TWI567779B - 剝離裝置、剝離系統及剝離方法 - Google Patents

Description

剝離裝置、剝離系統及剝離方法

揭示之實施形態係關於剝離裝置、剝離系統及剝離方法。

近年來，例如於半導體元件之製造程序中，矽晶圓或化合物半導體晶圓等半導體基板之大口徑化及薄型化已獲得進展。大口徑且較薄的半導體基板於搬運時或拋光處理時有發生翹曲或破損之虞。因此，貼合支持基板於半導體基板以補強後，進行搬運或拋光處理，其後，進行自半導體基板剝離支持基板之處理。

例如，專利文獻1中揭示有一技術，使用第1固持部自上方固持半導體基板，並使用第2固持部自下方固持支持基板，且使第2固持部之外周部沿鉛直方向移動，藉此自半導體基板剝離支持基板。

【先前技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2012-69914號公報

然而，上述習知技術中，於實現剝離處理之高效率化之點有可更改善之餘地。又，該課題於伴隨基板剝離之SOI(Silicon On Insulator)等製造程序中亦可能發生。

例如，上述習知技術中，剝離處理後之半導體基板呈由第1固持部自上方固持之狀態，亦即，與支持基板之接合面位於下表面之狀態。因此，為使用清洗裝置清洗該半導體基板之接合面，有時需在自第1固持部接受剝離處理後之半導體基板後，進行使該半導體基板反轉之處理，有妨礙處理能力提升之虞。

實施形態之一態樣其目的在於提供一剝離裝置、剝離系統及剝離方法，可實現剝離處理之高效率化。

依實施形態之一態樣之剝離裝置將以第1基板與第2基板接合成之重合基板剝離為該第1基板與該第2基板，其特徵在於：該重合基板被配置於具有直徑大於該重合基板之開口部之框體之該開口部，且藉由將該第1基板之非接合面貼附在設於該開口部之膠帶，由該框體固持，且該剝離裝置包含：第1固持部，自上方固持該重合基板中之該第2基板；第2固持部，隔著該膠帶自下方固持該重合基板中之該第1基板；及移動機構，令該第1固持部朝向遠離該第2固持部之方向移動。

依實施形態之一態樣之剝離裝置包含：第1固持部，將以第1基板與第2基板接合成之重合基板中之該第2基板加以固持；第2固持部，固持該重合基板中之該第1基板；及 局部移動部，令該第1固持部外周部的一部分朝向遠離該第2固持部之方向移動；且該第1固持部以具有柔軟性之構件形成。

依實施形態之一態樣，可實現剝離處理之高效率化。

Cs、Ct、Cw‧‧‧匣盒

Fa‧‧‧開口部

F‧‧‧切割框

G‧‧‧黏接劑

H‧‧‧手柄基板

K‧‧‧施體基板

M‧‧‧剝離開始部位

P‧‧‧切割膠帶

R、R1~R25‧‧‧個別區域

Sj‧‧‧接合面

Sn‧‧‧非接合面

S‧‧‧支持基板

T、Ta‧‧‧重合基板

Wa‧‧‧SOI基板

Wj‧‧‧接合面

Wn‧‧‧非接合面

W‧‧‧被處理基板

1‧‧‧剝離系統

5、5A‧‧‧剝離裝置

6‧‧‧絕緣膜

7‧‧‧氫離子注入層

8‧‧‧矽層

10‧‧‧第1處理區塊

11‧‧‧送入送出站

12‧‧‧第1搬運區域

13‧‧‧待命站

14‧‧‧邊緣切除站

15‧‧‧剝離站

16‧‧‧第1清洗站

20‧‧‧第2處理區塊

21‧‧‧傳遞站

22‧‧‧第2清洗站

23‧‧‧第2搬運區域

24‧‧‧送出站

30‧‧‧第1搬運裝置

40‧‧‧第2搬運裝置

41、47、47A~47E‧‧‧第1固持部

42‧‧‧第2固持部

48、48A‧‧‧彈性構件

49、49A1~49A4、49B1~49B4、49C1~49C4、49D1~49D4、49E‧‧‧吸附部

50‧‧‧第3搬運裝置

51‧‧‧白努利吸盤

52‧‧‧第1臂

53‧‧‧第2臂

54‧‧‧底部

60‧‧‧控制裝置

61‧‧‧移動部

62‧‧‧第1追加移動部

63‧‧‧第2追加移動部

64‧‧‧移動部

65‧‧‧支柱構件

66‧‧‧移動機構

67‧‧‧負載檢測元件

70‧‧‧第1清洗裝置

71‧‧‧處理容器

72‧‧‧基板固持部

73‧‧‧清洗工具

74‧‧‧溶劑供給部

75‧‧‧潤洗液供給部

76‧‧‧惰性氣體供給部

77‧‧‧抽吸部

78‧‧‧移動機構

80‧‧‧第2清洗裝置

81‧‧‧處理容器

82‧‧‧旋轉吸盤

83‧‧‧吸盤驅動部

84‧‧‧杯體

85‧‧‧軌道

86‧‧‧臂

87‧‧‧清洗液噴嘴

88‧‧‧待命部

90‧‧‧剝離誘導部

91‧‧‧銳利構件

91a‧‧‧傾斜面

92‧‧‧移動機構

93‧‧‧昇降機構

100‧‧‧處理部(處理室)

101‧‧‧固定構件

102‧‧‧支柱

103‧‧‧上側基座部

104‧‧‧下側基座部

105‧‧‧旋轉昇降機構

110a、110b‧‧‧匣盒載置板

110‧‧‧第1固持部

111‧‧‧本體部

111a‧‧‧圓盤部

111b‧‧‧拉伸部

111b1‧‧‧安裝部

111c‧‧‧固定部

112、112A~112C‧‧‧吸附墊

113a~113d、114a~114c、115a~115i、116a~116c、117a~117c、118a~118c‧‧‧吸氣口

113‧‧‧吸氣管

114‧‧‧吸氣裝置

120‧‧‧上側基座部

121‧‧‧支持構件

130‧‧‧局部移動部

131、141、151‧‧‧本體部

132‧‧‧缸筒

133‧‧‧負載檢測元件

140‧‧‧移動機構

142‧‧‧驅動機構

150‧‧‧第2固持部

151a‧‧‧吸附面

151b‧‧‧抽吸空間

152‧‧‧支柱構件

153‧‧‧吸氣管

154‧‧‧吸氣裝置

160‧‧‧框體固持部

161‧‧‧吸附部

162‧‧‧支持構件

163‧‧‧移動機構

164‧‧‧吸氣管

165‧‧‧吸氣裝置

170‧‧‧下側基座部

180‧‧‧旋轉機構

210‧‧‧量測部

211‧‧‧第2搬運裝置

220‧‧‧切入部

221‧‧‧本體部

221R‧‧‧右側部

221C‧‧‧中央部

221L‧‧‧左側部

222‧‧‧銳利構件

223‧‧‧氣體噴出部

224‧‧‧固定部

230‧‧‧位置調整部

231‧‧‧驅動裝置

232‧‧‧負載檢測元件

240a、240b‧‧‧匣盒載置板

321‧‧‧第1搬運裝置

412、412A、412B‧‧‧抵接部

413‧‧‧彈性構件

414‧‧‧第1抽吸部

415‧‧‧第2抽吸部

416‧‧‧第3抽吸部

421、481、481A、491‧‧‧本體部

422‧‧‧支柱構件

423‧‧‧吸附面

424‧‧‧抽吸空間

482‧‧‧延伸部

510‧‧‧吸附區域

511、512、512A、512B、513‧‧‧抽吸口

514、515、516‧‧‧個別區域

517、518‧‧‧溝槽

521、522、523‧‧‧彈性構件片

522‧‧‧吸附墊

523、711‧‧‧吸氣管

524、712‧‧‧吸氣裝置

525‧‧‧部分

531、541、551‧‧‧吸氣管

532、542、552‧‧‧吸氣裝置

580‧‧‧框體固持部

581‧‧‧吸附墊

582‧‧‧支持構件

583‧‧‧移動機構

611、621、631‧‧‧水平構件

612、622、632‧‧‧支柱構件

613、623、633‧‧‧移動機構

614、624、634‧‧‧負載檢測元件

721‧‧‧旋轉吸盤

722‧‧‧吸盤驅動部

723‧‧‧杯體

724‧‧‧排出管

725‧‧‧排氣管

731‧‧‧供給面

732‧‧‧供給口

741‧‧‧溶劑供給源

742、752、762、891‧‧‧供給管

743、753、763、893‧‧‧供給設備群組

751‧‧‧潤洗液供給源

761‧‧‧惰性氣體供給源

771‧‧‧負壓產生裝置

772、821‧‧‧吸氣管

781‧‧‧支持構件

782‧‧‧工具驅動部

822‧‧‧吸氣裝置

841‧‧‧排出管

842‧‧‧排氣管

861‧‧‧噴嘴驅動部

892‧‧‧清洗液供給源

911‧‧‧刀鋒

2311‧‧‧第3搬運裝置

S101~S109、S201~S207、S301~S310‧‧‧步驟

圖1係顯示依第1實施形態之剝離系統之構成之示意俯視圖。

圖2係由切割框固持之重合基板之示意側視圖。

圖3係由切割框固持之重合基板之示意俯視圖。

圖4係顯示以剝離系統實行之基板處理之處理順序之流程圖。

圖5A係顯示附DF重合基板之搬運正常路徑之示意圖。

圖5B係顯示被處理基板及支持基板之搬運正常路徑之示意圖。

圖6係顯示依第1實施形態之剝離裝置之構成之示意側視圖。

圖7A係顯示第1固持部之構成之示意立體圖。

圖7A’係顯示第1固持部之構成之示意立體圖。

圖7B係顯示吸附墊之構成之示意俯視圖。

圖8A係第1固持部之本體部之示意俯視圖。

圖8B係第1固持部之本體部之示意俯視圖。

圖9係顯示剝離處理之處理順序之流程圖。

圖10A係以剝離裝置進行之剝離動作之說明圖。

圖10B係以剝離裝置進行之剝離動作之說明圖。

圖10C係以剝離裝置進行之剝離動作之說明圖。

圖10D係以剝離裝置進行之剝離動作之說明圖。

圖10E係以剝離裝置進行之剝離動作之說明圖。

圖11A係顯示第1清洗裝置之構成之示意側視圖。

圖11B係顯示第1清洗裝置之構成之示意側視圖。

圖11C係顯示清洗工具之構成之示意俯視圖。

圖12係顯示第3搬運裝置之構成之示意側視圖。

圖13A係顯示第2清洗裝置之構成之示意側視圖。

圖13B係顯示第2清洗裝置之構成之示意俯視圖。

圖14係顯示依第2實施形態之剝離裝置之構成之示意側視圖。

圖15係顯示切入部之構成之示意立體圖。

圖16係顯示切入部之位置調整處理之處理順序之流程圖。

圖17A係剝離裝置之動作說明圖。

圖17B係剝離裝置之動作說明圖。

圖18A係顯示吸附墊之另一構成之示意俯視圖。

圖18B係顯示吸附墊之另一構成之示意俯視圖。

圖18C係顯示吸附墊之另一構成之示意俯視圖。

圖19A係顯示SOI基板之製造程序之示意圖。

圖19B係顯示SOI基板之製造程序之示意圖。

圖20係顯示依本實施形態之剝離系統之構成之示意俯視圖。

圖21係由切割框固持之重合基板之示意側視圖。

圖22係由切割框固持之重合基板之示意俯視圖。

圖23A係顯示依本實施形態之剝離裝置之構成之示意側視圖。

圖24係顯示第1固持部、移動部、第1追加移動部及第2追加移動部之構成之示意側視圖。

圖25係抵接部之示意底視圖。

圖26A係顯示形成於個別區域之溝槽之形狀之示意底視圖。

圖26B係顯示形成於個別區域之溝槽之形狀之示意底視圖。

圖27係彈性構件之示意俯視圖。

圖28係顯示剝離處理之處理順序之流程圖。

圖29A係剝離動作之說明圖。

圖29B係剝離動作之說明圖。

圖29C係剝離動作之說明圖。

圖29D係剝離動作之說明圖。

圖29E係剝離動作之說明圖。

圖29F係剝離動作之說明圖。

圖29G係剝離動作之說明圖。

圖30A係剝離誘導處理之動作說明圖。

圖30B係剝離誘導處理之動作說明圖。

圖30C係剝離誘導處理之動作說明圖。

圖31A係顯示銳利構件之刀鋒之形狀例之示意俯視圖。

圖31B係顯示銳利構件之刀鋒之形狀例之示意俯視圖。

圖31C係顯示銳利構件之刀鋒之形狀例之示意俯視圖。

圖32係顯示依第1變形例之抵接部之構成之示意底視圖。

圖33係顯示依第2變形例之抵接部之構成之示意底視圖。

圖23B係顯示依本實施形態之剝離裝置之構成之示意側視圖。

圖34係第1固持部之示意俯視圖。

圖35A係剝離動作之說明圖。

圖35B係剝離動作之說明圖。

圖35C係剝離動作之說明圖。

圖35D係剝離動作之說明圖。

圖35E係剝離動作之說明圖。

圖35F係剝離動作之說明圖。

圖35G係剝離動作之說明圖。

圖36A係依第1變形例之第1固持部之示意俯視圖。

圖36B係依第2變形例之第1固持部之示意俯視圖。

圖36C係依第3變形例之第1固持部之示意俯視圖。

圖36D係依第4變形例之第1固持部之示意俯視圖。

圖36E係依第5變形例之第1固持部之示意俯視圖。

圖37係顯示剝離處理之處理順序之流程圖。

以下，參照附圖，詳細說明本申請案揭示之剝離系統之實施形態。又，本發明不由以下所示之實施形態限定。

(第1實施形態)

<1.剝離系統>

首先，參照圖1~3說明關於依第1實施形態之剝離系統之構成。圖1係顯示依第1實施形態之剝離系統之構成之示意俯視圖。且圖2及圖3係由切割框固持之重合基板之示意側視圖及示意俯視圖。又，於以下，為使位置關係明確，限定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，Z軸正方向係鉛直朝上方向。

圖1所示依第1實施形態之剝離系統1將以黏接劑G接合被處理基板W與支持基板S之重合基板T(參照圖2)剝離為被處理基板W與支持基板S。

於以下，如圖2所示，將被處理基板W之板面中，隔著黏接劑G與支持基板S接合之一側之板面稱為「接合面Wj」，將與接合面Wj相反之一側之板面稱為「非接合面Wn」。且將支持基板S之板面中，隔著黏接劑G與被處理基板W接合之一側之板面稱為「接合面Sj」，將與接合面Sj相反之一側之板面稱為「非接合面Sn」。

被處理基板W中，於例如矽晶圓或化合物半導體晶圓等半導體基板形成複數之電子電路，形成電子電路之一側之板面係接合面Wj。且被處理基板W中，藉由例如對非接合面Wn進行拋光處理而薄型化。具體而言，被處理基板W之厚度約20~100μm。

另一方面，支持基板S與被處理基板W大致同徑，支持被處理基板W。支持基板S之厚度約650~750μm。作為該支持基板S，除矽晶圓外，可使用玻璃基板等。且此等接合被處理基板W及支持基板S之黏接劑G之厚度約40~150μm。

如上述被處理基板W非常薄，易於破損，故更藉由切割框F確實保護之。切割框F如圖3所示，係於中央具有直徑大於重合基板T之開口部Fa 之略矩形狀之構件，藉由不鏽鋼金屬形成。貼附切割膠帶P於該切割框F，俾自背面封閉開口部Fa，藉此接合切割框F與重合基板T。

具體而言，於切割框F之開口部Fa配置重合基板T，於被處理基板W之非接合面Wn及切割框F貼附切割膠帶P。藉此，重合基板T呈由切割框F固持之狀態。又，重合基板T在被處理基板W位於下表面，支持基板S位於上表面之狀態下，由切割框F固持(參照圖2)。

依第1實施形態之剝離系統1如圖1所示，包含第1處理區塊10與第2處理區塊20。第1處理區塊10與第2處理區塊20依第2處理區塊20及第1處理區塊10之順序沿X軸方向排成一列配置。

第1處理區塊10對由切割框F固持之基板，具體而言，重合基板T或剝離後之被處理基板W進行處理。該第1處理區塊10包含送入送出站11、第1搬運區域12、待命站13、邊緣切除站14、剝離站15與第1清洗站16。

且第2處理區塊20對未由切割框F固持之基板，具體而言，剝離後之支持基板S進行處理。該第2處理區塊20包含傳遞站21、第2清洗站22、第2搬運區域23與送出站24。

第1處理區塊10之第1搬運區域12，與第2處理區塊20之第2搬運區域23沿X軸方向排成一列配置。且於第1搬運區域12之Y軸負方向側，送入送出站11及待命站13依送入送出站11及待命站13之順序沿X軸方向排成一列配置，於第2搬運區域23之Y軸負方向側，配置送出站24。

且於夾隔著第1搬運區域12送入送出站11及待命站13之相反側，剝離站15及第1清洗站16依剝離站15及第1清洗站16之順序沿X軸方向排成一列配置。且於夾隔著第2搬運區域23送出站24之相反側，傳遞站21及第2清洗站22依第2清洗站22及傳遞站21之順序沿X軸方向排成一列配置。又，於第1搬運區域12之X軸正方向側，配置邊緣切除站14。

首先，說明關於第1處理區塊10之構成。送入送出站11中，在與外部之間送入送出收納有由切割框F固持之重合基板T(以下記載為「附DF重合基板T」)之匣盒Ct及收納有剝離後之被處理基板W之匣盒Cw。於該送入送出站11，設有匣盒載置台，於此匣盒載置台，設有分別載置匣盒Ct、Cw的複數之匣盒載置板110a、110b。

第1搬運區域12中，可搬運附DF重合基板T或剝離後之被處理基板W。於第1搬運區域12，設置搬運附DF重合基板T或剝離後之被處理基板W之第1搬運裝置30。

第1搬運裝置30係基板搬運裝置，包含：搬運臂部，可沿水平方向移動、沿鉛直方向昇降及以鉛直方向為中心迴旋；及基板固持部，安裝於此搬運臂部前端。

該第1搬運裝置30使用基板固持部固持基板，並藉由搬運臂部搬運由基板固持部固持之基板至所希望之處。

又，第1搬運裝置30具有之基板固持部以吸附或是握持等方式固持切割框F，藉此大致水平地固持附DF重合基板T或剝離後之被處理基板W。

於待命站13，配置讀取切割框F之ID(Identification)之ID讀取裝置，可藉由該ID讀取裝置，辨識處理中之附DF重合基板T。

此待命站13中，除上述ID讀取處理外，更因應所需進行令等待處理之附DF重合基板T暫時待命之待命處理。於該待命站13，設有載置由第1搬運裝置30搬運之附DF重合基板T之載置台，於該載置台載置ID讀取裝置與暫時待命部。

邊緣切除站14中，進行以溶劑溶解並去除黏接劑G(參照圖2)之周緣部之邊緣切除處理。藉由以該邊緣切除處理去除黏接劑G之周緣部，於後述之剝離處理可易於剝離被處理基板W與支持基板S。於該邊緣切除站14，設置藉由將重合基板T浸漬於黏接劑G之溶劑，以溶劑溶解黏接劑G之周緣部之邊緣切除裝置。

剝離站15中，進行將由第1搬運裝置30搬運之附DF重合基板T剝離為被處理基板W與支持基板S之剝離處理。於該剝離站15，設置進行剝離處理之剝離裝置。關於該剝離裝置之具體構成及動作於後詳述。

第1清洗站16中，進行剝離後之被處理基板W之清洗處理。於第1清洗站16，設置在由切割框F固持之狀態下清洗剝離後之被處理基板W之第1清洗裝置。關於該第1清洗裝置之具體構成於後詳述。

該第1處理區塊10中，於待命站13進行切割框F之ID讀取處理，於邊緣切除站14進行附DF重合基板T之邊緣切除處理後，於剝離站15進行附DF重合基板T之剝離處理。且第1處理區塊10中，於第1清洗站16清洗剝離後之被處理基板W後，搬運清洗後之被處理基板W至送入送出站11。其後，將清洗後之被處理基板W自送入送出站11朝外部送出。

接著，說明關於第2處理區塊20之構成。傳遞站21中，進行自剝離站15接受剝離後之支持基板S，朝第2清洗站22傳遞之傳遞處理。於傳遞站21，設置以非接觸方式固持並搬運剝離後之支持基板S之第3搬運裝置50，以該第3搬運裝置50進行上述傳遞處理。關於第3搬運裝置50之具體構成於後詳述。

