之后，将第一分离晶圆W1从第一支承销150交接至搬送臂71，并从分离装置61搬出。
另外，如图27的(c)所示那样通过移动机构(未图示)使第二支承销270上升，来从第二保持部121向第二支承销260交接第二分离晶圆W2。之后，将第二分离晶圆W2从第二支承销270交接至搬送臂71，并从分离装置61搬出。
在本实施方式中，也能够得到与上述实施方式相同的效果。即，在将分离晶圆W1、W2从分离装置61搬出时，不保持分离面W1a、W2a，因此能够抑制产生后续的装置内的污染。
在以上的实施方式的分离装置61中，第二保持部121对处理晶圆W的比形成于处理晶圆W的周缘改性层M1更靠内侧的位置进行吸附保持，但第二保持部121针对处理晶圆W的吸附面不限定于此。例如，第二保持部121也可以对处理晶圆W的整面进行吸附保持。
在以上的实施方式的晶圆处理系统1中，当在步骤A5中分离处理晶圆W时，从第一分离晶圆W1去除周缘部We，但处理晶圆W的分离方法不限定于此。例如，也可以在去除周缘部We之后将处理晶圆W分离为第一分离晶圆W1和第二分离晶圆W2。
另外，在以上的实施方式的晶圆处理系统1中，在步骤A5中以周缘改性层M1和内部面改性层M2为基点将处理晶圆W进行了分离，但分离处理晶圆W的基点不限定于此。例如，也可以向氧化膜Fw或氧化膜Fs的内部整面照射激光来形成改性层，以该改性层为起点来分离处理晶圆W。另外，例如也可以在晶圆处理系统1中的处理前的处理晶圆W中的、该处理晶圆W与器件层D之间形成氧化膜(未图示)，向该氧化膜的内部整面照射激光来形成改性层，以该改性层为起点来分离处理晶圆W。并且，例如也可以在处理晶圆W与支承晶圆S之间的界面进一步形成粘接层(未图示)，向该粘接层的内部整面照射激光来形成改性层，以该改性层为起点来分离处理晶圆W。
在以上的实施方式的晶圆处理系统1中，在步骤A2中将器件层D的外周部De进行改性来形成了未接合区域Ab，但未接合区域Ab也可以形成于晶圆处理系统1的外部。例如在处理晶圆W与支承晶圆S接合前，在氧化膜Fw的外周部对支承晶圆S的表面Sa进行使接合强度下降的处理。具体地说，可以进行研磨、湿蚀刻等来去除外周部的表层。或者，可以将外周部的表面疏水化，也可以通过激光使外周部的表面粗糙化。
应当认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下能够以各种方式进行省略、置换、变更。
附图标记说明
61：分离装置；112：搬送部；120：第一保持部；121：第二保持部；180：转动部；W：处理晶圆；W1：第一分离晶圆；W2：第二分离晶圆。

Claims (20)

1.一种分离装置，将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体，所述分离装置具有：
第一保持部，其保持所述第一分离体；
第二保持部，其保持所述第二分离体；
移动部，其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动；以及
转动部，其至少使所述第一分离体或所述第二分离体转动，以使所述第一分离体的分离面朝向上方且所述第二分离体的分离面朝向上方。
2.根据权利要求1所述的分离装置，其特征在于，
在将所述处理对象体分离之前，所述第二保持部在所述第一保持部的上方与所述第一保持部相向地配置，
所述转动部具有：
搬送部，其保持所述第二分离体的与分离面相反一侧的面，并使该第二分离体翻转；以及
交接部，其从所述第二保持部向所述搬送部交接所述第二分离体。
3.根据权利要求2所述的分离装置，其特征在于，
还具有第一支承构件，所述第一支承构件以贯通所述第一保持部的方式设置，用于支承被保持于该第一保持部的所述第一分离体。
4.根据权利要求2或3所述的分离装置，其特征在于，
所述搬送部保持所述第二分离体的中央部，并向被设置于所述分离装置的外部的搬送装置交接所述第二分离体。
5.根据权利要求1所述的分离装置，其特征在于，
在将所述处理对象体分离之前，所述第二保持部在所述第一保持部的上方与所述第一保持部相向地配置，
所述转动部使保持所述第二分离体的所述第二保持部翻转180度。
6.根据权利要求5所述的分离装置，其特征在于，还具有：
第一支承构件，其以贯通所述第一保持部的方式设置，用于支承被保持于该第一保持部的所述第一分离体；以及
第一支承构件，其以贯通通过所述转动部翻转后的所述第二保持部的方式设置，用于支承被保持于该第二保持部的所述第二分离体。
7.根据权利要求5所述的分离装置，其特征在于，还具有：
