KR20150064993A - 반도체 제조 장치 - Google Patents

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이주희
박재범
이수호
장원혁
김명운
김익수
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삼성전자주식회사
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Abstract

가동률을 향상시키고 유지 보수를 위한 시간과 비용을 절감할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 가공을 위한 기판이 수용되는 챔버, 챔버 내에 가공 환경을 제공하는 제1 전극 및 제1 전극과 대응하는 제2 전극 및 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나에 연결되는 제1 전력 전달 로드를 포함하되, 제1 전력 전달 로드는 제1 일단부와 제1 일단부에 반대되는 제1 타단부 사이에 제1 도전성 응력 감쇄부가 형성된다.

Description

반도체 제조 장치{A semiconductor manufacturing apparatus}
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 로드를 포함하는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위하여, 다양한 종류의 반도체 제조 장치가 개발되어 사용되고 있다. 반도체 소자를 제조하기 위한 가공 공정에서는, 진공, 고온, 플라즈마 등 다양한 종류의 가공 환경을 필요로 하고 있다. 이러한 가공 환경으로 인하여 반도체 제조 장치 내의 구성 요소들에 변형이 발생할 수 있기 때문에, 반도체 제조 장치의 가동이 중단되거나, 유지 보수를 위하여 많은 시간과 비용이 요구되는 등의 문제점이 발생하고 있다.
본 발명의 기술적 과제는 상기 문제점을 해결하고자, 가동률을 향상시키고 유지 보수를 위한 시간과 비용을 절감할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는 데에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 다음과 같은 반도체 제조 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 가공을 위한 기판이 수용되는 챔버; 상기 챔버 내에 가공 환경을 제공하는 제1 전극 및 상기 제1 전극과 대응하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나에 연결되는 제1 전력 전달 로드(rod);를 포함하되, 상기 제1 전력 전달 로드는 제1 일단부와 상기 제1 일단부에 반대되는 제1 타단부 사이에 제1 도전성 응력 감쇄부가 형성된다.
상기 챔버 내에 장착되는 기판 지지대 및 상기 기판 지지대 상에 배치되는 가공 헤드를 더 포함하며, 상기 제1 전력 전달 로드는 상기 기판 지지대에 삽입될 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 기판 지지대 내에 배치되는 그라운드 전극판이며, 상기 제2 전극은 상기 가공 헤드 내에 배치되는 RF 전원 전극판일 수 있다.
상기 기판 지지대 내에 배치되는 열 발생 부재; 및 상기 열 발생 부재와 전기적으로 연결되는 제2 전력 전달 로드;를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 전력 전달 로드는 제2 일단부와 상기 제2 일단부에 반대되는 제2 타단부 사이에 제2 도전성 응력 감쇄부가 형성될 수 있다.
상기 제1 도전성 응력 감쇄부는 코일 스프링 또는 판 스프링일 수 있다.
상기 제1 전력 전달 로드는, 상기 제1 일단부, 상기 제1 타단부 및 상기 제1 도전성 응력 감쇄부가 일체로 이루어질 수 있다.
상기 제1 전력 전달 로드는, 상기 제1 일단부, 상기 제1 타단부 및 상기 제1 도전성 응력 감쇄부가 전체적으로 일자 형상일 수 있다.
상기 제1 도전성 응력 감쇄부는 상기 제1 전력 전달 로드의 상기 제1 일단부와 상기 제1 타단부 사이에 복수개가 형성될 수 있다.
상기 제1 전력 전달 로드는, 상기 제1 일단부와 상기 제1 타단부 사이에 적어도 하나의 굴절부를 포함하며, 상기 제1 도전성 응력 감쇄부는 상기 제1 일단부와 상기 굴절부 사이 및 상기 제1 타단부와 상기 굴절부 사이 중 적어도 한 부분에 형성될 수 있다.
상기 챔버는, 화학 기상 증착 챔버, 스퍼터링 챔버 또는 건식 식각 챔버일 수 있다.
상기 가공 환경은 진공, 플라즈마 또는 고온 환경일 수 있다.
또한 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 가공을 위한 기판이 수용되는 챔버; 가공을 위한 상기 기판을 지지하는 기판 지지대; 상기 기판 지지대 상에 배치되는 샤워 헤드; 상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지대 내에 각각 형성되는 RF 전원 전극판과 그라운드 전극판; 및 상기 RF 전원 전극판 및 상기 그라운드 전극판 중 적어도 하나에 연결되며 일체형 구조인 RF 로드;를 포함하되, 상기 RF 로드는 일단부와 상기 일단부에 반대되는 타단부 사이에 도전성 응력 감쇄부;가 형성된다.
상기 기판 지지대 내에 형성되며, 상기 그라운드 전극판과 전기적으로 절연인 열 발생 부재;를 더 포함할 수 있다.
상기 RF 로드는 상기 그라운드 전극판과 전기적으로 연결되며, 상기 일단부, 상기 타단부 및 상기 도전성 응력 감쇄부가 전체적으로 일자 형상일 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 제조 장치는, 반도체 소자를 제조하기 위한 가공 공정에서 제공되는 가공 환경에 따른 구성 요소, 특히 전력을 전달하기 위한 로드의 변형을 가져오는 응력을 감쇄하여, 로드가 연결되는 구성 요소와 로드 사이의 접촉 불량이 발생하지 않도록 할 수 있어, 전력이 원활하게 전달될 수 있다.