第2清洗站22中，進行清洗剝離後之支持基板S之第2清洗處理。於該第2清洗站22，設置清洗剝離後之支持基板S之第2清洗裝置。關於該第2清洗裝置之具體構成於後詳述。

第2搬運區域23中，搬運由第2清洗裝置清洗之支持基板S。於第2搬運區域23，設置搬運支持基板S之第2搬運裝置40。

第2搬運裝置40係基板搬運裝置，包含：搬運臂部，可沿水平方向移動、沿鉛直方向昇降及以鉛直方向為中心迴旋；及基板固持部，安裝於此搬運臂部前端。

該第2搬運裝置40使用基板固持部固持基板，並以搬運臂部搬運由基板固持部固持之基板至送出站24。又，第2搬運裝置40具有之基板固持部係例如自下方支持支持基板S以略水平地固持支持基板S之叉狀物等。

送出站24中，在與外部之間送入送出收納支持基板S之匣盒Cs。於該送出站24，設有匣盒載置台，於此匣盒載置台，設有載置匣盒Cs的複數之匣盒載置板240a、240b。

該第2處理區塊20中，自剝離站15經由傳遞站21朝第2清洗站22搬運剝離後之支持基板S，於第2清洗站22清洗之。其後，第2處理區塊20中，朝送出站24搬運清洗後之支持基板S，將清洗後之支持基板S自送出站24朝外部送出。

且剝離系統1包含控制裝置60。控制裝置60控制剝離系統1之動作。該控制裝置60係例如電腦，包含未圖示之控制部與記憶部。於記憶部，收納控制剝離處理等各種處理之程式。控制部藉由讀取並實行由記憶部記憶之程式控制剝離系統1之動作。

又，該程式經可由電腦讀取之記錄媒體記錄，亦可自該記錄媒體安裝於控制裝置60之記憶部。作為可由電腦讀取之記錄媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

其次，參照圖4及圖5A、5B說明關於上述剝離系統1之動作。圖4係顯示藉由剝離系統1實行之基板處理處理順序之流程圖。且圖5A係顯示附DF重合基板T之搬運正常路徑之示意圖，圖5B係顯示被處理基板W及支持基板S之搬運正常路徑之示意圖。又，剝離系統1根據控制裝置60之控制，實行圖4所示之各處理順序。

首先，配置於第1處理區塊10之第1搬運區域12之第1搬運裝置30(參照圖1)根據控制裝置60之控制，進行將附DF重合基板T送入待命站13之處理(參照圖4之步驟S101、圖5A之T1)。

具體而言，第1搬運裝置30令基板固持部進入送入送出站11，固持並自匣盒Ct取出由匣盒Ct收納之附DF重合基板T。此時，附DF重合基板T以被處理基板W位於下表面，支持基板S位於上表面之狀態，由第1搬運裝置30之基板固持部自上方固持。又，第1搬運裝置30將自匣盒Ct取出之附DF重合基板T送入待命站13。

接著，待命站13中，ID讀取裝置根據控制裝置60之控制，進行讀取切割框F之ID之ID讀取處理(圖4之步驟S102)。將由ID讀取裝置讀取之ID朝控制裝置60發送。

接著，第1搬運裝置30根據控制裝置60之控制，將附DF重合基板T自待命站13送出，朝邊緣切除站14搬運(參照圖5A之T2)。又，邊緣切除站14中，邊緣切除裝置根據控制裝置60之控制，進行邊緣切除處理(圖4之步驟S103)。藉由該邊緣切除處理去除黏接劑G之周緣部，於後段剝離處理使被處理基板W與支持基板S易於剝離。藉此，可縮短剝離處理所需之時間。

依第1實施形態之剝離系統1中，邊緣切除站14組裝於第1處理區塊10，故可使用第1搬運裝置30將經送入第1處理區塊10之附DF重合基板T直接送入邊緣切除站14。因此，依剝離系統1，可提升一連串基板處理之 處理能力。且可輕易管理自邊緣切除處理至剝離處理之時間，使剝離性能穩定化。

且因例如裝置間之處理時間差等產生等待處理之附DF重合基板T時，可使用設於待命站13之暫時待命部令附DF重合基板T暫時待命，可縮短於一連串程序間之損耗時間。

接著，第1搬運裝置30根據控制裝置60之控制，將邊緣切除處理後之附DF重合基板T自邊緣切除站14送出，朝剝離站15搬運(參照圖5A之T3)。又，剝離站15中，剝離裝置根據控制裝置60之控制進行剝離處理(圖4之步驟S104)。

其後，剝離系統1中，關於剝離後之被處理基板W之處理由第1處理區塊10進行，關於剝離後之支持基板S之處理由第2處理區塊20進行。又，剝離後之被處理基板W由切割框F固持。

首先，第1處理區塊10中，第1搬運裝置30根據控制裝置60之控制，將剝離後之被處理基板W自剝離裝置送出，朝第1清洗站16搬運(參照圖5B之W1)。

又，第1清洗裝置根據控制裝置60之控制，進行清洗剝離後之被處理基板W之接合面Wj之被處理基板清洗處理(圖4之步驟S105)。藉由該被處理基板清洗處理，去除殘存於被處理基板W之接合面Wj之黏接劑G。

接著，第1搬運裝置30根據控制裝置60之控制，進行將清洗後之被處理基板W自第1清洗裝置送出，朝送入送出站11搬運之被處理基板送出處理(參照圖4之步驟S106、圖5B之W2)。其後，自送入送出站11朝外部送出被處理基板W以回收之。如此，關於被處理基板W之處理結束。

另一方面，第2處理區塊20中，與步驟S105及步驟S106之處理並行進行步驟S107~S109之處理。

首先，第2處理區塊20中，設置於傳遞站21之第3搬運裝置50根據控制裝置60之控制，進行剝離後之支持基板S之傳遞處理(圖4之步驟S107)。

此步驟S107中，第3搬運裝置50自剝離裝置接受剝離後之支持基板S(參照圖5B之S1)，將接受之支持基板S載置於第2清洗站22之第2清洗裝置(參照圖5B之S2)。

在此，剝離後之支持基板S因剝離裝置呈上表面側亦即非接合面Sn側經固持之狀態，第3搬運裝置50自下方以非接觸方式固持支持基板S之接合面Sj側。又，第3搬運裝置50將固持之支持基板S送入第2清洗站22後，令支持基板S反轉，載置於第2清洗裝置。藉此，支持基板S以接合面Sj朝上方之狀態被載置於第2清洗裝置。又，第2清洗裝置根據控制裝置60之控制，進行清洗支持基板S之接合面Sj之支持基板清洗處理(圖4之步驟S108)。藉由該支持基板清洗處理，去除殘存於支持基板S之接合面Sj之黏接劑G。

接著，第2搬運裝置40根據控制裝置60之控制，進行將清洗後之支持基板S自第2清洗裝置送出，朝送出站24搬運之支持基板送出處理(參照圖4之步驟S109、圖5B之S3)。其後，將支持基板S自送出站24朝外部送出以回收之。如此，關於支持基板S之處理結束。

如此，依第1實施形態之剝離系統1包含由切割框F固持之基板用前端(送入送出站11及第1搬運裝置30)，與未由切割框F固持之基板用前端(送出站24及第2搬運裝置40)。藉此，可並列進行將清洗後之被處理基板W朝送入送出站11搬運之處理，與將清洗後之支持基板S朝送出站24搬運之處理，故可高效率地進行一連串基板處理。

且依第1實施形態之剝離系統1藉由傳遞站21連接第1處理區塊10與第2處理區塊20。藉此，可將剝離後之支持基板S自剝離站15直接取出而送入第2處理區塊20，故可將剝離後之支持基板S朝第2清洗裝置順暢地搬運。

因此，按照依第1實施形態之剝離系統1，可提升一連串基板處理之處理能力。

<2.各裝置之構成>

<2-1.剝離裝置>

其次，具體說明關於剝離系統1具有之各裝置之構成。首先，說明關於設置於剝離站15之剝離裝置之構成及使用剝離裝置進行之附DF重合基板T之剝離動作。圖6係顯示依第1實施形態之剝離裝置之構成之示意側視圖。

如圖6所示，剝離裝置5包含處理部100。於處理部100之側面，形成送入送出口(未經圖示)，經由此送入送出口，將附DF重合基板T送入處理部100，或自處理部100送出剝離後之被處理基板W及支持基板S。於送入送出口設有例如開合閘門，藉由此開合閘門分隔處理部100之內部與其他區域，防止粒子進入。又，送入送出口分別設於鄰接第1搬運區域12之側面與鄰接傳遞站21之側面。

剝離裝置5包含第1固持部110、上側基座部120、局部移動部130與移動機構140。且剝離裝置5包含第2固持部150、框體固持部160、下側基座部170與旋轉機構180。此等者配置於處理部100內部。

第1固持部110由上側基座部120自上方支持。上側基座部120由移動機構140支持，移動機構140使上側基座部120沿鉛直方向移動，藉此第1固持部110沿鉛直方向昇降。

第2固持部150配置於第1固持部110下方，框體固持部160配置於第2固持部150外方。此等第2固持部150及框體固持部160由下側基座部170自下方支持。下側基座部170由旋轉機構180支持，旋轉機構180使下側基座部170繞著鉛直軸旋轉，藉此第2固持部150及框體固持部160繞著鉛直軸旋轉。

該剝離裝置5中，第1固持部110將附DF重合基板T自上方固持，且第2固持部150將附DF重合基板T自下方固持，局部移動部130使第1固持部110外周部的一部分朝向遠離第2固持部150之方向移動。藉此，剝離裝置5可將支持基板S自其外周部朝中心部從被處理基板W連續地剝離。以下，具體說明關於各構成要素。

第1固持部110係將構成附DF重合基板T之支持基板S吸附固持之固持部。以具有柔軟性之構件形成該第1固持部110，俾由後述之局部移動部130拽拉之際，其形狀可柔軟變化。在此，參照圖7A及圖7B說明關於第1固持部110之具體構成。圖7A係顯示第1固持部110之構成之示意立體圖，圖7B係顯示吸附墊之構成之示意俯視圖。

如圖7A所示，第1固持部110包含薄板狀之本體部111，與貼附於本體部111表面之吸附墊112。本體部111以例如板片彈簧等彈性構件形成之，吸附墊112以樹脂構件形成之。

本體部111包含與附DF重合基板T大致同徑之圓盤部111a，於該圓盤部111a下表面貼附吸附墊112。

於圓盤部111a外周部，設有拉伸部111b，於該拉伸部111b前端，形成用來安裝後述之局部移動部130之缸筒132之安裝部111b1。

且於圓盤部111a外周部，設有複數之固定部111c。固定部111c經設在對應設於後述之上側基座部120之支持構件121之位置，由該支持構件121固定。第1固持部110因固定部111c固定於上側基座部120之支持構件121，由上側基座部120支持。

又，在此，雖已揭示於圓盤部111a設置5個固定部111c之情形之例，但設於圓盤部111a之固定部111c之個數不限定為5個。

吸附墊112係形成附DF重合基板T之吸附區域之圓盤狀樹脂構件。吸附墊112之吸附區域如圖7B所示，由自中心沿徑方向延伸的複數之直線L1、L2與複數之圓弧a1~a3分割為複數之個別區域R1~R4。

於各個別區域R1~R4，分別形成吸氣口113a~113d，各吸氣口113a~113d經由圖6所示之吸氣管113連接真空泵等吸氣裝置114。第1固持部110因吸氣裝置114吸氣，自各吸氣口113a~113d抽吸構成附DF重合基板T之支持基板S，藉此於每一個別區域R1~R4吸附固持支持基板S。

如此，分割吸附墊112之吸附區域為複數之個別區域R1~R4，於每一個別區域R1~R4吸附固持支持基板S，藉此即使在例如一部分個別區域發生空氣漏洩等情形時，亦可以其他個別區域適當固持支持基板S。

且形成各個別區域R1~R4，俾設於剝離之進展方向d前端側之個別區域大於設於進展方向d基端側之個別區域。例如，個別區域R1~R3沿剝離之進展方向d依個別區域R1、個別區域R2、個別區域R3之順序配置，形成個別區域R1~R3，俾個別區域R2大於個別區域R1，個別區域R3大於個別區域R2。

吸附區域愈小，於該吸附區域吸附力愈大，故藉遺如上述之構成，配置於剝離之進展方向d基端側之個別區域R1之吸附力可較其他個別區域R2~R4大。且剝離之進展方向d基端側區域係剝離被處理基板W與支持 基板S之際需最大力之區域。因此，藉由提高該區域之吸附力，可確實剝離被處理基板W與支持基板S。

且將各個別區域R1~R4之吸氣口113a~113d沿剝離之進展方向d排成一列形成，藉此於剝離動作中可更確實固持支持基板S。

又，在此，線L1、L2雖係直線，但線L1、L2未必需係直線。且在此雖揭示各吸氣口113a~113d連接1個吸氣裝置114之情形之例，但亦可於每一吸氣口113a~113d設置吸氣裝置。

回到圖6，繼續說明關於剝離裝置5之構成。於第1固持部110上方，上側基座部120隔著空隙與第1固持部110對向配置。於上側基座部120下表面，朝第1固持部110突起設置複數之支持構件121。藉由固定該支持構件121與第1固持部110之固定部111c，第1固持部110呈由上側基座部120支持之狀態。

局部移動部130使第1固持部110外周部的一部分朝向遠離第2固持部150之方向移動。具體而言，局部移動部130包含：本體部131，固定於上側基座部120；及缸筒132，基端部固定於本體部131，因本體部131沿鉛直方向昇降。

缸筒132前端部固定於設於第1固持部110之本體部111之拉伸部111b之安裝部111b1(參照圖7A)。

該局部移動部130使用本體部131令缸筒132朝鉛直上方移動，藉此使固定於缸筒132之拉伸部111b朝鉛直上方移動。藉此，由第1固持部110固持之支持基板S外周部的一部分朝鉛直上方移動，自由第2固持部150固持之被處理基板W剝離。

且於局部移動部130設有負載檢測元件133，局部移動部130可藉由負載檢測元件133偵測對缸筒132施加之負載。局部移動部130根據負載檢 測元件133檢測之偵測結果，可控制對支持基板S施加之鉛直朝上之力，並同時拽拉第1固持部110。

又，依第1實施形態之剝離裝置5中，將形成於第1固持部110之本體部111的複數之固定部111c全部固定於支持構件121，或是，僅固定其中一部分，藉此可調整局部移動部130造成的第1固持部110之移動量。關於該點，參照圖8A及圖8B說明之。圖8A及圖8B係第1固持部110之本體部111之示意俯視圖。

例如圖8A所示，將設於第1固持部110之本體部111之5個固定部111c全部固定於支持構件121時，第1固持部110可因局部移動部130移動之區域R被限制為自剝離之進展方向d基端至最接近此基端之2個固定部111c之區域。相對於此，如圖8B所示，藉由自設於剝離之進展方向d基端側之2個固定部111c卸除支持構件121，第1固持部110可因局部移動部130移動之區域R可大於圖8A所示時。

如此，固定部111c不僅具有將第1固持部110固定於上側基座部120之功能，亦具有因沿本體部111外周部周向設置複數個，固定於支持構件121而限制局部移動部130造成的第1固持部110移動之功能。

回到圖6，繼續說明關於剝離裝置5之構成。於上側基座部120上方配置移動機構140。移動機構140包含：本體部141，固定於處理部100之頂棚部；及驅動機構142，基端部固定於本體部141，沿鉛直方向昇降。

作為驅動機構142，可使用例如馬達或缸筒等。驅動機構142之前端部固定於上側基座部120。

該移動機構140使用本體部141令驅動機構142朝鉛直上方移動，藉此使固定於驅動機構142之上側基座部120沿鉛直方向移動。藉此，由上側基座部120支持之第1固持部110及局部移動部130昇降。

於第1固持部110下方，對向配置有第2固持部150。第2固持部150隔著切割膠帶P吸附固持構成附DF重合基板T之被處理基板W。

第2固持部150包含圓盤狀本體部151，與支持本體部151之支柱構件152。支柱構件152由下側基座部170支持。

本體部151以例如鋁等金屬構件構成。於該本體部151之上表面設有吸附面151a。吸附面151a與附DF重合基板T大致同徑，抵接附DF重合基板T下表面，亦即，被處理基板W非接合面Wn。此吸附面151a以例如碳化矽等多孔質體或多孔質陶瓷形成之。

於本體部151內部，形成經由吸附面151a與外部連通之抽吸空間151b。抽吸空間151b經由吸氣管153連接真空泵等吸氣裝置154。

第2固持部150利用因吸氣裝置154吸氣而產生之負壓，隔著切割膠帶P使被處理基板W非接合面Wn由吸附面151a吸附，藉此固持被處理基板W。又，作為第2固持部150，雖已揭示使用多孔式吸盤之例，但不限定於此。例如，作為第2固持部150，亦可使用靜電吸盤。

於第2固持部150外方配置框體固持部160。框體固持部160自下方固持切割框F。該框體固持部160包含：複數之吸附部161，吸附固持切割框F；支持構件162，支持吸附部161；及移動機構163，固定於下側基座部170，使支持構件162沿鉛直方向移動。

吸附部161以橡膠等彈性構件形成，分別設於對應例如圖3所示切割框F前後左右4處之位置。於此吸附部161形成吸氣口(未經圖示)，此吸氣口經由支持構件162及吸氣管164連接真空泵等吸氣裝置165。

框體固持部160利用因吸氣裝置165吸氣而產生之負壓吸附切割框F，藉此固持切割框F。且框體固持部160在固持切割框F之狀態下，以移動機構163使支持構件162及吸附部161沿鉛直方向移動，藉此令切割框F沿鉛直方向移動。

下側基座部170被配置於第2固持部150及框體固持部160下方，支持第2固持部150及框體固持部160。下側基座部170由經固定於例如處理部100底面之旋轉機構180支持。以該旋轉機構180使下側基座部170繞著鉛直軸旋轉，藉此使由下側基座部170支持之第2固持部150及框體固持部160繞著鉛直軸旋轉。

其次，參照圖9及圖10A~10E說明關於剝離裝置5之動作。圖9係顯示剝離處理處理順序之流程圖。且圖10A~10E係剝離裝置5造成之剝離動作之說明圖。又，剝離裝置5根據控制裝置60之控制，實行圖9所示之各處理順序。

首先，剝離裝置5使用框體固持部160，將因第1搬運裝置30被送入剝離站15之附DF重合基板T之切割框F自下方吸附固持(步驟S201)。此時，附DF重合基板T呈僅由框體固持部160固持之狀態(參照圖10A)。

接著，剝離裝置5使用移動機構163(參照圖6)使框體固持部160下降(步驟S202)。藉此，附DF重合基板T中之被處理基板W隔著切割膠帶P抵接第2固持部150(參照圖10B)。其後，剝離裝置5使用第2固持部150吸附固持附DF重合基板T(步驟S203)。藉此，附DF重合基板T呈因第2固持部150被處理基板W被固持，因框體固持部160切割框F被固持之狀態。

接著，剝離裝置5使用移動機構140使第1固持部110下降(步驟S204)。藉此，附DF重合基板T中之支持基板S隔著切割膠帶P抵接第1 固持部110(參照圖10C)。其後，剝離裝置5使用第1固持部110吸附固持構成附DF重合基板T之支持基板S(步驟S205)。

接著，剝離裝置5使用局部移動部130拽拉第1固持部110外周部的一部分(步驟S206)。具體而言，局部移動部130藉由缸筒132之動作使設於第1固持部110之本體部111之拉伸部111b鉛直朝上地移動。藉此，鉛直朝上地拽拉附DF重合基板T外周部，支持基板S自其外周部朝中心部從被處理基板W連續地開始剝離(參照圖10D)。

在此，如上述，第1固持部110以具有柔軟性之構件形成，故局部移動部130鉛直朝上地拽拉第1固持部110之拉伸部111b之際，其伴隨著該拽拉柔軟地變形。藉此，剝離裝置5可不對被處理基板W施加較大的負載，將支持基板S自被處理基板W剝離。

又，剝離裝置5使用移動機構140使第1固持部110上昇(步驟S207)。藉此，將支持基板S自被處理基板W剝離。其後，剝離裝置5結束剝離處理。

又，剝離裝置5亦可在剝離被處理基板W與支持基板S後，使用旋轉機構180令第2固持部150及框體固持部160旋轉。藉此，假設橫跨支持基板S與被處理基板W貼附之黏接劑G存在時，可捻斷該黏接劑G。

