JP4801644B2 - 基板保持装置、基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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内周部と、
前記内周部の外周に位置する外周部と、を備え、前記内周部の温度および前記外周部の温度を互いに独立して制御する温度制御手段をさらに備えていることを特徴とする。
その外縁部分が基板の外縁よりも外側にはみ出るように形成されている貼着体、当該貼着体に貼着された基板、および当該基板に接着剤層を介して貼着されている支持板、からなる積層体より前記支持板を剥離処理する基板処理装置であって、
上記支持板に前記基板を貼着している前記接着剤に向かって気体を供給する気体供給口を有する気体供給手段と、
前記基板を保持する基板保持装置とを備え、
前記基板保持装置は、内周部と、該内周部の外周に位置する外周部とを備え、該内周部の温度および該外周部の温度を互いに独立して制御する温度制御手段を備えていることを特徴とする。
その外縁部分が基板の外縁よりも外側にはみ出るように形成されている貼着体、当該貼着体に貼着された基板および当該基板に接着剤層を介して貼着されている支持板からなる積層体を基板保持装置に設置する工程と、
前記貼着体を減圧吸着し積層体を前記基板保持装置に固定させる工程と、
積層体上方より前記支持板を吸着する支持板吸着部により支持板を吸着する工程と、
前記貼着体の減圧吸着を解除する工程と、
前記気体供給手段により気体供給口を介して気体を前記接着剤層と前記支持板との間に供給する工程と、
前記貼着体を減圧吸着する工程と、を含むことを特徴とする。
まず、図1を参照しつつ、本実施形態にかかる基板処理装置10の全体的構造について説明する。図1は、本実施形態にかかる基板処理装置を示す断面図である。
図2および図3を参照しつつ、処理対象について説明する。図2は、本実施形態にかかる基板処理装置により処理される処理対象を説明する平面図であり、図3は、図2に示す処理対象のA−A線における断面図である。
図4および図5を参照しつつ、気体供給手段について説明する。図4は、図1に示す気体供給手段11を説明する上面図であり、図5は、図4に示す気体供給手段11のB−B線における断面図である。
溶解液供給手段は、基板1とサポートプレート2とを貼り着けている接着剤層3に対して溶解液を供給する手段である。溶解液供給手段は、サポートプレート2に対向する処理面を有するプレート形状であり、サポートプレート2と同じ面積および形状を有することが好ましい。溶解液供給手段は、厚さ方向に貫通する溶液供給口を中央部に有している。溶液供給口は、基板1上の接着剤層3に対して溶解液を供給するための貫通孔である。
洗浄液供給手段は、基板1からサポートプレート2を剥離した後、基板1の表面を洗浄する手段である。洗浄液供給手段は、基板1に対向する処理面を有するプレート形状であり、基板1と同じ面積および形状を有することが好ましい。洗浄液供給手段は、厚さ方向に貫通する洗浄液供給口を中央部に有している。洗浄液供給口は、基板1の表面に対して洗浄液を供給するための貫通孔である。
乾燥手段は、基板表面を乾燥させる手段である。乾燥手段は、基板1に対向する処理面を有するプレート形状であり、基板1と同じ面積および形状を有することが好ましい。乾燥手段は、厚さ方向に貫通する気体供給口を中央部に有している。気体供給口は、基板1の表面に対して気体を供給するための貫通孔である。
次に、図6を参照しつつ、基板保持手段(基板保持装置)12について説明する。図6は、基板保持手段12を説明する断面図である。
本実施形態に係る基板処理方法について図7から図10を参照しつつ説明する。図7から図10は、本実施形態にかかる基板処理方法の各工程を示す断面図である。
その外縁部分が基板の外縁よりも外側にはみ出るように形成されている貼着体、当該貼着体に貼着された基板および当該基板に接着剤層を介して貼着されている支持板からなる積層体を基板保持手段に設置する工程と、
前記貼着体を減圧吸着し積層体を前記基板保持手段に固定させる工程と、
積層体上方より前記支持板を吸着する支持板吸着部により支持板を吸着する工程と、
前記貼着体の減圧吸着を解除する工程と、
前記気体供給手段により気体供給口を介して気体を前記接着剤層と前記支持板との間に供給する工程と、
前記貼着体を減圧吸着する工程と、を含む。