따라서 반도체 제조 장치의 가동률 향상 및 가공되는 반도체 소자의 품질이 유지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치에 포함되는 그라운드 로드의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치에 포함되는 전원 로드의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치에 포함되는 히터 로드의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시 예에 따른 도전성 응력 감쇄부를 포함하는 로드의 양상들의 요부를 나타내는 개략도들이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 실시 예에 따른 도전성 응력 감쇄부를 포함하는 로드의 양상들의 요부를 나타내는 개략도들이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 실시 예에 따른 도전성 응력 감쇄부의 양상들의 요부를 나타내는 개략도들이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시 예들에 대한 설명은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기가 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "상에" 있다거나 "접하여" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 상에 직접 맞닿아 있거나 또는 연결되어 있을 수 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "바로 위에" 있다거나 "직접 접하여" 있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.
본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 장치(100)는 가공을 위한 기판(10)이 수용되는 챔버(110)와 챔버(110) 내에 배치되는 기판 지지대(130)와 가공 헤드(140) 사이의 가공 공간(120)을 가진다. 가공 공간(120)에는 기판(10)의 가공을 위한 가공 환경이 조성될 수 있다.
챔버(110)는 내부를 외부와 차단시켜서 챔버(110) 내의 분위기를 진공으로 형성시킬 수 있는 구조를 가질 수 있다. 챔버(110)에는 기판(10)을 가공하기 위한 여러 가지 구성요소가 구비될 수 있다. 또한 구체적으로 도시하지는 않았으나, 반도체 제조 장치(100)는 기판(10)을 챔버(110)의 외부로부터 기판 지지대(130)로 이송시키거나, 기판 지지대(130)로부터 외부로 이송시킬 수 있는 구성요소, 챔버(110) 내부에 분위기를 조성하거나, 챔버(110) 내부로 원료 가스, 반응 가스, 퍼지 가스 등을 공급하기 위한 구성 요소, 또한 기판(10)에 대한 가공에 사용된 처리 가스와 부산물 등을 제거하는 배기를 위한 구성 요소, 챔버(110) 내부를 진공 분위기로 조성하기 위한 구성 요소 등이 더 구비될 수 있다.
챔버(110)는 알루미늄, 스테인리스 강, 금속 또는 금속 합금과 같은 전도성 물질로 이루어질 수 있다. 챔버(110)의 내면은 화학적 침식을 줄이기 위해 저항성 물질로 코팅되거나 제거 가능한 라이너가 사용될 수도 있다. 코팅되는 상기 저항성 물질 또는 상기 라이너는 금속 산화물과 같은 세라믹 물질, 예컨대, 알루미나, 이트리아, 또는 티타늄과 같은 저항성 금속, 또는 이들의 조합일 수 있다. 챔버(110)는 챔버(110)를 이루는 구성 요소를 보호하기 위한 차폐 부재를 포함할 수 있다. 상기 차폐 부재는 세라믹, 유리, 석영, 플라스틱, 또는 그들의 혼합물들, 그들의 화합물들 또는 그들의 조합들을 포함하는 단열 물질일 수 있다.
기판(10)은 기판 지지대(130) 상에 배치되어 기판 지지대(130)와 가공 헤드(140) 사이의 가공 공간(120)에 노출될 수 있다. 기판(10)은 예를 들면, 200㎜, 300㎜, 또는 450㎜ 등의 실리콘 웨이퍼, 실리콘 탄화물 기판 또는 갈륨 질화물 기판과 같은 반도체 기판이거나 사파이어 기판일 수 있다. 기판(10)은 예를 들면, 평판 디스플레이 또는 플렉서블 디스플레이를 제조하기 위한 유리 기판, 플라스틱 기판 등일 수 있다. 기판 지지대(130)에 기판(10)이 1개 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 기판 지지대(130)에는 기판(10)이 복수개가 배치될 수 있다.
가공 공간(120)에는 진공, 플라즈마, 고온 환경 또는 기판(10)을 가공하기 위한 기체/액체/고체 소스 등에 의한 가공 환경이 조성될 수 있다.
기판 지지대(130) 내와 가공 헤드(140) 내에는 서로 대응되는 제1 전극(132)과 제2 전극(142)이 배치되도록 형성될 수 있다. 제1 전극(132) 및/또는 제2 전극(142)은 예를 들면, 그리드 형상을 가질 수 있다. 기판 지지대(130)와 가공 헤드(140)에 각각 형성되는 제1 전극(132)과 제2 전극(142)에 의하여 가공 공간(120)에는 DC 바이어스가 존재하거나, 플라즈마 환경이 조성될 수 있다.
제1 전극(132)과 제2 전극(142)에는 각각 그라운드와 제1 전원(92)이 연결될 수 있다. 제 1 전극(132)과 제2 전극(142)은 각각 그라운드 로드(152)와 전원 로드(154)에 의하여 그라운드와 제1 전원(92)과 연결될 수 있다. 제1 전극(132)과 그라운드 로드(152)는 예를 들면, 용접 또는 클램프에 의하여 연결 또는 될 수 있다. 제2 전극(142)과 전원 로드(154)는 예를 들면, 용접 또는 클램프에 의하여 연결될 수 있다. 제1 전극(132)은 기판 지지대(130)에 형성되므로, 그라운드 로드(152)는 기판 지지대(130)에 삽입되어 연결될 수 있다. 제2 전극(142)은 가공 헤드(140)에 형성되므로, 전원 로드(154)는 가공 헤드(140)에 삽입되어 연결될 수 있다. 제1 전원(92)은 단일 주파수 RF 신호 또는 혼합-주파수 RF 신호 중 어느 하나를 제공할 수 있다. 단일 주파수 RF 신호가 사용되는 경우, 예를 들면, 약 300 ㎑ 내지 약 60 ㎒의 약 1 내지 약 3,000 W의 전력이 제공될 수 있다.
