TWI534938B - Substrate separation device, manufacturing method of semiconductor device, load lock device, substrate bonding device and substrate separation method - Google Patents

Substrate separation device, manufacturing method of semiconductor device, load lock device, substrate bonding device and substrate separation method Download PDF

Info

Publication number
TWI534938B
TWI534938B TW100106156A TW100106156A TWI534938B TW I534938 B TWI534938 B TW I534938B TW 100106156 A TW100106156 A TW 100106156A TW 100106156 A TW100106156 A TW 100106156A TW I534938 B TWI534938 B TW I534938B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
holder
laminated substrate
separation
stage
Prior art date
Application number
TW100106156A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201135866A (en
Inventor
田中慶一
吉橋正博
Original Assignee
尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 尼康股份有限公司 filed Critical 尼康股份有限公司
Publication of TW201135866A publication Critical patent/TW201135866A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI534938B publication Critical patent/TWI534938B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/918Delaminating processes adapted for specified product, e.g. delaminating medical specimen slide
    • Y10S156/93Semiconductive product delaminating, e.g. delaminating emiconductive wafer from underlayer
    • Y10S156/931Peeling away backing
    • Y10S156/932Peeling away backing with poking during delaminating, e.g. jabbing release sheet backing to remove wafer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/934Apparatus having delaminating means adapted for delaminating a specified article
    • Y10S156/941Means for delaminating semiconductive product
    • Y10S156/943Means for delaminating semiconductive product with poking delaminating means, e.g. jabbing means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1132Using vacuum directly against work during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1189Gripping and pulling work apart during delaminating with shearing during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1928Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1944Vacuum delaminating means [e.g., vacuum chamber, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1961Severing delaminating means [e.g., chisel, etc.]
    • Y10T156/1967Cutting delaminating means
    • Y10T156/1972Shearing delaminating means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1978Delaminating bending means
    • Y10T156/1983Poking delaminating means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

基板分離裝置、半導體裝置之製造方法、承載鎖定裝置、基板貼合裝置及基板分離方法
本發明係關於一種基板分離裝置、半導體裝置之製造方法、承載鎖定裝置、基板貼合裝置及基板分離方法。
由於半導體晶圓等基板脆弱,因此,有時是在保持於保護基板之基板保持器的狀態下作處理(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-251972號公報
在疊層基板之製造等中,將夾著基板之一對基板保持器加壓時,有時基板會固裝於其中一個基板保持器,即使打開基板保持器仍取不出基板。
因此,為了解決前述問題,本發明之第一樣態提供一種基板分離方法,係使具有疊層的複數個基板的疊層基板、與夾著前述疊層基板的第一保持器及第二保持器分別分離的基板分離方法,其包含:第一分離階段,其係為了使前述疊層基板與前述第一保持器互相分離,而使前述疊層基板及前述第一保持器相對移動;及第二分離階段,其係為了使前述疊層基板與前述第二保持器互相分離,而使前述疊層基板及前述第二保持器相對移動。
本發明之第二樣態提供一種基板分離裝置,係使具有疊層的複數個基板的疊層基板、與夾著前述疊層基板的第一保持器及第二保持器分別分離的基板分離装置,其包含:第一分離部,其係為了使前述疊層基板與前述第一保持器互相分離,而使前述疊層基板及前述第一保持器相對移動;及第二分離部,其係為了使前述疊層基板與前述第二保持器互相分離,而使前述疊層基板及前述第二保持器相對移動。
前述發明內容並非已列舉本發明之必要特徵的全部者。又,此等特徵群之子組合亦屬於發明。
以下,通過發明之實施形態來說明本發明,不過以下之實施形態並非限定有關申請專利範圍之發明者。又,實施形態中說明之特徵的組合之全部不限為發明之解決手段中必須者。
第一圖係概略顯示基板貼合裝置100之全體構造的平面圖。基板貼合裝置100具備:外殼110,收容於外殼110之環境承載機120、大氣承載機121、加壓裝置130、保持器暫存盒(holder stocker)140、預對準器150、對準器160,及承載鎖定器200。進一步在外殼110之外面裝設複數個FOUP(前開式匣盒一體型搬送保管容器(Front Opening Unified Pod))111。
FOUP111可對外殼110個別取出,各個收容複數個基板101。藉由使用FOUP111,可將複數個基板101全部裝填於基板貼合裝置100。又,可將貼合基板101而製作之疊層基板102全部回收於FOUP111而搬出。
另外,此處所稱之基板101,除了單晶矽基板、化 合物半導體基板等半導體基板之外,亦可為玻璃基板等。又,供貼合之基板101有時包含複數個元件,有時係其本身已經貼合了複數個基板之疊層基板102。
外殼110包圍環境承載機120、加壓裝置130、保持器暫存盒140、預對準器150及對準器160。外殼110之內側與大氣連通而處於大氣環境。
大氣承載機121在外殼110之內部與FOUP111相對而配置。大氣承載機121具有搭載基板101之叉子123,且沿著沿著FOUP111而配置之導軌125移動同時搬運基板101。
預對準器150配置於大氣承載機121之近旁,具有比起對準精度較重視處理速度之對準機構。預對準器150將基板101對大氣承載機121之搭載位置的變動調整成在預定範圍內穩定。藉此,縮短在後述之對準器160中對準時所需的時間。
承載鎖定器200位於包含大氣承載機121之大氣環境與配置於真空環境的環境承載機120之間,且具有分別面對大氣環境側及真空環境側的閘閥212、214。藉此可不破壞真空環境之真空,而在大氣環境及真空環境之間交接基板101。
承載鎖定器200亦配置於大氣承載機121之近旁。大氣承載機121將經預對準器150調整搭載位置後之基板101搬入承載鎖定器200。又,大氣承載機121從承載鎖定器200搬出經後述之對準器160及加壓裝置130所製造的疊層基板102。
環境承載機120對承載鎖定器200搬運配置於與大氣承載機121相反側之基板101、疊層基板102、基板保持器103之任何一個。環境承載機120具有叉子122、 防落爪124及折疊臂126。
折疊臂126在一端支撐叉子122及防落爪124。折疊臂126之另一端對外殼110可旋轉地支撐。折疊臂126組合其本身之彎曲與旋轉而將叉子122移動至任意之位置。
叉子122吸附保持所搭載之基板101或基板保持器103。藉此,在叉子122及防落爪124上下反轉時,環境承載機120亦可將基板101或基板保持器103保持於叉子122之下側。
防落爪124於叉子122上下反轉時,伸出至保持於叉子122之基板101或基板保持器103的下方。藉此,防止基板101或基板保持器103掉落。叉子122不反轉時,防落爪124退離至不致與叉子122上之基板101及基板保持器103干擾的位置。
在環境承載機120之周圍配置複數個加壓裝置130、保持器暫存盒140及對準器160。鄰接的加壓裝置130、保持器暫存盒140、對準器160及承載鎖定器200之間藉由氣密壁112氣密封閉。藉由將氣密壁112之內側排氣,加壓裝置130及對準器160在真空環境下運作。
又,加壓裝置130、保持器暫存盒140及對準器160對環境承載機120分別相對而配置。藉此,環境承載機120可將從承載鎖定器200取出之基板101對加壓裝置130、保持器暫存盒140及對準器160之任何一個搬入。又,環境承載機120可將從加壓裝置130、保持器暫存盒140及對準器160搬出之基板101及基板保持器103搬入承載鎖定器200。
保持器暫存盒140收容複數個保持基板101之基板保持器103而等待。基板保持器103藉由環境承載機120 逐片取出,並分別逐片保持基板101。基板保持器103在基板貼合裝置100之內部與基板101一體處理。藉此,保護薄且脆弱之基板101,使基板貼合裝置100內部之基板101處理容易。
