JP5227554B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5227554B2 JP5227554B2 JP2007224020A JP2007224020A JP5227554B2 JP 5227554 B2 JP5227554 B2 JP 5227554B2 JP 2007224020 A JP2007224020 A JP 2007224020A JP 2007224020 A JP2007224020 A JP 2007224020A JP 5227554 B2 JP5227554 B2 JP 5227554B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support plate
- gas
- gas supply
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
まず、図1を参照しつつ、本実施形態にかかる基板処理装置10の全体的構造について説明する。図1は、本実施形態にかかる基板処理装置を示す断面図である。
図2および図3を参照しつつ、処理対象について説明する。図2は、本実施形態にかかる基板処理装置により処理される処理対象を説明する平面図であり、図3は、図2に示す処理対象のA−A線における断面図である。
図4および図5を参照しつつ、気体供給手段について説明する。図4は、図1に示す気体供給手段11を説明する上面図であり、図5は、図4に示す気体供給手段11のB−B線における断面図である。
溶解液供給手段は、基板1とサポートプレート2とを貼り着けている接着剤層3に対して溶解液を供給する手段である。溶解液供給手段は、サポートプレート2に対向する処理面を有するプレート形状であり、サポートプレート2と同じ面積および形状を有することが好ましい。溶解液供給手段は、厚さ方向に貫通する溶液供給口を中央部に有している。溶液供給口は、基板1上の接着剤層3に対して溶解液を供給するための貫通孔である。
洗浄液供給手段は、基板1からサポートプレート2を剥離した後、基板1の表面を洗浄する手段である。洗浄液供給手段は、基板1に対向する処理面を有するプレート形状であり、基板1と同じ面積および形状を有することが好ましい。洗浄液供給手段は、厚さ方向に貫通する洗浄液供給口を中央部に有している。洗浄液供給口は、基板1の表面に対して洗浄液を供給するための貫通孔である。
乾燥手段は、基板表面を乾燥させる手段である。乾燥手段は、基板1に対向する処理面を有するプレート形状であり、基板1と同じ面積および形状を有することが好ましい。乾燥手段は、厚さ方向に貫通する気体供給口を中央部に有している。気体供給口は、基板1の表面に対して気体を供給するための貫通孔である。
次に、図6を参照しつつ、基板保持手段(基板保持装置)12について説明する。図6は、基板保持手段12を説明する断面図である。
本実施形態に係る基板処理方法について図7から図10を参照しつつ説明する。図7から図10は、本実施形態にかかる基板処理方法の各工程を示す断面図である。
その外縁部分が基板の外縁よりも外側にはみ出るように形成されている貼着体、当該貼着体に貼着された基板および当該基板に接着剤層を介して貼着されている支持板からなる積層体を準備し、これを基板保持手段に設置する工程と、
前記貼着体を減圧吸着し積層体を前記基板保持手段に固定させる工程と、
積層体上方より前記支持板を吸着する支持板吸着部により支持板を吸着する工程と、
前記貼着体の減圧吸着を解除する工程と、
前記気体供給手段により気体供給口を介して気体を前記接着剤層と前記支持板との間に供給する工程と、
前記貼着体を減圧吸着する工程と、を含む。
まず、薄化されたウエハ(例えば半導体ウエハや化合物半導体ウエハなど)を形成する。具体的には、接着層を介して、サポートプレートと、上記ウエハとを貼り着ける。上記ウエハは、およそ500〜1000μmの膜厚を有する。ついで、上記ウエハを研磨し、薄化されたウエハ(以下、「薄化ウエハ」ともいう)を形成する。ウエハの研磨は、各種公知の技術により行うことができる。
次に、図7に示すように、積層体5を基板保持手段12に固定する。具体的には、基板保持手段12と接触しているダイシングテープ4aを減圧吸着する。真空ポンプなどの減圧手段を稼動させることにより、内周部12aおよび外周部12bに設けられている吸引孔16を介して、ダイシングテープ4aと、内周部12aおよび外周部12bの表面(吸着面)との間が減圧され、これらを吸着することができる。なお、図6では、外周部12bにのみ吸着面がある場合を図示したため、内周部12aに吸引孔がある場合を図示していないが、ここで処理する基板処理方法では、内周部12aに吸引孔16がある装置を用いた例を説明する。つまり、内周部12aには、吸引孔16と同様の吸引孔が設けられている。これにより、積層体5が基板保持手段12に固定される。なお、本実施形態では、内周部12aおよび外周部12bが互いに独立して制御される吸着機構を有している。
次に、図7に示すように、積層体5の上方に、サポートプレート2と、そのプレート面が対向するように気体供給手段11とを配置する。ついで、サポートプレート2と気体供給手段11とを接触させ、減圧吸着によりサポートプレート2を気体供給手段11に固定する。具体的には、真空口11bと、サポートプレート2において貫通孔が設けられていない位置とが重なるように、気体供給手段11とサポートプレート2とを接触させ、ついで、真空口11bを介して減圧することにより、サポートプレート2と、気体供給手段11とを吸着する。このとき、基板保持手段12の内周部12aおよび外周部12bと、ダイシングテープ4aとの間は依然吸着されている。また、内周部12aの温度は、30〜100℃に維持され、外周部12bの温度は、10〜30℃に維持されていることが好ましい。