기판 지지대(130) 및/또는 가공 헤드(140)가 도전체로 이루어지는 경우, 그라운드 로드(152) 및/또는 전원 로드(154)를 둘러싸는 쉴드부재(미도시)가 형성될 수 있다. 상기 쉴드부재는 그라운드 로드(152) 및/또는 전원 로드(154)를 주변으로부터 절연시키거나 그라운드 로드(152) 및/또는 전원 로드(154)로부터 발생하는 전자파를 차단할 수 있다.
기판 지지대(130) 및/또는 가공 헤드(140)가 절연체로 이루어지는 경우, 그라운드 로드(152) 및/또는 전원 로드(154)는 기판 지지대(130) 및/또는 가공 헤드(140) 내에 형성된 로드 삽입 홀(미도시)에 삽입되도록 형성될 수 있다.
기판 지지대(130) 및/또는 가공 헤드(140)는 예를 들어, 세라믹 재료, 실리콘 카바이드와 같은 실리콘 재료로 코팅된 그래파이트(graphite) 재료, 또는 다른 프로세스 내구재와 같은 절연체로 이루어지거나, 알루미늄, 스테인레스강, 니켈과 같은 금속 또는 금속 합금으로 이루어질 수 있다. 기판 지지대(130)는 페데스탈(pedestal) 또는 서셉터(susceptor)이라 호칭될 수 있다. 기판 지지대(130)는 기판(10)에 열을 가해주는 히터의 기능을 수행하거나, 기판(10)을 고정시켜주는 척(chuck)의 기능을 수행할 수 있다. 가공 헤드(140)는 기판 지지대(130) 내에 형성되는 제1 전극(132)에 대응되는 제2 전극(142) 자체, 샤워 헤드 또는 스퍼터링용 타겟 고정 헤드일 수 있다.
가공 공간(120)에 플라즈마 환경이 조성되는 경우, 제1 전원(92), 제1 전극(132), 제2 전극(142), 그라운드 로드(152) 및 전원 로드(154)는 각각 RF 전원(92), 그라운드 전극판(132), RF 전원 전극판(142), 그라운드 로드(152) 및 RF 전원 로드(154)라 호칭될 수 있다. 즉, 가공 공간(120)에 플라즈마 환경이 조성되는 경우, 제1 전원(92)은 RF 전력이 인가되는 RF 전원(92)일 수 있다. 또한 도시하지는 않았지만, 반도체 제조 장치(100)는 RF 전력을 위한 RF 매칭 네트워크를 위한 구성요소가 더 포함될 수 있다. 플라즈마는 13.56㎒의 주파수에서 약 10W 내지 약 3000W의 전력 레벨로 제공될 수 있다.
기판 지지대(130)에는 기판(10)을 가열하기 위한 열 발생 부재(134)가 형성될 수 있다. 열 발생 부재(134)는 지판 지지대(130) 내에서 제1 전극(132), 즉 그라운드 전극판(132)과 전기적으로 절연될 수 있다.
열 발생 부재(134)에는 제2 전원(94)으로부터 제2 전력 전달 로드(156)를 통하여 열 발생을 위한 전력이 전달될 수 있다. 열 발생 부재(134)와 제2 전력 전달 로드(156)는 예를 들면, 용접 또는 클램프에 의하여 연결될 수 있다. 따라서 열 발생 부재(134)는 제2 전력 전달 로드(156)와 전기적으로 연결될 수 있다. 열 발생 부재(134)는 기판 지지대(130)에 형성되므로, 제2 전력 전달 로드(156)는 기판 지지대(130)에 삽입되어 연결될 수 있다. 열 발생 부재(134)는 전기 저항 열선일 수 있다. 열 발생 부재(134)는 예를 들면, 몰리브덴, 텅스텐, 알루미나(Al2O3) 또는 질화알루미늄(AlN)로 이루어질 수 있다. 제1 전원(92)과 제2 전원(94)은 각각 RF 전원(92)과 히터 전원(94)으로 호칭할 수 있다. 제1 전원(92)과 제2 전원(94)은 별도의 구성요소로 도시되었으나, 하나의 전원 공급 장치일 수 있다. 제2 전력 전달 로드(156)는 히터 로드(156)으로 호칭할 수 있다. 히터 로드(156)는 예를 들면, 열전쌍일 수 있다.
그라운드 로드(152), 전원 로드(154)를 포함하는 제1 전력 전달 로드(152, 154)와 제2 전력 전달 로드(154)는 설명의 필요를 위하여 로드(152, 154, 156)라 통칭할 수 있다. 따라서 제1 전력 전달 로드(152, 154)는 기판 지지대(130)에 삽입되어 연결될 수 있다. 로드(152, 154, 156)는 예를 들면, 니켈로 이루어질 수 있다. 로드(152, 154, 156)는 적어도 일부분이 팽창과 수축에 따른 응력을 흡수할 수 있는 응력 감쇄부로 이루어질 수 있다. 로드(152, 154, 156)의 일부분은 예를 들면, 스프링일 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 변형될 때 회복력을 제공하는 임의의 부재가 사용될 수 있다. 로드(152, 154, 156)의 구체적인 형상에 대해서는 후술하도록 한다.