まず、薄化されたウエハ(例えば半導体ウエハや化合物半導体ウエハなど)を形成する。具体的には、接着層を介して、サポートプレートと、上記ウエハとを貼り着ける。上記ウエハは、およそ500〜1000μmの膜厚を有する。ついで、上記ウエハを研磨し、薄化されたウエハ(以下、「薄化ウエハ」ともいう)を形成する。ウエハの研磨は、各種公知の技術により行うことができる。
次に、図7に示すように、積層体5を基板保持手段12に固定する。具体的には、基板保持手段12と接触しているダイシングテープ4aを減圧吸着する。真空ポンプなどの減圧手段を稼動させることにより、内周部12aおよび外周部12bに設けられている吸引孔16を介して、ダイシングテープ4aと、内周部12aおよび外周部12bの表面(吸着面)との間が減圧され、これらを吸着することができる。なお、図6では、外周部12bにのみ吸着面がある場合を図示したため、内周部12aに吸引孔がある場合を図示していないが、ここで処理する基板処理方法では、内周部12aに吸引孔16がある装置を用いた例を説明する。つまり、内周部12aには、吸引孔16と同様の吸引孔が設けられている。これにより、積層体5が基板保持手段12に固定される。なお、本実施形態では、内周部12aおよび外周部12bが互いに独立して制御される吸着機構を有している。
次に、図7に示すように、積層体5の上方に、サポートプレート2と、そのプレート面が対向するように気体供給手段11とを配置する。ついで、サポートプレート2と気体供給手段11とを接触させ、減圧吸着によりサポートプレート2を気体供給手段11に固定する。具体的には、真空口11bと、サポートプレート2において貫通孔が設けられていない位置とが重なるように、気体供給手段11とサポートプレート2とを接触させ、ついで、真空口11bを介して減圧することにより、サポートプレート2と、気体供給手段11とを吸着する。このとき、基板保持手段12の内周部12aおよび外周部12bと、ダイシングテープ4aとの間は依然吸着されている。また、内周部12aの温度は、30〜100℃に維持され、外周部12bの温度は、10〜30℃に維持されていることが好ましい。
次に、ダイシングテープ4aの減圧吸着を解除する。具体的には、内周部12aの吸着を解除する。これは、基板保持手段12が有する減圧手段(たとえば、真空ポンプ)の稼動を停止することにより実現することができる。このとき、外周部12bの減圧手段は稼動したままであり、ダイシングテープ4aと外周部12bとの間は吸着されている。また、内周部12aの温度は、30〜100℃に維持され、外周部12bの温度は、10〜30℃に維持されていることが好ましい。
次に、図1に示すように、気体供給手段11の気体供給口11aを介して気体を基板1とサポートプレート2との間に供給する。この工程により、負荷の大きい作用(引っ張るなど)を加えることなく、気体供給という外力によってのみ、基板1とサポートプレート2とを容易に剥離することができる。このとき、供給される気体は、不活性ガスであることが好ましく、たとえば、窒素ガス、アルゴンガスなどを使用することができる。
次に、前記ダイシングテープ4aを再度吸着する。具体的には、内周部12aでの吸着を開始する。吸着方法の詳細は上述したとおりである。
次に、図8に示すように、サポートプレート2を上昇させる。これにより、基板1とサポートプレート2とが完全に離間される。この工程では、アーム部13によりサポートプレート2を吸着させた状態の気体供給手段(支持板吸着部)11を上昇させる。
次に、必要に応じて基板1の表面を洗浄する。特に接着剤層3が基板1上に残存している場合には、洗浄工程を行うことが好ましい。この洗浄工程について、図9を参照しつつ説明する。図9に示すように、まず、気体供給手段11に固定されていたサポートプレート2の固定を解除し、サポートプレート2を除去する。これは、気体供給手段11の真空口を介して行われていた減圧処理を停止すればよい。そして、この気体供給手段11が洗浄液供給手段として用いられる。
次に、必要に応じて、基板1の表面を乾燥させる。この乾燥工程においても、気体供給手段11が乾燥手段として用いられる。つまり、気体供給手段11の気体供給口11a、11cを介して、基板1に気体を供給し、この気体を真空口11bから回収することで基板1表面の乾燥を実現することができる。このときの気体の流れを図10中に矢印を用いて示す。これにより、ダイシングテープ4aの露出部分に、接着剤層3や洗浄液の残存物が飛散することなく、ダイシングテープ4aに損傷が生じることがない。
2 サポートプレート
3 接着剤層
4a ダイシングテープ
4b ダイシングフレーム
5 積層体
10 基板処理装置