基板保持器103在從真空環境搬出疊層基板102時,從疊層基板102分離而返回保持器暫存盒140。藉此,至少在基板貼合裝置100運作之期間,基板保持器103停留在真空環境。
對準器160在將分別被保持於基板保持器103之一對基板101相互對準後重疊。對準器160之對準精度高,例如在對準形成有元件之半導體基板時是要求次微米程度的精度。
加壓裝置130將在對準器160中對準而重疊之一對基板101予以加壓,膠接各基板101。藉此,基板101成為永久性疊層之疊層基板102。所製作之疊層基板102藉由環境承載機120搬運至承載鎖定器200,進一步藉由大氣承載機121從承載鎖定器200搬出而回收至FOUP111。
第二圖係對準器160之縱剖面圖。對準器160具備框體162、配置於框體162內側之驅動部180、下載台170及上載台190。
框體162具有各為水平且彼此平行之底板161及上方板165、以及結合底板161及上方板165之複數個支柱163。底板161、支柱163及上方板165分別具有高剛性,在伴隨對準器160之動作的反作用力作用下也不致變形。
對準器160中,在底板161之上表面配置包含依序疊層之X驅動部184及Y驅動部186的驅動部180。X 驅動部184引導於固定在底板161之導軌182上同時在X方向移動。Y驅動部186在X驅動部184之上移動於Y方向。在Y驅動部186搭載下載台170。藉此,驅動部180使下載台170在XY平面上之任意位置移動。
下載台170之上表面具有例如使用真空吸附、靜電吸附等之吸附機構,而吸附保持所搭載之基板保持器103。再者,基板保持器103在上表面保持基板101。基板保持器103亦具有使用靜電吸附等之吸附機構。藉此,保持於基板保持器103之基板101對下載台170固定。
顯微鏡171與下載台170一起搭載於Y驅動部186,並與下載台170一起移動於X方向及Y方向。由於可預先正確知道顯微鏡171及下載台170之相對位置,因此,使用顯微鏡171可正確檢測與下載台170相對之物體對下載台170的相對位置。
在上方板165之下面懸掛上載台190及顯微鏡191。上載台190及顯微鏡191對上方板165固定而不移動。
上載台190在水平之下面具有例如使用真空吸附、靜電吸附等之吸附機構以保持基板保持器103。在基板保持器103上吸附保持基板101。藉此,保持於上載台190之基板101與保持於下載台170之基板101相對。
可預先正確知道上載台190及顯微鏡191之相對位置。因此,使用顯微鏡191可正確檢測與上載台190相對之物體的相對位置。
圖示之對準器160係下側之顯微鏡171檢測保持於上載台190之基板101的對準標記M位置。又,上側之顯微鏡191檢測保持於下載台170之基板101的對準標 記M位置。藉此正確檢測基板101相互之相對位置。
另外,圖中藉由三角形符號而顯示之對準標記M,可為形成於基板101之特定的圖案。又,亦有時以形成於基板101之元件等代用對準標記。
第三圖係顯示對準器160之動作的圖。藉由顯微鏡171、191檢測相對之基板101的對準標記M之位置,已經檢測出基板101之相對位置。因此,為使基板101相互之相對位置無偏差,係藉由X驅動部184及Y驅動部186使下載台170移動,而使一對基板101正對。繼續,藉由汽缸172及活塞174使下載台170上昇,可在已對準之狀態下使一對基板101密合而暫時接合。
第四圖係加壓裝置130之縱剖面圖。加壓裝置130具有從外殼132之底部依序疊層的平台138及加熱板136、以及從外殼132之頂面垂下的壓下部134及加熱板136。各個加熱板136內藏加熱器。又,在外殼132之一個側面設置裝入口131。裝入口131經由閘閥214而連通於後述的承載鎖定器200。
已經對準而重疊之基板101在被基板保持器103夾著的狀態下搬入加壓裝置130中。已搬入之基板101及基板保持器103被放置於平台138之加熱板136上表面。
加壓裝置130在將加熱板136昇溫的同時使壓下部134下降,壓下上側之加熱板136。藉此將夾在加熱板136之間的基板101及基板保持器103加熱及加壓,基板101永久性膠接。如此,基板101成為疊層基板102。
另外,亦可在加壓裝置130中設置加熱、加壓後冷卻基板101之冷卻部,不過圖示省略。藉此,可將雖未達到室溫、而已冷卻某種程度之基板101搬出,迅速返回FOUP111。
又,加熱板136之加熱溫度高時,基板101之表面可能與環境氣體產生化學反應。因此,在加壓裝置130之裝入口131配置承載鎖定器200,使外殼132之內部成為真空環境。
第五圖係從上方俯瞰基板保持器103之斜視圖。基板保持器103具有保持面104、凸緣部106及貫穿孔108。
基板保持器103全體形成圓板狀,並在中央具有保持基板101之平坦的保持面104。凸緣部106鄰接於保持面104,並配置於保持面104之周圍。在保持面104及凸緣部106之間形成階差105,保持面104對凸緣部106少許隆起。
貫穿孔108係貫穿基板保持器103之表裡而設,並具有可插通後述之頂銷(lift pin)的內徑。貫穿孔108在與保持面104同心之圓上以等間隔配置三個以上。溝107配置於凸緣部106之側周面。
第六圖係從下方仰視基板保持器103之斜視圖。在基板保持器103之下面配置貫穿孔108之一端及饋電端子109。
饋電端子109形成與基板保持器103之下面共同之面,並連接於埋設在基板保持器103內部之內部電極。饋電端子109將從外部所施加之電壓傳送至內藏於基板保持器103之電極,在基板保持器103之保持面104上形成吸附基板101之靜電夾盤。
內部電極有時在一個基板保持器103上設複數個,饋電端子109亦對應於內部電極數量而設複數個。基板保持器103藉由具有高剛性之陶瓷、金屬等而一體成形。
第七圖、第八圖、第九圖及第十圖係顯示基板貼合裝置100中之基板101的狀態轉移之圖。以下,參照此 等圖式說明基板貼合裝置100之動作。
供貼合之基板101在收容於FOUP111的狀態下裝填於基板貼合裝置100中。在基板貼合裝置100中,首先,環境承載機120將從保持器暫存盒140搬出之基板保持器103放置於預對準器150。
在預對準器150中,基板保持器103被調整對環境承載機120之搭載位置。已被調整對環境承載機120之搭載位置的基板保持器103搬入對準器160,並保持於上載台190或下載台170。
其次,環境承載機120將從FOUP111逐片搬出之基板101搬入預對準器150。在預對準器150中,基板101亦被調整對環境承載機120之搭載位置。
已被調整搭載位置之基板101藉由環境承載機120搬入對準器160,並保持於已保持在上載台190或下載台170上之基板保持器103。由於基板101及基板保持器103已藉由預對準器150分別被調整對環境承載機120之搭載位置,因此基板101對基板保持器103係以較高之精度搭載。裝載於基板保持器103之基板101藉由靜電吸附而保持於基板保持器103。
如此,如第七圖所顯示,在對準器160上備有保持於基板保持器103且彼此相對之基板101。其次如第八圖所顯示,在對準器160中已對準及暫時接合之基板101及基板保持器103成為相互疊層之狀態。
在該階段已暫時接合之一對基板101尚未膠接。因此如第九圖所顯示,在基板保持器103之溝107中嵌入夾子129。藉此可在保持藉由對準器160對準之狀態下,一體搬運夾著已對準之基板101的一對基板保持器103。
環境承載機120將夾著已暫時接合之一對基板101 的基板保持器103搬入加壓裝置130。在加壓裝置130中進行加熱、加壓後之一對基板101永久性膠接,並如第十圖所顯示成為疊層基板102。疊層基板102從基板保持器103分離,藉由環境承載機120搬運至FOUP111而回收。基板保持器103搬運至保持器暫存盒140等待下次使用。
將被基板保持器103夾著之基板101在加壓裝置130中加壓時,因基板101及基板保持器103之間不可避免地存在的塵埃等被咬入、熔化等,可能使疊層基板102與基板保持器103之一部分黏合。因此在取出疊層基板102時,要求從基板保持器103積極地分離。
另外,疊層基板102及基板保持器103黏合強固時,若勉強剝離疊層基板102及基板保持器103時,可能產生疊層基板102之膠接剝落、及疊層基板102破裂等。因此,即使從基板保持器103分離疊層基板102時,仍應避免在疊層基板102上產生過大之應力。
第十一圖係顯示承載鎖定器200之構造的縱剖面圖。承載鎖定器200具有外殼210、一對閘閥212、214、第一分離機構201及第二分離機構202。
閘閥212、214配置於外殼210之彼此相對的側面。一方之閘閥212面對大氣承載機121而開關。另一方之閘閥214面對環境承載機120而開關。閘閥212、214氣密地閉鎖外殼210。外殼210之內部可排氣而形成真空環境,亦可供氣而形成大氣環境。
例如藉由關閉閘閥214並打開閘閥212,可不破壞環境承載機120所處之真空環境,而將基板101搬入承載鎖定器200。又,在關閉兩者閘閥212、214之狀態下,將外殼210內排氣形成真空環境後,藉由打開閘閥214, 可不破壞環境承載機120所處之真空環境而將基板101搬入真空環境。
同樣地,按照與前述相反之程序,亦可在維持真空環境狀態下搬出疊層基板102。另外,在承載鎖定器200之內部,基板101或疊層基板102與基板保持器103放置於台座(table)250上。
第一分離機構201包含頂銷220及頂板230。頂銷220從致動器222垂掛,並藉由致動器222之動作而昇降。在頂銷220及致動器222之間配置檢測作用於頂銷220之負荷的承重感測器(load cell)224。
承重感測器224可藉由檢測致動器222之驅動負荷的增減之電路來替代。頂板230藉由致動器232而支撐。頂板230藉由致動器232之動作而昇降,並且在垂直之旋轉軸周圍旋轉。
第二分離機構202包含頂銷240及台座250。頂銷240藉由致動器242從下方支撐,並藉由致動器242之動作而昇降。在頂銷240及致動器222之間配置檢測作用於頂銷240之負荷的承重感測器244。承重感測器244可藉由檢測致動器222之驅動負荷的電路來替代。
台座250藉由致動器252從下方支撐,並藉由致動器252之動作而昇降。台座250具有吸附機構,該吸附機構藉由靜電吸附、真空吸附等而吸附搭載於上表面的基板保持器103。
第十二圖係在第十一圖以箭頭S顯示之水平面切開的承載鎖定器200之水平剖面圖。各個頂銷240配置於可插通於基板保持器103之貫穿孔的位置。另外,頂銷220亦配置於可插通於基板保持器103之貫穿孔的位置,不過圖示省略。
頂板230在不妨礙對台座250搬入及搬出基板保持器103之位置,包圍台座250而配置複數個。藉由致動器232之動作而旋轉時,頂板230如圖中之箭頭R所顯示,在與搬入之基板保持器103重疊的位置與不干擾基板保持器103的位置之間移動。
第十三圖係顯示藉由第一分離機構201分離疊層基板102及基板保持器103之程序的流程圖。將疊層基板102與夾著其之一對基板保持器103搬入承載鎖定器200而保持於台座250上。其次,使致動器232動作,將頂板230插入基板保持器103之下方。在此種狀態下,開始藉由第一分離機構201分離疊層基板102與上側之基板保持器103。
首先,使致動器222動作而使頂銷220下降,並在上側之基板保持器103的貫穿孔108中插入頂銷220之下端(S101)。進一步藉由致動器222使頂銷220下降,並藉由承重感測器224監視作用於頂銷220之負荷(S102)。
藉由承重感測器224檢測之負荷無變化時(S102:否(NO)),繼續使頂銷220下降。最後,頂銷220之頂端抵接於疊層基板102時,由於藉由承重感測器224檢測之負荷增加(S102:是(YES)),因此停止致動器222,而將頂銷220固定於其位置(S103)。
其次,使致動器232動作,而使頂板230上昇(S104)。又,使頂板上昇之同時監視藉由承重感測器224檢測之頂銷220的負荷(S105)。藉由承重感測器224檢測之負荷未超過預設之設定值時(S105:否),使致動器232繼續動作。又,藉由承重感測器224檢測之負荷不降低時(S106:否),亦使致動器232繼續動作, 而頂板230也繼續上昇。