剝離裝置5結束剝離處理後，第1搬運裝置30即將剝離後之被處理基板W自剝離裝置5送出，朝第1清洗站16搬運。此時，剝離後之被處理基板W如圖10E所示，呈應清洗之接合面Wj位於上方之狀態，由第2固持部150固持。因此，第1搬運裝置30在將剝離後之被處理基板W自剝離裝置5送出後，可不使該被處理基板W反轉而直接朝第1清洗站16搬運。

如此，依第1實施形態之剝離裝置5中，第1固持部110將附DF重合基板T中之支持基板S自上方固持，第2固持部150隔著切割膠帶P自下方固持附DF重合基板T中之被處理基板W。因此，依剝離裝置5，不需使剝離後之被處理基板W反轉，故可實現剝離處理之高效率化。

且依第1實施形態之剝離裝置5中，以具有柔軟性之構件形成第1固持部110，藉此可不對被處理基板W施加較大的負載，將支持基板S自被處理基板W剝離。因此，可高效率地剝離支持基板S與被處理基板W。

<2-2.第1清洗裝置之構成>

其次，參照圖11A~11C說明關於第1清洗裝置之構成。圖11A及圖11B係顯示第1清洗裝置之構成之示意側視圖。且圖11C係顯示清洗工具之構成之示意俯視圖。

如圖11A所示，第1清洗裝置70包含處理容器71。於處理容器71側面，形成被處理基板W之送入送出口(未經圖示)，於該送入送出口設有開合閘門(未經圖示)。又，於處理容器71內設有用來使內部環境潔淨化之過濾器(未經圖示)。

於處理容器71內之中央部配置基板固持部72。基板固持部72包含固持切割框F及被處理基板W並使其旋轉之旋轉吸盤721。

旋轉吸盤721具有水平上表面，於該上表面設有抽吸例如切割膠帶P之抽吸口(未經圖示)。又，藉由自抽吸口抽吸，隔著切割膠帶P將被處理基板W吸附固持在旋轉吸盤721上。此時，被處理基板W由旋轉吸盤721吸附固持，俾其接合面Wj朝上方。

於旋轉吸盤721下方，配置例如具有馬達等之吸盤驅動部722。旋轉吸盤721因吸盤驅動部722以既定速度旋轉。且吸盤驅動部722具有例如缸筒等昇降驅動源，藉由該昇降驅動源使旋轉吸盤721昇降。

於基板固持部72周圍，配置承接、回收自被處理基板W飛散或落下之液體之杯體723。該杯體723下表面連接排出回收之液體之排出管724，與使杯體723內之氣體排氣之排氣管725。

於基板固持部72上方，配置用來清洗被處理基板W之接合面Wj之清洗工具73。配置清洗工具73，俾與由基板固持部72固持之被處理基板W對向。在此，參照圖11B及圖11C說明關於清洗工具73之構成。

如圖11B及圖11C所示，清洗工具73呈略圓板形狀。於清洗工具73下表面形成供給面731，俾至少包覆被處理基板W之接合面Wj。又，本實施形態中，形成供給面731，俾大小與被處理基板W之接合面Wj大致相同。

於清洗工具73之中央部設有：溶劑供給部74，於供給面731及接合面Wj間供給黏接劑G之溶劑，例如稀釋劑；潤洗液供給部75，供給溶劑之潤洗液；及惰性氣體供給部76，供給惰性氣體，例如氮氣。

溶劑供給部74、潤洗液供給部75、惰性氣體供給部76於清洗工具73內部匯流，連通形成於清洗工具73之供給面731之供給口732。亦即，自溶劑供給部74至供給口732之溶劑流路、自潤洗液供給部75至供給口732之潤洗液流路、自惰性氣體供給部76至供給口732之惰性氣體流路分別沿清洗工具73之厚度方向貫通。又，潤洗液中可對應黏接劑G之主溶媒成分使用各種液，例如使用純水或IPA(異丙醇)。且為促進潤洗液乾燥，於潤洗液宜使用揮發性高之液。

溶劑供給部74與連通於內部儲存溶劑之溶劑供給源741之供給管742連接。於供給管742設有包含控制溶劑流動之閥或流量調節部等之供給設備群組743。潤洗液供給部75與連通於內部儲存潤洗液之潤洗液供給源751 之供給管752連接。於供給管752設有包含控制潤洗液流動之閥或流量調節部等之供給設備群組753。惰性氣體供給部76與連通於內部儲存惰性氣體之惰性氣體供給源761之供給管762連接。於供給管762設有包含控制溶劑流動之閥或流量調節部等之供給設備群組763。

於清洗工具73外周部，設有用來抽吸供給面731與接合面Wj之間間隙之溶劑或潤洗液之抽吸部77。沿清洗工具73之厚度方向貫通設置抽吸部77。且抽吸部77在與清洗工具73同一圓周上等間隔地被配置於複數，例如8處(參照圖11C)。各抽吸部77與連通例如真空泵等負壓產生裝置771之吸氣管772連接。

如圖11A所示，於處理容器71頂棚面，清洗工具73上方，設有使清洗工具73沿鉛直方向及水平方向移動之移動機構78。移動機構78包含：支持構件781，支持清洗工具73；及工具驅動部782，支持支持構件781，以使清洗工具73沿鉛直方向及水平方向移動。

第1搬運裝置30將因剝離裝置5之框體固持部160(參照圖6)自下方被固持之切割框F自上方固持之，藉此固持剝離後之被處理基板W。又，第1搬運裝置30將固持之被處理基板W載置在第1清洗裝置70之旋轉吸盤721上。藉此，將剝離後之被處理基板W以接合面Wj位於上方之狀態載置在旋轉吸盤721上。

又，第1清洗裝置70根據控制裝置60之控制，進行經載置在基板固持部72上之被處理基板W之清洗處理(第1清洗處理)。

第1清洗裝置70首先使用旋轉吸盤721，隔著切割膠帶P吸附固持被處理基板W及切割框F。接著，第1清洗裝置70在以移動機構78調整清洗工具73之水平方向之位置後，使清洗工具73下降至既定位置。此時，清洗工具73之供給面731與被處理基板W之接合面Wj之間之距離設定為 如後述於供給面731及接合面Wj間，黏接劑G之溶劑可因表面張力擴散之距離。

其後，第1清洗裝置70中，藉由旋轉吸盤721使被處理基板W旋轉，並同時自溶劑供給源741對溶劑供給部74供給溶劑。自供給口732對供給面731及接合面Wj間之空間供給該溶劑，該溶劑於此空間內因溶劑之表面張力與被處理基板W旋轉造成的離心力在被處理基板W之接合面Wj上擴散。此時，第1清洗裝置70中，以抽吸部77適當抽吸溶劑，藉此溶劑不流入切割膠帶P上。藉此，可防止切割膠帶P之強度因溶劑減弱。如此，對被處理基板W之接合面Wj全面供給溶劑。

其後，第1清洗裝置70維持被處理基板W之接合面Wj浸漬於溶劑之狀態既定時間，例如數分鐘。如此，即可以溶劑去除殘存於接合面Wj之黏接劑G等雜質。

其後，第1清洗裝置70在持續以旋轉吸盤721使被處理基板W旋轉，並以抽吸部77抽吸溶劑之狀態下，使清洗工具73上昇至既定位置。接著，第1清洗裝置70自潤洗液供給源751對潤洗液供給部75供給潤洗液。潤洗液與溶劑混合，並同時因表面張力與離心力在被處理基板W之接合面Wj上擴散。藉此，於被處理基板W之接合面Wj全面供給溶劑與潤洗液之混合液。

其後，在持續以旋轉吸盤721使被處理基板W旋轉，並以抽吸部77抽吸之狀態下，使清洗工具73下降至既定位置。又，自惰性氣體供給源761經由惰性氣體供給部76及供給口732供給惰性氣體。惰性氣體將溶劑與潤洗液之混合液朝被處理基板W外方沖走。藉此，自抽吸部77抽吸溶劑與潤洗液之混合液，自被處理基板W之接合面Wj去除混合液。

其後，第1清洗裝置70持續以旋轉吸盤721使被處理基板W旋轉，並供給惰性氣體，藉此使被處理基板W乾燥。藉此，被處理基板W之清洗 處理(第1清洗處理)結束。以第1搬運裝置30自第1清洗裝置70送出清洗後之被處理基板W，朝送入送出站11之匣盒Cw搬運之。

<2-3.第3搬運裝置之構成>

其次，參照圖12說明關於設置於傳遞站21之第3搬運裝置50之構成。圖12係顯示第3搬運裝置50之構成之示意側視圖。

如圖12所示，第3搬運裝置50包含固持被處理基板W之白努利吸盤51。白努利吸盤51自設於吸附面之噴射口朝被處理基板W之板面噴射氣體，利用伴隨著氣體流速對應吸附面與被處理基板W之板面之間隔變化之負壓之變化，以非接觸狀態固持被處理基板W。

且第3搬運裝置50包含第1臂52、第2臂53與底部54。第1臂52沿水平方向延伸，以前端部支持白努利吸盤51。第2臂53沿鉛直方向延伸，以前端部支持第1臂52之基端部。於該第2臂53之前端部設有使第1臂52繞著水平軸旋轉之驅動機構，使用該驅動機構使第1臂52繞著水平軸旋轉，藉此可使白努利吸盤51反轉。

第2臂53之基端部由底部54支持。於底部54設有使第2臂53旋轉及昇降之驅動機構。使用該驅動機構使第2臂53旋轉或昇降，藉此可使白努利吸盤51繞著鉛直軸迴旋或昇降。

第3搬運裝置50如上述構成，根據控制裝置60之控制，進行自剝離裝置5接受剝離後之支持基板S，朝第2清洗裝置80傳遞之傳遞處理。

具體而言，第3搬運裝置50使用白努利吸盤51，將由剝離裝置5之第1固持部110自上方固持之支持基板S自下方固持之。藉此，支持基板S以非接合面Sn朝上方之狀態，由白努利吸盤51固持。接著，第3搬運裝置50使第2臂53繞著鉛直軸旋轉，藉此使白努利吸盤51迴旋。藉此，由 白努利吸盤51固持之支持基板S自剝離站15經由傳遞站21朝第2清洗站22移動。

接著，第3搬運裝置50令第1臂52繞著水平軸旋轉，藉此使白努利吸盤51反轉。藉此，支持基板S呈非接合面Sn朝下方之狀態。又，第3搬運裝置50藉由使第2臂53下降令白努利吸盤51下降，將由白努利吸盤51固持之支持基板S載置於第2清洗裝置。藉此，支持基板S以接合面Sj朝上方之狀態載置於第2清洗裝置，藉由第2清洗裝置清洗接合面Sj。

<2-4.第2清洗裝置之構成>

其次，參照圖13A及圖13B說明關於設置於第2清洗站22之第2清洗裝置之構成。圖13A係顯示第2清洗裝置之構成之示意側視圖，圖13B係顯示第2清洗裝置之構成之示意俯視圖。

如圖13A所示，第2清洗裝置80包含處理容器81。於處理容器81側面形成支持基板S之送入送出口(未經圖示)，於該送入送出口設有開合閘門(未經圖示)。

於處理容器81內之中央部，配置固持支持基板S並使其旋轉之旋轉吸盤82。旋轉吸盤82具有水平上表面，於該上表面設有抽吸支持基板S之抽吸口(未經圖示)。藉由自此抽吸口抽吸，在旋轉吸盤82上吸附固持支持基板S。

於旋轉吸盤82下方配置具有例如馬達等之吸盤驅動部83。吸盤驅動部83使旋轉吸盤82以既定速度旋轉。且於吸盤驅動部83設有例如缸筒等昇降驅動源，旋轉吸盤82可任意昇降。

於旋轉吸盤82周圍，配置承接、回收自支持基板S飛散或落下之液體之杯體84。杯體84下表面連接排出回收之液體之排出管841，與使杯體84內之氣體抽真空而排氣之排氣管842。

如圖13B所示，於處理容器81設有軌道85，於該軌道85安裝有臂86之基端部。且臂86之前端部支持對支持基板S供給清洗液，例如有機溶劑之清洗液噴嘴87。

臂86可藉由噴嘴驅動部861在軌道85上任意移動。藉此，清洗液噴嘴87可自設置於杯體84側方之待命部88移動至杯體84內支持基板S之中心部上方，且可在支持基板S上沿支持基板S之徑方向移動。且臂86可藉由噴嘴驅動部861任意昇降，藉此，可調節清洗液噴嘴87之高度。

清洗液噴嘴87如圖13A所示，連接對清洗液噴嘴87供給清洗液之供給管891。供給管891與於內部儲存清洗液之清洗液供給源892連通。於供給管891設有包含控制清洗液流動之閥或流量調節部等之供給設備群組893。

第2清洗裝置80如上述構成，根據控制裝置60之控制，進行由第3搬運裝置50搬運之支持基板S之清洗處理(第2清洗處理)。

具體而言，藉由第3搬運裝置50以接合面Sj朝上方之狀態將剝離後之支持基板S載置於第2清洗裝置80之旋轉吸盤82。第2清洗裝置80使用旋轉吸盤82吸附固持支持基板S後，使旋轉吸盤82下降至既定位置。接著，藉由臂86使待命部88之清洗液噴嘴87移動至支持基板S之中心部上方。其後，藉由旋轉吸盤82使支持基板S旋轉，並同時自清洗液噴嘴87對支持基板S之接合面Sj供給清洗液。經供給之清洗液因離心力於支持基板S之接合面Sj全面擴散，清洗接合面Sj。

藉由第2搬運裝置40自第2清洗裝置80送出清洗後之支持基板S，由送出站24之匣盒Cs收納之。

又，於旋轉吸盤82下方亦可設有用來自下方支持支持基板S並使其昇降之昇降銷(未經圖示)。此時，昇降銷可插通形成於旋轉吸盤82之貫通孔(未經圖示)，自旋轉吸盤82之上表面突出。又，可不使旋轉吸盤82昇降，代之以使昇降銷昇降，在與旋轉吸盤82之間傳遞支持基板S。

且第2清洗裝置80中，於旋轉吸盤82下方亦可設置朝支持基板S背面，亦即非接合面Sn(參照圖2)噴射清洗液之後背潤洗噴嘴(未經圖示)。藉由自此後背潤洗噴嘴噴射之清洗液，可清洗支持基板S之非接合面Sn與支持基板S外周部。

如上述，依第1實施形態之剝離系統1包含：第1處理區塊10，對附DF重合基板T或剝離後之被處理基板W進行處理；及第2處理區塊20，對剝離後之支持基板S進行處理。

第1處理區塊10包含送入送出站11、第1搬運裝置30、剝離站15與第1清洗站16。於送入送出站11載置有由切割框F固持之附DF重合基板T或剝離後之被處理基板W。第1搬運裝置30搬運剝離後之被處理基板W或經載置於送入送出站11之附DF重合基板T。於剝離站15設置有將由第1搬運裝置30搬運之附DF重合基板T剝離為被處理基板W與支持基板S之剝離裝置5。於第1清洗站16設置有將由第1搬運裝置30搬運之剝離後之被處理基板W以由切割框F固持之狀態清洗之第1清洗裝置70。

且第2處理區塊20包含第2清洗站22、傳遞站21、第2搬運裝置40與送出站24。於第2清洗站22設置有清洗剝離後之支持基板S之第2清洗裝置80。傳遞站21配置於第2清洗站22與剝離站15之間，自剝離站15接受剝離後之支持基板S，朝第2清洗站22傳遞。第2搬運裝置40搬運由第2清洗裝置80清洗之支持基板S。於送出站24載置有由第2搬運裝置40搬運之支持基板S。

又，剝離系統1中，以傳遞站21連接第1處理區塊10及第2處理區塊20。因此，按照依第1實施形態之剝離系統1，可提升包含剝離處理及清洗處理之一連串基板處理之處理能力。

且依第1實施形態之剝離裝置5包含第1固持部110、第2固持部150與移動機構140。第1固持部110自上方固持附DF重合基板T中之支持基板S。第2固持部150隔著切割膠帶P自下方固持附DF重合基板T中之被處理基板W。移動機構140使第1固持部110朝向遠離第2固持部150之方向移動。因此，依剝離裝置5，無需使剝離後之被處理基板W反轉，故可實現剝離處理之高效率化。

且依第1實施形態之剝離裝置5包含第1固持部110、第2固持部150與局部移動部130。第1固持部110固持支持基板S與被處理基板W經接合之附DF重合基板T中之支持基板S。第2固持部150固持附DF重合基板T中之被處理基板W。局部移動部130使第1固持部110外周部的一部分朝向遠離第2固持部150之方向移動。又，第1固持部110以具有柔軟性之構件形成之。因此，依剝離裝置5，可高效率地剝離支持基板S與被處理基板W。

(第2實施形態)

上述剝離裝置中，為更促進附DF重合基板T之剝離，亦可使用例如刀具等銳利構件切入附DF重合基板T之側面。於以下，說明關於使用銳利構件切入附DF重合基板T之側面情形之例。

圖14係顯示依第2實施形態之剝離裝置之構成之示意側視圖。又，以下說明中，就與已說明之部分相同之部分，賦予與已說明之部分相同之符號，省略重複之說明。

如圖14所示，依第2實施形態之剝離裝置5A除依第1實施形態之剝離裝置5之構成外，更包含量測部210、切入部220與位置調整部230。量 測部210及位置調整部230設於例如上側基座部120，切入部220於附DF重合基板T側方由位置調整部230支持。

量測部210係例如雷射位移計，量測自既定測定基準位置至第2固持部150之固持面之距離，或至介在於測定基準位置與第2固持部150之固持面之間之物體之距離。將量測部210量測之量測結果朝控制裝置60(參照圖1)發送之。

切入部220切入被處理基板W與支持基板S之接合部分，亦即，黏接劑G之部分。在此，參照圖15說明關於切入部220之構成。圖15係顯示切入部220之構成之示意立體圖。

如圖15所示，切入部220包含本體部221、銳利構件222與氣體噴出部223。

本體部221配合重合基板T等基板之側面呈弓形形成。於該本體部221之右側部221R隔著固定部224安裝銳利構件222，於中央部221C安裝氣體噴出部223。

銳利構件222係例如刀具，由位置調整部230支持俾前端朝附DF重合基板T突出。使該銳利構件222進入作為被處理基板W與支持基板S之接合部分之黏接劑G內，切入黏接劑G，藉此可產生附DF重合基板T剝離之起點。

第2實施形態中，銳利構件222係單鋒刀具，形成刀鋒角之傾斜面設於上表面側，亦即，支持基板S側。如此，銳利構件222之傾斜面朝支持基板S側，換言之，銳利構件222之平坦面朝被處理基板W側，藉此銳利構件222進入黏接劑G時，可抑制對作為產品基板之被處理基板W造成的損害。

又，作為刀具，例如可使用剃刀或旋轉刀或是超音波切割機等。且藉由使用陶瓷樹脂類刀具或是塗佈氟之刀具，可抑制切入附DF重合基板T時粒子之產生。固定部224可任意裝卸於右側部221R，切入部220可藉由更換固定部224，輕易交換銳利構件222。

又，在此，雖已揭示僅於本體部221之右側部221R安裝銳利構件222之情形之例，但切入部220亦可也在本體部221之左側部221L設有銳利構件222。切入部220亦可於右側部221R與左側部221L，設置不同種類之銳利構件222。

氣體噴出部223朝以銳利構件222切入之接合部分之切入處噴出空氣或惰性氣體等氣體。亦即，氣體噴出部223自以銳利構件222切入處朝附DF重合基板T之內部注入氣體，藉此更促進附DF重合基板T之剝離。

回到圖14，說明關於位置調整部230。位置調整部230包含驅動裝置231與負載檢測元件232。驅動裝置231使切入部220沿鉛直方向或水平方向移動。位置調整部230使用該驅動裝置231使切入部220沿鉛直方向移動，藉此調整切入部220對黏接劑G之切入位置。且位置調整部230使用驅動裝置231使切入部220沿水平方向移動，藉此使銳利構件222前端進入黏接劑G。且負載檢測元件232檢測對切入部220施加之負載。

雖使用上述驅動裝置231及負載檢測元件232控制銳利構件222進入黏接劑G，但關於該點於後詳述。

且依第2實施形態之控制裝置60(參照圖1)於未圖示之記憶部，將以外部裝置預先取得之關於附DF重合基板T之厚度之資訊(以下記載為「事前厚度資訊」)加以記憶。於該事前厚度資訊包含附DF重合基板T之厚度、被處理基板W之厚度、支持基板S之厚度、黏接劑G之厚度及切割膠帶P之厚度。