11 気体供給手段
11a 気体供給口
11b 真空口
11c 溶液/気体供給口(洗浄液供給口)
12 基板保持手段
12a 内周部
12b 外周部
13 アーム部
14a ヒータ
14b ヒータ
16 吸引孔
Claims (11)
- その外縁部分が基板の外縁よりも外側にはみ出るように形成されている貼着体に貼着された基板を保持する基板保持装置であって、
内周部と、
前記内周部の外周に位置する外周部と、を備え、前記内周部の温度および前記外周部の温度を互いに独立して制御する温度制御手段をさらに備え、
前記内周部は、平坦な表面を有しかつ前記貼着体を吸着する吸着面を有さず、前記外周部は前記貼着体を吸着する吸着面を有することを特徴とする基板保持装置。 - 前記吸着面と前記貼着体との間を減圧状態にする減圧手段を備えていることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
- 前記吸着面には、前記減圧手段によって気体を排気するための複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の基板保持装置。
- 前記外周部に設けられている吸着面は、ポーラスな材質で形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の基板保持装置。
- 前記内周部の表面の面積と、前記外周部の吸着面の面積との比は、1:1〜3:1であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の基板保持装置。
- 前記外周部は、10〜50mmの幅を有する環状に形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の基板保持装置。
- その外縁部分が基板の外縁よりも外側にはみ出るように形成されている貼着体、当該貼着体に貼着された基板、および当該基板に接着剤層を介して貼着されている支持板、からなる積層体より前記支持板を剥離処理する基板処理装置であって、
前記支持板に前記基板を貼着している前記接着剤に向かって気体を供給する気体供給口を有する気体供給手段と、
前記基板を保持する基板保持装置とを備え、
前記基板保持装置は、内周部と、該内周部の外周に位置する外周部とを備え、該内周部の温度および該外周部の温度を互いに独立して制御する温度制御手段を備え、
前記内周部は、平坦な表面を有しかつ前記貼着体を吸着する吸着面を有さず、前記外周部は前記貼着体を吸着する吸着面を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記温度制御手段は、前記外周部の温度を10〜30℃に制御し、前記内周部の温度を30〜100℃に制御するようになっていることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- その外縁部分が基板の外縁よりも外側にはみ出るように形成されている貼着体、当該貼着体に貼着された基板および当該基板に接着剤層を介して貼着されている支持板からなる積層体を基板保持装置に設置する工程と、
前記貼着体を減圧吸着し前記積層体を前記基板保持装置に固定させる工程と、
前記積層体上方より前記支持板を吸着する支持板吸着部により前記支持板を吸着する工程と、
前記貼着体の減圧吸着を解除する工程と、
前記接着剤層と前記支持板との間に気体を供給する工程と、
前記貼着体を減圧吸着する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板保持装置は、内周部と、該内周部の外周に位置する外周部とを備え、該内周部の温度および該外周部の温度を互いに独立して制御するものであり、
前記外周部の温度は10〜30℃、前記内周部の温度は30〜100℃に保たれていることを特徴とする請求項9に記載の基板処理方法。 - 前記積層体を基板保持装置に設置する工程の前に、前記接着剤層に対して、接着剤を溶解する溶解液を供給する溶解液供給工程を設けることを特徴とする請求項9に記載の基板処理方法。
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JP2007224038A JP4801644B2 (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 基板保持装置、基板処理装置および基板処理方法 |
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