藉由承重感測器224檢測之負荷超過設定值時(S105:是),疊層基板102與基板保持器103之黏合強固,過大之負荷極可能產生疊層基板之損傷、剝離等。因此,此時應中止第一分離機構201分離疊層基板102及基板保持器103,而使第一分離機構201之動作停止(S107)。
又,疊層基板102與基板保持器103分離時,對頂銷220之負荷降低。因此,承重感測器224檢測出對頂銷220之負荷降低時(S106:是),使第一分離機構201之動作結束。
從第十四圖至第十七圖係依序顯示第一分離機構201執行前述程序之動作圖。另外,在與其他圖共同之構成要素上註記相同參照編號,而省略重複之說明。
首先如第十四圖所顯示,被一對基板保持器103所夾著的疊層基板102搬入承載鎖定器200。被搬入之疊層基板102及基板保持器103放置於台座250上,且吸附於台座250。
其次如第十五圖所顯示,頂銷220藉由致動器222之動作,通過上側之基板保持器103的貫穿孔108而下降。藉此,頂銷220之下端抵接於疊層基板102之上表面,而將疊層基板102向下側之基板保持器103擠壓。又,頂板230藉由致動器232之動作而旋轉,頂板230之頂端進入上側之基板保持器103的下方。
繼續如第十六圖所顯示,在固定抵接於疊層基板102之頂銷220的狀態下,使致動器232動作而使頂板230上昇。藉此,向上方舉起上側之基板保持器103。不過,由於疊層基板102係藉由頂銷220限制上昇,因 此基板保持器103從疊層基板102剝開。如此,以頂銷220維持將疊層基板102接觸於下側之基板保持器103的狀態,可藉由將上側之基板保持器103從下側之基板保持器遠離,而從疊層基板102分離上側之基板保持器103。
另外,疊層基板102及上側之基板保持器103黏合強固時,在頂板230剝開上側之基板保持器103的過程中,被承重感測器224檢測出大的負荷。藉此,在基板保持器103之剝開力可能大於疊層基板102之膠接強度或破壞強度時,中止基板保持器103之分離。如此可預防疊層基板102之剝離或破壞。
另外,檢測作用於頂銷220之負荷亦可為配置於頂銷220根部之承重感測器224以外者。例如,亦可在頂銷220之頂端等配置感測器。又,亦可依據致動器222之驅動負荷來檢測作用於頂銷220之負荷。
最後,如第十七圖所顯示,使致動器222動作而使頂銷220上昇。藉此,從基板保持器103之貫穿孔108挪開頂銷220,上側之基板保持器103形成可從承載鎖定器200單獨搬出之狀態。
第十八圖係顯示藉由第二分離機構202分離疊層基板102及基板保持器103之程序的流程圖。另外,其次顯示者係第十三圖顯示之程序的後續程序,夾著疊層基板102之一對基板保持器103中上側的基板保持器103為已經藉由第一分離機構201而從疊層基板102分離之狀態。因此,第二分離機構202分離疊層基板102下側之基板保持器103與疊層基板102。
首先,使致動器222動作而使頂銷240上昇,在下側之基板保持器103的貫穿孔108中插入頂銷240之上 端(S201)。進一步,藉由致動器242使頂銷240上昇,並藉由承重感測器244監視作用於頂銷240之負荷(S202)。
藉由承重感測器244檢測之負荷無變化時(S202:否),繼續使頂銷240上昇。最後,頂銷240之頂端抵接於疊層基板102之下面時,由於藉由承重感測器244檢測之負荷增加(S202:是),因此停止致動器242,而將頂銷240固定於其位置(S203)。
其次,使致動器252動作,而使台座250下降(S204)。由於下側之基板保持器103吸附於台座250,因此,伴隨台座250之下降基板保持器103亦下降。又,使台座250下降之同時亦監視藉由承重感測器244檢測之頂銷240的負荷(S205)。
藉由承重感測器244檢測之負荷未超過預設之設定值時(S205:否),使致動器252繼續動作。又,藉由承重感測器244檢測之負荷不降低時(S206:否),亦使致動器242繼續動作,台座250繼續下降。
藉由承重感測器244檢測之負荷超過設定值時(S205:是),疊層基板102與基板保持器103之黏合強固,過大之負荷極可能產生疊層基板102之損傷、剝離等。因此,此時應中止第二分離機構202分離疊層基板102及基板保持器103,而使第二分離機構202之動作停止(S207)。
又,疊層基板102與基板保持器103分離時,對頂銷240之負荷降低。因此,承重感測器244檢測出之頂銷240的負荷降低時(S206:是),使第二分離機構202之動作結束。
從第十九圖至第二十二圖係依序顯示第二分離機 構202使下側之基板保持器103從疊層基板102分離的動作圖。另外,在與其他圖共同之構成要素上註記相同參照編號,而省略重複之說明。
首先如第十九圖所顯示,藉由致動器242之動作使頂銷240之頂端通過下側之基板保持器103的貫穿孔108而上昇。藉此,頂銷220之上端抵接於疊層基板102之下面。
其次,如第二十圖所顯示,在固定了抵接於疊層基板102之頂銷240的狀態下,使致動器252動作而使台座250下降。由於台座250吸附基板保持器103,因此下側之基板保持器103亦隨台座250之下降而向下方降低。
不過,由於疊層基板102藉由頂銷240從下方擠壓限制其下降,因此基板保持器103從疊層基板102剝開。如此可分離疊層基板102與下側之基板保持器103。
疊層基板102之下面與下側之基板保持器103之間大幅離開,疊層基板之上表面與上側之基板保持器103之間亦離開。因此,打開大氣環境側之閘閥212,可藉由大氣承載機121單獨搬出疊層基板102。
疊層基板102及下側之基板保持器103黏合強固時,在台座250剝開下側之基板保持器103的過程中,被承重感測器244檢測出大的負荷。藉此,在基板保持器103之剝開力可能大於疊層基板102之膠接強度或破壞強度時,停止基板保持器103之分離。如此可預防疊層基板102之剝離或破壞。
另外,檢測對頂銷240之負荷並非限定於配置在頂銷240根部之承重感測器244。頂銷240之頂端等可檢測疊層基板102及基板保持器103黏合的部位亦可在他 處。又,亦可依據致動器242之驅動負荷來檢測作用於頂銷240之負荷。
繼續,如第二十一圖所顯示,從承載鎖定器200搬出從上側之基板保持器103或是從下側之基板保持器103所分離的疊層基板102。此時係打開大氣側之閘閥212,不過由於環境承載機側之閘閥214關閉,因此環境承載機120側之真空不致破壞。
另外,在將閘閥212、214一起關閉之狀態下,向承載鎖定器200供氣中執行前述一連串動作時,可合併執行將承載鎖定器200內恢復大氣環境之動作,以及從基板保持器103分離疊層基板102之動作。藉此,可使基板貼合裝置100之生產量提高。
最後,如第二十二圖所顯示,藉由致動器242之動作使頂銷240下降。藉此,頂銷240從下側之基板保持器103的貫穿孔108抽出,下側之基板保持器103亦形成可從承載鎖定器200搬出之狀態。更具體而言,關閉兩方之閘閥212、214後,將承載鎖定器200再度形成真空環境,並藉由環境承載機120將一對基板保持器103依次返回保持器暫存盒140。
另外,由於一對基板保持器103均回收至真空環境之環境承載機120側,因此,搬出疊層基板102,關閉閘閥212,將承載鎖定器200排氣後,打開閘閥214,而從承載鎖定器200搬出基板保持器103。搬出之基板保持器103例如返回保持器暫存盒140。
另外,亦可取代第十四圖至第二十二圖所顯示之實施形態,而在頂銷220、240從上下夾著疊層基板102之狀態下移動基板保持器103。此時,首先停止供給上側之基板保持器103及下側之基板保持器103的靜電夾 盤之電力。其後,驅動頂銷220、240,從上下夾著疊層基板102使其停止。在頂銷220、240夾著疊層基板102之狀態下,使頂板230之頂端進入上側之基板保持器103的下方,其後藉由驅動於上方,而將上側之基板保持器103移動於上方。同時或是在其前後,在頂銷220、240夾著疊層基板102之狀態下使台座250下降,將下端之基板保持器103移動於下方。藉此,從上側之基板保持器103及下側之基板保持器103分離疊層基板102。
第二十三圖係顯示基板分離裝置300之其他構造的剖面圖。基板分離裝置300具備框體310、配置於框體310內側之Z驅動部320、下載台330及上載台340。
在基板分離裝置300中,疊層基板102及夾著疊層基板102之一對基板保持器301、303裝填於下載台330上。另外,基板保持器301、303具有可個別動作或休止之靜電夾盤302、304。
框體310具有各為水平且彼此平行之底板312及上方板316、以及結合底板312及上方板316之複數個支柱314。底板312、支柱314及上方板316分別具有高剛性,在伴隨疊層基板102之分離的反作用力作用下也不致變形。
在底板312之上表面經由Z驅動部320而配置下載台330。Z驅動部320具有對底板312固定之汽缸322、及從汽缸322向上方進退之活塞324。下載台330固定於活塞324之上端。藉此,下載台330對底板312昇降。
下載台330具有真空夾盤332。藉此,下載台330可在搭載基板保持器301、303及疊層基板102的同時藉由負壓吸附保持下側之基板保持器301。藉此,使下載台330昇降時,所保持之基板保持器301亦隨之移動。
在上方板316之下面垂掛上載台340。上載台340在下面具有真空夾盤342。藉此,可在上載台340之下面以負壓吸附基板保持器303。
第二十四圖係顯示基板分離裝置300之動作的剖面圖。如圖顯示,藉由使活塞324對汽缸322上昇,搭載疊層基板102及基板保持器301、303之下載台330亦上昇。藉此,上側之基板保持器303的背面(上表面)抵接於上載台340而密合。
第二十五圖係顯示基板分離裝置300之後續動作的剖面圖。繼續,下側之基板保持器301的靜電夾盤302與下載台330及上載台340的真空夾盤332、342開始動作。另外,在圖中劃陰影線之靜電夾盤302及真空夾盤332、342正進行吸附動作。
藉此,下載台330吸附保持下側之基板保持器301。又,下側之基板保持器301維持吸附疊層基板102而密合的狀態。再者,上載台340吸附固定上側之基板保持器303。不過上側之基板保持器303並未吸附疊層基板102。
第二十六圖係顯示基板分離裝置300之後續動作的剖面圖。在維持藉由靜電夾盤302及真空夾盤332、342之前述吸附的狀態下,藉由使汽缸322對活塞324下降,下載台330亦下降。藉此,吸附於下載台330之下側的基板保持器301與吸附於下側之基板保持器301的疊層基板102與下載台330一起下降。
但是,上側之基板保持器303吸附於真空夾盤342而保留在上載台340。如此,上側之基板保持器303從疊層基板102分離。又,藉由使靜電夾盤302及真空夾盤332、342適切動作,可確實分離上側之基板保持器 303,因此可有效執行以下之程序。
第二十七圖係顯示基板分離裝置300之其他動作的剖面圖。如圖顯示,藉由使活塞324對汽缸322上昇,搭載疊層基板102及下側之基板保持器301的下載台330上昇。藉此,疊層基板102之上表面與吸附於上載台340之上側的基板保持器303下面抵接而密合。
繼續,使下載台330及上載台340之真空夾盤332、342以及上側的基板保持器303之靜電夾盤304動作。藉此,暫且分離之疊層基板102再度吸附於上側之基板保持器303而維持密合之狀態。
但是,疊層基板102及上側之基板保持器303藉由在加壓裝置130中之加壓的黏合藉由暫且分離而已被解除。因而基板保持器303藉由靜電夾盤304之吸附被解除時,基板保持器303對疊層基板102之吸附確實被解除。