도 1에는 로드(152, 154, 156)가 챔버(110) 내로부터 챔버(110) 외부로까지 연장되도록 도시되었으나, 이에 한정되지는 않으며, 로드(152, 154, 156)는 챔버(110) 내에만 위치하도록 배치될 수 있다.
챔버(110)는 화학 기상 증착 챔버, 스퍼터링 챔버 또는 건식 식각 챔버일 수 있다. 즉, 반도체 제조 장치(100)는 화학 기상 증착 장치, 스퍼터링 장치 또는 건식 식각 장치일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 제조 장치(100)는 챔버(110)를 사용하여 기판(10)을 가공하는 반도체 제조를 위한 장치로, 전력을 전달하기 위한 로드(152, 154, 156)가 사용되는 경우는 모두 해당될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다. 도 2에 대한 설명 중 도 1의 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 2를 참조하면, 반도체 제조 장치(200)는 가공을 위한 기판(10)이 수용되는 챔버(210)와 챔버(210) 내에 배치되는 기판 지지대(230)와 가공 헤드(240) 사이의 가공 공간(220)을 가진다. 가공 공간(220)에는 기판(10)의 가공을 위한 가공 환경이 조성될 수 있다.
기판(10)은 기판 지지대(230) 상에 배치되어 기판 지지대(230)와 가공 헤드(240) 사이의 가공 공간(220)에 노출될 수 있다.
기판 지지대(230) 내와 가공 헤드(240) 내에는 서로 대응되는 제1 전극(232)과 제2 전극(242)이 배치되도록 형성될 수 있다. 기판 지지대(230)와 가공 헤드(240)에 각각 형성되는 제1 전극(232)과 제2 전극(242)에 의하여 가공 공간(220)에는 DC 바이어스가 존재하거나, 플라즈마 환경이 조성될 수 있다.
제1 전극(232)과 제2 전극(242)에는 각각 그라운드와 제1 전원(92)이 연결될 수 있다. 1 전극(232)과 제2 전극(242)은 각각 그라운드 로드(252)와 전원 로드(254)에 의하여 그라운드와 제1 전원(92)과 연결될 수 있다.
가공 헤드(240)는 기판 지지대(230) 내에 형성되는 제1 전극(232)에 대응되는 제2 전극(242) 자체 및/또는 스퍼터링용 타겟 고정 헤드일 수 있다.
기판 지지대(230)에는 기판(10)을 가열하기 위한 열 발생 부재(234)가 형성될 수 있다.
열 발생 부재(234)에는 제2 전원(94)으로부터 제2 전력 전달 로드(256)를 통하여 열 발생을 위한 전력이 전달될 수 있다.
챔버(210)는 스퍼터링 챔버일 수 있다. 즉, 반도체 제조 장치(200)는 스퍼터링 장치 또는 건식 식각 장치일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 제조 장치(200)는 챔버(210)를 사용하여 기판(10)을 가공하는 반도체 제조를 위한 장치로, 전력을 전달하기 위한 로드(252, 254, 256)가 사용되는 경우는 모두 해당될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다. 도 3에 대한 설명 중 도 1 또는 도2의 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 3을 참조하면, 반도체 제조 장치(300)는 가공을 위한 기판(10)이 수용되는 챔버(310)와 챔버(310) 내에 배치되는 기판 지지대(330)와 가공 헤드(340) 사이의 가공 공간(320)을 가진다. 가공 공간(320)에는 기판(10)의 가공을 위한 가공 환경이 조성될 수 있다.
기판(10)은 기판 지지대(330) 상에 배치되어 기판 지지대(330)와 가공 헤드(340) 사이의 가공 공간(320)에 노출될 수 있다.
기판 지지대(330) 내와 가공 헤드(340) 내에는 서로 대응되는 제1 전극(332)과 제2 전극(342)이 배치되도록 형성될 수 있다. 기판 지지대(330)와 가공 헤드(340)에 각각 형성되는 제1 전극(332)과 제2 전극(342)에 의하여 가공 공간(320)에는 DC 바이어스가 존재하거나, 플라즈마 환경이 조성될 수 있다.
제1 전극(332)과 제2 전극(342)에는 각각 그라운드와 제1 전원(92)이 연결될 수 있다. 1 전극(332)과 제2 전극(342)은 각각 그라운드 로드(352)와 전원 로드(354)에 의하여 그라운드와 제1 전원(92)과 연결될 수 있다.
가공 헤드(340)에는 샤워 헤드 분사홀(345)이 형성될 수 있다. 따라서 가공 헤드(340)는 샤워 헤드(340)로 호칭할 수 있다. 샤워 헤드 분사홀(345)은 챔버(310) 내부로 원료 가스, 반응 가스, 퍼지 가스 등을 공급하기 위한 구성 요소와 연결될 수 있다. 가공 공간(320)에는 샤워 헤드(340)의 샤워 헤드 분사홀(345)을 통하여 원료 가스, 반응 가스, 퍼지 가스 등이 공급될 수 있다.
기판 지지대(330)에는 기판(10)을 가열하기 위한 열 발생 부재(334)가 형성될 수 있다.
열 발생 부재(334)에는 제2 전원(94)으로부터 제2 전력 전달 로드(356)를 통하여 열 발생을 위한 전력이 전달될 수 있다.