控制裝置60根據自量測部210取得之量測結果，與由記憶部記憶之事前厚度資訊，決定切入部220之切入位置，俾收納在黏接劑G之厚度範圍內。又，控制裝置60控制位置調整部230，使切入部220移動，俾銳利構件222前端位於決定之切入位置。關於該位置調整處理之具體內容於後詳述。

框體固持部160如圖14所示，在低於第2固持部150之位置固持切割框F。藉此，可確保切入部220用來朝由第2固持部150固持之附DF重合基板T移動之空間。

其次，參照圖16及圖17A、17B說明關於依第2實施形態之剝離裝置5A實行之切入部220之位置調整處理。圖16係顯示切入部220之位置調整處理之處理順序之流程圖。且圖17A及圖17B係剝離裝置5A之動作說明圖。又，剝離裝置5A根據控制裝置60之控制，實行圖16所示之各處理順序。

如圖16所示，剝離裝置5A首先進行切入部診斷處理(步驟S301)。該切入部診斷處理中，使用量測部210，銳利構件222診斷有無損傷(例如刀鋒缺角等)。

具體而言，如圖17A所示，剝離裝置5A使用位置調整部230使切入部220沿水平方向移動，同時使用量測部210量測至銳利構件222之上表面之距離D1，將量測結果朝控制裝置60發送。又，控制裝置60在例如距離D1之變化率超過既定範圍時，或是使用嶄新的銳利構件222預先量測之基準距離與距離D1之誤差超過既定範圍時，判定銳利構件222損傷。

步驟S301之切入部診斷處理中判定銳利構件222損傷時(步驟S302，Yes)，剝離裝置5A中止其後之處理(步驟S303)。如此，剝離裝置5A根據使切入部220水平移動時，自測定基準位置至切入部220之距離D1之變 化偵測銳利構件222之損傷。藉此，可防範因使用損傷之銳利構件222切入附DF重合基板T，對被處理基板W造成損害於未然。

另一方面，步驟S301之切入部診斷處理中未偵測到銳利構件222損傷時(步驟S302，No)，剝離裝置5A使用量測部210量測至第2固持部150之固持面之距離D2(參照圖17B)(步驟S304)。此時，於剝離裝置5A，呈未送入附DF重合基板T之狀態。

又，圖17B所示之附DF重合基板T之厚度D4、被處理基板W之厚度D4w、黏接劑G之厚度D4g、支持基板S之厚度D4s及切割膠帶P之厚度D4p係作為事前厚度資訊由控制裝置60之記憶部記憶之資訊。

接著，剝離裝置5A使用框體固持部160將因第1搬運裝置30被送入剝離站15之附DF重合基板T之切割框F自下方吸附固持(步驟S305)。且剝離裝置5A使用移動機構163(參照圖6)使框體固持部160下降(步驟S306)。藉此，附DF重合基板T中之被處理基板W隔著切割膠帶P抵接第2固持部150。其後，剝離裝置5A使用第2固持部150隔著切割膠帶P吸附固持附DF重合基板T(步驟S307)。藉此，附DF重合基板T呈由第2固持部150固持被處理基板W，由框體固持部160固持切割框F之狀態。

其後，剝離裝置5A將由第2固持部150吸附固持之附DF重合基板T之上表面，亦即，支持基板S之非接合面Sn止之距離D3(參照圖17B)加以量測(步驟S308)。將該量測結果朝控制裝置60發送。控制裝置60判定依量測部210之量測結果計算之附DF重合基板T之厚度(D2-D3)，與事前厚度資訊所含之附DF重合基板T之厚度(D4)之差是否在既定範圍內。

在此，依量測部210之量測結果計算之附DF重合基板T之厚度(D2-D3)，與事前厚度資訊(D4)之誤差超過既定範圍時，有可能將例如 與本來應送入之附DF重合基板T不同之附DF重合基板T誤送入。如此之時，有根據事前厚度資訊計算之黏接劑G之厚度範圍偏離實際厚度範圍，銳利構件222前端接觸被處理基板W或支持基板S，被處理基板W或支持基板S損傷之虞。因此，使用量測部210之量測結果計算之附DF重合基板T之厚度，與事前厚度資訊所含之附DF重合基板T之厚度之誤差超過既定範圍內時(步驟S309，No)，剝離裝置5A中止其後之處理(步驟S303)。

另一方面，與事前厚度資訊之誤差在既定範圍內時(步驟S309，Yes)，控制裝置60根據事前厚度資訊計算作為被處理基板W與支持基板S之接合部分之黏接劑G之厚度範圍。

例如圖17B所示，若自量測部210之測定基準位置至第1固持部110之固持面，亦即，吸附墊112之下表面之距離為D5，以第1固持部110吸附固持附DF重合基板T時黏接劑G之厚度範圍即為D5+D4w~D5+D4w+D4g。又，控制裝置60於該厚度範圍內決定切入部220之切入位置。例如，控制裝置60作為切入位置決定係上述厚度範圍中央之D5+D4w+D4g/2。又，將自測定基準位置至本體部111下表面之距離D5由未圖示之記憶部預先記憶。

以控制裝置60決定切入部220之切入位置後，剝離裝置5A即根據控制裝置60之控制，使用位置調整部230令切入部220移動，藉此於黏接劑G之厚度範圍內調整切入部220之切入位置(步驟S310)。亦即，剝離裝置5A使用位置調整部230令切入部220沿鉛直方向移動，俾銳利構件222前端位於由控制裝置60決定之切入位置。

其後，剝離裝置5A進行圖9之步驟S204以後之處理。又，剝離裝置5A於步驟S206使用局部移動部130拽拉第1固持部110外周部的一部分時，使用位置調整部230令切入部220水平移動，藉此使銳利構件222進入黏接劑G。藉此，切入作為被處理基板W與支持基板S之接合部分之黏接劑G，促進以局部移動部130剝離附DF重合基板T。

又，銳利構件222進入黏接劑G之距離例如約2mm。且銳利構件222進入黏接劑G之時機可在步驟S205與步驟S206之間，亦可在步驟S206與步驟S207之間，亦可與步驟S206同時。

且如上述，使用上述驅動裝置231及負載檢測元件232控制銳利構件222進入黏接劑G。具體而言，銳利構件222藉由驅動裝置231以既定速度進入黏接劑G。且以負載檢測元件232檢測切入開始位置(銳利構件222前端接觸黏接劑G之位置)，使用驅動裝置231令銳利構件222自該切入開始位置恰進入預先程式化之量。

如此，依第2實施形態之剝離裝置5A藉由以切入部220切入黏接劑G，可產生附DF重合基板T剝離之起點。

且依第2實施形態之剝離裝置5A根據量測部210之量測結果與事前厚度資訊調整切入部220之位置，故可使銳利構件222前端更確實地進入黏接劑G。

亦即，被處理基板W、支持基板S及黏接劑G非常薄，故難以以肉眼對準切入部220。相對於此，若使用量測部210，即可輕易且正確地偵測黏接劑G之位置，對準切入部220之切入位置。且雖亦可考慮以相機等藉由影像認知確認切入位置，但重合基板T等基板之側面部係曲面故難以合焦，有來自基板之反射，黏接劑G亦透明，故難以藉由影像認知確認黏接劑G之位置。相對於此，若使用量測部210，即不產生如上述之問題點，可輕易確認黏接劑G之位置。

且切入部220在使用自測定基準位置至第2固持部150之固持面之距離D2，與自測定基準位置至由第1固持部110固持之附DF重合基板T之距離D3計算之附DF重合基板T之厚度，與預先取得之附DF重合基板T 之厚度之差在既定範圍內時，切入黏接劑G。藉此，可防範因銳利構件222導致被處理基板W或支持基板S損傷於未然。

又，在此，雖已說明關於銳利構件222係單鋒刀具之情形之例，但銳利構件亦可係雙鋒刀具。且未必需係刀具，亦可係皮下注射針等管狀針體或金屬線等。

又，依第2實施形態之剝離裝置5A亦可使用量測部210，偵測第2固持部150之傾斜。具體而言，剝離裝置5A以旋轉機構180使第2固持部150旋轉，並同時量測自測定基準位置至第2固持部150之固持面之距離D2(參照圖17B)。又，剝離裝置5A於該距離D2之變化量在既定以上時，例如在20μm以上時，判定第2固持部150之固持面傾斜，中止其後之處理。

如此，剝離裝置5A亦可根據令第2固持部150旋轉時，自測定基準位置至第2固持部150之固持面之距離D2之變化偵測第2固持部150之固持面之傾斜。

第2固持部150之固持面傾斜時，有可能於使用事前厚度資訊計算之黏接劑G之厚度範圍與實際的黏接劑G之厚度範圍發生誤差，銳利構件222無法適當進入黏接劑G。在此，因第2固持部150之固持面傾斜時，中止其後之處理，故可防範因銳利構件222導致被處理基板W或支持基板S損傷於未然。又，偵測第2固持部150之傾斜之處理在附DF重合基板T被送入剝離裝置5A前進行即可。

(第3實施形態)

又，已說明關於上述剝離裝置中，第1固持部具有因自中心沿徑方向延伸的複數之線與複數之圓弧經分割吸附區域之吸附墊112(參照圖7B)之情形之例。然而，第1固持部具有之吸附墊之構成不限於此。在此，於以下，參照圖18A~18C說明關於第1固持部具有之吸附墊之其他構成例。圖18A~18C係顯示吸附墊其他構成例之示意俯視圖。

如圖18A所示，吸附墊112A之吸附區域亦可以正交於剝離之進展方向d之線分割。圖18A所示之例中，吸附墊112A之吸附區域因正交於剝離之進展方向d之2個直線L3、L4被分割為個別區域R5~R7。

如此，吸附墊之吸附區域亦可以正交於剝離之進展方向之線分割。又，該構成之吸附墊適合自一方向剝離之情形。

又，與圖7B所示之吸附墊112相同，於吸附墊112A各個別區域R5~R7分別形成吸氣口114a~114c，各吸氣口114a~114c經由吸氣管連接吸氣裝置。藉此，與圖7B所示之吸附墊112相同，可適當固持支持基板S。

且與圖7B所示之吸附墊112相同，形成各個別區域R5~R7，俾設於剝離之進展方向d前端側之個別區域R7大於設於進展方向d基端側之個別區域R5。藉此，與圖7B所示之吸附墊112相同，可防止於剝離動作中支持基板S自第1固持部110剝落。

在此，雖已揭示將吸附墊112A之吸附區域分割為3個個別區域R5~R7之情形之例，但吸附區域之分割數不限定為3個。

且如圖18B所示，吸附墊112B之吸附區域亦可分割為格子狀。圖18B中，顯示吸附墊112B之吸附區域分割為9個個別區域R8~R15之情形之例。與圖7B所示之吸附墊112相同，於各個別區域R8~R15，分別形成吸氣口115a~115i，各吸氣口115a~115i經由吸氣管連接吸氣裝置。

如此，吸附墊之吸附區域亦可被分割為格子狀。又，在此，雖已揭示分割吸附墊112B之吸附區域之直線相對於剝離之進展方向d傾斜之情形之例，但吸附墊亦可藉由相對於剝離之進展方向d平行之直線，與相對於剝離之進展方向d直行之直線分割為格子狀。

且上述各實施形態中，雖已說明關於剝離之進展方向為1方向之情形之例，但亦可藉由設置複數之局部移動部130自複數之方向進行剝離。

此時，如圖18C所示，亦可藉由自中心沿徑方向延伸的複數之線將吸附墊之吸附區域分割為每一剝離之進展方向d1~d3，且更藉由圓弧將依每一進展方向分割之各吸附區域分割為複數之個別區域。例如，圖18C所示之吸附墊112C之吸附區域依每一剝離之進展方向d1~d3分割為3個，更藉由圓弧將對應各進展方向之吸附區域分割為3個分割區域。

具體而言，對應進展方向d1之吸附區域被分割為個別區域R17~R19，對應進展方向d2之吸附區域被分割為個別區域R20~R22，對應進展方向d3之吸附區域被分割為個別區域R23~R25。於各個別區域R17~R25，分別形成吸氣口116a~116c、117a~117c、118a~118c，各吸氣口116a~116c、117a~117c、118a~118c經由吸氣管連接吸氣裝置。又，吸氣口116a~116c、117a~117c、118a~118c可連接單一吸氣裝置，亦可分別連接依每一剝離之進展方向d1~d3設置之吸氣裝置。

又，於重合基板T，依結晶方向、翹曲方向、圖案等有最佳之切入方向。在此，第2實施形態中，亦可對應重合基板T之種類變更銳利構件222之周向之位置。此時，例如以框體固持部160(參照圖14)固持切割框F後，使旋轉機構180旋轉至既定位置，藉此調整銳利構件222沿周向之切入位置，其後，令銳利構件222進入即可。藉此，可設定銳利構件222於周向之任意之位置，故無論是哪一種類之重合基板T，皆可於對應於該重合基板T之最佳位置切入。又，重合基板T剝離後，再使旋轉機構180旋轉，回到原來的旋轉位置。

且於第1旋轉位置無法剝離時，亦可令旋轉機構180旋轉至第2旋轉位置，嘗試剝離。關於是否不能剝離，可例如在以第1固持部110及第2固持部150進行之吸附固持脫開時，或於旋轉機構180之驅動部使用馬達時，以馬達過負載等判定。藉由設置如此之重新嘗試功能，即使在發生因 黏接劑G部分變質或第1固持部110、第2固持部150無法剝離之狀態時，亦可不中斷地完成剝離處理。

上述實施形態中，雖已說明關於使用黏接劑G接合被處理基板W與支持基板S之情形之例，但亦可將接合面Wj、Sj分為複數之區域，於每一區域塗布不同黏接力之黏接劑。

(其他實施形態)

上述各實施形態中，已說明關於作為剝離對象之重合基板係以黏接劑G接合被處理基板W與支持基板S之重合基板T之情形之例。然而，作為剝離裝置之剝離對象之重合基板不限定於此重合基板T。例如，上述各實施形態之剝離裝置中，為產生SOI基板，亦可以形成絕緣膜之施體基板與被處理基板經貼合之重合基板為剝離對象。

在此，參照圖19A及圖19B說明關於SOI基板之製造方法。圖19A及圖19B係顯示SOI基板之製造程序之示意圖。如圖19A所示，藉由接合施體基板K與手柄基板H形成用來形成SOI基板之重合基板Ta。

施體基板K係於表面形成絕緣膜6，且在與手柄基板H接合之一方表面附近既定深度形成氫離子注入層7之基板。且作為手柄基板H，可使用例如矽晶圓、玻璃基板、藍寶石基板等。

依上述各實施形態之剝離裝置中，例如在以第1固持部固持施體基板K，以第2固持部固持手柄基板H之狀態下拽拉重合基板Ta外周部，藉此對形成於施體基板K之氫離子注入層7賦予機械性撞擊。藉此，如圖19B所示，切斷氫離子注入層7內之矽-矽鍵結，自施體基板K剝離矽層8。其結果，於手柄基板H之上表面轉印絕緣膜6與矽層8，形成SOI基板Wa。又，雖宜以第1固持部固持施體基板K，以第2固持部固持手柄基板H，但亦可以第1固持部固持手柄基板H，以第2固持部固持施體基板K。

且上述實施形態中，雖已說明關於使用黏接劑G接合被處理基板W與支持基板S之情形之例，但亦可將接合面Wj、Sj分為複數之區域，依每一區域塗布不同黏接力之黏接劑。

且上述實施形態中，雖已說明關於使用第1固持部固持支持基板S，使用第2固持部固持被處理基板W之情形之例，但亦可與此相反，使用第1固持部固持被處理基板W，使用第2固持部固持支持基板S。

且上述實施形態中，雖已揭示第1固持部自上方固持重合基板T之情形之例，但第1固持部亦可自下方固持重合基板T。

且上述實施形態中，雖已說明關於重合基板T由切割框F固持之情形之例，但重合基板T未必需由切割框F固持。

且上述實施形態中，雖已說明關於在常溫下剝離重合基板T之情形之例，但亦可加熱重合基板T並同時進行剝離。此時，例如於第1固持部110之本體部111設置加熱器等加熱部即可。藉由加熱重合基板T，接合被處理基板W與支持基板S之黏接劑G軟化，故可輕易剝離被處理基板W與支持基板S。

(第4實施形態)

<1.剝離系統>

首先，參照圖20~圖22說明依第1實施形態之剝離系統之構成。圖20係顯示依本實施形態之剝離系統之構成之示意俯視圖。且圖21係由切割框固持之重合基板之示意側視圖，圖22係同重合基板之示意俯視圖。

又，於以下，為使位置關係明確，限定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，Z軸正方向為鉛直朝上方向。

圖20所示之依本實施形態之剝離系統1將以黏接劑G接合被處理基板W與支持基板S之重合基板T(參照圖21)剝離為被處理基板W與支持基板S。

於以下，如圖21所示，將被處理基板W之板面中，隔著黏接劑G與支持基板S接合之一側之板面稱為「接合面Wj」，將與接合面Wj相反之一側之板面稱為「非接合面Wn」。且將支持基板S之板面中，隔著黏接劑G與被處理基板W接合之一側之板面稱為「接合面Sj」，將與接合面Sj相反之一側之板面稱為「非接合面Sn」。

被處理基板W中，於例如矽晶圓或化合物半導體晶圓等半導體基板形成複數之電子電路，形成電子電路之一側之板面係接合面Wj。且被處理基板W中，藉由例如對非接合面Wn進行拋光處理而薄型化。具體而言，被處理基板W之厚度約20~50μm。

另一方面，支持基板S與被處理基板W大致同徑，支持被處理基板W。支持基板S之厚度約650~750μm。作為該支持基板S，除矽晶圓外，可使用玻璃基板等。且此等接合被處理基板W及支持基板S之黏接劑G之厚度約40~150μm。

且如圖21所示，重合基板T由切割框F固定。切割框F係於中央具有直徑大於重合基板T之開口部Fa之略環狀構件，以不鏽鋼等金屬形成之。切割框F之厚度約例如1mm。

重合基板T隔著切割膠帶P被固定於該切割框F。具體而言，於切割框F之開口部Fa配置重合基板T，於被處理基板W非接合面Wn及切割框F背面貼附切割膠帶P，俾自背面封閉開口部Fa。藉此，重合基板T呈由切割框F固定之狀態。

如圖20所示，剝離系統1包含第1處理區塊10及第2處理區塊202個處理區塊。鄰接配置第1處理區塊10與第2處理區塊20。

第1處理區塊10中，進行重合基板T之送入、重合基板T之剝離處理、剝離後之被處理基板W之清洗及送出等。該第1處理區塊10包含送入送出站11、第1搬運區域12、待命站13、邊緣切除站14、剝離站15與第1清洗站16。

鄰接配置送入送出站11、待命站13、邊緣切除站14、剝離站15及第1清洗站16於第1搬運區域12。具體而言，送入送出站11與待命站13於第1搬運區域12之Y軸負方向側排成一列配置，剝離站15與第1清洗站16於第1搬運區域12之Y軸正方向側排成一列配置。且邊緣切除站14配置於第1搬運區域12之X軸正方向側。

於送入送出站11設有複數之匣盒載置台，於各匣盒載置台，載置有收納重合基板T之匣盒Ct或收納剝離後之被處理基板W之匣盒Cw。

於第1搬運區域12配置搬運重合基板T或剝離後之被處理基板W之第1搬運裝置321。第1搬運裝置321包含：搬運臂部，可沿水平方向移動、沿鉛直方向昇降及以鉛直方向為中心迴旋；及基板固持部，安裝於此搬運臂部前端。

第1搬運區域12中，藉由該第1搬運裝置321，進行將重合基板T朝待命站13、邊緣切除站14及剝離站15搬運之處理，或將剝離後之被處理基板W朝第1清洗站16及送入送出站11搬運之處理。

於待命站13配置例如讀取切割框F之ID(Identification)之ID讀取裝置，藉由該ID讀取裝置，可辨識處理中之重合基板T。又，待命站13中，除上述ID讀取處理外，可因應所需進行令等待處理之重合基板T暫時待命 之待命處理。於該待命站13，設有載置由第1搬運裝置321搬運之重合基板T之載置台，於該載置台載置ID讀取裝置與暫時待命部。

於邊緣切除站14配置邊緣切除裝置。邊緣切除裝置進行以溶劑溶解並去除黏接劑G(參照圖21)周緣部之邊緣切除處理。以該邊緣切除處理去除黏接劑G之周緣部，藉此於後述之剝離處理可易於剝離被處理基板W與支持基板S。又，邊緣切除裝置將例如重合基板T浸漬於黏接劑G之溶劑，藉此以溶劑使黏接劑G之周緣部溶解。