第二十八圖係顯示基板分離裝置300之後續動作的剖面圖。在維持藉由靜電夾盤304及真空夾盤332、342之前述吸附的狀態下,藉由使汽缸322對活塞324下降,下載台330亦下降。藉此,吸附保持於下載台330之下側的基板保持器301與下載台330一起下降。
另外,吸附固定於上側之基板保持器303的疊層基板102不與上載台340一起下降而保留。藉此,消除疊層基板102及下側之基板保持器303的黏合。因此,在圖顯示狀態之疊層基板102下方插入承載機等,藉由解除基板保持器303之吸附,可單獨搬出疊層基板102。
另外,前述之說明係先分離上側之基板保持器303,而後分離下側之基板保持器301。但是,即使顛倒該順序,先分離下側之基板保持器301後,而後分離上 側之基板保持器303當然亦無妨。
又,在分離一方之基板保持器301、303的時間,亦可從基板分離裝置300搬出分離之一方的基板保持器301、303。此時,在從疊層基板102分離另一方基板保持器301、303的階段,係使疊層基板102直接吸附於上載台340或下載台330。
再者,基板保持器301、303吸附於下載台330及上載台340,並非限定於真空夾盤332、342。亦可適用靜電夾盤等其他構造。另外,基於協助搬出最後保留之下側的基板保持器301之目的,亦可另行設置從下載台330舉起基板保持器301之頂銷,不過圖示省略。
第二十九圖係顯示基板分離裝置400之其他構造的剖面圖。基板分離裝置400具備底板410、放置於底板410上之台座420及Z驅動部430。
台座420具有吸附固定搭載於其上表面之基板保持器301的真空夾盤422。Z驅動部430具有沿著台座420之側面而配置的致動器432及頂銷434。致動器432使頂銷434垂直昇降。
在台座420上放置相互疊層之疊層基板102及基板保持器301、303。另外,台座420具有比基板保持器301、303之直徑小的直徑。因而基板保持器301、303之周緣部近旁突出於台座420之側方外。
基板保持器301、303具有可個別動作或休止之靜電夾盤302、304。因而,將對上側之基板保持器303的靜電夾盤304供給電力的饋線306設於基板分離裝置400。
又,至少下側之基板保持器301具有在厚度方向貫穿之貫穿孔305。貫穿孔305配置於比被夾在基板保持 器301、303之疊層基板102外側。因而,藉由致動器432而上昇之頂銷434可通過貫穿孔305而到達上側之基板保持器303。
第三十圖係顯示基板分離裝置400之動作的剖面圖。如圖顯示,在使台座420之真空夾盤422及下側之基板保持器301的靜電夾盤302動作狀態下,使頂銷434上昇。藉此,頂銷434之上端最後抵接於上側之基板保持器303的下面。
此時,下側之基板保持器301吸附固定於台座420。又,疊層基板102維持吸附於下側之基板保持器301而密合的狀態。因此,藉由致動器432使頂銷434進一步上昇時,上側之基板保持器303從下側之基板保持器301遠離,最後從疊層基板102分離而舉起。
第三十一圖係顯示基板分離裝置400之後續動作的剖面圖。如圖顯示,藉由致動器432使頂銷434下降,而使上側之基板保持器303下降。藉此,上側之基板保持器303再度抵接於疊層基板102之上表面而密合。
繼續,解除下側之基板保持器301藉由靜電夾盤302對疊層基板102之吸附,另外起動台座420對下側之基板保持器301的吸附,與上側之基板保持器303對疊層基板102之吸附。藉此,暫且分離之疊層基板102再度吸附於上側之基板保持器303而密合。
但是,疊層基板102及上側之基板保持器303藉由在加壓裝置130中之加壓的黏合已被解除。因而藉由解除基板保持器303之靜電夾盤304的動作,可確實解除基板保持器303對疊層基板102之吸附。
第三十二圖係顯示基板分離裝置400之後續動作的剖面圖。在維持藉由靜電夾盤304及真空夾盤422之吸 附的狀態下,藉由使致動器432動作,再度使頂銷上昇,而使上側之基板保持器303再度上昇。
此時,由於疊層基板102吸附於上側之基板保持器303,因此與上側之基板保持器303一起上昇,而與下側之基板保持器301分離。因此,在圖顯示之狀態的疊層基板102下方插入承載機等後,藉由解除靜電夾盤304之吸附,可單獨搬出疊層基板102。
如此,基板分離裝置400在比上側之基板保持器303更上方不具構造物。因而,特別是在上下方向小型化容易。因此,例如適合使用於收容於承載鎖定器200等的情況。
第三十三圖係顯示基板分離裝置500之其他構造的剖面圖。基板分離裝置500具備底板510、放置於底板510上之台座520及Z驅動部530。在台座520之上表面放置相互疊層之疊層基板102及基板保持器301、303。
基板保持器301、303具有可個別動作或休止之靜電夾盤302、304。因而,設置供給電力至上側之基板保持器303的靜電夾盤304之饋線306。
台座520具有吸附搭載於其上表面之基板保持器301的真空夾盤522。Z驅動部530配置於台座520之側方,且具有旋轉致動器532、昇降致動器534及頂桿536。旋轉致動器532使昇降致動器534及頂桿536在對底板510垂直之旋轉軸的周圍旋轉。昇降致動器534使頂桿536垂直於底板510而昇降。
另外,作用於頂桿536之負荷,與作用於第二十九圖所顯示之基板分離裝置400的頂銷434上的負荷並無相當變化,但是由於在頂桿536上作用有彎曲作用之應力,因此與頂銷434比較時,較佳為具有更大之彎曲剛 性。
在頂桿536之上端配置水平板540。水平板540在圖顯示之狀態下,具有接近頂桿536之直徑的寬度。但是如後述,在與紙面正交之方向具有更大之尺寸。因此,旋轉致動器532動作情況下,在圖上所見之寬度方向的尺寸變大。
第三十四圖係顯示基板分離裝置500之動作的剖面圖。如圖顯示,頂桿536藉由昇降致動器534之動作而上昇。藉此,配置於頂桿536上端之水平板540上昇至一對基板保持器301、303之間的高度。
其次,藉由旋轉致動器532使昇降致動器534及頂桿536旋轉。藉此,水平板540之一端在基板保持器301、303之周緣部進入基板保持器301、303之間。因此,頂桿536上昇時,可舉起上側之基板保持器303。
第三十五圖係顯示基板分離裝置500之後續動作的剖面圖。如圖顯示,在使台座520之真空夾盤522及下側之基板保持器301的靜電夾盤302動作狀態下,使昇降致動器534動作而使頂桿536上昇。藉此,在頂桿536之上端,水平板540抵接於上側之基板保持器303的下面。
此時,下側之基板保持器301吸附於台座520。又,疊層基板102吸附於下側之基板保持器301。因此,使頂桿536及水平板540進一步上昇時,基板保持器303從疊層基板102分離而被舉起。
第三十六圖係顯示基板分離裝置500之後續動作的剖面圖。如圖顯示,藉由昇降致動器534使頂桿536下降,而使上側之基板保持器303下降。藉此,上側之基板保持器303再度抵接於疊層基板102之上表面而密 合。
繼續,解除下側之基板保持器301藉由靜電夾盤302對疊層基板102之吸附,另外起動台座520對下側之基板保持器301的吸附,與上側之基板保持器303對疊層基板102之吸附。藉此,暫且分離之疊層基板102再度吸附於上側之基板保持器303。
另外,疊層基板102及上側之基板保持器303已經一度分離。藉此,疊層基板102及上側之基板保持器303在加壓裝置130中之加壓導致的黏合已被解除。因而,解除靜電夾盤304之動作時,可確實解除基板保持器303對疊層基板102之吸附。
第三十七圖係顯示基板分離裝置500之後續動作的剖面圖。在維持藉由上側之基板保持器303的靜電夾盤304吸附疊層基板102狀態下,藉由昇降致動器534使頂桿536上昇,上側之基板保持器303被舉起而再度上昇至水平板540。
此時,疊層基板102吸附於上側之基板保持器303的靜電夾盤304。另外,下側之基板保持器301吸附於台座520之真空夾盤522。藉此,疊層基板102及下側之基板保持器303被分離,而消除兩者之黏合。因此,藉由在圖顯示狀態的疊層基板102之下插入承載機等,並解除基板保持器303之吸附,可單獨搬出疊層基板102。
如此,基板分離裝置500在比上側之基板保持器303更上方亦不具構造物。因而,特別是在上下方向小型化容易。因此,適合使用於例如在承載鎖定器200等中收容基板分離裝置500之情況。
又,藉由使用具有水平板540之頂桿536,即使是 不具貫穿孔305之基板保持器301、303仍可分離疊層基板102。因此,基板分離裝置500之通用性增大,並且亦有助於基板保持器301、303之成本降低。
第三十八圖係顯示基板分離裝置600之其他構造的剖面圖。基板分離裝置600具備底板610、放置於底板610上之台座620及Z驅動部630。在台座620之上表面放置相互疊層之疊層基板102及基板保持器301、303。
基板保持器301、303具有可個別動作或休止之靜電夾盤302、304。不過,該實施形態不使用上側之基板保持器303的靜電夾盤304。因而,省去供給電力至靜電夾盤304之機構。
台座620具有吸附搭載於其上表面之基板保持器301的真空夾盤622。Z驅動部630配置於台座620之側方,並具有致動器632及頂銷634。再者,頂銷634包含晶圓支撐部631及保持器支撐部633。
致動器632使頂銷634垂直於底板510而昇降。頂銷634之上端兼保持器支撐部633。相對於此,晶圓支撐部631在頂銷634之中央形成水平之面。因而,頂銷634以晶圓支撐部631為邊界而改變粗細。又,晶圓支撐部631在疊層基板102之徑方向配置於內側。
另外,至少下側之基板保持器301具有貫穿於厚度方向之貫穿孔305。貫穿孔305配置於包含被基板保持器301、303夾著之疊層基板102的周緣部之區域。
第三十九圖係顯示基板分離裝置600之動作的剖面圖。如圖顯示,首先使台座620之真空夾盤622及下側之基板保持器301的靜電夾盤302動作。藉此,下載台330吸附下側之基板保持器301。又,下側之基板保持器301吸附疊層基板102。
其次,維持前述之吸附狀態並使致動器632動作,而使頂銷634上昇。上昇之頂銷634的保持器支撐部633通過貫穿孔305而上昇,最後通過疊層基板102之側方而到達上側之基板保持器303的下面。進一步使頂銷634上昇時,上側之基板保持器303藉由頂銷634而舉起。
此時,疊層基板102經由下側之基板保持器301而吸附於台座620。因而上側之基板保持器303從疊層基板102分離。另外,頂銷634之上昇在晶圓支撐部631抵接於疊層基板102的下面之前停止。
第四十圖係顯示基板分離裝置600之後續動作的剖面圖。如圖顯示,上側之基板保持器303從疊層基板102分離時,停止下側之基板保持器301的靜電夾盤302之動作。
繼續,在靜電夾盤302之吸附力已消除的時間,再度使致動器632動作,而使頂銷634進一步上昇。藉此,頂銷634之晶圓支撐部631抵接於疊層基板102之下面。進一步使頂銷上昇時,最後疊層基板102被頂銷634舉起而上昇。
此時,下側之基板保持器301吸附於台座620。因而,基板保持器301從疊層基板102分離。頂銷634中從晶圓支撐部631以上的部分亦擔任防止被舉起之疊層基板102從晶圓支撐部631掉落的護欄角色。
另外,在圖顯示之狀態下,上側之基板保持器303及疊層基板102同時搭載於頂銷634。但是,在從疊層基板102分離之時間,亦可從基板分離裝置600搬出上側之基板保持器303。藉此,可減低致動器632之負荷。
如此,基板分離裝置600亦在比上側之基板保持器303更上方不具構造物。因而,特別是在上下方向小型 化容易。又,可藉由頂銷634之連續性動作而分離疊層基板102。因此,可縮短基板分離所花費之時間,亦有助於基板貼合裝置100之生產量的提高。
第四十一圖係俯瞰基板保持器701之斜視圖。基板保持器701具有保持面104、凸緣部106及通氣孔702。
基板保持器701全體形成圓板狀,並在中央具有保持基板101之平坦的保持面104。凸緣部106鄰接於保持面104,並配置於保持面104之周圍。凸緣部106比保持面104薄,並在保持面104及凸緣部106之間形成階差105。