次に、ダイシングテープ4aの減圧吸着を解除する。具体的には、内周部12aの吸着を解除する。これは、基板保持手段12が有する減圧手段(たとえば、真空ポンプ)の稼動を停止することにより実現することができる。このとき、外周部12bの減圧手段は稼動したままであり、ダイシングテープ4aと外周部12bとの間は吸着されている。また、内周部12aの温度は、30〜100℃に維持され、外周部12bの温度は、10〜30℃に維持されていることが好ましい。
次に、図8に示すように、気体供給手段11の気体供給口11aを介して気体を基板1とサポートプレート2との間に供給する。この工程により、負荷の大きい作用(引っ張るなど)を加えることなく、気体供給という外力によってのみ、基板1とサポートプレート2とを容易に剥離することができる。このとき、供給される気体は、不活性ガスであることが好ましく、たとえば、窒素ガス、アルゴンガスなどを使用することができる。
次に、前記ダイシングテープ4aを再度吸着する。具体的には、内周部12aでの吸着を開始する。吸着方法の詳細は上述したとおりである。
次に、図8に示すように、サポートプレート2を上昇させる。これにより、基板1とサポートプレート2とが完全に離間される。この工程では、アーム部13によりサポートプレート2を吸着させた状態の気体供給手段(支持板吸着部)11を上昇させる。
次に、必要に応じて基板1の表面を洗浄する。特に接着剤層3が基板1上に残存している場合には、洗浄工程を行うことが好ましい。この洗浄工程について、図9を参照しつつ説明する。図9に示すように、まず、気体供給手段11に固定されていたサポートプレート2の固定を解除する。これは、気体供給手段11の真空口を介して行われていた減圧処理を停止すればよい。そして、この気体供給手段11が洗浄液供給手段として用いられる。
次に、必要に応じて、基板1の表面を乾燥させる。この乾燥工程においても、気体供給手段11が乾燥手段として用いられる。つまり、気体供給手段11の気体供給口11a、11cを介して、基板1に気体を供給し、この気体を真空口11bから回収することで基板1表面の乾燥を実現することができる。このときの気体の流れを図10中に矢印を用いて示す。これにより、ダイシングテープ4aの露出部分に、残存物が飛散することなく、ダイシングテープ4aに損傷が生じることがない。
2 サポートプレート
3 接着剤層
4a ダイシングテープ
4b ダイシングフレーム
5 積層体
10 基板処理装置
11 気体供給手段
11a 気体供給口
11b 真空口
11c 溶液/気体供給口(洗浄液供給口)
12 基板保持手段
12a 内周部
12b 外周部
13 アーム部
14a ヒータ
14b ヒータ
16 吸引孔
Claims (15)
- 基板を支持する支持板に接着剤で貼着されている基板を処理する基板処理装置であって、
上記支持板に基板を貼着している上記接着剤に向かって気体を供給する気体供給口を有する気体供給手段を備え、
前記気体供給手段は、
前記支持板を吸着する支持板吸着部を備え、当該支持板吸着部によって支持板を吸着しながら、気体を供給し、
初期供給流量0〜15L/minで気体の供給を開始するようになっており、
前記支持板と前記基板とを剥離した後、前記基板に付着している接着剤に対して、洗浄液を供給する洗浄液供給手段をさらに備え、
前記気体供給手段は、前記洗浄液が供給された接着剤に向かって気体を供給するようになっている
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記支持板は、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔を有した支持板であって、
前記気体供給手段は、前記支持板の前記接着剤に接していない面側から気体を供給するようになっていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記基板を保持する基板保持手段をさらに備え、
当該基板保持手段は、前記支持板吸着部による支持板の吸着前は基板を吸着保持し、前記支持板吸着部による支持板の吸着時に基板の吸着を解除し、前記気体供給手段による気体の供給後に基板を吸着保持するようになっていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記気体供給手段は、気体の供給開始時から、段階的に気体の供給流量を増加させ、供給開始10秒後に最大供給流量30L/minに達するように気体を供給するようになっていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記気体供給手段は、気体の供給を開始してから10秒〜60秒後までに気体の供給を終了するようになっていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記気体供給口は、前記支持板の貫通孔の少なくとも1つに対応する位置に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、前記接着剤に対して、接着剤を溶解する溶解液を供給する溶解液供給手段をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記洗浄液供給手段は、前記基板表面の接着剤に供給した洗浄液を吸引する洗浄液吸引手段を備えていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板表面に対して気体を供給することによって前記基板表面を乾燥させる乾燥手段をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥手段は、前記基板表面に供給した気体を吸引する気体吸引手段をさらに備えていることを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記溶解液と前記洗浄液とが同一組成であることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 基板を支持する支持板に接着剤で貼着されている基板を処理する基板処理装置であって、