챔버(310)는 화학 기상 증착 챔버일 수 있다. 챔버(310)는 예를 들면, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 챔버일 수 있다. 즉, 반도체 제조 장치(300)는 화학 기상 증착 장치, 예를 들면, PECVD 장치일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 제조 장치(300)는 챔버(310)를 사용하여 기판(10)을 가공하는 반도체 제조를 위한 장치로, 전력을 전달하기 위한 로드(352, 354, 356)가 사용되는 경우는 모두 해당될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 함께 참조하면, 그라운드 로드(152, 252, 352), 전원 로드(154, 254, 354) 또는 히터 로드(156, 256, 356)는 튜브 또는 속이 찬 막대 형태일 수 있다.
그라운드 로드(152, 252, 352), 전원 로드(154, 254, 354) 또는 히터 로드(156, 256, 356)는 전체적으로 일자 형상일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 그라운드 로드, 전원 로드, 히터 로드의 다른 형상의 예시는 도 4 내지 도 6을 통하여 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치에 포함되는 그라운드 로드의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다. 도 4에 대한 설명 중 도 1 내지 도 3의 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 4를 참조하면, 그라운드 로드(462)는 굴절된 형태를 가질 수 있다. 그라운드 로드(462)는 일단부로부터 일자 형상으로 연장된 후, 일정 각도가 굴절되고 그 후에 다시 타단부까지 일자 형상으로 연장될 수 있다. 도 4에서는 그라운드 로드(462)가 챔버(410)의 외부에서 굴절되는 것으로 도시되었으나, 챔버(410)의 내부에서 굴절되는 것 또한 가능하다. 또한 그라운드 로드(462)는 1회 굴절된 형태를 가진 것으로 도시되었으나, 2회 이상 굴절된 형태를 가지는 것 또한 가능하다.
도 4에 도시된 그라운드 로드(462)는 도 1 내지 도 3에 도시된 그라운드 로드(152, 252, 352) 대신에 반도체 제조 장치(100, 200, 300)에서 사용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치에 포함되는 전원 로드의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다. 도 5에 대한 설명 중 도 1 내지 도 4의 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 5를 참조하면, 전원 로드(564)는 굴절된 형태를 가질 수 있다. 전원 로드(564)는 일단부로부터 일자 형상으로 연장된 후, 일정 각도가 굴절되고 그 후에 다시 타단부까지 일자 형상으로 연장될 수 있다. 도 5에서는 전원 로드(564)가 챔버(510)의 외부에서 굴절되는 것으로 도시되었으나, 챔버(510)의 내부에서 굴절되는 것 또한 가능하다. 또한 전원 로드(564)는 1회 굴절된 형태를 가진 것으로 도시되었으나, 2회 이상 굴절된 형태를 가지는 것 또한 가능하다.
도 5에 도시된 전원 로드(564)는 도 1 내지 도 3에 도시된 전원 로드(154, 254, 354) 대신에 반도체 제조 장치(100, 200, 300)에서 사용될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 장치에 포함되는 히터 로드의 일 양상의 요부를 나타내는 개략도이다. 도 6에 대한 설명 중 도 1 내지 도 5의 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 6을 참조하면, 히터 로드(666)는 굴절된 형태를 가질 수 있다. 히터 로드(666)는 일단부로부터 일자 형상으로 연장된 후, 일정 각도가 굴절되고 그 후에 다시 타단부까지 일자 형상으로 연장될 수 있다. 도 6에서는 히터 로드(662)가 챔버(610)의 외부에서 굴절되는 것으로 도시되었으나, 챔버(610)의 내부에서 굴절되는 것 또한 가능하다. 또한 히터 로드(666)는 1회 굴절된 형태를 가진 것으로 도시되었으나, 2회 이상 굴절된 형태를 가지는 것 또한 가능하다.
도 6에 도시된 히터 로드(666)는 도 1 내지 도 3에 도시된 히터 로드(156, 256, 356) 대신에 반도체 제조 장치(100, 200, 300)에서 사용될 수 있다.
도 4 내지 도 6에 개시된 그라운드 로드(462), 전원 로드(564) 및 히터 로드(666)는 도 1 내지 도 3에 도시된 반도체 제조 장치(100, 200, 300)에서 그라운드 로드(152, 252, 352), 전원 로드(154, 254, 354) 및 히터 로드(156, 256, 356) 대신에 모두 적용될 수 있으나, 그라운드 로드(152, 252, 352), 전원 로드(154, 254, 354) 및 히터 로드(156, 256, 356) 중 하나 또는 두가지의 로드에만 적용될 수도 있다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시 예에 따른 도전성 응력 감쇄부를 포함하는 로드의 양상들의 요부를 나타내는 개략도들이다.
도 7a를 참조하면, 로드(50-1)는 서로 반대되는 일단부(50a)와 타단부(50b)를 가지며, 일단부(50a)와 타단부(50b) 사이에 도전성 응력 감쇄부(54)가 형성된다. 구체적으로, 로드(50-1)는 일단과 타단에서 각각 타단과 일단을 향하여 연장되는 로드 몸체(52)와 로드 몸체(52)들 사이에 도전성 응력 감쇄부(54)가 형성된다. 일단부(50a)와 타단부(50b)는 각각 로드(50-1)의 일단과 타단에 인접한 로드 몸체(52)의 일부분을 의미한다.
로드 몸체(52)는 예를 들면, 튜브 또는 속이 찬 막대 형태일 수 있다. 도전성 응력 감쇄부(54)는 예를 들면, 코일 스프링 또는 판 스프링일 수 있다.
일단부(50a), 타단부(50b)와 도전성 응력 감쇄부(54)는 일체로 이루어지는 일체형 구조일 수 있다. 즉 로드(50-1)는 일단과 타단 사이의 로드 몸체(52)와 도전성 응력 감쇄부(54)가 일체로 이루어지는 일체형 구조일 수 있다.
일단부(50a), 타단부(50b)와 도전성 응력 감쇄부(54)는 전체적으로 일자 형상일 수 있다. 즉 로드(50-1)는 일단과 타단 사이의 로드 몸체(52)와 도전성 응력 감쇄부(54)가 전체적으로 일자 형상일 수 있다. 여기에서 로드(50-1)가 전체적으로 일자 형상이라는 것은, 로드(50-1)의 일단과 타단을 연장하는 일직선을 따라서 로드 몸체(52)와 도전성 응력 감쇄부(54)가 배치되는 것을 의미한다. 따라서, 로드(50-1)의 일단과 타단을 연장하는 일직선으로부터 로드 몸체(52)의 일부, 또는 도전성 응력 감쇄부(54)의 일부가 벗어나거나 각각 단면적은 변할 수 있으나, 도전성 응력 감쇄부(54)의 전체가 벗어나지는 않을 수 있다.
도전성 응력 감쇄부(54)는 로드(50-1)의 일단부(50a)와 타단부(50b) 사이의 중간 부분에 형성된 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 도전성 응력 감쇄부(54)는 로드(50-1)의 일단부(50a) 또는 타단부(50b)에 더 가깝도록 형성될 수 있다.
로드(50-1)는 도 1에 보인 로드(152, 154, 156)의 전부 또는 일부, 도 2에 보인 로드(252, 254, 256)의 전부 또는 일부, 도 3에 보인 로드(352, 354, 356)의 전부 또는 일부일 수 있다.
로드(50-1)가 도 1 내지 도 3에 보인 제1 전력 전달 로드(152/154, 252/254, 352/354)인 경우, 일단부(50a), 타단부(50b)와 도전성 응력 감쇄부(54)는 각각 제1 일단부(50a), 제1 타단부(50b)와 제1 도전성 응력 감쇄부(54)라 호칭할 수 있다. 로드(50-1)가 도 1 내지 도 3에 보인 제2 전력 전달 로드(156, 256, 356)인 경우, 일단부(50a), 타단부(50b)와 도전성 응력 감쇄부(54)는 각각 제2 일단부(50a), 제2 타단부(50b)와 제2 도전성 응력 감쇄부(54)라 호칭할 수 있다.
도 7b를 참조하면, 로드(50-2)는 서로 반대되는 일단부(50a)와 타단부(50b)를 가지며, 일단부(50a)와 타단부(50b) 사이에 복수개의 도전성 응력 감쇄부(54)가 형성된다. 구체적으로, 로드(50-2)는 일단과 타단에서 각각 타단과 일단을 향하여 연장되는 로드 몸체(52)와 로드 몸체(52)들 사이에 이격된 2개 이상의 도전성 응력 감쇄부(54)가 형성될 수 있다.
일단부(50a), 타단부(50b)와 복수개의 도전성 응력 감쇄부(54)는 일체로 이루어지는 일체형 구조일 수 있다. 즉 로드(50-2)는 일단과 타단 사이의 로드 몸체(52), 복수개의 도전성 응력 감쇄부(54)와 복수개의 도전성 응력 감쇄부(54) 사이의 로드 몸체(52)가 일체로 이루어지는 일체형 구조일 수 있다.
일단부(50a), 타단부(50b)와 복수개의 도전성 응력 감쇄부(54)는 전체적으로 일자 형상일 수 있다. 즉 로드(50-2)는 일단과 타단 사이의 로드 몸체(52), 복수개의 도전성 응력 감쇄부(54)와 복수개의 도전성 응력 감쇄부(54) 사이의 로드 몸체(52)가 전체적으로 일자 형상일 수 있다.
도전성 응력 감쇄부(54)는 로드(50-2)에 2개가 형성된 것으로 도시되??????으나, 이에 한정되지는 않다. 로드(50-2)는 서로 이격되는 3개 이상의 도전성 응력 감쇄부(54)를 포함할 수 있다.
로드(50-2)는 도 1에 보인 로드(152, 154, 156)의 전부 또는 일부, 도 2에 보인 로드(252, 254, 256)의 전부 또는 일부, 도 3에 보인 로드(352, 354, 356)의 전부 또는 일부일 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 실시 예에 따른 도전성 응력 감쇄부를 포함하는 로드의 양상들의 요부를 나타내는 개략도들이다. 도 8a 및 도 8b에 대한 설명 중 도 7a 및 도 7b의 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 8a를 참조하면, 로드(60-1)는 서로 반대되는 일단부(60a)와 타단부(60b)를 가지며, 일단부(60a)와 타단부(60b) 사이에 적어도 하나의 굴절부(66)가 형성된다. 로드(60-1)의 타단부(60b)와 굴절부(66) 사이에는 도전성 응력 감쇄부(64)가 형성된다. 구체적으로, 로드(60-1)는 타단부(60b)와 굴절부(66)에서 각각 굴절부(66)와 타단부(60b)를 향하여 연장되는 로드 몸체(62)와 로드 몸체(62) 사이에 도전성 응력 감쇄부(64)가 형성된다. 도 8a에는 도전성 응력 감쇄부(64)가 타단부(60b)와 굴절부(66) 사이에 형성되는 것으로 도시되었으나, 도전성 응력 감쇄부(64)는 일단부(60a)와 굴절부(66) 사이에 형성되는 것 또한 가능하다.