複數個通氣孔702之一端分別開口於保持面104。各個通氣孔702在圖上描繪成可目視之孔。但是,只要是具有可使乾燥空氣、氮等氣體流通的內徑,從保持保持面104之平坦性的觀點而言,通氣孔702宜具有更小之內徑。
第四十二圖係從下方仰視基板保持器701之斜視圖。在基板保持器701之下面為各個通氣孔702之另一端開口。亦即,各個通氣孔702在保持面104中係貫穿表裡而形成基板保持器701。
第四十三圖係顯示基板分離裝置700之其他構造的剖面圖。基板分離裝置700具備框體710、配置於框體710內側之Z驅動部720、下載台730及上載台740。
框體710具有各為水平且彼此平行之底板712及上方板716、以及結合底板712及上方板716之複數個支柱714。底板712、支柱714及上方板716分別具有高剛性,在伴隨疊層基板102之分離的反作用力作用下也不致變形。
在底板712之上表面經由Z驅動部720而配置下載 台730。Z驅動部720具有對底板712固定之汽缸722、及從汽缸722在上下方向進退之活塞724。下載台730固定於活塞724之上端。藉此,下載台730對底板712昇降。
下載台730具有真空夾盤732及通氣路徑731。真空夾盤732在供給負壓時,吸附保持裝載於下載台730上表面之平坦的對象物。
通氣路徑731在連通於負壓時,除了產生與真空夾盤732同樣之作用外,在供給加壓空氣等加壓之工作流體時,從下載台730之上表面吐出該工作流體。工作流體除了乾燥空氣之外,還可使用氮氣、氬氣等惰性氣體。
又,通氣路徑731具有檢測通氣路徑731之內部壓力的壓力感測器733。藉此,所供給之工作流體從通氣路徑731流出時,可從外部檢測其流出。
在上方板716之下面垂掛上載台740。上載台740在下面具有真空夾盤742及通氣路徑741。真空夾盤742在供給負壓時,在上載台740之下面吸附保持平坦之對象物。
通氣路徑741在連通於負壓時,除了產生與真空夾盤742同樣之作用外,在供給加壓之工作流體時,從上載台740之下面吐出該工作流體。又,通氣路徑741具有檢測通氣路徑741之內部壓力的壓力感測器743。藉此,所供給之工作流體從通氣路徑741流出時,可從外部檢測其流出。
第四十四圖、第四十五圖、第四十六圖、第四十七圖及第四十八圖係階段性顯示基板分離裝置700之動作圖。此等圖中在與第四十三圖共同之要素上註記相同參照編號,而省略重複之說明。又,亦包含第四十三圖, 在基板分離裝置700中裝填疊層基板102及夾著疊層基板102之一對基板保持器701。
第四十四圖係顯示基板分離裝置700之動作的剖面圖。如圖顯示,藉由使活塞724對汽缸722上昇,使下載台730上昇,而使疊層基板102及基板保持器701上昇。藉此,上側之基板保持器303的背面(上表面)抵接於上載台740而密合。
第四十五圖係顯示基板分離裝置700之後續動作的剖面圖。在該階段下載台730之真空夾盤732動作,而將下側之基板保持器701保持於下載台730。
又,亦在下載台730之通氣路徑731中供給負壓。通氣路徑731之負壓通過基板保持器701之通氣孔702而吸附疊層基板102之下面。藉此,疊層基板102亦對下載台730保持。另外,在吸附疊層基板102時壓力感測器733檢測負壓。
在上載台740中,於真空夾盤742中供給負壓。藉此上載台740吸附保持上側之基板保持器701。另外,在上載台740之通氣路徑741中供給加壓之工作流體。工作流體之壓力通過上側之基板保持器701的通氣孔702而作用於疊層基板102之上表面。此時在壓力感測器743中檢測壓力流體之壓力。
最後,藉由施加於疊層基板102之工作流體的壓力,因疊層基板102對上側之基板保持器701的污垢熔敷等造成之黏合脫落。此時,由於工作流體從基板保持器701及疊層基板102之間隙流出,因此壓力感測器743檢測出通氣路徑741之壓力降低。
第四十六圖係顯示基板分離裝置700之後續動作的剖面圖。壓力感測器743檢測出通氣路徑741內之壓力 降低時,在起動真空夾盤732、742對基板保持器701之吸附,以及通過通氣路徑731及通氣孔702而供給之負壓對疊層基板102的吸附狀態下,汽缸722對活塞724下降,藉此下載台730亦下降。
此時,在疊層基板102之上表面與上側之基板保持器701的下面之間,工作流體之壓力通過通氣路徑741及通氣孔702而作用。藉此,疊層基板102藉由工作流體從上側之基板保持器701擠開。如此,被剝開對基板保持器701之黏合的疊層基板102與吸附於下載台730之下側的基板保持器701一起下降。
但是,上側之基板保持器701被真空夾盤742吸附而保留於上載台740。如此,疊層基板102從上側之基板保持器701分離。另外,由於疊層基板102係藉由工作流體之壓力從上側之基板保持器701剝開,因此下載台730及下側之基板保持器701可以少許吸附力繼續保持疊層基板102。又,上載台740亦以少許之吸附力而繼續保持上側之基板保持器701。
另外,對疊層基板102及基板保持器701之間供給工作流體,亦可在從基板保持器701分離疊層基板102之後繼續。藉此,可吹掉露出於疊層基板102及基板保持器701表面之污垢等,以潔淨疊層基板102之表面。
第四十七圖係顯示基板分離裝置700之其次動作的剖面圖。如圖顯示,使活塞724對汽缸722再度上昇,而使疊層基板102及一對基板保持器701再度密合於上載台740。再者,使下載台730之真空夾盤732與上載台740之真空夾盤742分別動作,而使下載台730及上載台740分別保持基板保持器701。
再者,在下載台730之通氣路徑731中供給加壓之 工作流體。藉此,壓力感測器733中檢測出加壓之工作流體的高壓力。
另外,在上載台之通氣路徑741中供給負壓。藉此,工作流體之壓力作用於疊層基板102之下面,另外疊層基板102之上表面吸附於上側的基板保持器701。
最後,藉由施加於疊層基板102之工作流體的壓力,因疊層基板102對下側之基板保持器701的污垢熔敷等造成之黏合脫落。此時,由於工作流體從基板保持器701及疊層基板102之間隙流出,因此壓力感測器733檢測出通氣路徑741之壓力降低。
第四十八圖係顯示基板分離裝置700之後續動作的剖面圖。壓力感測器733檢測出通氣路徑731之壓力降低時,在起動真空夾盤732、742對基板保持器701之吸附,與通過通氣路徑741及通氣孔702而供給之負壓對疊層基板102的吸附狀態下,汽缸722對活塞724下降。藉此下載台730下降。
此時,工作流體之壓力通過通氣路徑731及通氣孔702而作用於疊層基板102之下面與下側之基板保持器701的上表面之間。藉由加壓之工作流體的作用,疊層基板102從下側之基板保持器701擠開。如此,被剝開對基板保持器701之黏合的疊層基板102與吸附於上載台740之上側的基板保持器701一起上昇。
下側之基板保持器701吸附於真空夾盤732而保留於下載台730。如此,疊層基板102從下側之基板保持器701分離。另外,由於疊層基板102藉由工作流體之壓力而從下側之基板保持器701剝開,因此上載台740及上側之基板保持器701可以少許之吸附力繼續保持疊層基板102。又,下載台730亦可以少許之吸附力繼續 保持下側之基板保持器701。
在圖顯示之狀態,由於已經釋放了疊層基板102之下面,因此,可在疊層基板102之下插入承載機等。再者,藉由停止對上側之通氣路徑741供給負壓,疊層基板102被釋放,可從基板分離裝置700單獨搬出。
另外,對疊層基板102及基板保持器701之間供給工作流體,亦可在從基板保持器701分離疊層基板102之後繼續。藉此,可吹掉露出於疊層基板102及基板保持器701表面之污垢等,以潔淨疊層基板102之表面。
又,在圖顯示之狀態,疊層基板102之上表面密合於上側之基板保持器701的下面。但是,在第四十六圖所顯示之階段,疊層基板102因污垢等之熔敷而造成的黏合被釋放。因此藉由解開負壓對疊層基板102之吸附,可確實搬出疊層基板102。
再者,前述之說明係先分離上側之基板保持器701,其次分離下側之基板保持器701。但是,即使顛倒該順序,先分離下側之基板保持器701後,而後分離上側之基板保持器701當然亦無妨。
另外,基板保持器701對下載台730及上載台740之吸附並非限定於真空夾盤732、742。亦可適用靜電夾盤等其他構造。再者,基於協助搬出在搬出疊層基板102之後保留的基板保持器701之目的,亦可設置從下載台730舉起基板保持器701之頂銷,不過圖示省略。
第四十九圖係概略顯示其他分離裝置810之構造的剖面圖。分離裝置810具備滑動台812、側方夾持器(side clamper)814及保持器推桿816。該分離裝置810中,夾著疊層基板102之一對基板保持器103放置於滑動台812之上表面。
滑動台812之上表面平坦且平滑,所搭載之基板保持器103滑動時不妨礙其移動。又,在滑動台812之上表面與基板保持器103之下面均無損傷。
側方夾持器814係夾著被基板保持器103所夾著之疊層基板102的側面而保持。此處,側方夾持器814不接觸於基板保持器103。
保持器推桿816對此種側方夾持器814,使雙叉之頂端抵接於基板保持器103的側面。藉此,保持器推桿816不抵接於疊層基板102及側方夾持器814之側面,可從側方推擠基板保持器103。
第五十圖係顯示藉由前述之分離裝置810分離疊層基板102的狀態圖。在與第四十九圖共同之要素上註記相同參照編號,而省略重複之說明。
如圖顯示,分離裝置810中,在側方夾持器814從側面保持疊層基板102而固定位置的狀態下,保持器推桿816從側方水平地推擠基板保持器103。藉此,基板保持器103與疊層基板102分離,並如圖中藉由箭頭A所顯示,在滑動台812上滑動。藉此可分離疊層基板102及一對基板保持器103。
第五十一圖係概略顯示另外分離裝置820之構造的剖面圖。分離裝置820具備一對保持器支架822及側方夾持器824。
保持器支架822內藏保持基板保持器103之真空夾盤826。又,保持器支架822藉由旋轉器828而支撐,並在垂直旋轉軸的周圍個別地旋轉。側方夾持器824從側面夾著被基板保持器103所夾著之疊層基板102而保持。
第五十二圖係顯示藉由前述分離裝置820分離疊層 基板102之狀態圖。在與第五十一圖共同之要素上註記相同參照編號,而省略重複之說明。
如圖顯示,分離裝置820中,首先側方夾持器814從側面保持疊層基板102而固定位置。其次,在該狀態下起動真空夾盤826,而使基板保持器103保持於保持器支架822上。
其次,如圖中藉由箭頭B所顯示,藉由旋轉器828使保持器支架822旋轉,而對基板保持器103作用旋轉力。藉此在疊層基板102及基板保持器103之間作用剪力,而釋放疊層基板102對基板保持器103之黏合。
再者,如圖中藉由箭頭C所顯示,藉由使保持器支架822移動於彼此離開之方向,而分離疊層基板102及基板保持器103。疊層基板102在從基板保持器103分離之狀態下,單獨保持於側方夾持器824。
第五十三圖係概略顯示另外分離裝置830之構造的剖面圖。分離裝置830具備保持器支架832、側方夾持器834及保持器分離器839。
保持器支架832內藏吸附基板保持器103而保持之真空夾盤836。又,保持器支架832藉由昇降機838支撐,並沿著垂直方向接近或離開。側方夾持器834從側面夾著被基板保持器103所夾著的疊層基板102而保持。
保持器分離器839之頂端插入一對基板保持器103之間。保持器分離器839之頂端具有形成雙叉之部分。該頂端部分抵接於一對基板保持器103兩者。
第五十四圖係顯示藉由前述分離裝置830分離疊層基板102之狀態圖。在與第五十三圖共同之要素上註記相同參照編號,而省略重複之說明。
如圖顯示,分離裝置830中,首先側方夾持器834從側面保持疊層基板102而固定位置。其次,在該狀態下起動真空夾盤836,使基板保持器103保持於保持器支架822。