於剝離站15配置剝離裝置，藉由該剝離裝置，進行將重合基板T剝離為被處理基板W與支持基板S之剝離處理。關於剝離裝置之具體構成及動作於後詳述。

第1清洗站16中，進行剝離後之被處理基板W之清洗處理。於第1清洗站16，配置有在由切割框F固持之狀態下清洗剝離後之被處理基板W之第1清洗裝置。作為第1清洗裝置，可使用例如日本特開2013-033925號公報所記載之清洗裝置。

且第2處理區塊20中，進行剝離後之支持基板S之清洗及送出等。該第2處理區塊20包含傳遞站21、第2清洗站22、第2搬運區域23與送出站24。

傳遞站21、第2清洗站22及送出站24鄰接配置於第2搬運區域23。具體而言，傳遞站21與第2清洗站22於第2搬運區域23之Y軸正方向側排成一列配置，送出站24於第2搬運區域23之Y軸負方向側排成一列配置。

傳遞站21鄰接配置於第1處理區塊10之剝離站15。該傳遞站21中，進行自剝離站15接受剝離後之支持基板S，朝第2清洗站22傳遞之傳遞處理。

於傳遞站21配置第2搬運裝置211。第2搬運裝置211具有例如白努利吸盤等非接觸固持部，剝離後之支持基板S由該第2搬運裝置211以非接觸方式搬運。

第2清洗站22中，進行清洗剝離後之支持基板S之第2清洗處理。於該第2清洗站22，配置有清洗剝離後之支持基板S之第2清洗裝置。作為第2清洗裝置，可使用例如日本特開2013-033925號公報所記載之清洗裝置。

於第2搬運區域23，配置有搬運剝離後之支持基板S之第3搬運裝置2311。第3搬運裝置2311包含：搬運臂部，可沿水平方向移動、沿鉛直方向昇降及以鉛直方向為中心迴旋；及基板固持部，安裝於此搬運臂部前端。

第2搬運區域23中，藉由該第3搬運裝置2311，進行將剝離後之支持基板S朝送出站24搬運之處理。

於送出站24設有複數之匣盒載置台，於各匣盒載置台載置有收納剝離後之支持基板S之匣盒Cs。

且剝離系統1包含控制裝置60。控制裝置60控制剝離系統1之動作。該控制裝置60係例如電腦，包含未圖示之控制部與記憶部。於記憶部，收納控制剝離處理等各種處理之程式。控制部藉由讀取並實行由記憶部記憶之程式控制剝離系統1之動作。

又，該程式經可由電腦讀取之記錄媒體記錄，亦可自該記錄媒體安裝於控制裝置60之記憶部。作為可由電腦讀取之記錄媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

如上述構成之剝離系統1中，首先，第1處理區塊10之第1搬運裝置321自經載置於送入送出站11之匣盒Ct取出重合基板T，將取出之重合基板T送入待命站13。

接著，待命站13中，ID讀取裝置進行讀取切割框F之ID之ID讀取處理。將由ID讀取裝置讀取之ID朝控制裝置60發送。其後，藉由第1搬運裝置321自待命站13取出重合基板T，將其送入邊緣切除站14。

邊緣切除站14中，邊緣切除裝置對重合基板T進行邊緣切除處理。以該邊緣切除處理去除黏接劑G之周緣部，藉此於後段剝離處理被處理基板W與支持基板S易於剝離。因此，可縮短剝離處理所需之時間。

如此，依本實施形態之剝離系統1中，邊緣切除站14組裝於第1處理區塊10，故可使用第1搬運裝置321將經送入第1處理區塊10之重合基板T直接送入邊緣切除站14。因此，可提升一連串基板處理之處理能力。且可輕易管理自邊緣切除處理至剝離處理之時間，使剝離性能穩定化。

又，因例如裝置間之處理時間差等產生等待處理之重合基板T時，可使用設於待命站13之暫時待命部令重合基板T暫時待命，可縮短於一連串程序間之損耗時間。

接著，藉由第1搬運裝置321將邊緣切除處理後之重合基板T自邊緣切除站14取出，將其送入剝離站15。又，配置於剝離站15之剝離裝置對重合基板T進行剝離處理。藉由該剝離處理，重合基板T分離為被處理基板W與支持基板S。

藉由第1搬運裝置321將剝離後之被處理基板W自剝離站15取出，將其送入第1清洗站16。第1清洗站16中，第1清洗裝置對剝離後之被處理基板W進行第1清洗處理。藉由該第1清洗處理，將殘存於被處理基板W之接合面Wj之黏接劑G加以去除。

藉由第1搬運裝置321將第1清洗處理後之被處理基板W自第1清洗站16取出，由經載置於送入送出站11之匣盒Cw收納之。其後，自送入送出站11取出匣盒Cw，加以回收之。如此，關於被處理基板W之處理結束。

另一方面，第2處理區塊20中，與上述第1處理區塊10中之處理並行進行對剝離後之支持基板S之處理。

第2處理區塊20中，首先，配置於傳遞站21之第2搬運裝置211將剝離後之支持基板S自剝離站15取出，將其送入第2清洗站22。

在此，剝離後之支持基板S因剝離裝置呈上表面側亦即非接合面Sn側經固持之狀態，第2搬運裝置211自下方以非接觸方式固持支持基板S之接合面Sj側。其後，第2搬運裝置211使固持之支持基板S反轉，並將其載置於第2清洗站22之第2清洗裝置。藉此，支持基板S以黏接劑G殘存之接合面Sj朝上方之狀態由第2清洗裝置載置。又，第2清洗裝置進行清洗支持基板S之接合面Sj之第2清洗處理。藉由該第2清洗處理，去除殘存於支持基板S之接合面Sj之黏接劑G。

藉由配置於第2搬運區域23之第3搬運裝置2311將第2清洗處理後之支持基板S自第2清洗站22取出，由載置於送出站24之匣盒Cs收納之。其後，自送出站24取出匣盒Cs，加以回收之。如此，關於支持基板S之處理亦結束。

如此，依本實施形態之剝離系統1包含由切割框F固定之基板(重合基板T及剝離後之被處理基板W)用前端(送入送出站11及第1搬運裝置321)，與未由切割框F固持之基板(剝離後之支持基板S)用前端(送出站24及第3搬運裝置2311)。藉此，可並列進行搬運被處理基板W至送入送出站11之處理，與搬運支持基板S至送出站24之處理，故可高效率地進行一連串基板處理。

且依本實施形態之剝離系統1中，剝離站15與第2清洗站22經由傳遞站21連接。藉此，可不經由第1搬運區域12或第2搬運區域23，將剝離後之支持基板S自剝離站15直接送入第2清洗站22，故可順暢地搬運剝離後之支持基板S。

又，第1處理區塊10亦可包含用來將切割框F安裝於重合基板T之安裝裝置。此時，將未安裝切割框F之重合基板T自匣盒Ct取出，將其送入安裝裝置，於安裝裝置安裝切割框F於重合基板T後，將固定於切割框F之重合基板T依序搬運至邊緣切除站14及剝離站15。又，例如使邊緣切除站14移動至第2處理區塊20，將安裝裝置配置於曾設有邊緣切除站14之處即可。

<2.剝離裝置之構成>

其次，參照圖23A說明關於設置於剝離站15之剝離裝置之構成。圖23A係顯示依本實施形態之剝離裝置之構成之示意側視圖。

如圖23A所示，剝離裝置5包含處理室100。於處理室100側面設有送入送出口(未經圖示)。送入送出口分別設於第1搬運區域12側與傳遞站21側。

剝離裝置5包含第1固持部41、移動部61、第1追加移動部62、第2追加移動部63、第2固持部42、框體固持部580與剝離誘導部90，配置此等者於處理室100內部。

剝離裝置5中，以第1固持部41自上方吸附固持重合基板T之支持基板S側，以第2固持部42自下方吸附固持重合基板T之被處理基板W側。又，剝離裝置5令移動部61、第1追加移動部62及第2追加移動部63依序動作，使支持基板S朝向遠離被處理基板W板面之方向移動。藉此，將 由第1固持部固持之支持基板S自其一端朝另一端從被處理基板W連續地剝離。以下，具體說明關於各構成要素。

第1固持部41包含抵接部412、彈性構件413、第1抽吸部414、第2抽吸部415與第3抽吸部416。

抵接部412係與支持基板S大致同徑，呈圓板形狀之構件，抵接支持基板S之非接合面Sn。於抵接部412與支持基板S之抵接面，形成複數之抽吸口(在此未經圖示)。

彈性構件413係與抵接部412大致同徑，呈圓板形狀之薄板狀之構件，設於抵接部412之和與支持基板S之抵接面相反之一側之面。

第1抽吸部414、第2抽吸部415及第3抽吸部416隔著彈性構件413連接抵接部412各抽吸口。且第1抽吸部414、第2抽吸部415及第3抽吸部416經由吸氣管531、541、551連接真空泵等吸氣裝置532、542、552。

該第1固持部41使用吸氣裝置532、542、552產生之抽吸力，自抵接部412各抽吸口抽吸支持基板S之非接合面Sn(參照圖21)，藉此吸附固持重合基板T之支持基板S側。

移動部61、第1追加移動部62及第2追加移動部63分別連接第1固持部41之第1抽吸部414、第2抽吸部415及第3抽吸部416。移動部61使第1抽吸部414朝鉛直上方移動，第1追加移動部62使第2抽吸部415朝鉛直上方移動，第2追加移動部63使第3抽吸部416朝鉛直上方移動。

又，移動部61、第1追加移動部62及第2追加移動部63由上側基座部103支持，第1固持部41隔著移動部61、第1追加移動部62及第2追加移動部63由上側基座部103支持。且上側基座部103隔著支柱102由安裝於處理室100頂棚部之固定構件101支持。

在此，參照圖24及圖25說明關於上述第1固持部41、移動部61、第1追加移動部62及第2追加移動部63之具體構成。圖24係顯示第1固持部41、移動部61、第1追加移動部62及第2追加移動部63之構成之示意側視圖。且圖25係抵接部412之示意底視圖。

如圖24所示，抵接部412在與支持基板S之抵接面設有複數之抽吸口511、512、513。

配置抽吸口511、512、513，俾沿剝離之進展方向(在此係X軸正方向)排成一列。具體而言，在與抵接部412外周部中作為剝離起點之外周部(形成後述之剝離開始部位M之部分)對應之位置設置抽吸口511。且抽吸口512及抽吸口513配置於較抽吸口511更朝剝離終點側(X軸正方向側)，且沿剝離之進展方向依抽吸口512及抽吸口513之順序排列配置。

此等抽吸口511、512、513分別連接第1抽吸部414、第2抽吸部415與第3抽吸部416。

且如圖25所示，將抵接部412具有之吸附區域510分隔為複數之個別區域514、515、516。個別區域514~516沿剝離之進展方向(X軸正方向)，依個別區域514、個別區域515及個別區域516之順序配置。於個別區域514設有抽吸口511，於個別區域515設有抽吸口512，於個別區域516設有抽吸口513。

如此，依本實施形態之第1固持部41中，抵接部412之吸附區域510分隔為複數之個別區域514~516，對應個別區域514~516設置第1抽吸部414、第2抽吸部415及第3抽吸部416。

藉此，第1固持部41可於每一個別區域514~516吸附固持支持基板S。因此，即使在於例如個別區域514~516中任一者發生吸附漏洩時，亦可以其他個別區域514~516固持支持基板S。

抵接部412具有之吸附區域510藉由沿剝離之進展方向(X軸正方向)凸出之圓弧a1、a2分隔為個別區域514~516。

支持基板S自被處理基板W之剝離以俯視視之沿圓弧狀進展。因此，藉由以沿剝離之進展方向(X軸正方向)凸出之圓弧a1、a2分隔吸附區域510，可更適當地吸附固持剝離途中之支持基板S，可防止於剝離途中支持基板S自第1固持部41脫開。

支持基板S與被處理基板W之剝離交界線於剝離初始階段如上述呈圓弧狀，而隨著剝離進展，逐漸變化為沿與剝離之進展方向正交之方向(Y軸方向)延伸之直線狀。

因此，分隔吸附區域510之圓弧a1、a2宜隨著接近剝離終點側減小曲率(亦即，接近直線)。本例之情形下，剝離終點側圓弧a2之曲率宜小於剝離起點側圓弧a1之曲率。

且於個別區域515及個別區域516，分別形成有用來遍布來自抽吸口512及抽吸口513之抽吸力之溝槽。在此，參照圖26A及圖26B說明關於形成於個別區域515及個別區域516之溝槽之形狀。圖26A係顯示形成於個別區域515之溝槽之形狀之示意底視圖，圖26B係顯示形成於個別區域516之溝槽之形狀之示意底視圖。

如圖26A所示，於較個別區域516更朝剝離起點側配置之個別區域515，形成複數之沿剝離之進展方向凸出之圓弧狀溝槽517。相對於此，如圖26B所示，於較個別區域515更朝剝離終點側配置之個別區域516，形 成複數之沿與剝離之進展方向正交之方向(Y軸方向)延伸之直線狀溝槽518。

如上述，支持基板S與被處理基板W之剝離交界線隨著剝離進展自圓弧狀變化為直線狀。因此，配合對應剝離之進展階段變化之剝離交界線之形狀，形成個別區域515及個別區域516之溝槽，藉此可更適當地吸附固持剝離途中之支持基板S，可防止於剝離處理途中支持基板S自第1固持部41脫開。

又，個別區域514雖因吸附區域相對較狹窄，不形成溝槽，但於個別區域514亦形成溝槽時，與個別區域515相同，形成沿剝離之進展方向凸出之圓弧狀溝槽即可。

且在此，雖於個別區域515形成圓弧狀溝槽，於個別區域516形成直線狀溝槽，但亦可於個別區域515及個別區域516，或是吸附區域510整體，形成沿剝離之進展方向凸出之圓弧狀溝槽。

且抵接部412以具有柔軟性之構件形成之，俾由後述之移動部61、第1追加移動部62及第2追加移動部63拽拉之際，其形狀可柔軟地變化。具體而言，抵接部412以橡膠等樹脂形成之。

亦即，第1固持部41中，具有柔軟性之抵接部412抵接於基板S的約略全面，藉此大致吸附固持支持基板S全面。因此，於後述之剝離處理，可不對被處理基板W施加較大的負載，將支持基板S自被處理基板W剝離。

回到圖24，說明關於彈性構件413。彈性構件413以例如板片彈簧等形成。將該彈性構件413設於具有柔軟性之抵接部412，藉此可限制剝離之進展方向，可更適當地剝離被處理基板W與支持基板S。

如圖24所示，彈性構件413對應抵接部412之個別區域514~516，被分割為複數之(在此為3個)彈性構件片521、522、523。

圖27係彈性構件413之示意俯視圖。如圖27所示，彈性構件413因沿與剝離之進展方向(X軸方向)正交之方向(Y軸方向)延伸之直線，被分割為3個彈性構件片521、522、523。此等彈性構件片521、522、523沿剝離之進展方向，依彈性構件片521、彈性構件片522及彈性構件片523之順序排列配置。

移動部61包含水平構件611、支柱構件612、移動機構613與負載檢測元件614。

水平構件611係沿剝離之進展方向(X軸方向)延伸之板狀構件，X軸正方向側一端部固定於第1抽吸部414上部。

支柱構件612係沿鉛直方向(Z軸方向)延伸之構件，一端部連接水平構件611之另一端部，另一端部隔著上側基座部103連接移動機構613。

移動機構613固定於上側基座部103上部，使連接下部之支柱構件612沿鉛直方向移動。

該移動部61中，以移動機構613使支柱構件612及水平構件611朝鉛直上方移動，藉此將第1固持部41外周部的一部分，具體而言，抵接部412之個別區域514(參照圖25)隔著彈性構件片521及第1抽吸部414拽拉而上。

如圖24所示，作為升高力點之支柱構件612配置於較作為升高支點之第1抽吸部414更朝剝離之進展方向之相反側。因此，於作為升高作用點之重合基板T外緣部(係剝離開始位置，相當於後述之「剝離開始部位M」)，產生於圖24順時針旋轉之旋轉力(力矩)。藉此，移動部61可將支持基板 S自其外緣部捲起而拽拉，故可將支持基板S自被處理基板W高效率地剝離。

且移動部61可藉由負載檢測元件614偵測對支柱構件612施加之負載。因此，移動部61可根據負載檢測元件614檢測之偵測結果，控制對支持基板S施加之力，並同時拽拉抵接部412之個別區域514。

第1追加移動部62及第2追加移動部63亦與移動部61大致構成相同。具體而言，第1追加移動部62包含水平構件621、支柱構件622、移動機構623與負載檢測元件624。該第1追加移動部62中，以移動機構623使支柱構件622及水平構件621朝鉛直上方移動，藉此將抵接部412之個別區域515(參照圖25)隔著彈性構件片522及第2抽吸部415拽拉而上。

且第2追加移動部63包含水平構件631、支柱構件632、移動機構633與負載檢測元件634。該第2追加移動部63中，以移動機構633使支柱構件632及水平構件631朝鉛直上方移動，藉此將抵接部412之個別區域516(參照圖25)隔著彈性構件片523及第3抽吸部416拽拉而上。

此等第1追加移動部62及第2追加移動部63中亦與移動部61相同，作為升高力點之支柱構件622、632配置於較作為升高支點之第2抽吸部415、第3抽吸部416更朝剝離起點側。因此，第1追加移動部62及第2追加移動部63可分別將第2抽吸部415及第3抽吸部416捲起而拽拉，故可將支持基板S自被處理基板W高效率地剝離。

又，自被處理基板W剝離支持基板S時，為將最接近剝離起點側之區域，亦即，對應後述之剝離開始部位M之支持基板S外周部加以剝離需最大的力。因此，水平構件611、621、631中，宜形成配置於起點側之水平構件611為最長。

回到圖23A，說明關於剝離裝置5之其他構成。第2固持部42配置於第1固持部41下方。

第2固持部42隔著切割膠帶P吸附固持重合基板T之被處理基板W側。該第2固持部42包含圓板形本體部421，與支持本體部421之支柱構件422。

本體部421以例如鋁等金屬構件形成。於該本體部421之上表面設有吸附面423。吸附面423係多孔質體，以例如PCTFE(聚三氟氯乙烯)等樹脂構件形成。

於本體部421內部，形成經由吸附面423與外部連通之抽吸空間424。抽吸空間424經由吸氣管711連接真空泵等吸氣裝置712。該第2固持部42利用因吸氣裝置712吸氣而產生之負壓，隔著切割膠帶P吸附被處理基板W非接合面Wn於吸附面423，藉此吸附固持重合基板T。

形成本體部421之吸附面423，俾直徑較被處理基板W稍大。藉此，可防止於被處理基板W周緣部抽吸漏洩，故可更確實地吸附固持重合基板T。

且於與被處理基板W之吸附面若形成溝槽等非吸附部，於該非吸附部被處理基板W中即有產生裂縫之虞。在此，本體部421之吸附面423係無溝槽等非吸附部之平坦面。藉此，可防止於被處理基板W產生裂縫。且以PCTFE等樹脂構件形成吸附面423，故可更抑制對被處理基板W之損害。

於第2固持部42外方，配置有自下方固持切割框F之框體固持部580。框體固持部580包含吸附固持切割框F的複數之吸附墊581、支持吸附墊581之支持構件582與使支持構件582沿鉛直方向移動之移動機構583。

吸附墊581以橡膠等彈性構件形成，分別設於對應例如圖22所示之切割框F4角隅之位置。於此吸附墊581形成抽吸口(未經圖示)，真空泵等吸氣裝置822經由支持構件582及吸氣管821連接上述抽吸口。

框體固持部580利用因吸氣裝置822吸氣而產生之負壓，吸附切割框F，藉此固持切割框F。且框體固持部580中，以移動機構583使支持構件582及吸附墊581沿鉛直方向移動，藉此使由吸附墊581吸附固持之切割框F沿鉛直方向移動。

第2固持部42及框體固持部580由下側基座部104自下方支持。且下側基座部104由固定於處理室100底面之旋轉昇降機構105支持。

旋轉昇降機構105使下側基座部104繞著鉛直軸旋轉，藉此令由下側基座部104支持之第2固持部42及框體固持部580一體旋轉。且旋轉昇降機構105使下側基座部104沿鉛直方向移動，藉此令由下側基座部104支持之第2固持部42及框體固持部580一體昇降。

於第2固持部42外方配置剝離誘導部90。該剝離誘導部90於重合基板T側面形成作為支持基板S自被處理基板W被剝離之起因之部位。

剝離誘導部90包含銳利構件91、移動機構92與昇降機構93。銳利構件91係例如板刀，由移動機構92支持，俾刀鋒朝重合基板T突出。

移動機構92順著沿X軸方向延伸之軌道使銳利構件91移動。昇降機構93固定於例如上側基座部103，使移動機構92沿鉛直方向移動。藉此，調節銳利構件91之高度位置，亦即，抵接重合基板T側面之抵接位置。