第一支承构件，其以贯通所述第一保持部的方式设置，用于支承被保持于该第一保持部的所述第一分离体；以及
第二支承构件，其以贯通所述第二保持部的方式设置，用于支承被保持于该第二保持部的所述第二分离体，
所述转动部使所述第二保持部和所述第二支承构件一体地翻转。
8.根据权利要求1所述的分离装置，其特征在于，
在将所述处理对象体分离之前，所述第一保持部和所述第二保持部在水平方向上相向地配置，
所述转动部使保持所述第一分离体的所述第一保持部和保持所述第二分离体的所述第二保持部分别转动90度。
9.根据权利要求8所述的分离装置，其特征在于，还具有：
第一支承构件，其以贯通所述第一保持部的方式设置，用于支承被保持于该第一保持部的所述第一分离体；以及
第二支承构件，其以贯通所述第二保持部的方式设置，用于支承被保持于该第二保持部的所述第二分离体，
所述转动部使所述第一保持部和所述第一支承构件一体地转动，并使所述第二保持部和所述第二支承构件一体地转动。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的分离装置，其特征在于，
还具有插入部，向被保持于所述第一保持部和所述第二保持部的所述处理对象体插入所述插入部。
11.一种分离方法，用于将处理对象体分离为第一分离体和第二分离体，所述分离方法包括：
使被保持于第一保持部的所述第一分离体与被保持于第二保持部的所述第二分离体相对地移动来进行分离；以及
通过转动部至少使所述第一分离体或所述第二分离体转动，以使所述第一分离体的分离面朝向上方且所述第二分离体的分离面朝向上方。
12.根据权利要求11所述的分离方法，其特征在于，还包括：
在将所述处理对象体分离之前，所述第二保持部在所述第一保持部的上方与所述第一保持部相向地配置，
在将所述处理对象体分离之后，从所述第二保持部向交接部交接所述第二分离体；
通过搬送部来保持被保持于所述交接部的所述第二分离体的与分离面相反一侧的面；以及
通过所述搬送部使所述第二分离体翻转。
13.根据权利要求12所述的分离方法，其特征在于，
在将所述处理对象体分离之后，从所述第一保持部向以贯通该第一保持部的方式设置的第一支承构件交接所述第一分离体。
14.根据权利要求12或13所述的分离方法，其特征在于，
在将所述处理对象体分离之后，所述搬送部保持所述第二分离体的中央部。
15.根据权利要求11所述的分离方法，其特征在于，
在将所述处理对象体分离之前，所述第二保持部在所述第一保持部的上方与所述第一保持部相向地配置，
通过所述转动部使保持所述第二分离体的所述第二保持部翻转180度。
16.根据权利要求15所述的分离方法，其特征在于，还包括：
在将所述处理对象体分离之后，从所述第一保持部向以贯通该第一保持部的方式设置的第一支承构件交接所述第一分离体；以及
在将所述处理对象体分离之后，从通过所述转动部翻转后的所述第二保持部向以贯通该第二保持部的方式设置的第二支承构件交接所述第二分离体。
17.根据权利要求15所述的分离方法，其特征在于，
在将所述处理对象体分离之后，从所述第一保持部向以贯通该第一保持部的方式设置的第一支承构件交接所述第一分离体；
在将所述处理对象体分离之后，通过所述转动部使所述第二保持部与以贯通该第二保持部的方式设置的第二支承构件一体地翻转；以及
从通过所述转动部翻转后的所述第二保持部向所述第二支承构件交接所述第二分离体。
18.根据权利要求11所述的分离方法，其特征在于，
在将所述处理对象体分离之前，所述第一保持部与所述第二保持部在水平方向上相向地配置，
通过所述转动部使保持所述第一分离体的所述第一保持部和保持所述第二分离体的所述第二保持部分别转动90度。
19.根据权利要求18所述的分离方法，其特征在于，还包括：
在将所述处理对象体分离之后，通过所述转动部使所述第一保持部和以贯通该第一保持部的方式设置的第一支承构件一体地转动；
从通过所述转动部转动后的所述第一保持部向所述第一支承构件交接所述第一分离体；
在将所述处理对象体分离之后，通过所述转动部使所述第二保持部和以贯通该第二保持部的方式设置的第二支承构件一体地转动；以及
从通过所述转动部转动后的所述第二保持部向所述第二支承构件交接所述第二分离体。
20.根据权利要求11至19中的任一项所述的分离方法，其特征在于，
在将所述处理对象体分离时，将插入部插入被保持于所述第一保持部和所述第二保持部的所述处理对象体。
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