其次,如圖中箭頭D所顯示,使保持器分離器839在水平之旋轉軸的周圍旋轉,在頂端之雙叉部分擴展一對基板保持器103之間隔。再者,如圖中箭頭E所顯示,使昇降機838動作,而使保持器支架832移動於一對基板保持器103彼此離開之方向。如此,在將疊層基板102從基板保持器103分離之狀態下可單獨保持側方夾持器824。
第五十五圖係概略顯示又另外分離裝置840之構造的剖面圖。分離裝置840具備保持器支架842及抽取器844。
保持器支架842內藏吸附基板保持器103而保持之真空夾盤846。又,保持器支架842藉由昇降機848支撐而沿著垂直方向接近或離開。
再者,各個保持器支架842使保持基板保持器103之面的一部分陷下而具有側堤壩843。因而如圖中箭頭F所顯示,昇降機848使保持器支架842接近,而在保持器支架842上保持基板保持器103時,基板保持器103之側面接觸於側堤壩843之側壁。
抽取器844從側面夾著被基板保持器103所夾著的疊層基板102而保持。又,抽取器844在保持疊層基板102之狀態下可在水平方向移動。
第五十六圖係顯示藉由前述分離裝置840分離疊層基板102之狀態圖。在與第五十五圖共同之要素上註記相同參照編號,而省略重複之說明。
該分離裝置840中,在使真空夾盤846動作,而使基板保持器103吸附於保持器支架842的狀態下,如圖中箭頭G所顯示,抽取器844將疊層基板102向側方抽出。此時,各個基板保持器103被側堤壩843阻止而不向側方移動。因而抽取器844係單獨保持從基板保持器103所分離之疊層基板102。
以上,係使用實施形態說明本發明,不過本發明之技術性範圍不限定於前述實施形態中記載之範圍。熟悉該技術之業者明瞭前述實施形態中可加以多種變更或改良。從申請專利範圍即可明瞭加以此種變更或改良之形態亦包含於本發明之技術性範圍。
請注意申請專利範圍、說明書及圖式中顯示之裝置、系統、程式及方法中的動作、程序、步驟及階段等各處理的執行順序,只要沒有特別明示為「更早」、「之前」等,且並非將之前處理的輸出在爾後處理中使用時,可以任意之順序實現。關於申請專利範圍、說明書及圖式中的動作流程,即使權宜上使用「首先」、「其次」等作說明,並不表示必須以該順序實施。
100‧‧‧基板貼合裝置
101‧‧‧基板
102‧‧‧疊層基板
103‧‧‧基板保持器
104‧‧‧保持面
105‧‧‧階差
106‧‧‧凸緣部
107‧‧‧溝
108‧‧‧貫穿孔
109‧‧‧饋電端子
110‧‧‧外殼
111‧‧‧FOUP
112‧‧‧氣密壁
120‧‧‧環境承載機
121‧‧‧大氣承載機
122‧‧‧叉子
123‧‧‧叉子
124‧‧‧防落爪
125‧‧‧導軌
126‧‧‧折疊臂
130‧‧‧加壓裝置
131‧‧‧裝入口
132‧‧‧外殼
134‧‧‧壓下部
136‧‧‧加熱板
138‧‧‧平台
140‧‧‧保持器暫存盒
150‧‧‧預對準器
160‧‧‧對準器
161‧‧‧底板
162‧‧‧框體
163‧‧‧支柱
165‧‧‧上方板
170‧‧‧下載台
171‧‧‧顯微鏡
172‧‧‧汽缸
174‧‧‧活塞
180‧‧‧驅動部
182‧‧‧導軌
184‧‧‧X驅動部
186‧‧‧Y驅動部
190‧‧‧上載台
191‧‧‧顯微鏡
200‧‧‧承載鎖定器
201‧‧‧第一分離機構
202‧‧‧第二分離機構
210‧‧‧外殼
212、214‧‧‧閘閥
220‧‧‧頂銷
222‧‧‧致動器
224‧‧‧承重感測器
230‧‧‧頂板
232‧‧‧致動器
240‧‧‧頂銷
242‧‧‧致動器
244‧‧‧承重感測器
250‧‧‧台座
252‧‧‧致動器
300‧‧‧基板分離裝置
301、303‧‧‧基板保持器
302、304‧‧‧靜電夾盤
305‧‧‧貫穿孔
310‧‧‧框體
312‧‧‧底板
314‧‧‧支柱
316‧‧‧上方板
320‧‧‧Z驅動部
322‧‧‧汽缸
324‧‧‧活塞
330‧‧‧下載台
332‧‧‧真空夾盤
340‧‧‧上載台
342‧‧‧真空夾盤
400‧‧‧基板分離裝置
410‧‧‧底板
420‧‧‧台座
422‧‧‧真空夾盤
430‧‧‧Z驅動部
432‧‧‧致動器
434‧‧‧頂銷
500‧‧‧基板分離裝置
510‧‧‧底板
520‧‧‧台座
522‧‧‧真空夾盤
530‧‧‧Z驅動部
532‧‧‧旋轉致動器
534‧‧‧昇降致動器
536‧‧‧頂桿
540‧‧‧水平板
600‧‧‧基板分離裝置
610‧‧‧底板
620‧‧‧台座
622‧‧‧真空夾盤
630‧‧‧Z驅動部
631‧‧‧晶圓支撐部
632‧‧‧致動器
633‧‧‧保持器支撐部
634‧‧‧頂銷
700‧‧‧基板分離裝置
701‧‧‧基板保持器
702‧‧‧通氣孔
710‧‧‧框體
712‧‧‧底板
714‧‧‧支柱
716‧‧‧上方板
720‧‧‧Z驅動部
722‧‧‧汽缸
724‧‧‧活塞
730‧‧‧下載台
731‧‧‧通氣路徑
732‧‧‧真空夾盤
733‧‧‧壓力感測器
740‧‧‧上載台
741‧‧‧通氣路徑
742‧‧‧真空夾盤
743‧‧‧壓力感測器
810‧‧‧分離裝置
812‧‧‧滑動台
814‧‧‧側方夾持器
816‧‧‧保持器推桿
820‧‧‧分離裝置
822‧‧‧保持器支架
824‧‧‧側方夾持器
826‧‧‧真空夾盤
828‧‧‧旋轉器
830‧‧‧分離裝置
832‧‧‧保持器支架
834‧‧‧側方夾持器
836‧‧‧真空夾盤
838‧‧‧昇降機
839‧‧‧保持器分離器
840‧‧‧分離裝置
842‧‧‧保持器支架
843‧‧‧側堤壩
844‧‧‧抽取器
846‧‧‧真空夾盤
848‧‧‧昇降機
第一圖係基板貼合裝置100之平面圖。
第二圖係對準器160之縱剖面圖。
第三圖係對準器160之縱剖面圖。
第四圖係加壓裝置130之縱剖面圖。
第五圖係俯瞰基板保持器103之斜視圖。
第六圖係仰視基板保持器103之斜視圖。
第七圖係顯示基板101之狀態轉移的剖面圖。
第八圖係顯示基板101之狀態轉移的剖面圖。
第九圖係顯示基板101之狀態轉移的剖面圖。
第十圖係顯示基板101之狀態轉移的剖面圖。
第十一圖係承載鎖定器200之縱剖面圖。
第十二圖係承載鎖定器200之水平剖面圖。
第十三圖係第一分離機構201之動作概要的流程圖。
第十四圖係顯示從基板保持器103分離疊層基板102之過程圖。
第十五圖係顯示從基板保持器103分離疊層基板102之過程圖。
第十六圖係顯示從基板保持器103分離疊層基板102之過程圖。
第十七圖係顯示從基板保持器103分離疊層基板102之過程圖。
第十八圖係第二分離機構202之動作概要的流程圖。
第十九圖係顯示從基板保持器103分離疊層基板102之過程圖。
第二十圖係顯示從基板保持器103分離疊層基板102之過程圖。
第二十一圖係顯示從基板保持器103分離疊層基板102之過程圖。
第二十二圖係顯示從基板保持器103分離疊層基板102之過程圖。
第二十三圖係顯示基板分離裝置300之構造的剖面圖。
第二十四圖係顯示基板分離裝置300之動作的剖面圖。
第二十五圖係顯示基板分離裝置300之動作的剖面圖。
第二十六圖係顯示基板分離裝置300之動作的剖面圖。
第二十七圖係顯示基板分離裝置300之動作的剖面圖。
第二十八圖係顯示基板分離裝置300之動作的剖面圖。
第二十九圖係顯示基板分離裝置400之構造的剖面圖。
第三十圖係顯示基板分離裝置400之動作的剖面圖。
第三十一圖係顯示基板分離裝置400之動作的剖面圖。
第三十二圖係顯示基板分離裝置400之動作的剖面圖。
第三十三圖係顯示基板分離裝置400之動作的剖面圖。
第三十四圖係顯示基板分離裝置400之動作的剖面圖。
第三十五圖係顯示基板分離裝置500之構造的剖面圖。
第三十六圖係顯示基板分離裝置500之動作的剖面圖。
第三十七圖係顯示基板分離裝置500之動作的剖面圖。
第三十八圖係顯示基板分離裝置600之構造的剖面圖。
第三十九圖係顯示基板分離裝置600之動作的剖面圖。
第四十圖係顯示基板分離裝置600之動作的剖面圖。
第四十一圖係俯瞰基板保持器701之斜視圖。
第四十二圖係仰視基板保持器701之斜視圖。
第四十三圖係顯示基板分離裝置700之構造的剖面圖。
第四十四圖係顯示基板分離裝置700之動作的剖面圖。
第四十五圖係顯示基板分離裝置700之動作的剖面圖。
第四十六圖係顯示基板分離裝置700之動作的剖面圖。
第四十七圖係顯示基板分離裝置700之動作的剖面圖。
第四十八圖係顯示基板分離裝置700之動作的剖面圖。
第四十九圖係概略顯示分離裝置810之構造的剖面圖。
第五十圖係顯示疊層基板102被分離之狀態圖。
第五十一圖係概略顯示分離裝置820之構造的剖面圖。
第五十二圖係顯示疊層基板102被分離之狀態圖。
第五十三圖係概略顯示分離裝置830之構造的剖面圖。
第五十四圖係顯示疊層基板102被分離之狀態圖。
第五十五圖係概略顯示分離裝置840之構造的剖面 圖。
第五十六圖係顯示疊層基板102被分離之狀態圖。
200‧‧‧承載鎖定器
201‧‧‧第一分離機構
202‧‧‧第二分離機構
210‧‧‧外殼
212、214‧‧‧閘閥
220‧‧‧頂銷
222‧‧‧致動器
224‧‧‧承重感測器
230‧‧‧頂板
232‧‧‧致動器
240‧‧‧頂銷
242‧‧‧致動器
244‧‧‧承重感測器
250‧‧‧台座
252‧‧‧致動器

Claims (43)

  1. 一種基板分離方法,係使具有疊層的複數個基板的疊層基板、與夾著前述疊層基板的第一保持器及第二保持器分別分離的基板分離方法,其包含:第一分離階段,其係為了使前述疊層基板與前述第一保持器互相分離,而使前述疊層基板及前述第一保持器相對移動;及第二分離階段,其係為了使前述疊層基板與前述第二保持器互相分離,而使前述疊層基板及前述第二保持器相對移動。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板分離方法,其中包含:第一搬運階段,其係搬運在前述第一分離階段已分離的前述第一保持器;第二搬運階段,其係搬運在前述第二分離階段已分離的前述第二保持器;及第三搬運階段,其係搬運從前述第一保持器及前述第二保持器已分離的前述疊層基板。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板分離方法,其中前述第一搬運階段及前述第二搬運階段係分別在前述第三搬運階段執行後執行。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板分離方法,其中前述第一保持器配置於前述疊層基板之下側,前述第二保持器配置於前述疊層基板之上側;前述第二分離階段係在前述第一分離階段執行後執行。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板分離方法,其中前述第一搬運階段及前述第三搬運階段係分別在前述第二搬運階段執行後執行。
  6. 如申請專利範圍第2項至第5項中任一項之基板分離方法,其中前述疊層基板在被前述第一保持器及前述第二保持器夾著的狀態被加壓而接合;在前述第一分離階段,將藉由加壓而固裝於前述第一保持器的前述疊層基板從前述第一保持器剝開;在前述第二分離階段,將藉由加壓而固裝於前述第二保持器的前述疊層基板從前述第二保持器剝開。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板分離方法,其中前述疊層基板在被前述第一保持器及前述第二保持器夾著的狀態被加熱而接合;在前述第一分離階段,將藉由加熱而固裝於前述第一保持器之前述疊層基板從前述第一保持器剝開;在前述第二分離階段,將藉由加熱而固裝於前述第二保持器之前述疊層基板從前述第二保持器剝開。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板分離方法,其中前述第一保持器及前述第二保持器分別具有吸附前述疊層基板的吸附部;在前述第一分離階段,藉由前述第二保持器之前述吸附部來吸附前述疊層基板,在利用前述第一保持器之前述吸附部所引起前述疊層基板之吸附被解除的狀態,為了從前述第一保持器剝開前述疊層基板,使力量作用於前述第一保持器、前述第二保持器及前述疊層基板至少其中之一;在前述第二分離階段,將在前述第一分離階段對前述第一保持器之固裝被解除的前述疊層基板吸附於前述第一保持器之前述吸附部,在利用前述第二保持器之前述吸附部所引起前述疊層基板之吸附被解除的狀態,為了從前述第二保持器剝開前述疊層基 板,使力量作用於前述第一保持器、前述第二保持器及前述疊層基板至少其中之一。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板分離方法,其中在前述第三搬運階段,解除在前述第二分離階段前述疊層基板吸附於前述第一保持器之前述吸附部這個動作。