該剝離誘導部90使用昇降機構93調節銳利構件91之高度位置後，使用移動機構92令銳利構件91沿水平方向(在此係X軸正方向)移動，藉此使銳利構件91抵接支持基板S中靠黏接劑G之側面。藉此，於重合基板 T形成作為支持基板S自被處理基板W被剝離之起因之部位(以下記載為「剝離開始部位」)。

<3.剝離裝置之動作>

其次，參照圖28及圖29A~圖29G說明關於剝離裝置5之具體動作。圖28係顯示剝離處理之處理順序之流程圖。且圖29A~圖29G係剝離動作之說明圖。又，剝離裝置5根據控制裝置60之控制，實行圖28所示之各處理順序。

將由切割框F固定之重合基板T送入處理室100內後，剝離裝置5首先分別使用第2固持部42及框體固持部580自下方吸附固持重合基板T之被處理基板W側與切割框F(步驟S101)。此時，如圖29A所示，被處理基板W及切割框F以切割膠帶P水平展開之狀態由第2固持部42及框體固持部580固持。

接著，剝離裝置5使用框體固持部580之移動機構583(參照圖23A)使框體固持部580下降，令由框體固持部580固持之切割框F下降(步驟S102)。藉此，確保用來使剝離誘導部90之銳利構件91朝重合基板T進出之空間(參照圖29B)。

接著，剝離裝置5使用剝離誘導部90進行剝離誘導處理(步驟S103)。剝離誘導處理將作為支持基板S自被處理基板W剝離之起因之部位(剝離開始部位)形成於重合基板T(參照圖29C)。

在此，參照圖30A~圖30C具體說明關於剝離誘導處理之內容。圖30A~圖30C係剝離誘導處理之動作說明圖。

又，此剝離誘導處理在以第2固持部42固持重合基板T中之被處理基板W，以框體固持部580固持切割框F後，且在以第1固持部41固持重合 基板T中之支持基板S前進行。亦即，剝離誘導處理在支持基板S可活動之狀態下進行。

剝離裝置5使用昇降機構93(參照圖23A)調整銳利構件91之高度位置後，使用移動機構92令銳利構件91朝重合基板T之側面移動。具體而言，如圖30A所示，朝重合基板T之側面中，支持基板S靠黏接劑G之側面使銳利構件91略水平地移動。

在此，所謂「支持基板S靠黏接劑G之側面」係支持基板S側面中，較支持基板S之厚度一半的位置h更靠接合面Sj之側面。具體而言，支持基板S側面以剖視視之呈略圓弧狀形成，「支持基板S靠黏接劑G之側面」係與銳利構件91之刀鋒之傾斜面91a構成之角度θ在0度以上未滿90度之側面。

銳利構件91係單板刀，以傾斜面91a朝上方之狀態由移動機構92支持。如此，作為銳利構件91使用傾斜面91a朝支持基板S側之單板刀，藉此相較於使用雙板刀時，可抑制銳利構件91進入重合基板T內時被處理基板W承受之負載。

剝離裝置5首先令銳利構件91前進至預先決定之位置(預備前進)。其後，剝離裝置5令銳利構件91更前進，使銳利構件91抵接支持基板S靠黏接劑G之側面。又，於剝離誘導部90，設有例如負載檢測元件(未經圖示)，剝離裝置5使用此負載檢測元件偵測對銳利構件91施加之負載，藉此偵測到銳利構件91抵接支持基板S。

如上述支持基板S側面以剖視視之呈略圓弧狀形成。因此，銳利構件91抵接支持基板S靠黏接劑G之側面，藉此對支持基板S施加朝上方之力。

接著，如圖30B所示，剝離裝置5令銳利構件91更前進。藉此，沿側面之彎曲朝上方托高支持基板S。其結果，自黏接劑G剝離支持基板S的一部分，形成剝離開始部位M。

又，支持基板S未由第1固持部41固持而呈活動狀態，故支持基板S朝上方之移動不受阻礙。圖30B所示之處理中，使銳利構件91前進之距離d1例如約2mm。

剝離裝置5亦可包含確認剝離開始部位M已形成之確認裝置。例如，作為確認裝置可使用設置於支持基板S上方之IR(Infrared)相機。

紅外線於支持基板S，在自被處理基板W剝離之部位與未剝離之部位其反射率變化。在此，首先以IR相機拍攝支持基板S，藉此獲得顯示支持基板S中紅外線反射率之差異等之影像資料。朝控制裝置60發送該影像資料，於控制裝置60中，根據此影像資料，可偵測到支持基板S內自被處理基板W剝離之部位，亦即剝離開始部位M。

偵測到剝離開始部位M時，剝離裝置5轉移至後述之下一處理。另一方面，於控制裝置60未偵測到剝離開始部位M時，剝離裝置5例如使銳利構件91更前進，或令銳利構件91暫時後退，遠離支持基板S，其後，再次實行圖30A、圖30B所示之動作等，形成剝離開始部位M。如此，設置確認支持基板S剝離狀態之確認裝置，對應剝離狀態使剝離裝置5動作，藉此可確實形成剝離開始部位M。

形成剝離開始部位M後，剝離裝置5如圖30C所示，使用旋轉昇降機構105(參照圖23A)令第2固持部42及框體固持部580下降，並同時使銳利構件91更前進。藉此，對被處理基板W及黏接劑G施加朝下方之力，對由銳利構件91支持之支持基板S施加朝上方之力。藉此，剝離開始部位M擴大。

又，圖30C所示之處理中，使銳利構件91前進之距離d2例如約1mm。

如此，剝離裝置5使銳利構件91接觸支持基板S靠黏接劑G之側面，藉此於重合基板T之側面形成作為支持基板S自被處理基板W被剝離之起因之剝離開始部位M。

支持基板S具有黏接劑G之約5~15倍之厚度。因此，相較於銳利構件91抵接黏接劑G而形成剝離開始部位之情形，可輕易控制銳利構件91之鉛直方向之位置。

且銳利構件91抵接支持基板S靠黏接劑G之側面，藉此可對支持基板S施加將支持基板S自被處理基板W剝除之方向之力(亦即，朝上之力)。且推起支持基板S接近最外緣部之部位，故可高效率地對支持基板S施加將支持基板S自被處理基板W剝除之方向之力。

且相較於銳利構件91接觸黏接劑G之情形，可降低銳利構件91接觸被處理基板W之可能性。因此，可防止銳利構件91造成被處理基板W損傷。

又，「支持基板S靠黏接劑G之側面」更宜係自支持基板S之接合面Sj至支持基板S之厚度的1/4之位置之側面，亦即，與銳利構件91構成之角度θ在0度以上45度以下之側面。此因與銳利構件91構成之角度θ愈小，愈可增大推起支持基板S之力。

且支持基板S與黏接劑G之黏接力相對較弱時，如圖30A所示，可僅藉由使銳利構件91抵接支持基板S靠黏接劑G之側面形成剝離開始部位M。此時，可省略圖30B及圖30C所示之動作。

且支持基板S與黏接劑G之黏接力相對較強時，剝離裝置5亦可自例如圖30C所示之狀態起更使用旋轉昇降機構105使重合基板T繞著鉛直軸 旋轉。藉此，剝離開始部位M沿重合基板T之周向擴大，故可易於將支持基板S自被處理基板W剝離。

在此，參照圖31A~圖31C說明關於銳利構件91之刀鋒之形狀。圖31A~圖31C係顯示銳利構件91之刀鋒之形狀例之示意俯視圖。

如圖31A所示，銳利構件91之刀鋒911亦可以俯視視之呈直線狀形成。然而，如圖31A所示，支持基板S(重合基板T)之周緣部呈圓弧狀。因此，銳利構件91之刀鋒若以俯視視之呈直線狀形成，以俯視視之負載易於集中於與支持基板S相交之刀鋒的2點(圖31A之P1、P2)，有產生刀鋒缺角等之虞。

在此，例如圖31B所示，銳利構件91之刀鋒911亦可沿支持基板S外周部之形狀為呈圓弧狀凹陷之形狀。藉此，刀鋒911整體均等接觸支持基板S，故可防止負載集中於刀鋒911之特定處。

且如圖31C所示，銳利構件91之刀鋒911亦可為其中心部朝支持基板S呈圓弧狀突出之形狀。藉此，相較於刀鋒911呈直線狀形成時，刀鋒911之更多的部分可進入重合基板T內，故可以更廣闊之面積承受對支持基板S施加朝上方之力時對銳利構件91施加之負載，可防止負載集中。

又，刀鋒911之形狀為圖31B所示之形狀時，支持基板S自銳利構件91承受均等方向之力。另一方面，刀鋒911之形狀為圖31C所示之形狀時，支持基板S承受以銳利構件91之刀鋒911之中心部為起始點擴散方向之力。

步驟S103之剝離誘導處理結束後，剝離裝置5使用旋轉昇降機構105(參照圖23A)使第2固持部42及框體固持部580上昇，令重合基板T之支持基板S側抵接第1固持部41之抵接部412(參照圖29D)。又，剝離裝置5開始以吸氣裝置532、542、552吸氣之吸氣動作，以第1固持部41吸附固持支持基板S(步驟S104)。

接著，剝離裝置5令移動部61(參照圖23A)動作(步驟S105)，使對應剝離開始部位M之第1固持部41外周部的一部分，亦即，個別區域514(圖6參照)朝向遠離第2固持部42之方向移動。藉此，自被處理基板W剝離支持基板S外周部的一部分(參照圖29E)。

此時，第1追加移動部62及第2追加移動部63未動作，故支持基板S呈由第1追加移動部62及第2追加移動部63自上方抵緊之狀態，因移動部61外周部的一部分被拽拉。因此，可自被處理基板W高效率地剝離支持基板S外周部的一部分。

且彈性構件413經分割為彈性構件片521~523，故即使在由移動部61拽拉彈性構件片521時，亦難以對彈性構件片522或彈性構件片523施加朝上之力。因此，易於維持由第1追加移動部62及第2追加移動部63抵緊支持基板S之狀態，故可自被處理基板W以更高效率剝離支持基板S外周部的一部分。

且第1固持部41之抵接部412以具有柔軟性之樹脂構件形成，故移動部61拽拉第1固持部41之際，其伴隨著該拽拉柔軟地變形。因此，可不對被處理基板W施加較大的負載，將支持基板S自被處理基板W剝離。且抵接部412具有柔軟性，故可對將支持基板S自被處理基板W剝離之力施加「黏性」，故可自被處理基板W高效率地剝離支持基板S。

接著，剝離裝置5令第1追加移動部62(參照圖23A)動作(步驟S106)，使第1固持部41之個別區域515(參照圖25)朝向遠離第2固持部42之方向移動。藉此，在由移動部61自被處理基板W剝離之支持基板S外周部後，接著自被處理基板W剝離支持基板S中由個別區域515吸附固持之部分(參照圖29F)。

此時，第2追加移動部63未動作，故支持基板S呈由第2追加移動部63自上方抵緊之狀態，由第1追加移動部62拽拉。因此，可自被處理基板W高效率地剝離支持基板S中由個別區域515吸附固持之部分。

且如上述，彈性構件413經分割為彈性構件片521~523，故即使在由第1追加移動部62拽拉彈性構件片522時，亦難以對彈性構件片523施加朝上之力。因此，易於維持由第2追加移動部63抵緊支持基板S之狀態，故可自被處理基板W以更高效率剝離支持基板S中由個別區域515吸附固持之部分。

接著，剝離裝置5令第2追加移動部63(參照圖23A)動作(步驟S107)，使第1固持部41之個別區域516(參照圖25)朝向遠離第2固持部42之方向移動。藉此，在由第1追加移動部62自被處理基板W剝離之支持基板S的部分後，接著自被處理基板W剝離支持基板S中由個別區域516吸附固持之部分。

如此，剝離裝置5令移動部61動作後，自接近剝離起點側之第1追加移動部62起依序令第1追加移動部62及第2追加移動部63分階段動作。藉此，可將支持基板S自其一端朝另一端從被處理基板W連續地剝離。

其後，剝離裝置5使用第1追加移動部62及第2追加移動部63使第1固持部41之個別區域515、516上昇，或是使用移動部61及第1追加移動部62令個別區域514、515下降等以使支持基板S水平，並結束剝離處理(參照圖29G)。

如上述，依本實施形態之剝離裝置5包含第1固持部41、第2固持部42與移動部61。第1固持部41固持接合有支持基板S(相當於第1基板之一例)與被處理基板W(相當於第2基板之一例)之重合基板T中之支持基板S。第2固持部42固持重合基板T中之被處理基板W。移動部61使 第1固持部41外周部的一部分朝向遠離第2固持部42之方向移動。且第1固持部41包含：抵接部412，具有柔軟性，抵接於基板S的約略全面；及第1抽吸部414(相當於抽吸部之一例)，設於抵接部412，抽吸支持基板S中與抵接部412之抵接面。

因此，按照依本實施形態之剝離裝置5，可實現剝離處理之高效率化。

<4.其他實施形態>

又，上述實施形態中，雖藉由分割彈性構件413，易於維持以第1追加移動部62或第2追加移動部63抵緊支持基板S之狀態，但亦可更分割抵接部412本身。圖32係顯示依第1變形例之抵接部之構成之示意底視圖。又，以下說明中，就與已說明之部分相同之部分，賦予與已說明之部分相同之符號，省略重複之說明。

如圖32所示，依第1變形例之抵接部412A中，將對應個別區域514之部位與其他部位分割。

在此，如上述，自被處理基板W剝離支持基板S時，為將最接近剝離起點側之區域剝離需最大的力。因此，藉由將對應設於最接近剝離起點側之個別區域514之抵接部412A之部位加以分割，在使用移動部61拽拉個別區域514之際，可更確實地維持由第1追加移動部62及第2追加移動部63抵緊個別區域515、516之狀態，可自被處理基板W更確實地剝離支持基板S外周部的一部分。

又，抵接部412A中，更亦可將對應個別區域515之部位自對應個別區域516之部位分割。亦即，抵接部412A亦可依每一個別區域514~516分割。

且上述實施形態中，雖已說明關於在抵接部412之各個別區域514~516分別逐一設置抽吸口511~513之情形之例，但亦可於1個個別區域514~ 516形成複數之抽吸口。圖33係顯示依第2變形例之抵接部之構成之示意底視圖。

例如圖33所示，依第2變形例之抵接部412B中，除沿剝離之進展方向配置之3個抽吸口511~513外，更可於個別區域515設置2個抽吸口512A、512B。抽吸口512及抽吸口512A、512B於個別區域515呈圓弧狀排列配置。且抽吸口512及抽吸口512A、512B可連接1個吸氣裝置542(參照圖23A)，亦可分別連接個別吸氣裝置。

如此，藉由於1個個別區域515設置複數之抽吸口512、512A、512B，可更強力地固持支持基板S。

又，在此，雖已揭示於個別區域515設置合計3個抽吸口512、512A、512B之情形之例，但亦可於個別區域515設置4個以上抽吸口。同樣地，亦可於個別區域514或個別區域516也設置複數之抽吸口。

且上述實施形態中，已說明關於作為剝離對象之重合基板係以黏接劑G接合被處理基板W與支持基板S之重合基板T之情形之例。然而，作為剝離裝置之剝離對象之重合基板不限定於此重合基板T。例如，剝離裝置5中，為產生SOI基板，亦可以形成絕緣膜之施體基板與被處理基板經貼合之重合基板為剝離對象。

在此，參照圖19A及圖19B說明關於SOI基板之製造方法。圖19A及圖19B係顯示SOI基板之製造程序之示意圖。如圖19A所示，藉由接合施體基板K與手柄基板H形成用來形成SOI基板之重合基板Ta。

施體基板K係於表面形成絕緣膜6，且在與手柄基板H接合之一方表面附近既定深度形成氫離子注入層7之基板。且作為手柄基板H，可使用例如矽晶圓、玻璃基板、藍寶石基板等。

剝離裝置5中，例如，在以第1固持部41固持施體基板K，以第2固持部42固持手柄基板H之狀態下，使用移動部61拽拉重合基板Ta外周部的一部分，藉此對形成於施體基板K之氫離子注入層7賦予機械性撞擊。藉此，如圖19B所示，切斷氫離子注入層7內之矽-矽鍵結，自施體基板K剝離矽層8。其結果，於手柄基板H之上表面轉印絕緣膜6與矽層8，形成SOI基板Wa。又，亦可以第1固持部41固持手柄基板H，以第2固持部42固持施體基板K。

且上述實施形態中，雖已說明關於使用黏接劑G接合被處理基板W與支持基板S之情形之例，但亦可將接合面Wj、Sj分為複數之區域，依每一區域塗布不同黏接力之黏接劑。

且上述實施形態中，雖已說明關於重合基板T由切割框F固持之情形之例，但重合基板T未必需由切割框F固持。

且上述實施形態中，雖已說明關於剝離誘導部90具有之銳利構件91係板刀之情形之例，但銳利構件91亦可使用例如剃刀或旋轉刀或是超音波切割機等。

且上述實施形態中，雖已說明關於第1追加移動部62設於對應抵接部412之個別區域515之部位，第2追加移動部63設於對應抵接部412之個別區域516之部位之情形，但追加移動部亦可僅設於對應個別區域515之部位或對應個別區域516之部位中任一方。且剝離裝置5未必需具有追加移動部。

(第5實施形態)

<1.剝離系統>

首先，參照圖20~圖22說明關於依第1實施形態之剝離系統之構成。圖20係顯示依本實施形態之剝離系統之構成之示意俯視圖。且圖21係由切割框固持之重合基板之示意側視圖，圖22係同重合基板之示意俯視圖。

又，於以下，為使位置關係明確，限定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，Z軸正方向為鉛直朝上方向。

圖20所示之依本實施形態之剝離系統1將以黏接劑G接合被處理基板W與支持基板S之重合基板T(參照圖21)剝離為被處理基板W與支持基板S。

於以下，如圖21所示，將被處理基板W之板面中，隔著黏接劑G與支持基板S接合之一側之板面稱為「接合面Wj」，將與接合面Wj相反之一側之板面稱為「非接合面Wn」。且將支持基板S之板面中，隔著黏接劑G與被處理基板W接合之一側之板面稱為「接合面Sj」，將與接合面Sj相反之一側之板面稱為「非接合面Sn」。

被處理基板W中，於例如矽晶圓或化合物半導體晶圓等半導體基板形成複數之電子電路，形成電子電路之一側之板面係接合面Wj。且被處理基板W中，藉由例如對非接合面Wn進行拋光處理而薄型化。具體而言，被處理基板W之厚度約20~50μm。

另一方面，支持基板S與被處理基板W大致同徑，支持被處理基板W。支持基板S之厚度約650~750μm。作為該支持基板S，除矽晶圓外，可使用玻璃基板等。且此等接合被處理基板W及支持基板S之黏接劑G之厚度約40~150μm。

且，如圖21所示，重合基板T由切割框F固定。切割框F係於中央具有直徑大於重合基板T之開口部Fa之略環狀構件，以不鏽鋼等金屬形成之。切割框F之厚度約例如1mm。

重合基板T隔著切割膠帶P被固定於該切割框F。具體而言，於切割框F之開口部Fa配置重合基板T，於被處理基板W非接合面Wn及切割框 F背面貼附切割膠帶P，俾自背面封閉開口部Fa。藉此，重合基板T呈由切割框F固定之狀態。

如圖20所示，剝離系統1包含第1處理區塊10及第2處理區塊202個處理區塊。鄰接配置第1處理區塊10與第2處理區塊20。

第1處理區塊10中，進行重合基板T之送入、重合基板T之剝離處理、剝離後之被處理基板W之清洗及送出等。該第1處理區塊10包含送入送出站11、第1搬運區域12、待命站13、邊緣切除站14、剝離站15與第1清洗站16。

鄰接配置送入送出站11、待命站13、邊緣切除站14、剝離站15及第1清洗站16於第1搬運區域12。具體而言，送入送出站11與待命站13於第1搬運區域12之Y軸負方向側排成一列配置，剝離站15與第1清洗站16於第1搬運區域12之Y軸正方向側排成一列配置。且邊緣切除站14配置於第1搬運區域12之X軸正方向側。