일단부(60a), 타단부(60b), 굴절부(66)와 도전성 응력 감쇄부(64)는 일체로 이루어지는 일체형 구조일 수 있다. 즉 로드(60-1)는 일단부(60a)와 타단부(60b) 사이의 로드 몸체(62)와 도전성 응력 감쇄부(64)가 일체로 이루어지는 일체형 구조일 수 있다.
로드(60-1)는 일단부(60a)로부터 굴절부(66)까지 전체적으로 일자 형상일 수 있다. 또는 로드(60-1)는 타단부(60b)로부터 굴절부(66)까지 전체적으로 일자 형성일 수 있다. 일단부(60a)와 굴절부(66) 사이, 또는 타단부(60b)와 굴절부(66) 사이에 도전성 응력 감쇄부(64)가 형성되는 경우, 로드(60-1)는 일단부(60a)로부터 도전성 응력 감쇄부(64)를 거쳐서 굴절부(66)까지 전체적으로 일자 형상이거나, 또는 타단부(60b)로부터 도전성 응력 감쇄부(64)를 거쳐서 굴절부(66)까지 전체적으로 일자 형상일 수 있다.
로드(60-1)는 도 4 내지 도 6에 보인 그라운드 로드(462), 전원 로드(564) 및 히터 로드(666)의 전부 또는 일부일 수 있다.
도 8a에는 타단부(60b)와 굴절부(66) 사이에 도전성 응력 감쇄부(64)가 1개 형성된 것으로 도시되었으나, 서로 이격되는 2개 이상의 도전성 응력 감쇄부(64)가 로드(60-1)의 타단부(60b)와 굴절부(66) 사이, 또는 일단부(60a)와 굴절부(66) 사이에 형성되는 것 또한 가능하다.
도 8b를 참조하면, 로드(60-2)는 서로 반대되는 일단부(60a)와 타단부(60b)를 가지며, 일단부(60a)와 굴절부(66) 사이, 및 타단부(60b)와 굴절부(66) 사이에는 적어도 하나의 도전성 응력 감쇄부(64)가 형성된다.
로드(60-2)는 도 4 내지 도 6에 보인 그라운드 로드(462), 전원 로드(564) 및 히터 로드(666)의 전부 또는 일부일 수 있다.
도 8b에는 일단부(60a)와 굴절부(66) 사이 및 타단부(60b)와 굴절부(66) 사이에 도전성 응력 감쇄부(64)가 각각 1개 형성된 것으로 도시되었으나, 서로 이격되는 2개 이상의 도전성 응력 감쇄부(64)가 로드(60-1)의 타단부(60b)와 굴절부(66) 사이, 또는 일단부(60a)와 굴절부(66) 사이에 형성되는 것 또한 가능하다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 실시 예에 따른 도전성 응력 감쇄부의 양상들의 요부를 나타내는 개략도들이다. 도 9a 내지 도 9c에 대한 설명 중 도 7a 내지 도 8b의 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 9a를 참조하면, 도전성 응력 감쇄부(54a)는 코일 스프링 형상일 수 있다. 도전성 응력 감쇄부(54a)는 예를 들면, 단면이 원형인 나선 구조의 스프링 형상일 수 있다. 도전성 응력 감쇄부(54a)는 로드 몸체(52a)와 일체로 이루어지는 일체형 구조일 수 있다. 로드 몸체(52a)와 도전성 응력 감쇄부(54a)의 단면은 동일하거나 유사한 원형일 수 있다. 도전성 응력 감쇄부(54a)는 예를 들면, 원형인 단면이며 일 방향으로 연장되는 로드의 일부분을 나선 구조로 변형하여 형성할 수 있으며, 이때 나선 구조로 변형되지 않고, 일 방향으로 연장되는 부분은 로드 몸체(52a)일 수 있다.
로드 몸체(52a)와 도전성 응력 감쇄부(54a)는 도 7a 및 7b의 로드 몸체(52)와 도전성 응력 감쇄부(54) 또는 도 8a 및 도 8b의 로드 몸체(62)와 도전성 응력 감쇄부(64)에 해당할 수 있다.
도 9b를 참조하면, 도전성 응력 감쇄부(54b)는 판 스프링 형상일 수 있다. 도전성 응력 감쇄부(54b)는 예를 들면, 단면이 얇은 사각형인 나선 구조의 판 스프링 형상일 수 있다. 도전성 응력 감쇄부(54b)는 로드 몸체(52b)와 일체로 이루어지는 일체형 구조일 수 있다. 로드 몸체(52b)와 도전성 응력 감쇄부(54b)는 그 테두리가 이루는 단면이 동일하거나 유사한 원형일 수 있다. 즉, 도전성 응력 감쇄부(54b)는 양측에 접하는 로드 몸체(52b)의 테두리를 연장하는 가상의 공간 내에 배치될 수 있다. 도전성 응력 감쇄부(54b)는 예를 들면, 원형인 단면이며 일 방향으로 연장되는 로드의 일부분에 홈을 형성하여 나선 구조의 판 스프링 형상으로 변형하여 형성할 수 있으며, 이때 나선 구조로 변형되지 않고, 일 방향으로 연장되는 부분은 로드 몸체(52b)일 수 있다.
로드 몸체(52b)와 도전성 응력 감쇄부(54b)는 도 7a 및 7b의 로드 몸체(52)와 도전성 응력 감쇄부(54) 또는 도 8a 및 도 8b의 로드 몸체(62)와 도전성 응력 감쇄부(64)에 해당할 수 있다.
도 9c를 참조하면, 도전성 응력 감쇄부(54c)는 판 스프링 형상일 수 있다. 도전성 응력 감쇄부(54c)는 예를 들면, 단면이 사각형인 지그재그 구조의 판 스프링 형상일 수 있다. 도전성 응력 감쇄부(54c)는 적어도 하나의 벤딩이 형성될 수 있다. 도전성 응력 감쇄부(54c)는 로드 몸체(52c)와 별도로 형성된 후 접합될 수 있다.
로드 몸체(52c)와 도전성 응력 감쇄부(54c)는 도 7a 및 7b의 로드 몸체(52)와 도전성 응력 감쇄부(54) 또는 도 8a 및 도 8b의 로드 몸체(62)와 도전성 응력 감쇄부(64)에 해당할 수 있다.
도 1에 보인 로드(152, 154, 156), 도 2에 보인 로드(252, 254, 256), 도 3에 보인 로드, 또는 도 4 내지 도 6에 보인 로드(452, 554, 666) 중 적어도 하나의 로드의 일부분에 도 9a 내지 도 9c에 보인 도전성 응력 감쇄부(54a, 54b, 54c)를 형성하면, 반도체 제조 장치(100, 200, 300)에서 기판(10)의 가공을 위한 가공 환경에 의하여 로드(152, 154, 156, 252, 254, 256, 452, 554, 666)에 수축 또는 팽창이 발생할 경우에 가해지는 응력이 도전성 응력 감쇄부(54a, 54b, 54c)에 의하여 감쇄될 수 있다.
만일, 로드(152, 154, 156, 252, 254, 256, 452, 554, 666)에 도전성 응력 감쇄부(54a, 54b, 54c)이 형성되지 않는 경우 수축 또는 팽창에 의하여, 로드(152, 154, 156, 252, 254, 256, 452, 554, 666)와 1 전극(132, 232, 332), 제2 전극(142, 242, 342) 또는 열로드(134, 234, 334) 사이에 접촉이 불량해질 수 있으나, 도전성 응력 감쇄부(54a, 54b, 54c)이 응력을 감쇄하면, 접촉 불량이 발생하지 않기 때문에 전력이 원활하게 전달될 수 있다. 따라서 반도체 제조 장치(100, 200, 300)의 가동률 향상 및 가공되는 기판(10)의 품질이 유지될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
100, 200, 300 : 반도체 제조 장치, 50-1, 50-2, 60-1, 60-2, 152, 154, 156, 252, 254, 256, 452, 554, 666 : 로드, 52a, 52b, 52c : 로드 몸체, 54a, 54b, 54c : 도전성 응력 감쇄부, 66 : 굴절부

Claims (10)

  1. 가공을 위한 기판이 수용되는 챔버;
    상기 챔버 내에 가공 환경을 제공하는 제1 전극 및 상기 제1 전극과 대응하는 제2 전극; 및
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나에 연결되는 제1 전력 전달 로드(rod);를 포함하되,
    상기 제1 전력 전달 로드는 제1 일단부와 상기 제1 일단부에 반대되는 제1 타단부 사이에 제1 도전성 응력 감쇄부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 내에 장착되는 기판 지지대 및 상기 기판 지지대 상에 배치되는 가공 헤드를 더 포함하며,
    상기 제1 전력 전달 로드는 상기 기판 지지대에 삽입되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 기판 지지대 내에 배치되는 그라운드 전극판이며,
    상기 제2 전극은 상기 가공 헤드 내에 배치되는 RF 전원 전극판인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 응력 감쇄부는 코일 스프링 또는 판 스프링인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전력 전달 로드는, 상기 제1 일단부, 상기 제1 타단부 및 상기 제1 도전성 응력 감쇄부가 일체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전력 전달 로드는, 상기 제1 일단부, 상기 제1 타단부 및 상기 제1 도전성 응력 감쇄부가 전체적으로 일자 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 응력 감쇄부는 상기 제1 전력 전달 로드의 상기 제1 일단부와 상기 제1 타단부 사이에 복수개가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전력 전달 로드는, 상기 제1 일단부와 상기 제1 타단부 사이에 적어도 하나의 굴절부를 포함하며,
    상기 제1 도전성 응력 감쇄부는 상기 제1 일단부와 상기 굴절부 사이 및 상기 제1 타단부와 상기 굴절부 사이 중 적어도 한 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  9. 가공을 위한 기판이 수용되는 챔버;
    가공을 위한 상기 기판을 지지하는 기판 지지대;
    상기 기판 지지대 상에 배치되는 샤워 헤드;
    상기 샤워 헤드와 상기 기판 지지대 내에 각각 형성되는 RF 전원 전극판과 그라운드 전극판; 및
    상기 RF 전원 전극판 및 상기 그라운드 전극판 중 적어도 하나에 연결되며 일체형 구조인 RF 로드;를 포함하되,
    상기 RF 로드는 일단부와 상기 일단부에 반대되는 타단부 사이에 도전성 응력 감쇄부;가 형성되는 반도체 제조 장치.
  10. 제9 항에 있어서
    상기 RF 로드는 상기 그라운드 전극판과 전기적으로 연결되며, 상기 일단부, 상기 타단부 및 상기 도전성 응력 감쇄부가 전체적으로 일자 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
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