  10. 如申請專利範圍第8項項之基板分離方法,其中在前述第二分離階段,在前述疊層基板吸附於前述第二保持器這個動作被解除的狀態,使抵接部抵接於前述第二保持器或前述疊層基板,藉以從第一保持器分離前述疊層基板。
  11. 如申請專利範圍第8項之基板分離方法,其中前述吸附部之吸附力係靜電吸附力。
  12. 如申請專利範圍第8項之基板分離方法,其中前述吸附部之吸附力係真空吸附力。
  13. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項之基板分離方法,其中在前述第一分離階段,藉由使第一抵接部貫穿於前述第一保持器,並抵接於前述第二保持器,而從前述第一保持器推離前述第二保持器;在前述第二分離階段,藉由使第二抵接部貫穿於前述第一保持器,並抵接於前述疊層基板,而從前述第一保持器推離前述疊層基板。
  14. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項之基板分離方法,其中在前述第一分離階段及前述第二分離階段,使前述第一保持器及前述第二保持器至少其中之一方移動的情況下,使與從前述一方之保持器接受的分離力對抗的對抗力,作用於前述疊層基板;在前述第一分離階段及前述第二分離階段,使前述疊層基板移動的情況下,使與從前述疊層基板接受的分離力對 抗的對抗力,作用於前述第一保持器及前述第二保持器至少其中之一方。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板分離方法,其中前述對抗力係擠壓力或吸引力。
  16. 如申請專利範圍第14項之基板分離方法,其中在前述第一分離階段使前述第一保持器移動,在前述第二分離階段使前述第二保持器移動;前述第一分離階段具有第一力量作用階段,該第一力量作用階段使與藉由前述第一保持器之移動而從前述第一保持器接受的分離力相對的前述對抗力作用於前述疊層基板;前述第二分離階段具有第二力量作用階段,該第二力量作用階段使與藉由前述第二保持器之移動而從前述第二保持器接受的分離力相對的前述對抗力作用於前述疊層基板。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板分離方法,其中在前述第一力量作用階段及前述第二力量作用階段,藉由握持部件握持前述疊層基板,藉以對前述疊層基板施加前述對抗力;在前述第一分離階段及前述第二分離階段,在前述疊層基板被前述握持部件握持的狀態,使前述第一保持器及前述第二保持器至少其中之一方相對於前述疊層基板移動。
  18. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項之基板分離方法,其中在前述第一分離階段及前述第二分離階段,分別使前述疊層基板移動;前述第一分離階段具有第一力量作用階段,該第一力量作用階段使與藉由前述疊層基板之移動而從 前述疊層基板接受的分離力對抗的對抗力作用於前述第一保持器;前述第二分離階段具有第二力量作用階段,該第二力量作用階段使與藉由前述疊層基板之移動而從前述疊層基板接受的分離力相對的對抗力作用於前述第二保持器。
  19. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項之基板分離方法,其中前述第一分離階段及前述第二分離階段同時實施。
  20. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項之基板分離方法,其中在前述第一分離階段及前述第二分離階段至少其中之一方,在前述疊層基板與前述第一保持器之間或在前述疊層基板與前述第二保持器之間供給被加壓的工作流體,使前述疊層基板與前述第一保持器分離或使前述疊層基板與前述第二保持器分離。
  21. 如申請專利範圍第20項之基板分離方法,其中前述工作流體包含乾燥空氣、氮氣及氬氣之任何一個。
  22. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項之基板分離方法,其中具有第一固定階段,該第一固定階段將前述第一保持器固定於第一固定部;在前述第一分離階段,使在前述第一固定階段固定於前述第一固定部之前述第一保持器與前述第二保持器彼此相對移動。
  23. 如申請專利範圍第22項之基板分離方法,其中具有第二固定階段,該第二固定階段將前述第二保持器固定於第二固定部;在前述第二分離階段,使固定了前述第一保持器之前述第一固定部與固定了前述第二保持器之前述 第二固定部相對移動。
  24. 一種半導體裝置之製造方法,其包含申請專利範圍第1項至第23項中任一項之基板分離方法。
  25. 一種基板分離装置,係使具有疊層的複數個基板的疊層基板、與夾著前述疊層基板的第一保持器及第二保持器分別分離的基板分離装置,其包含:第一分離部,其係為了使前述疊層基板與前述第一保持器互相分離,而使前述疊層基板及前述第一保持器相對移動;及第二分離部,其係為了使前述疊層基板與前述第二保持器互相分離,而使前述疊層基板及前述第二保持器相對移動。
  26. 如申請專利範圍第25項之基板分離裝置,其中具備基板保持部,係將前述疊層基板保持於與前述第一保持器及前述第二保持器之任何一個接觸的狀態。
  27. 如申請專利範圍第26項之基板分離裝置,其中前述第一分離部在藉由前述基板保持部保持前述疊層基板對前述第二保持器接觸之狀態下,使前述第一保持器及前述第二保持器相對移動;前述第二分離部在藉由前述基板保持部保持前述疊層基板對前述第一保持器接觸之狀態的狀態下,使前述第一保持器及前述第二保持器相對移動。
  28. 如申請專利範圍第26項或第27項之基板分離裝置,其中前述基板保持部具有擠壓部,該擠壓部將前述疊層基板擠壓於前述第一保持器或前述第二保持器。
  29. 如申請專利範圍第26項或第27項中任一項之基板分離裝置,其中前述第一保持器及前述第二保持器具有吸附前述疊層基板之吸附部,前述基板保持部供給吸 附力至前述吸附部。
  30. 如申請專利範圍第29項之基板分離裝置,其中前述吸附力係靜電吸附力。
  31. 如申請專利範圍第29項之基板分離裝置,其中前述吸附力係真空吸附力。
  32. 如申請專利範圍第26項或第27項中任一項之基板分離裝置,其中利用前述第一分離部進行分離時,將前述疊層基板保持於第二保持器,且解除前述疊層基板對前述第一保持器之保持;利用前述第二分離部進行分離時,將前述疊層基板保持於前述第一保持器,且解除前述疊層基板保持於前述第二保持器這個動作。
  33. 如申請專利範圍第25項至第27項中任一項之基板分離裝置,其中前述第一分離部為使前述疊層基板從前述第一保持器分離,而具有抵接於前述疊層基板之抵接部。
  34. 如申請專利範圍第33項之基板分離裝置,其中前述抵接部貫穿前述第一保持器而抵接於前述疊層基板。
  35. 如申請專利範圍第25項至第27項中任一項之基板分離裝置,其中前述第二分離部具有抵接部,該抵接部貫穿前述第一保持器而抵接於前述第二保持器。
  36. 如申請專利範圍第25項之基板分離裝置,其中具備基板保持部,該基板保持部藉由使擠壓力或吸引力作用於前述疊層基板,而將前述疊層基板保持於指定之位置。
  37. 如申請專利範圍第25項至第27項中任一項之基板分離裝置,其中具備保持前述第一保持器之第一保持部、以及保持前述第二保持器之第二保持部; 前述第一分離部及前述第二分離部使保持於前述第一保持部之前述第一保持器與保持於前述第二保持部之前述第二保持器彼此相對移動。
  38. 如申請專利範圍第37項之基板分離裝置,其中前述第一保持部及前述第二保持部至少其中之一方包含真空夾盤,該真空夾盤藉由負壓而吸附前述疊層基板。
  39. 如申請專利範圍第25項至第27項中任一項之基板分離裝置,其中前述第一分離部及前述第二分離部至少其中之一方具有流通路徑,該流通路徑係在前述疊層基板與前述第一保持器或前述第二保持器之間供給被加壓之工作流體,而使前述疊層基板與前述第一保持器或前述第二保持器分離。
  40. 如申請專利範圍第39項之基板分離裝置,其中前述工作流體包含乾燥空氣、氮氣及氬氣之任何一個。
  41. 如申請專利範圍第25項至第27項中任一項之基板分離裝置,其中具備:應力檢測部,其係檢測作用於前述疊層基板之應力;及控制部,其係依前述應力檢測部檢測出之應力大小而使前述第一分離部及前述第二分離部停止。
  42. 一種承載鎖定裝置,其具備申請專利範圍第25項至第41項中任一項之基板分離裝置,在排氣中或供氣中,從前述第一保持器及前述第二保持器分離前述疊層基板。
  43. 一種基板貼合裝置,其具備申請專利範圍第25項至第41項中任一項之基板分離裝置。
TW100106156A 2010-02-25 2011-02-24 Substrate separation device, manufacturing method of semiconductor device, load lock device, substrate bonding device and substrate separation method TWI534938B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010040104 2010-02-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201135866A TW201135866A (en) 2011-10-16
TWI534938B true TWI534938B (zh) 2016-05-21

Family

ID=44506524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100106156A TWI534938B (zh) 2010-02-25 2011-02-24 Substrate separation device, manufacturing method of semiconductor device, load lock device, substrate bonding device and substrate separation method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8932432B2 (zh)
EP (1) EP2541587B1 (zh)
JP (1) JP5733300B2 (zh)
KR (1) KR101770009B1 (zh)
TW (1) TWI534938B (zh)
WO (1) WO2011105100A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI463593B (zh) * 2012-01-18 2014-12-01 Himax Tech Ltd 對位系統
US8945344B2 (en) * 2012-07-20 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods of separating bonded wafers