上記支持板に基板を貼着している上記接着剤に向かって気体を供給する気体供給口を有する気体供給手段を備え、
前記気体供給手段は、前記支持板を吸着する支持板吸着部を備え、当該支持板吸着部によって支持板を吸着しながら、気体を供給するようになっており、
前記基板を保持する基板保持手段をさらに備え、
当該基板保持手段は、前記支持板吸着部による支持板の吸着前は基板を吸着保持し、前記支持板吸着部による支持板の吸着時に基板の吸着を解除し、前記気体供給手段による気体の供給後に基板を吸着保持するようになっており、
前記支持板と前記基板とを剥離した後、前記基板に付着している接着剤に対して、洗浄液を供給する洗浄液供給手段をさらに備え、
前記気体供給手段は、前記洗浄液が供給された接着剤に向かって気体を供給するようになっている
ことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を支持する支持板に接着剤で貼着されている基板を処理する基板処理方法であって、
上記支持板に基板を貼着している上記接着剤に対して、接着剤を溶解する溶解液を供給する溶解液供給工程と、
前記溶解液が供給された接着剤に向かって気体を供給する気体供給工程と、を包含し、
前記気体供給工程においては、前記支持板を吸着しながら気体を供給し、初期供給流量0〜15L/minで気体の供給を開始するようになっており
前記支持板と前記基板とを剥離した後、前記基板に付着している接着剤に対して、洗浄液を供給する洗浄液供給工程と、
前記洗浄液が供給された接着剤に向かって気体を供給する工程とをさらに包含する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 基板を支持する支持板に接着剤で貼着されている基板を剥離処理する基板処理方法であって、
上記支持板は、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔を有した支持板であって、
上記支持板に基板を貼着している上記接着剤に対して、接着剤を溶解する溶解液を供給する第1の溶解液供給工程と、
前記溶解液が供給された接着剤に向かって気体を供給する第1の気体供給工程と、
前記気体が供給された接着剤に向かって前記支持板の貫通孔の少なくとも1つより前記溶解液を供給する第2の溶解液供給工程と、
前記溶解液が供給された接着剤に向かって気体を供給する第2の気体供給工程と、を包含し、
前記第1の気体供給工程及び前記第2の気体供給工程においては、前記支持板を吸着しながら気体を供給し、
前記支持板と前記基板とを剥離した後、前記基板に付着している接着剤に対して、洗浄液を供給する洗浄液供給工程と、
前記洗浄液が供給された接着剤に向かって気体を供給する工程とをさらに包含する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 基板を支持する支持板に接着剤で貼着されている基板を処理する基板処理方法であって、
上記支持板に基板を貼着している上記接着剤に対して、接着剤を溶解する溶解液を供給する溶解液供給工程と、
前記溶解液が供給された接着剤に向かって気体を供給する気体供給工程と、を包含し、
前記気体供給工程においては、前記支持板を吸着しながら気体を供給し、
前記気体供給工程において、支持板を吸着する前は基板を吸着保持し、支持板の吸着時に基板の吸着を解除し、気体の供給後に基板を吸着保持するようになっており、
前記支持板と前記基板とを剥離した後、前記基板に付着している接着剤に対して、洗浄液を供給する洗浄液供給工程と、
前記洗浄液が供給された接着剤に向かって気体を供給する工程とをさらに包含する
ことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007224020A JP5227554B2 (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007224020A JP5227554B2 (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009059776A JP2009059776A (ja) | 2009-03-19 |
JP5227554B2 true JP5227554B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=40555284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007224020A Active JP5227554B2 (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5227554B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210064602A (ko) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 분리 장치 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004356377A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Lintec Corp | 脆質部材の剥離方法及び脆質部材の支持ユニット |