於送入送出站11設有複數之匣盒載置台，於各匣盒載置台，載置有收納重合基板T之匣盒Ct或收納剝離後之被處理基板W之匣盒Cw。

於第1搬運區域12配置搬運重合基板T或剝離後之被處理基板W之第1搬運裝置321。第1搬運裝置321包含：搬運臂部，可沿水平方向移動、沿鉛直方向昇降及以鉛直方向為中心迴旋；及基板固持部，安裝於此搬運臂部前端。

第1搬運區域12中，藉由該第1搬運裝置321，進行將重合基板T朝待命站13、邊緣切除站14及剝離站15搬運之處理，或將剝離後之被處理基板W朝第1清洗站16及送入送出站11搬運之處理。

於待命站13配置例如讀取切割框F之ID(Identification)之ID讀取裝置，藉由該ID讀取裝置，可辨識處理中之重合基板T。又，待命站13中，除上述ID讀取處理外，可因應所需進行令等待處理之重合基板T暫時待命之待命處理。於該待命站13，設有載置由第1搬運裝置321搬運之重合基板T之載置台，於該載置台載置ID讀取裝置與暫時待命部。

於邊緣切除站14配置邊緣切除裝置。邊緣切除裝置進行以溶劑溶解並去除黏接劑G(參照圖21)周緣部之邊緣切除處理。以該邊緣切除處理去除黏接劑G之周緣部，藉此於後述之剝離處理可易於剝離被處理基板W與支持基板S。又，邊緣切除裝置將例如重合基板T浸漬於黏接劑G之溶劑，藉此以溶劑使黏接劑G之周緣部溶解。

於剝離站15配置剝離裝置，藉由該剝離裝置，進行將重合基板T剝離為被處理基板W與支持基板S之剝離處理。關於剝離裝置之具體構成及動作於後詳述。

第1清洗站16中，進行剝離後之被處理基板W之清洗處理。於第1清洗站16，配置有在由切割框F固持之狀態下清洗剝離後之被處理基板W之第1清洗裝置。作為第1清洗裝置，可使用例如日本特開2013-033925號公報所記載之清洗裝置。

且第2處理區塊20中，進行剝離後之支持基板S之清洗及送出等。該第2處理區塊20包含傳遞站21、第2清洗站22、第2搬運區域23與送出站24。

傳遞站21、第2清洗站22及送出站24鄰接配置於第2搬運區域23。具體而言，傳遞站21與第2清洗站22於第2搬運區域23之Y軸正方向側排成一列配置，送出站24於第2搬運區域23之Y軸負方向側排成一列配置。

傳遞站21鄰接配置於第1處理區塊10之剝離站15。該傳遞站21中，進行自剝離站15接受剝離後之支持基板S，朝第2清洗站22傳遞之傳遞處理。

於傳遞站21配置第2搬運裝置211。第2搬運裝置211具有例如白努利吸盤等非接觸固持部，剝離後之支持基板S由該第2搬運裝置211以非接觸方式搬運。

第2清洗站22中，進行清洗剝離後之支持基板S之第2清洗處理。於該第2清洗站22，配置有清洗剝離後之支持基板S之第2清洗裝置。作為第2清洗裝置，可使用例如日本特開2013-033925號公報所記載之清洗裝置。

於第2搬運區域23，配置有搬運剝離後之支持基板S之第3搬運裝置2311。第3搬運裝置2311包含：搬運臂部，可沿水平方向移動、沿鉛直方向昇降及以鉛直方向為中心迴旋；及基板固持部，安裝於此搬運臂部前端。

第2搬運區域23中，藉由該第3搬運裝置2311，進行將剝離後之支持基板S朝送出站24搬運之處理。

於送出站24設有複數之匣盒載置台，於各匣盒載置台載置有收納剝離後之支持基板S之匣盒Cs。

且剝離系統1包含控制裝置60。控制裝置60控制剝離系統1之動作。該控制裝置60係例如電腦，包含未圖示之控制部與記憶部。於記憶部，收納控制剝離處理等各種處理之程式。控制部藉由讀取並實行由記憶部記憶之程式控制剝離系統1之動作。

又，該程式經可由電腦讀取之記錄媒體記錄，亦可自該記錄媒體安裝於控制裝置60之記憶部。作為可由電腦讀取之記錄媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

如上述構成之剝離系統1中，首先，第1處理區塊10之第1搬運裝置321自經載置於送入送出站11之匣盒Ct取出重合基板T，將取出之重合基板T送入待命站13。

接著，待命站13中，ID讀取裝置進行讀取切割框F之ID之ID讀取處理。將由ID讀取裝置讀取之ID朝控制裝置60發送。其後，藉由第1搬運裝置321自待命站13取出重合基板T，將其送入邊緣切除站14。

邊緣切除站14中，邊緣切除裝置對重合基板T進行邊緣切除處理。以該邊緣切除處理去除黏接劑G之周緣部，藉此於後段剝離處理被處理基板W與支持基板S易於剝離。因此，可縮短剝離處理所需之時間。

如此，依本實施形態之剝離系統1中，邊緣切除站14組裝於第1處理區塊10，故可使用第1搬運裝置321將經送入第1處理區塊10之重合基板T直接送入邊緣切除站14。因此，可提升一連串基板處理之處理能力。且可輕易管理自邊緣切除處理至剝離處理之時間，使剝離性能穩定化。

又，因例如裝置間之處理時間差等產生等待處理之重合基板T時，可使用設於待命站13之暫時待命部令重合基板T暫時待命，可縮短於一連串程序間之損耗時間。

接著，藉由第1搬運裝置321將邊緣切除處理後之重合基板T自邊緣切除站14取出，將其送入剝離站15。又，配置於剝離站15之剝離裝置對重合基板T進行剝離處理。藉由該剝離處理，重合基板T分離為被處理基板W與支持基板S。

藉由第1搬運裝置321將剝離後之被處理基板W自剝離站15取出，將其送入第1清洗站16。第1清洗站16中，第1清洗裝置對剝離後之被處理基板W進行第1清洗處理。藉由該第1清洗處理，將殘存於被處理基板W之接合面Wj之黏接劑G加以去除。

藉由第1搬運裝置321將第1清洗處理後之被處理基板W自第1清洗站16取出，由經載置於送入送出站11之匣盒Cw收納之。其後，自送入送出站11取出匣盒Cw，加以回收之。如此，關於被處理基板W之處理結束。

另一方面，第2處理區塊20中，與上述第1處理區塊10中之處理並行進行對剝離後之支持基板S之處理。

第2處理區塊20中，首先，配置於傳遞站21之第2搬運裝置211將剝離後之支持基板S自剝離站15取出，將其送入第2清洗站22。

在此，剝離後之支持基板S因剝離裝置呈上表面側亦即非接合面Sn側經固持之狀態，第2搬運裝置211自下方以非接觸方式固持支持基板S之接合面Sj側。其後，第2搬運裝置211使固持之支持基板S反轉，並將其載置於第2清洗站22之第2清洗裝置。藉此，支持基板S以黏接劑G殘存之接合面Sj朝上方之狀態由第2清洗裝置載置。又，第2清洗裝置進行清洗支持基板S之接合面Sj之第2清洗處理。藉由該第2清洗處理，去除殘存於支持基板S之接合面Sj之黏接劑G。

藉由配置於第2搬運區域23之第3搬運裝置2311將第2清洗處理後之支持基板S自第2清洗站22取出，由載置於送出站24之匣盒Cs收納之。其後，自送出站24取出匣盒Cs，加以回收之。如此，關於支持基板S之處理亦結束。

如此，依本實施形態之剝離系統1包含由切割框F固定之基板(重合基板T及剝離後之被處理基板W)用前端(送入送出站11及第1搬運裝置 321)，與未由切割框F固持之基板(剝離後之支持基板S)用前端(送出站24及第3搬運裝置2311)。藉此，可並列進行搬運被處理基板W至送入送出站11之處理，與搬運支持基板S至送出站24之處理，故可高效率地進行一連串基板處理。

且依本實施形態之剝離系統1中，剝離站15與第2清洗站22經由傳遞站21連接。藉此，可不經由第1搬運區域12或第2搬運區域23，將剝離後之支持基板S自剝離站15直接送入第2清洗站22，故可順暢地搬運剝離後之支持基板S。

又，第1處理區塊10亦可包含用來將切割框F安裝於重合基板T之安裝裝置。此時，將未安裝切割框F之重合基板T自匣盒Ct取出，將其送入安裝裝置，於安裝裝置安裝切割框F於重合基板T後，將固定於切割框F之重合基板T依序搬運至邊緣切除站14及剝離站15。又，例如使邊緣切除站14移動至第2處理區塊20，將安裝裝置配置於曾設有邊緣切除站14之處即可。

<2.剝離裝置之構成>

其次，參照圖23B說明關於設置於剝離站15之剝離裝置之構成。圖23B係顯示依本實施形態之剝離裝置之構成之示意側視圖。

如圖23B所示，剝離裝置5包含處理室100。於處理室100之側面設有送入送出口(未經圖示)。送入送出口分別設於第1搬運區域12側與傳遞站21側。

剝離裝置5包含第1固持部47、移動部64、第2固持部42、框體固持部580與剝離誘導部90，配置此等者於處理室100內部。

剝離裝置5中，以第1固持部47自上方吸附固持重合基板T之支持基板S側，以第2固持部42自下方吸附固持重合基板T之被處理基板W側。 又，剝離裝置5中，藉由移動部64，使支持基板S朝向遠離被處理基板W板面之方向移動。藉此，將由第1固持部47固持之支持基板S自其一端朝另一端從被處理基板W連續地剝離。以下，具體說明關於各構成要素。

第1固持部47包含彈性構件48與複數之吸附部49。彈性構件48係薄板狀之構件，例如以板狀金屬等金屬形成。該彈性構件48於支持基板S上方與支持基板S對向配置。

複數之吸附部49設於彈性構件48中與支持基板S之對向面。各吸附部49包含：本體部491，固定於彈性構件48；及吸附墊522，設於此本體部491下部。

各吸附部49經由吸氣管523連接真空泵等吸氣裝置524。第1固持部47藉由吸氣裝置524產生之抽吸力，以複數之吸附部49吸附支持基板S之非接合面Sn。藉此，支持基板S由第1固持部47吸附固持。

又，作為吸附部49具有之吸附墊522，宜係變形量少的類型者。此因後述之移動部64拽拉第1固持部47之際吸附墊522若大幅變形，伴隨著該變形支持基板S之被吸附部分會大幅變形，有支持基板S或是被處理基板W受到損害之虞。具體而言，作為吸附墊522，例如宜使用於吸附面具有肋部者，或空間高度在0.5mm以下之平墊等。

在此，參照圖5更具體地說明關於第1固持部47之構成。圖34係第1固持部47之示意俯視圖。

如圖34所示，第1固持部47具有之複數之吸附部49相對於彈性構件48呈圓環狀排列配置，與支持基板S外周部對向，分別吸附支持基板S外周部。在此，雖已揭示相對於彈性構件48設置8個吸附部49之情形之例，但設於彈性構件48之吸附部49之個數不限定於8個。

此等複數之吸附部49中，配置於最接近剝離起點側(在此為X軸負方向側)之吸附部49配置在對應因後述之剝離誘導部90形成於重合基板T之剝離開始部位M之位置。

彈性構件48包含本體部481與延伸部482。本體部481係外徑與支持基板S大致同徑，且中央部中空之圓環狀框體。複數之吸附部49於該本體部481下表面亦即與支持基板S之對向面，沿本體部481之形狀呈圓環狀排列。

延伸部482係使本體部481外周部中，位於最接近剝離起點側之外周部(在此為X軸負方向側外周部)的一部分朝與剝離之進展方向相反之一側(X軸負方向側)延伸之部位，該延伸部482前端連接移動部64之支柱構件65。

回到圖23B，說明關於剝離裝置5之其他構成。移動部64包含支柱構件65、移動機構66與負載檢測元件67。

支柱構件65係沿鉛直方向(Z軸方向)延伸之構件，一端部連接彈性構件48之延伸部482(參照圖34)，另一端部隔著上側基座部103連接移動機構66。

移動機構66固定於上側基座部103上部，使連接下部之支柱構件65沿鉛直方向移動。負載檢測元件67偵測對支柱構件65施加之負載。

該移動部64使用移動機構66令支柱構件65朝鉛直上方移動，藉此將連接支柱構件65之第1固持部47拽拉而上。此時，移動部64可根據負載檢測元件67檢測之偵測結果，控制對支持基板S施加之力，同時拽拉第1固持部47。

在此，如圖34所示，將作為升高力點之支柱構件65配置於較作為升高支點之吸附部49，亦即，配置於最接近剝離起點側(在此為X軸負方向側)之吸附部49更朝剝離之進展方向相反側。

因此，在作為升高作用點之重合基板T外緣部(係剝離開始位置，相當於後述之「剝離開始部位M」)產生於圖23B順時針之旋轉力(力矩)。藉此，移動部64可將支持基板S自其外緣部捲起而拽拉，可將支持基板S自被處理基板W高效率地剝離。

又，第1固持部47由移動部64支持，移動部64由上側基座部103支持。且上側基座部103隔著支柱102由安裝於處理室100頂棚部之固定構件101支持。

第2固持部42被配置於第1固持部47下方，隔著切割膠帶P吸附固持重合基板T之被處理基板W側。該第2固持部42包含圓板形本體部421，與支持本體部421之支柱構件422。

本體部421以例如鋁等金屬構件形成。於該本體部421之上表面設有吸附面423。吸附面423係多孔質體，以例如PCTFE(聚三氟氯乙烯)等樹脂構件形成。

於本體部421內部，形成經由吸附面423與外部連通之抽吸空間424。抽吸空間424經由吸氣管711連接真空泵等吸氣裝置712。該第2固持部42利用因吸氣裝置712吸氣而產生之負壓，隔著切割膠帶P吸附被處理基板W非接合面Wn於吸附面423，藉此吸附固持重合基板T。

形成本體部421之吸附面423，俾直徑較被處理基板W稍大。藉此，可防止於被處理基板W周緣部抽吸漏洩，故可更確實地吸附固持重合基板T。

且於與被處理基板W之吸附面若形成溝槽等非吸附部，於該非吸附部被處理基板W中即有產生裂縫之虞。在此，本體部421之吸附面423係無溝槽等非吸附部之平坦面。藉此，可防止於被處理基板W產生裂縫。且以PCTFE等樹脂構件形成吸附面423，故可更抑制對被處理基板W之損害。

於第2固持部42外方，配置有自下方固持切割框F之框體固持部580。框體固持部580包含吸附固持切割框F的複數之吸附墊581、支持吸附墊581之支持構件582與使支持構件582沿鉛直方向移動之移動機構583。

吸附墊581以橡膠等彈性構件形成，分別設於對應例如圖22所示之切割框F4角隅之位置。於此吸附墊581形成抽吸口(未經圖示)，真空泵等吸氣裝置822經由支持構件582及吸氣管821連接上述抽吸口。

框體固持部580利用因吸氣裝置822吸氣而產生之負壓，吸附切割框F，藉此固持切割框F。且框體固持部580中，以移動機構583使支持構件582及吸附墊581沿鉛直方向移動，藉此使由吸附墊581吸附固持之切割框F沿鉛直方向移動。

第2固持部42及框體固持部580由下側基座部104自下方支持。且下側基座部104由固定於處理室100底面之旋轉昇降機構105支持。

旋轉昇降機構105使下側基座部104繞著鉛直軸旋轉，藉此令由下側基座部104支持之第2固持部42及框體固持部580一體旋轉。且旋轉昇降機構105使下側基座部104沿鉛直方向移動，藉此令由下側基座部104支持之第2固持部42及框體固持部580一體昇降。

於第2固持部42外方配置剝離誘導部90。該剝離誘導部90於重合基板T側面形成作為支持基板S自被處理基板W被剝離之起因之部位。

剝離誘導部90包含銳利構件91、移動機構92與昇降機構93。銳利構件91係例如板刀，由移動機構92支持，俾刀鋒朝重合基板T突出。

移動機構92順著沿X軸方向延伸之軌道使銳利構件91移動。昇降機構93固定於例如上側基座部103，使移動機構92沿鉛直方向移動。藉此，調節銳利構件91之高度位置，亦即，抵接重合基板T側面之抵接位置。

該剝離誘導部90使用昇降機構93調節銳利構件91之高度位置後，使用移動機構92令銳利構件91沿水平方向(在此係X軸正方向)移動，藉此使銳利構件91抵接支持基板S中靠黏接劑G之側面。藉此，於重合基板T形成作為支持基板S自被處理基板W被剝離之起因之部位(以下記載為「剝離開始部位」)。

<3.剝離裝置之動作>

其次，參照圖28及圖35A~圖35G說明關於剝離裝置5之具體動作。圖28係顯示剝離處理之處理順序之流程圖。且圖35A~圖35G係剝離動作之說明圖。又，剝離裝置5根據控制裝置60之控制，實行圖28所示之各處理順序。

將由切割框F固定之重合基板T送入處理室100內後，剝離裝置5首先分別使用第2固持部42及框體固持部580自下方吸附固持重合基板T之被處理基板W側與切割框F(步驟S101)。此時，如圖35A所示，被處理基板W及切割框F以切割膠帶P水平展開之狀態由第2固持部42及框體固持部580固持。

接著，剝離裝置5使用框體固持部580之移動機構583(參照圖23B)使框體固持部580下降，使由框體固持部580固持之切割框F下降(步驟S102)。藉此，確保用來使剝離誘導部90之銳利構件91朝重合基板T進出之空間(參照圖35B)。

接著，剝離裝置5使用剝離誘導部90進行剝離誘導處理(步驟S103)。剝離誘導處理將作為支持基板S自被處理基板W剝離之起因之部位(剝離開始部位M)形成於重合基板T(參照圖35C)。

在此，參照圖30A~圖30C具體說明關於剝離誘導處理之內容。圖30A~圖30C係剝離誘導處理之動作說明圖。

又，此剝離誘導處理在以第2固持部42固持重合基板T中之被處理基板W，以框體固持部580固持切割框F後，且在以第1固持部47固持重合基板T中之支持基板S前進行。亦即，剝離誘導處理在支持基板S可活動之狀態下進行。

剝離裝置5使用昇降機構93(參照圖23B)調整銳利構件91之高度位置後，使用移動機構92使銳利構件91朝重合基板T之側面移動。具體而言，如圖30A所示，朝重合基板T之側面中，支持基板S靠黏接劑G之側面使銳利構件91略水平地移動。

在此，所謂「支持基板S靠黏接劑G之側面」係支持基板S側面中，較支持基板S之厚度一半的位置h更靠接合面Sj之側面。具體而言，支持基板S側面以剖視視之呈略圓弧狀形成，「支持基板S靠黏接劑G之側面」係與銳利構件91之刀鋒之傾斜面91a構成之角度θ在0度以上未滿90度之側面。

銳利構件91係單板刀，以傾斜面91a朝上方之狀態由移動機構92支持。如此，作為銳利構件91使用傾斜面91a朝支持基板S側之單板刀，藉此相較於使用雙板刀時，可抑制銳利構件91進入重合基板T內時被處理基板W承受之負載。

剝離裝置5首先令銳利構件91前進至預先決定之位置(預備前進)。其後，剝離裝置5令銳利構件91更前進，使銳利構件91抵接支持基板S 靠黏接劑G之側面。又，於剝離誘導部90，設有例如負載檢測元件(未經圖示)，剝離裝置5使用此負載檢測元件偵測對銳利構件91施加之負載，藉此偵測到銳利構件91抵接支持基板S。

如上述支持基板S側面以剖視視之呈略圓弧狀形成。因此，銳利構件91抵接支持基板S靠黏接劑G之側面，藉此對支持基板S施加朝上方之力。

接著，如圖30B所示，剝離裝置5令銳利構件91更前進。藉此，沿側面之彎曲朝上方托高支持基板S。其結果，自黏接劑G剝離支持基板S的一部分，形成剝離開始部位M。

又，支持基板S未由第1固持部47固持而呈活動狀態，故支持基板S朝上方之移動不受阻礙。圖30B所示之處理中，使銳利構件91前進之距離d1例如約2mm。

剝離裝置5亦可包含確認剝離開始部位M已形成之確認裝置。例如，作為確認裝置可使用設置於支持基板S上方之IR(Infrared)相機。

紅外線於支持基板S，在自被處理基板W剝離之部位與未剝離之部位其反射率變化。在此，首先以IR相機拍攝支持基板S，藉此獲得顯示支持基板S中紅外線反射率之差異等之影像資料。朝控制裝置60發送該影像資料，於控制裝置60中，根據此影像資料，可偵測到支持基板S內自被處理基板W剝離之部位，亦即剝離開始部位M。

偵測到剝離開始部位M時，剝離裝置5轉移至後述之下一處理。另一方面，於控制裝置60未偵測到剝離開始部位M時，剝離裝置5例如使銳利構件91更前進，或令銳利構件91暫時後退，遠離支持基板S，其後，再次實行圖30A、圖30B所示之動作等，形成剝離開始部位M。如此，設置確認支持基板S剝離狀態之確認裝置，對應剝離狀態使剝離裝置5動作，藉此可確實形成剝離開始部位M。

形成剝離開始部位M後，剝離裝置5如圖30C所示，使用旋轉昇降機構105(參照圖23B)令第2固持部42及框體固持部80下降，並同時使銳利構件91更前進。藉此，對被處理基板W及黏接劑G施加朝下方之力，對由銳利構件91支持之支持基板S施加朝上方之力。藉此，剝離開始部位M擴大。

又，圖30C所示之處理中，使銳利構件91前進之距離d2例如約1mm。

如此，剝離裝置5使銳利構件91接觸支持基板S靠黏接劑G之側面，藉此於重合基板T之側面形成作為支持基板S自被處理基板W被剝離之起因之剝離開始部位M。

支持基板S具有黏接劑G之約5~15倍之厚度。因此，相較於銳利構件91抵接黏接劑G而形成剝離開始部位之情形，可輕易控制銳利構件91之鉛直方向之位置。

且銳利構件91抵接支持基板S靠黏接劑G之側面，藉此可對支持基板S施加將支持基板S自被處理基板W剝除之方向之力(亦即，朝上之力)。且推起支持基板S接近最外緣部之部位，故可高效率地對支持基板S施加將支持基板S自被處理基板W剝除之方向之力。

且相較於銳利構件91接觸黏接劑G之情形，可降低銳利構件91接觸被處理基板W之可能性。因此，可防止銳利構件91造成被處理基板W損傷。

又，「支持基板S靠黏接劑G之側面」更宜係自支持基板S之接合面Sj至支持基板S之厚度的1/4之位置之側面，亦即，與銳利構件91構成之角度θ在0度以上45度以下之側面。此因與銳利構件91構成之角度θ愈小，愈可增大推起支持基板S之力。

且支持基板S與黏接劑G之黏接力相對較弱時，如圖30A所示，可僅藉由使銳利構件91抵接支持基板S靠黏接劑G之側面形成剝離開始部位M。此時，可省略圖30B及圖30C所示之動作。

且支持基板S與黏接劑G之黏接力相對較強時，剝離裝置5亦可自例如圖30C所示之狀態起更使用旋轉昇降機構105使重合基板T繞著鉛直軸旋轉。藉此，剝離開始部位M沿重合基板T之周向擴大，故可易於將支持基板S自被處理基板W剝離。

在此，參照圖31A~圖31C說明關於銳利構件91之刀鋒之形狀。圖31A~圖31C係顯示銳利構件91之刀鋒之形狀例之示意俯視圖。

如圖31A所示，銳利構件91之刀鋒911亦可以俯視視之呈直線狀形成。然而，如圖31A所示，支持基板S(重合基板T)之周緣部呈圓弧狀。因此，銳利構件91之刀鋒若以俯視視之呈直線狀形成，以俯視視之負載易於集中於與支持基板S相交之刀鋒的2點(圖31A之P1、P2)，有產生刀鋒缺角等之虞。

在此，例如圖31B所示，銳利構件91之刀鋒911亦可沿支持基板S外周部之形狀為呈圓弧狀凹陷之形狀。藉此，刀鋒911整體均等接觸支持基板S，故可防止負載集中於刀鋒911之特定處。

且如圖31C所示，銳利構件91之刀鋒911亦可為其中心部朝支持基板S呈圓弧狀突出之形狀。藉此，相較於刀鋒911呈直線狀形成時，刀鋒911之更多的部分可進入重合基板T內，故可以更廣闊之面積承受對支持基板S施加朝上方之力時對銳利構件91施加之負載，可防止負載集中。

又，刀鋒911之形狀為圖31B所示之形狀時，支持基板S自銳利構件91承受均等方向之力。另一方面，刀鋒911之形狀為圖31C所示之形狀時，支持基板S承受以銳利構件91之刀鋒911之中心部為起始點擴散方向之力。

步驟S103之剝離誘導處理結束後，剝離裝置5使用旋轉昇降機構105(參照圖23B)令第2固持部42及框體固持部580上昇，令重合基板T之支持基板S側抵接第1固持部47之複數之吸附部49(參照圖35D)。又，剝離裝置5開始以吸氣裝置524吸氣之吸氣動作，以第1固持部47吸附固持支持基板S(步驟S104)。

接著，剝離裝置5令移動部64(參照圖23B)動作(步驟S105)，使第1固持部47外周部的一部分，具體而言，彈性構件48之延伸部482(參照圖5)朝向遠離第2固持部42之方向移動。藉此，拽拉配置於最接近剝離起點側之吸附部49，支持基板S以剝離開始部位M為起點自被處理基板W開始剝離(參照圖35E)。

在此，第1固持部47之彈性構件48具有彈性，故移動部64拽拉第1固持部47之際，其伴隨著該拽拉柔軟地變形。因此，可不對被處理基板W施加較大的負載，將支持基板S自被處理基板W剝離。且彈性構件48具有柔軟性，故可對將支持基板S自被處理基板W剝離之力施加「黏性」，故可自被處理基板W高效率地剝離支持基板S。

且如上述，於彈性構件48設置延伸部482，該延伸部482連接移動部64之支柱構件65，故可對拽拉支持基板S之力施加旋轉力(力矩)。因此，可將支持基板S自其外緣部捲起而拽拉，故可將支持基板S自被處理基板W高效率地剝離。

其後，剝離裝置5使用移動部64將第1固持部47更拽拉而上。藉此，剝離自支持基板S中X軸負方向側之端部朝X軸正方向側之端部連續地進 展(參照圖35F)，最終自被處理基板W剝離支持基板S(參照圖35G)。其後，剝離裝置5結束剝離處理。

如上述，依本實施形態之剝離裝置5包含第1固持部47、第2固持部42與移動部64。第1固持部47將接合有支持基板S(相當於第1基板之一例)與被處理基板W(相當於第2基板之一例)之重合基板T中之支持基板S加以固持。第2固持部42固持重合基板T中之被處理基板W。移動部64使第1固持部47外周部的一部分朝向遠離第2固持部42之方向移動。且第1固持部47包含：薄板狀之彈性構件48，連接移動部64；及複數之吸附部49，設於彈性構件48，吸附支持基板S。

因此，按照依本實施形態之剝離裝置5，可實現剝離處理之高效率化。

<4.其他實施形態>

又，第1固持部47之構成不由上述實施形態中揭示之構成限定。在此，於以下參照圖36A~圖36E說明關於第1固持部47之其他構成例。圖36A~圖36E係依第1~第5變形例之第1固持部之示意俯視圖。又，以下說明中，就與已說明之部分相同之部分，賦予與已說明之部分相同之符號，省略重複之說明。

例如圖36A所示，依第1變形例之第1固持部47A之彈性構件48A中，不設置環狀本體部481(參照圖34)，代之以無中空部之圓板形本體部481A。

該本體部481A中，設有配置於最接近剝離起點側之吸附部49A1、2個吸附部49A2所構成之第1吸附部群組、3個吸附部49A3所構成之第2吸附部群組、及3個吸附部49A4所構成之第3吸附部群組。第1~第3吸附部群組沿剝離之進展方向依第1吸附部群組、第2吸附部群組及第3吸附部群組之順序配置。

第1吸附部群組所包含之2個吸附部49A2沿與剝離之進展方向(X軸正方向)正交之方向(Y軸方向)排列配置(參照圖36A所示之假想線L1)。同樣地，第2吸附部群組所包含之3個吸附部49A3及第3吸附部群組所包含之3個吸附部49A4亦沿與剝離之進展方向正交之方向(Y軸方向)排列配置(參照圖36A所示之假想線L2、L3)。

如此，第1固持部47A具有之複數之吸附部49A1、49A2、49A3、49A4中，除設於最接近剝離起點側之吸附部49A1以外之吸附部49A2、49A3、49A4分別沿與剝離之進展方向正交之方向排列，且沿剝離之進展方向多段配置。

亦即，複數之吸附部49A2、49A3、49A4配合剝離之進展方向配置，故可將支持基板S自被處理基板W高效率地剝離。

且於最接近剝離起點側亦即對應剝離開始部位M之位置配置吸附部49A1，藉此可確實使以剝離開始部位M為起點之支持基板S之剝離開始。

且如圖36B所示，依第2變形例之第1固持部47B中，於彈性構件48A之本體部481A具有1個吸附部49B1、3個吸附部49B2所構成之第1吸附部群組、3個吸附部49B3所構成之第2吸附部群組、及3個吸附部49B4所構成之第3吸附部群組。吸附部49B1於最接近剝離起點側對應剝離開始部位M配置，第1~第3吸附部群組沿剝離之進展方向依第1吸附部群組、第2吸附部群組及第3吸附部群組之順序配置。

第1吸附部群組所包含之3個吸附部49B2呈沿剝離之進展方向(X軸正方向)凸出之圓弧狀排列配置(參照圖36B之假想線L4)。同樣地，第2吸附部群組所包含之3個吸附部49B3及第3吸附部群組所包含之3個吸附部49B4亦呈沿剝離之進展方向凸出之圓弧狀排列配置(參照圖36B所示之假想線L5、L6)。

如此，除設於最接近剝離起點側之吸附部49B1以外之吸附部49B2、49B3、49B4分別呈沿剝離之進展方向凸出之圓弧狀排列，且沿剝離之進展方向多段配置。

支持基板S自被處理基板W之剝離以俯視視之呈圓弧狀進展。因此，將複數之吸附部49B2、49B3、49B4分別呈沿剝離之進展方向凸出之圓弧狀排列配置，藉此可將支持基板S自被處理基板W高效率地剝離。且可更適當地吸附固持剝離途中之支持基板S。

且支持基板S與被處理基板W之剝離交界線雖於剝離之初始階段呈圓弧狀，但隨著剝離進展，逐漸變化為沿與剝離之進展方向正交之方向(Y軸方向)延伸之直線狀。

因此，分別描繪複數之吸附部49B2、49B3、49B4之圓弧(圖36B所示之假想線L4~L6)之曲率宜隨著接近剝離終端側逐漸減小(亦即接近直線)。

且如圖36C所示，依第3變形例之第1固持部47C中，於彈性構件48A之本體部481A具有1個吸附部49C1、3個吸附部49C2所構成之第1吸附部群組、3個吸附部49C3所構成之第2吸附部群組、及3個吸附部49C4所構成之第3吸附部群組。吸附部49C1於最接近剝離起點側對應剝離開始部位M配置，第1~第3吸附部群組沿剝離之進展方向依第1吸附部群組、第2吸附部群組及第3吸附部群組之順序配置。

該依第3變形例之第1固持部47C中，依第2變形例之第1固持部47B具有之複數之吸附部49B1、49B2、49B3、49B4中，配置於最接近剝離終點側之3個吸附部49B4之排列經變更為與剝離之進展方向正交之方向。

亦即，第1吸附部群組所包含之3個吸附部49C2及第2吸附部群組所包含之3個吸附部49C3呈沿剝離之進展方向凸出之圓弧狀排列配置(參照 圖36C之假想線L7、L8)，第3吸附部群組所包含之3個吸附部49C4沿與剝離之進展方向正交之方向排列配置(參照圖36C所示之假想線L9)。

如上述，支持基板S與被處理基板W之剝離交界線隨著剝離進展自圓弧狀變化為直線狀。因此，亦可將複數之吸附部49C1、49C2、49C3、49C4中，配置於剝離起點側之吸附部群組(在此為吸附部49C2、49C3)呈沿剝離之進展方向凸出之圓弧狀排列配置，並將配置於較此等吸附部49C2、49C3更靠剝離終點側之吸附部群組(在此為吸附部49C4)沿與剝離之進展方向正交之方向排列配置。

且依第4變形例之第1固持部47D中，於彈性構件48A之本體部481A具有1個吸附部49D1、2個吸附部49D2所構成之第1吸附部群組、3個吸附部49D3所構成之第2吸附部群組、及3個吸附部49D4所構成之第3吸附部群組。吸附部49D1於最接近剝離起點側對應剝離開始部位M配置，第1~第3吸附部群組沿剝離之進展方向依第1吸附部群組、第2吸附部群組及第3吸附部群組之順序配置。

該第1固持部47D中，各吸附部49D1、49D2、49D3、49D4之吸附面積隨著接近剝離終點側逐漸增大。亦即，配置於最接近剝離起點側之吸附部49D1之吸附面積最小，配置於最接近剝離終點側之3個吸附部49D4之吸附面積最大。

如此，複數之吸附部49D1、49D2、49D3、49D4亦可隨著接近剝離終點側吸附面積逐漸增大。

且依第5變形例之第1固持部47E於彈性構件48A之本體部481A設有複數之吸附部。又，第1固持部47E具有之複數之吸附部中，配置於最接近剝離起點側之吸附部49E內，本體部481A之外緣側，亦即，位於支持基板S之外緣側之部分525沿支持基板S之外緣呈弧狀形成。

藉此，可於更接近支持基板S之最外緣部之區域配置吸附部49E。因此，可對支持基板S有效率地施加將支持基板S自被處理基板W剝除之方向之力。

且上述實施形態中，已說明關於作為剝離對象之重合基板係以黏接劑G接合被處理基板W與支持基板S之重合基板T之情形之例。然而，作為剝離裝置之剝離對象之重合基板不限定於此重合基板T。例如，剝離裝置5中，為產生SOI基板，亦可以形成絕緣膜之施體基板與被處理基板經貼合之重合基板為剝離對象。

在此，參照圖19A及圖19B說明關於SOI基板之製造方法。圖19A及圖19B係顯示SOI基板之製造程序之示意圖。如圖19A所示，藉由接合施體基板K與手柄基板H形成用來形成SOI基板之重合基板Ta。

施體基板K係於表面形成絕緣膜6，且在與手柄基板H接合之一方表面附近既定深度形成氫離子注入層7之基板。且作為手柄基板H，可使用例如矽晶圓、玻璃基板、藍寶石基板等。

剝離裝置5中，例如在以第1固持部47固持施體基板K，以第2固持部42固持手柄基板H之狀態下，使用移動部64拽拉重合基板Ta外周部的一部分，藉此對形成於施體基板K之氫離子注入層7賦予機械性撞擊。藉此，如圖19B所示，切斷氫離子注入層7內之矽-矽鍵結，自施體基板K剝離矽層8。其結果，於手柄基板H之上表面轉印絕緣膜6與矽層8，形成SOI基板Wa。又，亦可以第1固持部47固持手柄基板H，以第2固持部42固持施體基板K。

且上述實施形態中，雖已說明關於使用黏接劑G接合被處理基板W與支持基板S之情形之例，但亦可將接合面Wj、Sj分為複數之區域，依每一區域塗布不同黏接力之黏接劑。

且上述實施形態中，雖已說明關於重合基板T由切割框F固持之情形之例，但重合基板T未必需由切割框F固持。

且上述實施形態中，雖已說明關於剝離誘導部90具有之銳利構件91係板刀之情形之例，但銳利構件91亦可使用例如剃刀或旋轉刀或是超音波切割機等。

熟悉該技藝者可輕易導出更佳之效果或變形例。因此，本發明之更廣泛之態樣不由如以上表述且記述之特定之詳細內容及代表性實施形態限定。因此，可不逸脫由添附之申請專利範圍及其均等物定義之概括性發明概念之精神或範圍，進行各種變更。

F‧‧‧切割框

G‧‧‧黏接劑

P‧‧‧切割膠帶

S‧‧‧支持基板

T‧‧‧重合基板

W‧‧‧被處理基板

5‧‧‧剝離裝置

100‧‧‧處理部(處理室)

110‧‧‧第1固持部

111‧‧‧本體部

111b‧‧‧拉伸部

111c‧‧‧固定部

112‧‧‧吸附墊

113‧‧‧吸氣管

114‧‧‧吸氣裝置

120‧‧‧上側基座部

121‧‧‧支持構件

130‧‧‧局部移動部

131、141、151‧‧‧本體部

132‧‧‧缸筒

133‧‧‧負載檢測元件

140‧‧‧移動機構

142‧‧‧驅動機構

150‧‧‧第2固持部

151a‧‧‧吸附面

151b‧‧‧抽吸空間

152‧‧‧支柱構件

153‧‧‧吸氣管

154‧‧‧吸氣裝置

160‧‧‧框體固持部

161‧‧‧吸附部

162‧‧‧支持構件

163‧‧‧移動機構

164‧‧‧吸氣管

165‧‧‧吸氣裝置

170‧‧‧下側基座部

180‧‧‧旋轉機構

Claims (11)

1. 一種剝離裝置，將以第1基板與第2基板接合而成之重合基板剝離為該第1基板與該第2基板，其特徵在於：該重合基板被配置於具有直徑大於該重合基板之開口部的框體之該開口部，且藉由將該第1基板之非接合面貼附在設於該開口部之膠帶而由該框體固持著該重合基板；且該剝離裝置包含：第1固持部，自上方固持該重合基板中之該第2基板；第2固持部，藉由該膠帶自下方固持該重合基板中之該第1基板；移動機構，令該第1固持部朝向遠離該第2固持部之方向移動；切入部，切入該第1基板與該第2基板之接合部分；位置調整部，使該切入部朝向該接合部分而沿著水平方向移動；及框體固持部，在低於該第2固持部之固持面的位置，自下方固持該框體。
2. 如申請專利範圍第1項之剝離裝置，其中，更具備控制部，該控制部控制該框體固持部，而固持該框體，並且在控制該第2固持部而固持該第1基板的狀態下，控制該移動機構，而令固持該第2基板之該第1固持部朝向遠離固持該第1基板之該第2固持部的方向移動。
3. 如申請專利範圍第2項之剝離裝置，其中，該框體固持部包含：吸附部，配置於第2固持部之外方，自下方固持該框體；以及第2移動機構，使該吸附部沿著鉛直方向移動；且該控制部將該第2移動機構控制成為令固持該框體之該吸附部至少下降到該第1基板抵接於該第2固持部的位置為止，然後該控制部將該移動機構控制成為令固持該第2基板之該第1固持部朝向遠離固持該第1基板之該第2固持部的方向移動。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之剝離裝置，其更包含局部移動部，該局部移動部令該第1固持部的外周部之一部分朝向遠離該第2固持部之方向移動。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之剝離裝置，其中， 該第1固持部以具有柔軟性之構件形成。
6. 如申請專利範圍第5項之剝離裝置，其中，該第1固持部包含：薄板狀之彈性構件；及樹脂構件，貼附於該彈性構件之表面，抵接於該第2基板；且自形成於該樹脂構件之吸氣口進行抽吸，藉此吸附固持該第2基板。
7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之剝離裝置，其中，該切入部包含：銳利構件；以及氣體噴出部，朝向藉由該銳利構件切入之該接合部分的切入處噴出氣體。
8. 如申請專利範圍第7項之剝離裝置，其中，該銳利構件係單鋒刀具，並且形成刀鋒角之傾斜面設於該第2基板側。
9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之剝離裝置，其中，更具備量測部，該量測部針對自預定之測定基準位置起到該第2固持部之固持面為止的距離，或者是自預定之測定基準位置起到介於該測定基準位置與該固持面之間之物體為止的距離進行量測；且該位置調整部根據該量測部之量測結果，和預先取得的關於該重合基板之厚度的資訊，而將該切入部之切入位置加以調整。
10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之剝離裝置，其中，更具備旋轉機構，該旋轉機構令該第1固持部與該第2固持部兩者相對上進行旋轉。
11. 一種剥離系統，其包含：送入送出站，載置以第1基板與第2基板接合而成之重合基板；基板搬運裝置，將載置於該送入送出站之重合基板加以搬運；及剥離站，設置剥離裝置，該剥離裝置將由該基板搬運裝置所搬運之重合基板剝離為該第1基板與該第2基板；其中該重合基板被配置於具有直徑大於該重合基板之開口部的框體之該開口部，並且藉由將該第1基板之非接合面貼附在設於該開口部之膠帶，而由該框體固持著該重合基板；且該剝離裝置包含：第1固持部，自上方固持該重合基板中之該第2基板；第2固持部，藉由該膠帶而自下方固持該重合基板中之該第1基板； 移動機構，令該第1固持部朝向遠離該第2固持部之方向移動；切入部，切入該第1基板與該第2基板之接合部分；位置調整部，使該切入部朝向該接合部分而沿著水平方向移動；及框體固持部，在低於該第2固持部之固持面的位置，自下方固持該框體。