KR102007042B1 (ko) * 2012-09-19 2019-08-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 박리 장치
US8898928B2 (en) * 2012-10-11 2014-12-02 Lam Research Corporation Delamination drying apparatus and method
CN103846646A (zh) * 2012-12-07 2014-06-11 富泰华工业(深圳)有限公司 拆卸装置
US9543197B2 (en) * 2012-12-19 2017-01-10 Intel Corporation Package with dielectric or anisotropic conductive (ACF) buildup layer
US9741591B2 (en) * 2012-12-31 2017-08-22 Flir Systems, Inc. Wafer level packaging of microbolometer vacuum package assemblies
CN104626727B (zh) * 2013-11-13 2016-10-05 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 下料机构
KR20150064993A (ko) 2013-12-04 2015-06-12 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
KR102075994B1 (ko) * 2014-03-25 2020-02-12 삼성전자주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
CN106710442B (zh) * 2015-10-21 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 背光源分离设备
JP6659332B2 (ja) * 2015-12-07 2020-03-04 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理装置の真空吸着テーブルから基板を脱着する方法、及び、基板処理装置の真空吸着テーブルに基板を載置する方法
CN111081817A (zh) * 2019-12-26 2020-04-28 吕晨康 一种太阳能电池板组件层压敷设装置
US11107716B1 (en) * 2020-02-06 2021-08-31 Pyxis Cf Pte. Ltd. Automation line for processing a molded panel
TWM596345U (zh) * 2020-03-05 2020-06-01 晶元光電股份有限公司 氣體感測器的量測設備

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5240546A (en) * 1991-04-26 1993-08-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatus for peeling semiconductor substrate
JPH06268051A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置
US5972780A (en) * 1996-08-22 1999-10-26 Nippon Telegraph Telephone Corporation Thin film forming apparatus and method
JP2001085715A (ja) * 1999-09-09 2001-03-30 Canon Inc 半導体層の分離方法および太陽電池の製造方法
JP2002100595A (ja) * 2000-07-21 2002-04-05 Enya Systems Ltd ウエ−ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ−ハ処理装置
JP2002353081A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び分離方法
JP2003017669A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Canon Inc 部材の分離方法及び分離装置
JP4270434B2 (ja) * 2002-11-29 2009-06-03 シャープ株式会社 基板移載装置並びに基板の取り出し方法および基板の収納方法
JP4626160B2 (ja) 2004-03-04 2011-02-02 株式会社ニコン ウェハ重ね合わせ方法及びウェハ重ね合わせ装置
EP1730737B1 (en) * 2004-03-22 2013-01-16 Singulus Technologies AG Method and apparatus for separating disc-shaped substrates
JP4668052B2 (ja) 2005-12-06 2011-04-13 東京応化工業株式会社 剥離装置
CN103258762B (zh) * 2007-08-10 2016-08-03 株式会社尼康 基板贴合装置及基板贴合方法
TW200922789A (en) * 2007-10-26 2009-06-01 Shibaura Mechatronics Corp Apparatus for bonding substrates and method of bonding substrates
US8245751B2 (en) * 2007-11-07 2012-08-21 Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. Substrate bonding apparatus
JP4955070B2 (ja) * 2007-11-09 2012-06-20 株式会社アルバック 貼合せ基板製造装置および貼合せ基板製造方法
JP2009154407A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Tdk Corp 剥離装置、剥離方法および情報記録媒体製造方法
JP2009267043A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Nikon Corp 接合装置および接合方法
JP5291392B2 (ja) * 2008-06-18 2013-09-18 東京応化工業株式会社 支持板剥離装置
JP2010010207A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
WO2010095215A1 (ja) * 2009-02-17 2010-08-26 信越エンジニアリング株式会社 ワーク搬送装置及び真空貼り合わせ方法
TWI410329B (zh) * 2009-03-09 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 可撓式裝置的取下設備及其取下方法
CN102202994B (zh) * 2009-08-31 2014-03-12 旭硝子株式会社 剥离装置
US8334191B2 (en) * 2009-12-11 2012-12-18 Twin Creeks Technology, Inc. Two-chamber system and method for serial bonding and exfoliation of multiple workpieces

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130007585A (ko) 2013-01-18
JPWO2011105100A1 (ja) 2013-06-20
WO2011105100A1 (ja) 2011-09-01
US8932432B2 (en) 2015-01-13
TW201135866A (en) 2011-10-16
JP5733300B2 (ja) 2015-06-10
KR101770009B1 (ko) 2017-08-21
EP2541587A1 (en) 2013-01-02
EP2541587A4 (en) 2017-04-05
US20130048222A1 (en) 2013-02-28
EP2541587B1 (en) 2020-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI534938B (zh) Substrate separation device, manufacturing method of semiconductor device, load lock device, substrate bonding device and substrate separation method
JP5273791B2 (ja) 基板への接着テープ貼り付け装置
JP2005109157A (ja) 粘着テープ付ワークの離脱方法及び離脱装置
KR20110035904A (ko) 보호 테이프 박리 방법 및 그 장치
JP2007281050A (ja) 半導体ウエハのウエハトレイ
TWI677061B (zh) 半導體晶片的拾取裝置、半導體晶片的封裝裝置
JP2005150177A (ja) 半導体ウエハ裏面への粘着テープ貼付方法及び粘着テープ貼付装置
WO2003069660A1 (fr) Mecanisme de transport d'objets de type plaque et dispositif associe de decoupage en des
JP4941944B2 (ja) 基板への接着テープの貼り付け方法及び貼り付け装置
WO2013128710A1 (ja) 塗布装置、基板保持装置および基板保持方法
JP2009246067A5 (zh)
JP5428638B2 (ja) ステージ装置、基板貼り合わせ装置、基板貼り合わせ方法、半導体製造方法および基板ホルダ
JP5630020B2 (ja) 基板重ね合わせ装置および重ね合わせ方法
JP6135113B2 (ja) 基板貼合装置、基板貼合方法および基板貼合プログラム
JP5493713B2 (ja) 基板ホルダ、基板貼り合わせ装置、基板ホルダ対および搬送装置
JP5440106B2 (ja) 基板貼り合せ装置および積層半導体装置の製造方法
JP4812660B2 (ja) 基板等の取扱装置及び基板等の取扱方法
JP5481950B2 (ja) 重ね合わせ方法、重ね合わせ装置、位置合わせ装置および貼り合わせ装置
JP5487740B2 (ja) 重ね合わせ装置、位置合わせ装置、基板貼り合わせ装置および重ね合わせ方法
JP5560590B2 (ja) 基板貼り合わせ装置
JP5593748B2 (ja) 位置合わせ装置、基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法
JP2008177600A (ja) 半導体ウエハ裏面への粘着テープ貼付方法及び粘着テープ貼付装置
JP4801644B2 (ja) 基板保持装置、基板処理装置および基板処理方法
JP5487738B2 (ja) プッシュアップピンおよび基板貼り合わせ装置
KR20190124149A (ko) 점착 테이프 반송 방법 및 점착 테이프 반송 장치