JP4721828B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-07-13 | 東京応化工業株式会社 | サポートプレートの剥離方法 |
JP4668052B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-04-13 | 東京応化工業株式会社 | 剥離装置 |
TWI275080B (en) * | 2005-12-08 | 2007-03-01 | Compal Electronics Inc | Storing mechanism |
-
2007
- 2007-08-30 JP JP2007224020A patent/JP5227554B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210064602A (ko) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 분리 장치 |
KR102267955B1 (ko) * | 2019-11-26 | 2021-06-22 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 분리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009059776A (ja) | 2009-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5027460B2 (ja) | ウエハの接着方法、薄板化方法、及び剥離方法 | |
JP5273791B2 (ja) | 基板への接着テープ貼り付け装置 | |
JP5210060B2 (ja) | 剥離装置および剥離方法 | |
JP2004311576A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2002100595A (ja) | ウエ−ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ−ハ処理装置 | |
JP2010010207A (ja) | 剥離装置および剥離方法 | |
WO2008007454A1 (fr) | Plaque de maintien, dispositif de transfert, dispositif de pelage et procédé de pelage | |
US7960247B2 (en) | Die thinning processes and structures | |
JP2009158879A (ja) | 基板への接着シートの貼付け装置 | |
JP2002237515A (ja) | 薄葉化半導体基板の剥離装置および剥離法 | |
JP4908085B2 (ja) | ウエーハの処理装置 | |
TWI528498B (zh) | 施加底部填充膜之預切割晶圓 | |
JP2001093864A (ja) | 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法 | |
TWI810309B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP2018186194A (ja) | 基板の離脱方法および基板の離脱装置 | |
JP2007165351A (ja) | ダイボンディング方法 | |
JP4801644B2 (ja) | 基板保持装置、基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2008018164A1 (fr) | Procédé et dispositif pour séparer une plaque de support d'une plaquette | |
JP5227554B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2012169548A (ja) | チップ状部品のピックアップ方法 | |
JP2019029543A (ja) | ウエーハの研削方法 | |
JP7317482B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TW200923586A (en) | Coating method | |
KR100539271B1 (ko) | 휨 방지 재질을 사용하는 반도체 칩의 다이 접착 방법 | |
TWI827701B (zh) | 晶圓加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100520 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120502 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130318 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5227554 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160322 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |